專利名稱：阻抗匹配方法、用于該方法的阻抗匹配設(shè)備及記錄介質(zhì)的制作方法
阻抗匹配方法、用于該方法的阻抗匹配設(shè)備及記錄介質(zhì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2010年8月11日提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2010-0077135號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
背景技術(shù)：
移動(dòng)通信終端的天線電路允許天線發(fā)射或接收預(yù)定的無線電信號(hào)。為了優(yōu)化天線的發(fā)射/接收輻射性能，必須精確地進(jìn)行阻抗匹配。因此，天線電路包括電容器和電感器，并且通過調(diào)節(jié)該電容器和電感器的值來使天線的阻抗以最優(yōu)的狀態(tài)匹配。一般在移動(dòng)通信終端位于自由空間中的情況下實(shí)現(xiàn)天線的阻抗匹配。同時(shí)，由于移動(dòng)通信終端的機(jī)械特性，用戶可以在用戶握住移動(dòng)通信終端的主體并將揚(yáng)聲器附著到用戶耳朵的情況下使用移動(dòng)通信終端，或者用戶可以在移動(dòng)通信終端的主體被放入用戶的口袋或包中的情況下通過耳機(jī)來使用移動(dòng)通信終端。當(dāng)用戶通過以用戶的手緊握移動(dòng)通信終端并使揚(yáng)聲器緊密接觸用戶耳朵來使用移動(dòng)通信終端時(shí)，或者當(dāng)用戶使用被放入口袋或包中的移動(dòng)通信終端時(shí)，天線的阻抗匹配的條件可能變化，使得在自由空間中經(jīng)過了阻抗匹配的天線的發(fā)射/接收輻射性能可能降低。因此，移動(dòng)通信終端采用自適應(yīng)調(diào)諧天線電路，以在天線的阻抗匹配的條件變化時(shí)自動(dòng)地調(diào)節(jié)天線的阻抗，使得天線具有最優(yōu)的發(fā)射/接收輻射性能。自適應(yīng)調(diào)諧天線電路必須檢測天線的阻抗變化，以使天線的發(fā)射/接收輻射性能保持處于最優(yōu)狀態(tài)。 為此，自適應(yīng)調(diào)諧天線電路包括耦合器，用于檢測從耦合器輸出的反射功率和正向功率并根據(jù)該反射功率和正向功率而改變可變電容器的電容，使得可以進(jìn)行阻抗匹配。根據(jù)相關(guān)技術(shù)，如圖1所示，在順序地掃描了可變電容器的整個(gè)可變區(qū)域之后，選擇并適應(yīng)于表示最佳射頻性能的點(diǎn)，由此進(jìn)行阻抗匹配。然而，如果如上所述地掃描可變電容器的整個(gè)區(qū)域，則不可避免地掃描到表示較差的射頻性能的點(diǎn)，使得發(fā)射/接收輻射性能可能降低。

發(fā)明內(nèi)容
實(shí)施例通過在短時(shí)間段內(nèi)搜索可變電容器的最優(yōu)電容值來進(jìn)行阻抗匹配。本實(shí)施例的技術(shù)目的不限于上述目的，以下描述中提出的實(shí)施例所屬的領(lǐng)域中的技術(shù)人員將會(huì)清楚地理解其它的技術(shù)目的。根據(jù)實(shí)施例，提供了一種阻抗匹配設(shè)備，包括阻抗匹配部分，該阻抗匹配部分與用于發(fā)射/接收無線電波的天線相連接，并包括至少一個(gè)可變電容器；檢測器，用于檢測發(fā)射功率和由天線反射的反射功率；以及控制器，用于設(shè)置在該可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的第一搜索區(qū)域，通過使用發(fā)射功率和反射功率中的至少一個(gè)來檢測該第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)，以及設(shè)置圍繞該最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索在該可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。根據(jù)實(shí)施例，還提供了一種阻抗匹配設(shè)備的阻抗匹配方法，其中該阻抗匹配設(shè)備包括與天線相連接的可變電容器。該阻抗匹配方法包括設(shè)置在該可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的圍繞特定點(diǎn)的第一搜索區(qū)域，檢測與該第一搜索區(qū)域中包含的每個(gè)點(diǎn)相關(guān)的發(fā)射功率和反射功率，通過使用該發(fā)射功率和該反射功率來搜索該第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)，以及設(shè)置圍繞該最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索在該整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。


圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的用于搜索電容值的方法的圖；圖2是示出了根據(jù)實(shí)施例的阻抗匹配設(shè)備的電路圖；圖3至圖9是示出了根據(jù)實(shí)施例的用于搜索電容值的方法的視圖；以及圖10是逐步地示出了根據(jù)實(shí)施例的阻抗匹配設(shè)備的阻抗匹配方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式關(guān)于眾所周知的功能或配置的詳細(xì)描述可能使得本公開的主題不清楚。因此，在下文中將僅關(guān)于與本公開的技術(shù)范圍直接相關(guān)的必要部件進(jìn)行描述。此外，基于根據(jù)實(shí)施例的部件的功能來定義要描述的術(shù)語，并且要描述的術(shù)語可以具有根據(jù)用戶或操作者以及客戶的意圖而變化的含義。因此，應(yīng)該基于貫穿本說明書的整體上下文來定義所述術(shù)語。實(shí)施例提供了一種用于在阻抗匹配設(shè)備中高速地處理阻抗匹配的方法。以下將參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述。圖2是示出了根據(jù)實(shí)施例的阻抗匹配設(shè)備200的結(jié)構(gòu)的電路圖，圖3至圖9是示出了根據(jù)實(shí)施例的用于搜索電容值的方法的視圖。參照?qǐng)D2，阻抗匹配設(shè)備200包括阻抗匹配部分220，該阻抗匹配部分220包括與發(fā)射或接收無線電波的天線并聯(lián)連接的并聯(lián)電容器221a、與該天線串聯(lián)連接的串聯(lián)電容器 221b、以及電感器22h、222b和222c ；用于檢測發(fā)射功率和從天線級(jí)(antenna stage)反射的功率的檢測器230 ；用于將由檢測器230檢測到的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器ADC M0;用于基于在控制器250中接收到的來自ADC 240的發(fā)射功率和反射功率來產(chǎn)生可變電容器221a和221b的控制信號(hào)的控制器250 ；以及用于發(fā)射/接收無線電波的天線沈0。阻抗匹配部分220可以包括多個(gè)可變電容器221a和221b以及多個(gè)固定電感器 222a,222b和222c?？勺冸娙萜?21a和221b以及固定電感器222a,222b和222c的引線 (wire)的數(shù)量以及上述元件的數(shù)量可以根據(jù)實(shí)施例而變化?？勺冸娙萜?21a和221b以及固定電感器22加、22沘和222c形成了裝配有阻抗匹配設(shè)備200的設(shè)施的阻抗?？勺冸娙萜?21a和221b的電容值取決于從控制器250施加到可變電容器221a 和221b的直流電壓而變化，而針對(duì)發(fā)射信號(hào)的反射功率的強(qiáng)度取決于可變電容器221a和 221b的改變的電容值而變化。在這種情況下，如果反射功率的強(qiáng)度增加，則未實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。如果反射功率的強(qiáng)度降低，則良好地實(shí)現(xiàn)了阻抗匹配。換言之，通過使用發(fā)射功率和反射功率之間的差(回波損耗，以下稱為RL)來計(jì)算反射系數(shù)。當(dāng)RL增加時(shí)，良好地實(shí)現(xiàn)了阻抗匹配。當(dāng)RL降低時(shí)，未實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。[28]同時(shí)，雖然根據(jù)本實(shí)施例可變電容器221a和221b包括一個(gè)并聯(lián)電容器221a 和一個(gè)串聯(lián)電容器221b，但是實(shí)施例并不限于此。換言之，可以僅設(shè)置并聯(lián)電容器221a或僅設(shè)置串聯(lián)電容器22 Ib，或者可以設(shè)置至少三個(gè)可變電容器。[29]檢測器230測量發(fā)射功率的強(qiáng)度以及由天線沈0的級(jí)對(duì)輸入到阻抗匹配設(shè)備200的信號(hào)進(jìn)行反射而獲得的反射功率的強(qiáng)度。在這種情況下，檢測器230可以另外地包括定向耦合器。[30]換言之，檢測器230與定向耦合器的一端相連接以檢測發(fā)射功率的強(qiáng)度，并與定向耦合器的相對(duì)端相連接以檢測反射功率的強(qiáng)度。[31]控制器250基于發(fā)射功率和反射功率將控制信號(hào)應(yīng)用于可變電容器221a和 221b，以改變阻抗匹配部分220的阻抗值，由此進(jìn)行阻抗匹配。[32]然而，根據(jù)依據(jù)相關(guān)技術(shù)的阻抗匹配算法，因?yàn)榭刂破?50以預(yù)定的時(shí)間間隔順序地改變可變電容器221a和221b的電容值，同時(shí)搜索盡可能多地滿足預(yù)設(shè)條件的點(diǎn)， 所以花費(fèi)了太多的時(shí)間且耗費(fèi)了大量的功率。稍后將描述這些條件的細(xì)節(jié)。[33]此外，控制器250搜索最優(yōu)的電容值(即，已調(diào)諧的電容值)，同時(shí)應(yīng)用可變電容器221a和221b的控制信號(hào)以改變電容值。在這種情況下，可變電容器221a和221b 的電容值的變化范圍是個(gè)問題。[34]因此，本實(shí)施例提供了一種與根據(jù)相關(guān)技術(shù)的阻抗匹配算法相比更加有效的阻抗匹配算法。根據(jù)本實(shí)施例，該阻抗匹配算法包括貪婪算法。[35]圖3是示出了根據(jù)該實(shí)施例的總體阻抗匹配方案的視圖。[36]參照?qǐng)D3，χ軸表示第一可變電容器的電容值，y軸表示第二可變電容器的電容值。[37]當(dāng)阻抗匹配設(shè)備200進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，阻抗匹配設(shè)備200設(shè)置圍繞與第一可變電容器和第二可變電容器的變化范圍的中間值相對(duì)應(yīng)的點(diǎn)324的第一窗口 311(搜索區(qū)域)。[38]通過針對(duì)第一窗口 311進(jìn)行搜索操作，在第一窗口 311以內(nèi)檢測最優(yōu)點(diǎn)(最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn))。最優(yōu)點(diǎn)受反射功率的強(qiáng)度的影響。當(dāng)反射功率的強(qiáng)度降低時(shí)，良好地實(shí)現(xiàn)了阻抗匹配。因此，所檢測到的點(diǎn)可以是最優(yōu)點(diǎn)。換言之，最優(yōu)點(diǎn)是滿足至少一個(gè)條件的點(diǎn)。根據(jù)該條件，最優(yōu)點(diǎn)必須表示最大的發(fā)射功率強(qiáng)度、最大的發(fā)射功率與反射功率之間的差、最小的反射功率強(qiáng)度、最大的發(fā)射功率與反射功率的比率中的至少一個(gè)。此外，窗口指的是為了阻抗匹配而在其中進(jìn)行搜索操作的區(qū)域，而搜索操作為順序地應(yīng)用與窗口相對(duì)應(yīng)的第一可變電容器和第二可變電容器的值以檢測發(fā)射功率的強(qiáng)度和反射功率的強(qiáng)度。此外，以下將描述最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)和最終阻抗匹配點(diǎn)。最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)是在相關(guān)的搜索區(qū)域以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的點(diǎn)。最終阻抗匹配點(diǎn)是在可變電容器的整個(gè)變化區(qū)域以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的點(diǎn)。換言之，在搜索區(qū)域以內(nèi)搜索到的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)中的一個(gè)就是最終阻抗匹配點(diǎn)。第一窗口 311可以設(shè)置為正方形的形狀。正方形的一個(gè)邊的長度(即，可變電容器的變化范圍)可以根據(jù)實(shí)施例而變化。
此外，第一窗口 311被劃分為多個(gè)區(qū)，S卩，劃分成9個(gè)區(qū)(3X3)、16個(gè)區(qū)(4X4)禾口 25個(gè)區(qū)(5X0中的一種，并且一個(gè)區(qū)的長度可以根據(jù)實(shí)施例而變化。同時(shí)，在圖3的圖中，假定最終阻抗匹配點(diǎn)為M點(diǎn)321，其中最終阻抗匹配點(diǎn)必須表示第一可變電容器和第二可變電容器的全部變化范圍以內(nèi)的最大的發(fā)射功率強(qiáng)度、最大的發(fā)射功率與反射功率之間的差、最小的反射功率強(qiáng)度、最大的發(fā)射功率與反射功率的比率中的至少一個(gè)。此外，可以將對(duì)所述條件的滿足程度很大的區(qū)域331以及對(duì)所述條件的滿足程度較小的區(qū)域332設(shè)置成圍繞M點(diǎn)321的周線(contour line)的形狀。隨著距M點(diǎn)321的距離增加，對(duì)所述條件的滿足程度減小。因此，當(dāng)在第一窗口 311以內(nèi)進(jìn)行搜索操作時(shí)，在第一窗口 311以內(nèi)最接近于M點(diǎn)321的第一點(diǎn)323處，對(duì)所述條件的滿足程度最大化。換言之，表示第一窗口 311以內(nèi)的最大的發(fā)射功率強(qiáng)度、最大的發(fā)射功率與反射功率之間的差、最小的反射功率強(qiáng)度以及最大的發(fā)射功率與反射功率的比率的點(diǎn)為最接近于M點(diǎn)321的第一點(diǎn)323。如果在第一窗口 311以內(nèi)確定了最優(yōu)點(diǎn)323，則圍繞該最優(yōu)點(diǎn)323設(shè)置第二窗口 312。在這種情況下，第二窗口 312具有與如圖3所示的第一窗口 311的形狀相同的正方形形狀。此外，與第一窗口 311相比，第二窗口 312被定位成靠近M點(diǎn)312。相應(yīng)地，阻抗匹配設(shè)備200針對(duì)第二窗口 312進(jìn)行搜索操作，以確定第二窗口 312 以內(nèi)的最優(yōu)點(diǎn)322。隨后，圍繞靠近M點(diǎn)321的第二窗口 312的最優(yōu)點(diǎn)322而設(shè)置第三窗口 313，并針對(duì)第三窗口 313進(jìn)行搜索操作。在這種情況下，第三窗口 313可以被設(shè)置成與如圖3所示的第一窗口 311的形狀相同的正方形形狀。第三窗口 313包括最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)321，使得在第三窗口 313以內(nèi)對(duì)所述條件的滿足程度增大而后減小。換言之，可以找到一個(gè)點(diǎn)，在該點(diǎn)處可變電容器的電容值沿著一個(gè)方向改變，并且對(duì)所述條件的滿足程度的增大和減小在該點(diǎn)處改變，則該點(diǎn)就是最終阻抗匹配點(diǎn)321。如果確定了最終阻抗匹配點(diǎn)321，則阻抗匹配設(shè)備200利用與該最終阻抗匹配點(diǎn) 321相對(duì)應(yīng)的可變電容器的電容值來進(jìn)行阻抗匹配。雖然根據(jù)本實(shí)施例將第一窗口 311至第三窗口 313設(shè)置成正方形形狀，但是實(shí)施例不限于此。根據(jù)另外的實(shí)施例，這些窗口可以具有各種形狀。以下將更加詳細(xì)地描述搜索最優(yōu)匹配點(diǎn)321的方案。圖10是示出了根據(jù)實(shí)施例的阻抗匹配設(shè)備的阻抗匹配方法的流程圖。以下將參照?qǐng)D4至圖9更加詳細(xì)地描述圖10 的阻抗匹配方法。如圖4所示，將初始的搜索區(qū)域(第一窗口)311設(shè)置成圍繞表示第一電容器和第二電容器的中間電容值的點(diǎn)3M的、具有預(yù)定尺寸的正方形形狀(步驟S100)。雖然圖4示出的是將第一窗口 311設(shè)置成4X4的正方形形狀，但是這是出于說明的目的。根據(jù)另外的實(shí)施例，正方形的一個(gè)邊的長度可以增大或減小。隨后，控制器250進(jìn)行以下搜索操作順序地應(yīng)用與第一窗口 311中包含的點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第一電容值和第二電容值，并檢測根據(jù)第一電容值和第二電容值而變化的發(fā)射功率和反射功率(步驟Sl 10)。在這種情況下，如圖5所示，控制器250自下至上地且同時(shí)從左側(cè)的區(qū)移動(dòng)到右側(cè)的區(qū)地、順序地進(jìn)行搜索操作，以搜索第一窗口 311以內(nèi)的表示最大的發(fā)射功率強(qiáng)度的點(diǎn)、 表示最大的發(fā)射功率與反射功率之間的差的點(diǎn)、表示最小的反射功率強(qiáng)度的點(diǎn)、以及表示最大的發(fā)射功率與反射功率的比率的點(diǎn)。換言之，如圖5所示，在第一窗口 311以內(nèi)從最左下方的區(qū)到最右上方的區(qū)搜索最優(yōu)點(diǎn)。如果在第一窗口 311以內(nèi)檢測到了滿足所述條件的第一點(diǎn)323，則控制器250檢查第一點(diǎn)323的位置(步驟S120和步驟S130)。換言之，控制器250檢查第一點(diǎn)323是位于第一窗口 311的外圍點(diǎn)(outer point)處，還是位于除了窗口 311的外圍點(diǎn)之外的點(diǎn)處 (即，位于第一窗口 311的內(nèi)部)。根據(jù)實(shí)施例，在以下的描述中，假定第一點(diǎn)323位于第一窗口 311的外圍點(diǎn)處。如圖6所示，如果第一點(diǎn)323位于第一窗口 311的外圍點(diǎn)處，則控制器250設(shè)置圍繞第一點(diǎn)323的尺寸與第一窗口 311相同的第二窗口 312(步驟S140)。相應(yīng)地，針對(duì)第二窗口 312順序地執(zhí)行步驟SllO至S130，使得繼續(xù)進(jìn)行針對(duì)第二窗口 312的搜索操作。在這種情況下，因?yàn)榈诙翱?312是圍繞第一窗口 311中包含的一個(gè)點(diǎn)而設(shè)置的， 所以在第二窗口 312中存在與第一窗口 311之間的第一重疊區(qū)域341。因此，控制器250僅針對(duì)第二窗口 312中包含的點(diǎn)當(dāng)中的、除了第一重疊區(qū)域341 中包含的點(diǎn)之外的剩余點(diǎn)而進(jìn)行搜索操作。隨后，如圖7所示，基于在應(yīng)用與第二窗口 321中包含的點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的電容值時(shí)所獲得的發(fā)射功率和反射功率，控制器250檢測到盡可能多地滿足所述條件的第二點(diǎn)322。然后，因?yàn)榈诙c(diǎn)322位于第二窗口 312的外圍點(diǎn)處，所以控制器250設(shè)置圍繞第二點(diǎn)322的作為下個(gè)搜索區(qū)域的第三窗口 313。在這種情況下，因?yàn)榈谌翱?313是圍繞第二窗口 312中包含的一個(gè)點(diǎn)而設(shè)置的， 因此在第三窗口 313中存在與第二窗口 312之間的第二重疊區(qū)域342。因此，控制器250僅針對(duì)第三窗口 313的點(diǎn)當(dāng)中的、除了第二重疊區(qū)域342中包含的點(diǎn)之外的剩余點(diǎn)而進(jìn)行搜索操作。圖8是更詳細(xì)地示出了第三窗口 313的視圖。參照?qǐng)D8，控制器250檢測第三窗口 313以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的點(diǎn)。在這種情況下，如果檢測到了第三窗口 313以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的第三點(diǎn)321，則控制器250檢查該第三點(diǎn)321是位于第三窗口 313的外圍點(diǎn)處還是位于窗口 313的內(nèi)部。換言之，如圖8所示，在第三窗口 313以內(nèi)存在有外圍點(diǎn)351和內(nèi)部點(diǎn)(inner point) 352，并且檢查第三點(diǎn)321是位于外圍點(diǎn)351處還是位于內(nèi)部點(diǎn)352處。如果第三點(diǎn)321存在于第三窗口 313以內(nèi)的外圍點(diǎn)351上，則控制器250設(shè)置圍繞第三點(diǎn)321的下個(gè)搜索窗口。然而，由于第三點(diǎn)321存在于第三窗口以內(nèi)的內(nèi)部點(diǎn)352上，因此控制器250將第三點(diǎn)321確定為用于阻抗匹配的最終點(diǎn)(最終阻抗匹配點(diǎn))，應(yīng)用與該最終點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第一電容值和第二電容值以進(jìn)行阻抗匹配(步驟S150)。換言之，因?yàn)樵诘谌翱?313以內(nèi)對(duì)所述條件的滿足程度增大而后減小，所以該用于阻抗匹配的最終點(diǎn)存在于第三窗口 313以內(nèi)。同時(shí)，根據(jù)盡可能多地滿足所述條件的點(diǎn)是否位于窗口的外圍點(diǎn)處來確定最終阻抗匹配點(diǎn)。根據(jù)另一實(shí)施例，可以圍繞預(yù)設(shè)的基準(zhǔn)值來確定最終阻抗匹配點(diǎn)。換言之，在當(dāng)阻抗被精確匹配時(shí)的發(fā)射功率和反射功率之間的差被確定為基準(zhǔn)值之后，如果在搜索操作的過程中檢測到了具有大于等于該基準(zhǔn)值的值的點(diǎn)，則可以將該檢測到的點(diǎn)確定為所述最終點(diǎn)。此外，根據(jù)本實(shí)施例，在確定了發(fā)射功率值的基準(zhǔn)值、反射功率值的基準(zhǔn)值、以及發(fā)射功率與反射功率之間的比率(而非差值)的基準(zhǔn)值之后，可以根據(jù)這些基準(zhǔn)值來確定所述最終點(diǎn)。圖9是最終阻抗匹配點(diǎn)位于第一電容器和第二電容器的變化范圍的最外圍的點(diǎn)處的視圖?？刂破?50圍繞具有第一電容器和第二電容器的值之間的中間值的點(diǎn)425來設(shè)置第一窗口 411，并檢測到第一窗口 411以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的第一點(diǎn)424。隨后，控制器250設(shè)置圍繞第一點(diǎn)424的第二窗口 412，并檢測到第二窗口 412以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的第二點(diǎn)423。在這種情況下，控制器250僅針對(duì)除了與第一窗口 411之間的第一重疊區(qū)域441 之外的剩余區(qū)域而進(jìn)行搜索操作。隨后，控制器250在檢測到第二點(diǎn)423之后設(shè)置圍繞第二點(diǎn)423的第三窗口 413。 此外，控制器250檢測到第三窗口 413以內(nèi)的盡可能多地滿足所述條件的第三點(diǎn)422。在此情況下，控制器250省略了針對(duì)第三窗口 413中設(shè)置的與第二窗口 412之間的第二重疊區(qū)域442的搜索操作。此外，控制器250設(shè)置圍繞第三點(diǎn)422的第四窗口 414，并在第四窗口 414以內(nèi)檢測盡可能多地滿足所述條件的第四點(diǎn)421。在這種情況下，與上述相類似地，并不針對(duì)第三重疊區(qū)域443進(jìn)行搜索操作。在這種情況下，因?yàn)榈谝稽c(diǎn)424、第二點(diǎn)423和第三點(diǎn)422位于相關(guān)窗口的外圍點(diǎn)處，所以控制器250設(shè)置下個(gè)搜索區(qū)域，使得可以繼續(xù)進(jìn)行搜索操作。然而，雖然第四點(diǎn)421位于相關(guān)窗口的外圍點(diǎn)處，但是第四點(diǎn)421位于第一電容器和第二電容器的整個(gè)變化范圍的最外圍的點(diǎn)處。因此，第四點(diǎn)421被確定為所述用于阻抗匹配的最終點(diǎn)。同時(shí)，可以通過使用可由安裝在計(jì)算機(jī)中的處理器從該處理器可讀的記錄介質(zhì)中讀取的代碼來實(shí)現(xiàn)根據(jù)實(shí)施例的阻抗匹配方法。該處理器可讀的記錄介質(zhì)包括所有類型的用于記錄該處理器可讀的數(shù)據(jù)的記錄裝置。該處理器可讀的記錄介質(zhì)包括只讀存儲(chǔ)器 (ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、壓縮盤只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)、磁帶、軟盤和光學(xué)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。此外，該處理器可讀的記錄介質(zhì)可以以載波的形式來實(shí)現(xiàn)，例如通過互聯(lián)網(wǎng)的傳輸。此外，該處理器可讀的記錄介質(zhì)被分配到網(wǎng)絡(luò)上的相互連接的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，以通過分配方案存儲(chǔ)和執(zhí)行該處理器可讀的代碼。如上文所述，根據(jù)另一實(shí)施例，可以僅針對(duì)第一電容器和第二電容器的可變范圍以內(nèi)的常規(guī)區(qū)域的1/4來進(jìn)行搜索操作。因此，可以防止由異常電容值導(dǎo)致的信號(hào)衰減，并且可以在短時(shí)間段內(nèi)進(jìn)行最優(yōu)阻抗匹配。本說明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例實(shí)施例”等的任何引用意味著結(jié)合該實(shí)施例描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。這些短語在說明書中各處的出現(xiàn)不一定都指的是同一實(shí)施例。此外，在結(jié)合任何實(shí)施例來描述特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，認(rèn)為結(jié)合其它實(shí)施例來影響這些特征、結(jié)構(gòu)或特性是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的能力范圍之內(nèi)的。 雖然已經(jīng)參照其諸多說明性實(shí)施例而對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)將落入本公開的原理的精神和范圍之內(nèi)的許多其它的變型和實(shí)施方式。更具體地，在本公開、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)，可以對(duì)主題組合布置的組成部分和/或布置進(jìn)行各種變化和變型。除了組成部分和/或布置的變化和變型之外，替代性的用途對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種阻抗匹配設(shè)備，包括阻抗匹配部分，所述阻抗匹配部分與用于發(fā)射/接收無線電波的天線相連接，并包括至少一個(gè)可變電容器；檢測器，用于檢測發(fā)射功率以及由所述天線反射的反射功率；以及控制器，用于設(shè)置在所述可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的第一搜索區(qū)域，通過使用所述發(fā)射功率和所述反射功率中的至少一個(gè)來檢測所述第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)，以及設(shè)置圍繞所述最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索所述可變電容器的所述整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述阻抗匹配點(diǎn)包括表示最大發(fā)射功率的點(diǎn)、表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率之間的差的點(diǎn)、以及表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率的比率的點(diǎn)中的至少一個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述第一搜索區(qū)域被設(shè)置成圍繞所述可變電容器的所述整個(gè)變化范圍以內(nèi)的中間電容值的、具有預(yù)定尺寸的正方形形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述控制器針對(duì)所述下個(gè)搜索區(qū)域以內(nèi)的除了與先前設(shè)置的搜索區(qū)域相重疊的區(qū)域之外的剩余區(qū)域進(jìn)行搜索操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于當(dāng)前搜索區(qū)域中的除了外圍點(diǎn)之外的內(nèi)部點(diǎn)處，則所述控制器確定所述阻抗匹配點(diǎn)為所述最終阻抗匹配點(diǎn)ο
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻抗匹配設(shè)備，其中如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于所述當(dāng)前搜索區(qū)域的所述外圍點(diǎn)處，則所述控制器通過設(shè)置圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的所述下個(gè)搜索區(qū)域來繼續(xù)進(jìn)行搜索操作。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述檢測器包括定向耦合器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述阻抗匹配部分包括與所述天線串聯(lián)連接的第一可變電容器；與所述天線并聯(lián)連接的第二可變電容器；以及與所述第一可變電容器和所述第二可變電容器相連接的至少一個(gè)電感器。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的阻抗匹配設(shè)備，其中所述控制器通過分別將與所述最終阻抗匹配點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的第一電容值和第二電容值應(yīng)用于所述第一可變電容器和所述第二可變電容器來進(jìn)行阻抗匹配。
10.一種阻抗匹配設(shè)備的阻抗匹配方法，所述阻抗匹配設(shè)備包括與天線相連接的可變電容器，所述阻抗匹配方法包括設(shè)置在所述可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的圍繞特定點(diǎn)的第一搜索區(qū)域；檢測與所述第一搜索區(qū)域中包含的每個(gè)點(diǎn)相關(guān)的發(fā)射功率和反射功率；通過使用所述發(fā)射功率和所述反射功率來搜索所述第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)；以及設(shè)置圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索所述整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻抗匹配方法，其中所述搜索最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)包括在所述第一搜索區(qū)域以內(nèi)搜索表示最大發(fā)射功率的點(diǎn)、表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率之間的差的點(diǎn)、以及表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率的比率的點(diǎn)之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻抗匹配方法，其中所述可變電容器包括第一可變電容器和第二可變電容器，并且所述第一搜索區(qū)域被設(shè)置成圍繞所述第一可變電容器和所述第二可變電容器的中間電容值的、具有預(yù)定尺寸的正方形形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻抗匹配方法，其中所述搜索最終阻抗匹配點(diǎn)包括如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于當(dāng)前搜索區(qū)域中的除了外圍點(diǎn)之外的內(nèi)部點(diǎn)處，則將所述阻抗匹配點(diǎn)確定為所述最終阻抗匹配點(diǎn)；如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于所述當(dāng)前搜索區(qū)域的所述外圍點(diǎn)處，則設(shè)置圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的所述下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索所述最終阻抗匹配點(diǎn)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的阻抗匹配方法，其中所述下個(gè)搜索區(qū)域包括在被設(shè)置成圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的具有預(yù)定尺寸的正方形形狀的區(qū)域以內(nèi)的、除了與先前的搜索區(qū)域相重疊的區(qū)域之外的剩余區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的阻抗匹配方法，還包括如果檢測到所述最終阻抗匹配點(diǎn)， 則通過應(yīng)用與所述最終阻抗匹配點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的電容值來進(jìn)行阻抗匹配。
16.一種計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)存儲(chǔ)有阻抗匹配方法并記錄有用于在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行天線的所述阻抗匹配方法的程序，其中所述阻抗匹配方法包括設(shè)置在可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的圍繞特定點(diǎn)的第一搜索區(qū)域；檢測與所述第一搜索區(qū)域中包含的點(diǎn)相對(duì)應(yīng)的發(fā)射功率和反射功率；通過使用所述發(fā)射功率和所述反射功率來搜索所述第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)；以及設(shè)置圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索所述整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其中所述搜索最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)包括在所述第一搜索區(qū)域以內(nèi)搜索表示最大發(fā)射功率的點(diǎn)、表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率之間的差的點(diǎn)、以及表示最大的所述發(fā)射功率與所述反射功率的比率的點(diǎn)之一。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其中所述可變電容器包括第一可變電容器和第二可變電容器，并且所述第一搜索區(qū)域被設(shè)置成圍繞所述第一可變電容器和所述第二可變電容器的中間電容值的、具有預(yù)定尺寸的正方形形狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其中所述搜索最終阻抗匹配點(diǎn)包括如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于當(dāng)前搜索區(qū)域中的除了外圍點(diǎn)之外的內(nèi)部點(diǎn)處，則將所述阻抗匹配點(diǎn)確定為所述最終阻抗匹配點(diǎn)；如果所述阻抗匹配點(diǎn)位于所述當(dāng)前搜索區(qū)域的所述外圍點(diǎn)處，則設(shè)置圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的所述下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索所述最終阻抗匹配點(diǎn)。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的計(jì)算機(jī)可讀記錄介質(zhì)，其中所述下個(gè)搜索區(qū)域包括在被設(shè)置成圍繞所述阻抗匹配點(diǎn)的具有預(yù)定尺寸的正方形形狀的區(qū)域以內(nèi)的、除了與先前的搜索區(qū)域相重疊的區(qū)域之外的剩余區(qū)域。
全文摘要
公開了阻抗匹配方法、用于該方法的阻抗匹配設(shè)備及記錄介質(zhì)。該阻抗匹配設(shè)備包括阻抗匹配部分，該阻抗匹配部分與用于發(fā)射/接收無線電波的天線相連接，并包括至少一個(gè)可變電容器；檢測器，用于檢測發(fā)射功率和由該天線反射的反射功率；以及控制器，用于設(shè)置在可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的第一搜索區(qū)域，通過使用發(fā)射功率和反射功率中的至少一個(gè)來檢測第一搜索區(qū)域以內(nèi)的最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)，以及設(shè)置圍繞該最優(yōu)阻抗匹配點(diǎn)的下個(gè)搜索區(qū)域，以搜索該可變電容器的整個(gè)變化范圍以內(nèi)的最終阻抗匹配點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03H7/40GK102386876SQ201110235760
公開日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2011年8月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月11日
發(fā)明者宋珠榮 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司