專利名稱：開關(guān)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明關(guān)于一種開關(guān)裝置，尤其關(guān)于一種能夠處理大擺幅信號的開關(guān)裝置。
背景技術(shù)：
在一無線通訊系統(tǒng)中，例如一頻率調(diào)變(Frequency Modulation)收發(fā)器中，該頻率調(diào)變收發(fā)器的接收器和發(fā)送器會共享同一支天線。因此，當該無線通訊系統(tǒng)處于正常的操作時，一開關(guān)會用來將該天線耦接至該接收器，或?qū)⒃撎炀€耦接至該發(fā)送器。依據(jù)一傳統(tǒng)的無線通訊系統(tǒng)的作法，該開關(guān)與該接收器串接在一起，而不是與該發(fā)送器串接在一起，這是由于發(fā)送器關(guān)于信號失真與頻帶外發(fā)射(Out-of-band emission)的要求比該接收器關(guān)于信號線性度的要求來得嚴厲所致。舉例來說，在一接收信號模式下，當該開關(guān)開啟(亦即短路)時，該開關(guān)應具有低插入損耗(Insertion loss)、大的輸入范圍、低信號失真、占用面積小等特性；而在一傳送信號模式下，當該開關(guān)關(guān)閉(亦即開路)時，該開關(guān)應具有承受得住大擺幅信號、低信號失真、不干擾該傳送器的傳送信號等特性。然而，由于該接收器與該發(fā)送器的電路結(jié)構(gòu)都相當復雜，因此要制造出一個符合上述特征，且可以承受該接收器所能接受的最大射頻輸入信號和/或該發(fā)送器所能產(chǎn)生的最大射頻輸出信號的開關(guān)其實是相當困難的。因此，提供一個符合上述特征的開關(guān)給該無線通訊系統(tǒng)已成為本領(lǐng)域技術(shù)人員所亟需解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明之一目的在于提供能夠處理大擺幅信號的一開關(guān)裝置，以承受該接收器所能接受的最大射頻輸入信號和/或該發(fā)送器所能產(chǎn)生的最大射頻輸出信號。依據(jù)本發(fā)明的一實施例，其提供一種開關(guān)裝置。該開關(guān)裝置包含有一第一開關(guān)電路以及一第一控制電路。該第一開關(guān)電路具有一控制端點耦接于一第一控制信號，該第一開關(guān)電路用來依據(jù)該第一控制信號選擇性地將一信號端點耦接至一第一放大電路。該第一控制電路具有一第一控制端點與一第二控制端點分別耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點與該信號端點，其中當該第一開關(guān)電路被控制以電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點的一電壓電平到達一第一預定電壓電平時，該第一控制電路用來將該第一開關(guān)電路的該控制端點電性連接至該信號端點。依據(jù)本發(fā)明的另一實施例，其提供一種開關(guān)裝置。該開關(guān)裝置包含有一開關(guān)電路。 該開關(guān)電路具有一控制端點耦接于一第一控制信號，該開關(guān)電路用來依據(jù)該第一控制信號選擇性地將一信號端點耦接于一第一放大電路。該開關(guān)電路包含有一場效應晶體管以及一第一電阻性電路。該場效應晶體管具有一柵極端耦接于該第一控制信號，一第一連接端耦接于該信號端點，以及一第二連接端耦接于該第一放大電路，該場效應晶體管形成于一第一摻雜井內(nèi)。該第一電阻性電路的一端點串接于該第一摻雜井，另一端點耦接于一接地電壓，當該開關(guān)電路被控制來電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點上的該電壓電平達到一第二預定電壓電平時，該第一電阻性電路用來限制流入該第一摻雜井的一電流。上述開關(guān)裝置，能夠處理大擺幅信號，以承受該接收器所能接受的最大射頻輸入信號和/或該發(fā)送器所能產(chǎn)生的最大射頻輸出信號。


圖1為本發(fā)明的前端電路的一實施例的電路示意圖；圖2A為本發(fā)明的第一開關(guān)電路的一實施例的簡化縱切面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路的前端電路的的一實施例的電路示意圖；圖2C為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路的前端電路的另一實施例的電路示意圖；圖2D為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路的前端電路的再一實施例的電路示意圖。
具體實施例方式在說明書當中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應可理解， 硬件制造商可能會用不同的名詞來稱呼同一個元件。本說明書并不以名稱的差異來作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)分的準則。在通篇說明書當中所提及的「包含」為一開放式的用語，故應解釋成「包含但不限定于」。此外，「耦接」一詞在此包含任何直接及間接的電氣連接手段，因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表該第一裝置可直接電氣連接于該第二裝置，或者透過其他裝置或連接手段間接地電氣連接至該第二裝置。請參考圖1，圖1為本發(fā)明的前端電路的一實施例的電路示意圖。前端電路100包含有開關(guān)裝置102、低噪聲放大器104、功率放大器106、墊108、電感110以及偏壓電路112， 其中開關(guān)裝置102、低噪聲放大器104、功率放大器106以及墊108設(shè)置于一集成電路內(nèi)，亦即一單芯片。電感110的第一端從外部經(jīng)由墊108耦接于該集成電路，而電感110的第二端耦接于接地電壓AVSS。此外，一嵌入式的天線(未顯示于圖中)用來直接連接于墊108以使得該嵌入式的天線并聯(lián)于電感110。換句話說，本實施例并沒有使用交流(Alternating Current, AC)耦合電容來連接在該嵌入式天線與墊108之間，因此連接該嵌入式天線的墊 108上的直流(Direct Current,DC)偏壓點會大致上為OV(伏特)。此外，在本較佳實施例中，前端電路100可以為一頻率調(diào)變通訊系統(tǒng)的前段電路。開關(guān)裝置102包含有第一開關(guān)電路1022、第一控制電路IOM以及第二控制電路 1(^6。第一開關(guān)電路1022可以為一 T/R(傳送器/接收器)開關(guān)，該T/R開關(guān)會具有一控制端點W耦接于第一控制信號&1，且第一開關(guān)電路1022用來依據(jù)第一控制信號Scl選擇性地將一信號端點N2耦接至第一放大電路(亦即低噪聲放大器104)。第一控制電路IOM 具有第一控制端點與第二控制端點分別耦接于第一開關(guān)電路1022的控制端點m與信號端點N2。當?shù)谝婚_關(guān)電路1022被控制以電性切斷信號端點N2與低噪聲放大器104之間的連接，且當信號端點N2的一電壓電平Vn2到達第一預定電壓電平Vpl時，第一控制電路IOM 用來將第一開關(guān)電路1022的控制端點m電性連接至信號端點N2。
此外，在此較佳實施例中，第一開關(guān)電路1022可以為一場效應晶體管。進一步來說，第一開關(guān)電路1022會包含有N型場效應晶體管MNl，如圖1所示，N型場效應晶體管MNl 會具有柵極端耦接于第一控制信號&1、第一連接端耦接于信號端點N2以及第二連接端耦接于低噪聲放大器104。更進一步而言，第一開關(guān)電路1022另包含有第一電阻性電路1022a、電容性電路 1022b以及第二電阻性電路1022c。在此較佳實施例中，N型場效應晶體管MNl形成于第一摻雜井(well)中，例如P型井(P-well)。第一電阻性電路1022a的一端點串接于該P型井，而第一電阻性電路102 的另一端點耦接于一接地電壓AVSS。當?shù)谝婚_關(guān)電路1022被控制來電性切斷信號端點N2與低噪聲放大器104之間的連接，且當信號端點N2上的電壓電平達到一第二預定電壓電平Vp2時，第一電阻性電路102 用來限制流入該P型井的一電流。電容性電路1022b耦接于N型場效應晶體管MNl的第一連接端(亦即擬)與該P型井之間。請注意，在此較佳實施例中，N型場效應晶體管Mm另形成于一第二摻雜井中，例如一深N型井(de印N-well)。此外，第二電阻性電路1022c的一端點串接于該深N型井， 而第二電阻性電路1022c的另一端點耦接于一供應電壓AVDD。此外，第一控制電路IOM包含有一場效應晶體管10Ma、一電阻性電路10Mb、一電阻性電路IOMc以及一電阻性電路10Md。場效應晶體管102 可以為一 N型場效應晶體管，而場效應晶體管102 具有一柵極端耦接于一參考電壓(例如接地電壓AVSS)、一第一連接端耦接于該第一控制端點(亦即控制端點W)以及一第二連接端耦接于該第二控制端點(亦即信號端點擬)。電阻性電路1024b耦接于場效應晶體管IOMa的第二連接端N3 與第二控制端點N2之間。電阻性電路102 耦接于場效應晶體管IOMa的柵極端與參考電壓AVSS之間。電阻性電路1024d耦接于第一開關(guān)電路1022的控制端點附與第一控制信號Scl之間。第二控制電路10 具有一第三控制端點與第四控制端點分別耦接于第一開關(guān)電路1022的控制端點(亦即Ni)與一參考電壓(亦即一供應電壓AVDD)。當?shù)谝婚_關(guān)電路 1022被用來將信號端點N2連接至該第一放大電路(亦即低噪聲放大器104)時，第二控制電路10 用來將第一開關(guān)電路1022的控制端點(亦即Ni)上的一電壓電平大致上維持不變。在此較佳實施例中，第二控制電路10 可以為一場效應晶體管。進一步而言，第二控制電路10 可以為一 P型場效應晶體管，如圖1所示。該P型場效應晶體管具有一柵極端耦接于一第二控制信號&2，一第三連接端耦接于第一開關(guān)電路1022的該控制端點(亦即 Ni)以及一第四連接端耦接于供應電壓AVDD。此外，第二控制信號Sc2為第一控制信號&1 的一反相信號。偏壓電路112包含有一第一電阻性電路RSl以及一第二電阻性電路RS2耦接于供應電壓AVDD與接地電壓AVSS之間。當?shù)谝婚_關(guān)電路1022被控制來電性切斷信號端點N2 與該第一放大電路(亦即低噪聲放大器104)之間的連接時，第一電阻性電路RSl與第二電阻性電路RS2用來將N型場效應晶體管Mm的第二連接端偏壓在一第三預定電壓電平Vp3， 如圖1所示。在傳送信號模式下，當前端電路100用來傳送一射頻信號Srf至該嵌入式天線時， 第一控制信號Scl會關(guān)閉第一開關(guān)電路1022以使得信號端點N2與低噪聲放大器104之間電性斷開，亦即第一控制信號Scl的電壓電平會被切換至低電壓電平(例如0V)以關(guān)閉第一開關(guān)電路1022。接著，功率放大器106就會用來產(chǎn)生射頻信號Srf，并經(jīng)由墊108傳送至該嵌入式天線。由于信號端點N2耦接于墊108，故射頻信號Srf的大擺幅有可能會受到第一開關(guān)電路1022的操作狀態(tài)的影響。進一步而言，射頻信號Srf的大擺幅有可能會啟動N 型場效應晶體管麗1的漏基PN接面(drain-bulk PN junction) 0因此，第一電阻性電路 102 用來耦接于該基體(亦即該P型井)與接地電壓AVSS之間，以于信號端點N2上的電壓電平達到第二預定電壓電平Vp2時限制電流Il從接地電壓AVSS流至該基底。請參考圖2A與圖2B。圖2A為本發(fā)明的第一開關(guān)電路的一實施例的簡化縱切面結(jié)構(gòu)示意圖，該第一開關(guān)電路1022不具有第一電阻性電路1022a、電容性電路1022b與第二電阻性電路1022c。圖2B為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路的前端電路的一實施例的電路示意圖，其中第一電阻性電路102 設(shè)置于該P型井與接地電壓AVSS之間。如圖 2A所示，當信號端點N2的電壓電平到達第二預定電壓電平Vp2時，電流Il會被產(chǎn)生并流過 N型場效應晶體管麗1的漏基PN接面(亦即PN接面PNl)，并使得PN接面Pm的壓降為一臨界電壓(亦即Vth)。簡言之，第二預定電壓電平Vp2設(shè)為0V。如圖2B所示，當?shù)谝浑娮栊噪娐?02 被設(shè)置于該P型井與接地電壓AVSS之間時，第一電阻性電路102 會限制由射頻信號Srf的擺幅所導致的電流II。請注意，在此較佳實施例中電流Il為一交流電流， 而PN接面PN2則為N型場效應晶體管麗1的源基PN接面。此外，為了進一步改良第一開關(guān)電路1022，本發(fā)明另設(shè)置了電容性電路1022b，電容性電路1022b耦接于N型場效應晶體管麗1的漏極(亦即N2)與該P型井之間，以使得該P型井的交流電壓會跟隨著N型場效應晶體管MNl的漏極的電壓一起變化，如圖2C所示。圖2C為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路1022的前端電路的另一實施例的電路示意圖，其中第一電容性電路1022b設(shè)置于N型場效應晶體管MNl的漏極與該P型井之間。如此一來，該P型井上的一交流電壓就會隨著N型場效應晶體管麗1的漏極(亦即信號端點N2)上的一交流電壓一起變化，因此當射頻信號Srf的擺幅引導出電流Il時，PN接面Pm就可以保證不會被導通。更進一步而言，第一電阻性電路102 與電容性電路1022b 用來構(gòu)成一高通電阻電容濾波器，而此高通電阻電容濾波器的3分貝(dB)轉(zhuǎn)角頻率可以設(shè)計為比該頻率調(diào)變頻帶低10倍的頻率。此外，出現(xiàn)于該P型井與該深N型井之間的寄生電容Cp會形成一零點，此零點會造成由第一電阻性電路102 與電容性電路1022b所構(gòu)成的該高通電阻電容濾波器的功能變差。因此，第二電阻性電路1022c會設(shè)計為具有一大電阻值，并將第二電阻性電路1022c 串接于N型場效應晶體管MNl的深N型井以調(diào)整該零點的頻率，進而減少寄生電容Cp對該高通電阻電容濾波器所造成的沖擊，如圖2D所示。圖2D為本發(fā)明包含有圖2A所示的第一開關(guān)電路1022的前端電路的再一實施例的電路示意圖，其中第二電阻性電路1022c串接于 N型場效應晶體管麗1的深N型井。請注意，PN接面PN3為N型場效應晶體管麗1的該P 型井與該深N型井之間所形成的PN接面。另一方面，在傳送信號模式下時，當射頻信號Srf足夠大時，射頻信號Srf還可能會導通N型場效應晶體管MN1，這是因為在傳送信號模式下時，第一控制信號的電壓電平設(shè)定為0V，而信號端點N2上的直流電壓也偏壓在0V。因此，在傳送信號模式下，當信號端點N2的電壓電平Vn2達到第一預定電壓電平Vp 1時，本發(fā)明另提供了第一控制電路IOM來將第一開關(guān)電路1022的控制端點m電性連接至信號端點N2。請再次參考圖1。第一控制電路IOM的場效應晶體管IOMa(亦即N型場效應晶體管)的柵極耦接于接地電壓AVSS， 而場效應晶體管102 的源極耦接于信號端點N2，而信號端點N2在傳送信號模式下也是偏壓在0V。因此，在傳送信號模式下場效應晶體管102 是關(guān)閉的。然而，若射頻信號Srf的功率足夠大以及射頻信號Srf的擺幅到達低于接地電壓AVSS的至少一個臨界電壓Vth時， 場效應晶體管102 將會被導通而將N型場效應晶體管MNl的漏極(亦即擬)連接至N型場效應晶體管MNl的柵極(亦即Ni)。因此，當場效應晶體管102 被導通時，N型場效應晶體管麗1的柵極(亦即Ni)就會追隨N型場效應晶體管麗1的漏極(亦即擬)的交流擺幅。如此一來，就算射頻信號Srf的擺幅過大時，N型場效應晶體管Mm也不會被導通。請注意，在此較佳實施例中，第一預定電壓電平Vpl可以設(shè)定為低于接地電壓AVSS至少一個臨界電壓Vth的電壓。此外，上述關(guān)于第一開關(guān)電路1022的技術(shù)還可以應用在場效應晶體管102 上以防止相同的問題，即防止場效應晶體管IOMa的汲基PN接面的導通，其原因已教導于上述段落中，故在此不另贅述。另一方面，在接收信號模式下，當前端電路100用來經(jīng)由該嵌入式天線接收一射頻信號Srf時，第一控制信號Scl用來導通第一開關(guān)電路1022以使得信號端點N2連接至低噪聲放大器104，即第一控制信號&1的電壓電平會被切換至一高的電壓電平(例如AVDD) 以導通第一開關(guān)電路1022。接著，低噪聲放大器104被用來經(jīng)由墊108接收來自該嵌入式天線的射頻信號Srf。依據(jù)此較佳實施例，第二控制電路10 的P型場效應晶體管用來于該接收信號模式下導通以提供供應電壓AVDD給第一開關(guān)電路1022的該控制端點(亦即 Ni).進一步來說，當前端電路100操作在接收模式下，若沒有該P型場效應晶體管(亦即 1026)時，射頻信號Srf的大擺幅就會造成場效應晶體管102 意外導通。因此，射頻信號 Srf的功率就會被傳送到N型場效應晶體管MNl的柵極(亦即Ni)，進而惡化所接收的射頻信號Srf的品質(zhì)(例如線性度)。因此，當具有P型場效應晶體管(亦即1026)時，第二控制信號亦即第一控制信號Scl的一反相信號)就可以用來導通P型場效應晶體管(亦即10 )以提供供應電壓AVDD給N型場效應晶體管麗1的柵極(亦即Ni)。如此一來，N 型場效應晶體管MNl的柵極(亦即Ni)就可以持續(xù)偏壓在供應電壓AVDD，而不受所接收的射頻信號Srf的擺幅所影響。另一方面，當前端電路100操作在該傳送信號模式下，偏壓電路112用來將N型場效應晶體管麗1的源極偏壓在第三預定電壓電平Vp3 (例如AVDD與AVSS之間的任一電壓電平)，以使得低噪聲放大器104的該輸入端偏壓在第三預定電壓電平Vp3。然而，當前端電路100操作在接收信號模式下，偏壓電路112的第一電阻性電路RSl與第二電阻性電路 RS2都會被控制以電性斷開與N型場效應晶體管MNl的源極的連接，以保證N型場效應晶體管MNl中源極至基底的二極管在大擺幅信號下不會被導通。依據(jù)此較佳實施例，使用電阻性電路IOMb的目的是處理靜電(Electrostatic Discharge,ESD)防護。換句話說，電阻性電路1024b要用來保護面積相對較小的元件102 以避免受到靜電的影響。進一步而言，電阻性電路1024b在大擺幅信號下會提供一壓降，就如同上述導通N型場效應晶體管麗1的情況一樣。此外，使用電阻性電路IOMc與電阻性電路IOMd的目的是為了要減少場效應晶體管102 與N型場效應晶體管麗1分別的非線性電容(亦即柵極-漏極電容Cgd與柵極-源極電容Cgs)所造成的影響。換句話說，電阻性電路102 與電阻性電路1024d可用來改善信號失真的問題。請注意，由于場效應晶體管IOMa的面積遠小于N型場效應晶體管Mm的面積，電阻性電路102 可以設(shè)計為具有相對較小的電阻值，并主要是用來改善場效應晶體管IOMa的靜電保護特性。綜上所述，本發(fā)明的實施例于該T/R開關(guān)操作在該傳送信號模式時，利用第一電阻性電路102 來限制從該P型井流至接地電壓AVSS的電流；于該T/R開關(guān)操作在該傳送信號模式時，利用場效應晶體管102 來使得N型場效應晶體管MNl持續(xù)地關(guān)閉；以及于該 T/R開關(guān)操作在該接收信號模式時，利用第一開關(guān)電路1022來使得N型場效應晶體管MNl 持續(xù)地導通。如此一來，該T/R開關(guān)會具有高線性度、低信號失真、低插入損耗以及承受高信號擺幅的特性。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明說明書所做的均等變化與修飾， 皆應屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種開關(guān)裝置，包含有一第一開關(guān)電路，具有一控制端點耦接于一第一控制信號，該第一開關(guān)電路用來依據(jù)該第一控制信號選擇性地將一信號端點耦接至一第一放大電路；以及一第一控制電路，具有一第一控制端點與一第二控制端點分別耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點與該信號端點，其中當該第一開關(guān)電路被控制以電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點的一電壓電平到達一第一預定電壓電平時，該第一控制電路用來將該第一開關(guān)電路的該控制端點電性連接至該信號端點。
2.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，其中該第一控制電路包含有一場效應晶體管，具有一柵極端耦接于一參考電壓，一第一連接端耦接于該第一控制端點，以及一第二連接端耦接于該第二控制端點。
3.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管為一N型場效應晶體管，以及該參考電壓為一接地電壓。
4.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)裝置，其中該第一控制電路另包含有一電阻性電路，耦接于該場效應晶體管的該第二連接端與該第二控制端點之間。
5.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)裝置，其中該第一控制電路另包含有一電阻性電路，耦接于該場效應晶體管的該柵極端與該參考電壓之間。
6.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，另包含有一第二控制電路，具有一第三控制端點與一第四控制端點分別耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點與一參考電壓，當該第一開關(guān)電路被用來將該信號端點連接至該第一放大電路時，該第二控制電路用來將該第一開關(guān)電路的該控制端點上的一電壓電平大致上維持不變。
7.如權(quán)利要求6所述的開關(guān)裝置，其中該第二控制電路包含有一場效應晶體管，具有一柵極端耦接于一第二控制信號，一第一連接端耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點，以及一第二連接端耦接于該參考電壓。
8.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管為一P型場效應晶體管，以及該參考電壓為一供應電壓。
9.如權(quán)利要求7所述的開關(guān)裝置，其中該第二控制信號為該第一控制信號的一反相信號。
10.如權(quán)利要求1所述的開關(guān)裝置，其中該第一開關(guān)電路包含有一場效應晶體管，具有一柵極端耦接于該第一控制信號，一第一連接端耦接于該信號端點，以及一第二連接端耦接于該第一放大電路，該場效應晶體管形成于一第一摻雜井內(nèi)； 以及一第一電阻性電路，該第一電阻性電路的一端點串接于該第一摻雜井，另一端點耦接于一接地電壓，當該第一開關(guān)電路被控制來電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點上的該電壓電平達到一第二預定電壓電平時，該第一電阻性電路用來限制流入該第一摻雜井的電流。
11.如權(quán)利要求10所述的開關(guān)裝置，其中該第一開關(guān)電路另包含有一電容性電路，耦接于該場效應晶體管的該第一連接端與該第一摻雜井之間。
12.如權(quán)利要求10所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管另形成在一第二摻雜井內(nèi)，以及該第一開關(guān)電路另包含有一第二電阻性電路，該第二電阻性電路的一端點串接于該第二摻雜井，另一端點耦接于一供應電壓。
13.如權(quán)利要求2所述的開關(guān)裝置，其中該第一控制電路另包含有一電阻性電路，耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點與該第一控制信號之間。
14.如權(quán)利要求10所述的開關(guān)裝置，另包含有一偏壓電路，當該第一開關(guān)電路被控制來電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接時，該偏壓電路用來將該場效應晶體管的該第二連接端偏壓在一第三預定電壓電平。
15.如權(quán)利要求10所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管為一N型場效應晶體管。
16.一開關(guān)裝置，包含有一開關(guān)電路，具有一控制端點耦接于一第一控制信號，該開關(guān)電路依據(jù)該第一控制信號來選擇性地將一信號端點耦接于一第一放大電路，該開關(guān)電路包含有；一場效應晶體管，具有一柵極端耦接于該第一控制信號，一第一連接端耦接于該信號端點，以及一第二連接端耦接于該第一放大電路，該場效應晶體管形成于一第一摻雜井內(nèi)； 以及一第一電阻性電路，該第一電阻性電路的一端點串接于該第一摻雜井，另一端點耦接于一接地電壓，當該開關(guān)電路被控制來電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點上的該電壓電平達到一第二預定電壓電平時，該第一電阻性電路用來限制流入該第一摻雜井的一電流。
17.如權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置，其中該開關(guān)電路另包含有一電容性電路，耦接于該場效應晶體管的該第一連接端與該第一摻雜井之間，用來使得該第一摻雜井上的交流電壓跟隨著該場效應晶體管的該第一連接端的交流電壓一起變化。
18.如權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管另形成于一第二摻雜井內(nèi)， 并形成一零點，該零點由該第一摻雜井與該第二摻雜井之間的一寄生電容所造成，該開關(guān)電路另包含有一第二電阻性電路，串接于該第二摻雜井，用來調(diào)整該零點的頻率。
19.如權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置，其中該開關(guān)電路另包含有一電阻性電路，耦接于該場效應晶體管的該柵極端與該第一控制信號之間，用來減小由該場效應晶體管所造成的信號失真。
20.如權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置，另包含有一偏壓電路，當該開關(guān)電路被控制來電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接時，該偏壓電路用來將該場效應晶體管的該第二連接端偏壓在一第三預定電壓電平。
21.如權(quán)利要求16所述的開關(guān)裝置，其中該場效應晶體管為一N型場效應晶體管。
全文摘要
本發(fā)明提供一種開關(guān)裝置包含有一第一開關(guān)電路，具有一控制端點耦接于一第一控制信號，該第一開關(guān)電路用來依據(jù)該第一控制信號選擇性地將一信號端點耦接至一第一放大電路；以及一第一控制電路，具有一第一控制端點與一第二控制端點分別耦接于該第一開關(guān)電路的該控制端點與該信號端點，其中當該第一開關(guān)電路被控制以電性切斷該信號端點與該第一放大電路之間的連接，且當該信號端點的一電壓電平到達一第一預定電壓電平時，該第一控制電路用來將該第一開關(guān)電路的該控制端點電性連接至該信號端點。本發(fā)明的開關(guān)裝置能夠處理大擺幅信號，以承受該接收器所能接受的最大射頻輸入信號和/或該發(fā)送器所能產(chǎn)生的最大射頻輸出信號。
文檔編號H03K17/722GK102447458SQ20111028772
公開日2012年5月9日 申請日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月4日
發(fā)明者烏薩馬·K·A·薩那, 陳運洲 申請人:聯(lián)發(fā)科技(新加坡)私人有限公司