專利名稱：封裝件的制造方法、封裝件、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝件(package)的制造方法、封裝件、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在便攜電話或便攜信息終端設(shè)備上，采用利用水晶等作為時(shí)刻源或控制信號(hào)等的定時(shí)源、參考信號(hào)源等的壓電振動(dòng)器(封裝件)。已知各式各樣的這種壓電振動(dòng)器，但作為其中之一，已知表面安裝(SMD)型的壓電振動(dòng)器。表面安裝型的壓電振動(dòng)器，例如具有互相接合的由玻璃材料構(gòu)成的基底基板和蓋基板；在兩基板之間形成的空腔；以及在空腔內(nèi)以氣密密封的狀態(tài)被收納的壓電振動(dòng)片(電子部件)。在這種壓電振動(dòng)器中，在形成在基底基板的貫通孔中形成貫通電極，利用該貫通電極將空腔內(nèi)的壓電振動(dòng)片和空腔外的外部電極電連接，這樣的結(jié)構(gòu)已被眾所周知(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。作為形成貫通電極的方法，已知采用由金屬材料構(gòu)成的金屬銷(pin)的方法。具體而言，首先向形成在基底基板的貫通孔插穿金屬銷，并且向貫通孔內(nèi)填充玻璃料。其后， 將玻璃料燒結(jié)而使基底基板和金屬銷一體化，從而能夠堵塞貫通孔的同時(shí)，電連接壓電振動(dòng)片和外部電極。這時(shí)，由于貫通電極使用金屬銷，認(rèn)為能夠確保穩(wěn)定的導(dǎo)電性。但是，在上述方法中，由于玻璃料所包含的有機(jī)物的粘合劑因燒結(jié)而被除去，所以在玻璃料的表面有時(shí)會(huì)產(chǎn)生體積減少導(dǎo)致的凹部。然后，該玻璃料的凹部有時(shí)會(huì)成為后面進(jìn)行的形成電極膜(外部電極等)的工序中斷線的原因。專利文獻(xiàn)1 日本特開2002-1M845號(hào)公報(bào)于是，最近開發(fā)了使金屬銷熔敷到形成在基底基板的貫通孔，從而形成貫通電極的方法。在該方法中，首先用由碳(各向同性電石墨)等構(gòu)成的貫通孔形成用模按壓基底基板，并且加熱，從而形成用于使金屬銷插穿的貫通孔(1次成形)。其后，在貫通孔內(nèi)插穿金屬銷的狀態(tài)下，將基底基板及金屬銷置于由碳等構(gòu)成的熔敷模內(nèi)，按壓并加熱O次成形)。 從而，基底基板在熔敷模內(nèi)流動(dòng)而堵塞金屬銷和貫通孔的間隙，同時(shí)使基底基板熔敷到金屬銷。此外，一般上述的1次成形是在氮?dú)夥罩羞M(jìn)行，而2次成形是在大氣氣氛中進(jìn)行。在此，在采用上述方法時(shí)，還存在以下的課題。首先，加熱基底基板時(shí)，從基底基板向模內(nèi)釋放逸氣(outgas)。然后，當(dāng)逸氣充滿模內(nèi)時(shí)，會(huì)失去逸氣的泄放處。這樣，逸氣無(wú)法從基底基板穿過，會(huì)成為氣泡而殘留在基底基板內(nèi)。其結(jié)果，存在的問題是基底基板引起走形(所謂的發(fā)生起泡現(xiàn)象)，將基底基板無(wú)法維持在所希望的形狀。此外，在壓電振動(dòng)器中，在基底基板形成貫通電極之后，利用光刻技術(shù)或?yàn)R鍍法等來(lái)形成將貫通電極與外部電連接的外部電極和將貫通電極與壓電振動(dòng)片電連接的迂回電極等的電極膜。因此，為了確保貫通電極和電極膜導(dǎo)通，需要提高基底基板上的貫通電極的位置精度(貫通孔或金屬銷的位置精度)。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明提供能夠?qū)⒒寮訜岢尚螢樗Ｍ男螤畹姆庋b件的制造方法、封裝件、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。為了解決上述課題，本發(fā)明提供以下方案。本發(fā)明的封裝件的制造方法，制造具備在互相接合的由玻璃材料構(gòu)成的多個(gè)基板、和在所述多個(gè)基板的內(nèi)側(cè)形成的能夠封入電子部件的空腔的封裝件，其特征在于，包括用成形模按壓所述基板并且加熱而成形的成形工序，所述成形模由開氣孔率為14%以上的材料構(gòu)成。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于用開氣孔率為14%以上的材料構(gòu)成成形模，所以在加熱成形時(shí)， 從基板釋放出的逸氣進(jìn)入成形模的開氣孔內(nèi)。即，成形模的開氣孔成為從基板被釋放出的逸氣的泄放處，能夠減少基板內(nèi)的逸氣的殘余量，因此能夠抑制上述的起泡現(xiàn)象的發(fā)生。因而，能夠抑制加熱成形造成的基板的走形，并能將基板維持在所希望的形狀。此外，開氣孔率是指，將試料的外形容積設(shè)為1時(shí)，其中所占的開氣孔部分的容積的百分比(JIS R 1634)。此外，本發(fā)明的特征在于，所述成形模由熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料構(gòu)成。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于能夠縮小成形模的熱膨脹系數(shù)與基板(玻璃材料的情況下，一般為8. 3ppm/°C左右)的熱膨脹系數(shù)之差，所以能夠抑制成形工序中伴隨加熱而在成形模與基板之間產(chǎn)生的歪曲等，并且能夠提高成形工序時(shí)的位置精度。這時(shí)，例如在形成貫通電極時(shí)能夠在基板上的所希望的位置配置貫通電極。其結(jié)果，能夠確保在后面形成的外部電極或迂回電極等的電極膜與貫通電極的導(dǎo)通。此外，本發(fā)明的特征在于，在惰性氣體氣氛下進(jìn)行所述成形工序，所述成形模由以碳為主要成分的材料構(gòu)成。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于碳的熱膨脹系數(shù)一般接近玻璃材料，所以如上所述能夠抑制伴隨加熱而在成形模與基板之間產(chǎn)生的歪曲等，并能提高成形工序時(shí)的位置精度。進(jìn)而，通過在惰性氣體氣氛下進(jìn)行成形工序，即便在使用碳制的成形模的情況下， 也能抑制成形模的氧化，因此能夠抑制成形模的與基板的潤(rùn)濕性的上升，并維持成形模的脫模性。此外，能夠提高成形模的耐久性。而且，以碳為主要成分的材料，由于材料成本較低，能夠作成低價(jià)的成形模。再者， 以碳為主要成分的材料，由于加工容易，所以能夠用NC機(jī)械等簡(jiǎn)單且高精度地形成成形模。由此，能夠確保成形模的加工表面的平面度，因此也能確保仿效加工表面而成形的基板的平面度。此外，本發(fā)明的特征在于，在大氣氣氛下進(jìn)行所述成形工序，所述成形模由以一氮化硼為主要成分的材料構(gòu)成。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，以一氮化硼為主要成分的材料，由于耐氧化性優(yōu)異，即便在大氣氣氛下進(jìn)行成形工序的情況下，也能抑制成形模的與基板的潤(rùn)濕性的上升，并抑制成形模的氧化。由此，如上所述能夠維持成形模的脫模性。此外，能夠提高成形模的耐久性，并且能夠在較高的溫度下進(jìn)行成形。
而且，以一氮化硼為主要成分的材料，由于機(jī)械加工性優(yōu)異，所以能夠確保成形模的加工表面的平面度，并能確保仿效加工表面而成形的基板的平面度。此外，本發(fā)明的特征在于，具有貫通電極形成工序，形成使所述空腔的內(nèi)部和所述多個(gè)基板的外側(cè)導(dǎo)通的貫通電極，所述貫通電極形成工序包括凹部形成工序，在所述多個(gè)基板之中，形成沿著貫通電極形成基板的厚度方向的凹部；以及芯材部配置工序，在所述貫通電極形成基板的所述凹部?jī)?nèi)，插入由導(dǎo)電材料形成的芯材部，所述成形工序是這樣的工序在所述凹部形成工序中，用具有相當(dāng)于所述凹部的凸部的所述成形模按壓所述貫通電極形成基板，并且進(jìn)行加熱來(lái)形成所述凹部。依據(jù)該構(gòu)成，如上述那樣能夠抑制貫通電極形成基板的起泡現(xiàn)象等的發(fā)生，因此能夠?qū)⒓訜岢尚魏蟮呢炌姌O形成基板維持在所希望的形狀。進(jìn)而，在采用由熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料構(gòu)成的成形模時(shí)，能夠抑制成形模與貫通電極形成基板之間的歪曲，因此能夠更加高精度地成形貫通電極形成基板。此外， 能夠在所希望的位置上高精度地形成凹部。然后，向這樣形成的凹部?jī)?nèi)插入芯材部，從而能夠在所希望的位置上高精度地配置貫通電極。此外，本發(fā)明的特征在于，所述貫通電極形成工序在所述芯材部配置工序的后段， 具有使所述貫通電極形成基板熔敷到所述芯材部的熔敷工序，所述成形工序是這樣的工序在所述熔敷工序中，用所述成形模按壓所述貫通電極形成基板，并且進(jìn)行加熱，從而使所述貫通電極形成基板熔敷到所述芯材部。依據(jù)該構(gòu)成，如上所述能夠抑制貫通電極形成基板的起泡現(xiàn)象等的發(fā)生，因此能夠?qū)⑷鄯蠛蟮呢炌姌O形成基板形成為所希望的形狀。進(jìn)而，在采用由熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料構(gòu)成的成形模的情況下，能夠抑制在成形模與貫通電極形成基板之間發(fā)生的歪曲。由此，能夠更進(jìn)一步高精度地成形貫通電極形成基板。此外，通過在成形模與貫通電極形成基板之間產(chǎn)生的歪曲，能夠減少?gòu)某尚文Ｏ蛐静牟孔饔玫膽?yīng)力，貫通孔內(nèi)的芯材部被成形模拉伸，能夠抑制所希望的位置移位或斜入。其結(jié)果，能夠提高貫通電極形成基板上的貫通電極的位置精度，因此能夠確保其后形成的外部電極或迂回電極等的電極膜與貫通電極的導(dǎo)通。此外，本發(fā)明的特征在于，具有空腔形成工序，以對(duì)所述多個(gè)基板之中空腔形成基板，形成所述空腔，所述成形工序是這樣的工序在所述空腔形成工序中，用具有與所述空腔相當(dāng)?shù)耐共康乃龀尚文０磯核隹涨恍纬苫?，并且進(jìn)行加熱，從而形成所述空腔。依據(jù)該構(gòu)成，如上所述能夠抑制空腔形成基板的起泡現(xiàn)象等的發(fā)生，因此能夠?qū)⒓訜岢尚魏蟮目涨恍纬苫逍纬蔀樗Ｍ男螤?。進(jìn)而，在用熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料作成成形模的情況下，能夠抑制在成形模與空腔形成基板之間的歪曲，并且能夠在所希望的位置上高精度地形成空腔。因此，能夠提供氣密性優(yōu)異的封裝件。此外，本發(fā)明的封裝件，其特征在于，其利用上述本發(fā)明的封裝件的制造方法來(lái)制造。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過使用上述本發(fā)明的封裝件的制造方法制造封裝件，能夠減少基板內(nèi)的逸氣的殘余量，并能減少封裝件的氣孔率，因此能夠提供氣密性優(yōu)異的封裝件。此外，能夠提高貫通電極的位置精度，因此能夠提供空腔的內(nèi)部與外部的導(dǎo)通性優(yōu)異的封裝件。此外，本發(fā)明的壓電振動(dòng)器，其特征在于，在上述本發(fā)明的封裝件的所述空腔內(nèi)氣密密封有壓電振動(dòng)片。依據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于具備上述本發(fā)明的氣密性優(yōu)異的封裝件，能夠制造振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的壓電振動(dòng)器。此外，本發(fā)明的振蕩器，其特征在于，使上述本發(fā)明的壓電振動(dòng)器，作為振子電連接到集成電路。此外，本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，使上述本發(fā)明的壓電振動(dòng)器電連接至計(jì)時(shí)部。此外，本發(fā)明的電波鐘，其特征在于，使上述本發(fā)明的壓電振動(dòng)器電連接至濾波部。在本發(fā)明的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘中，由于具備振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的壓電振動(dòng)器，所以能夠提供與壓電振動(dòng)器同樣振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的制品。(發(fā)明效果)依據(jù)本發(fā)明的封裝件的制造方法及封裝件，通過用開氣孔率為14%以上的材料構(gòu)成成形模，能夠?qū)⒒寮訜岢尚螢樗Ｍ男螤?，因此能夠提供氣密性?yōu)異且空腔的內(nèi)部與外部的導(dǎo)通性也優(yōu)異的封裝件。此外，依據(jù)本發(fā)明的壓電振動(dòng)器，由于具備上述本發(fā)明的封裝件，所以能夠制造振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的壓電振動(dòng)器。在本發(fā)明的振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘中，由于具備上述壓電振動(dòng)器，能夠提供與壓電振動(dòng)器同樣振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的制品。


圖1是實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的外觀斜視圖。圖2是壓電振動(dòng)器的拆下蓋基板后的狀態(tài)的平面圖。圖3是沿著圖2的A-A線的側(cè)面剖視圖。圖4是壓電振動(dòng)器的分解斜視圖。圖5是壓電振動(dòng)片的平面圖。
圖6是壓電振動(dòng)片的仰視圖。圖7是沿著圖5的B-B線的剖視圖。圖8是在制造圖1所示的壓電振動(dòng)器時(shí)使用的鉚釘體的斜視圖。圖9是第一實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法的流程圖。圖10是圓片(wafer)體的分解斜視圖。圖11是表示在成為圖1所示的壓電振動(dòng)器所具備的基底基板的根源的基底基板用圓片形成貫通孔的狀態(tài)的斜視圖。圖12示出第一實(shí)施方式的基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明貫通孔形成工序的工序圖。圖13示出第一實(shí)施方式的基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明芯材部插入工序、熔敷工序、及研磨工序的工序圖。
圖14是表示產(chǎn)生起泡現(xiàn)象的狀態(tài)的樣品圓片的平面照片。圖15是相當(dāng)于第二實(shí)施方式的圖2的A-A線的側(cè)面剖視圖。圖16是第二實(shí)施方式的鉚釘體的斜視圖。圖17是第二實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法的流程圖。圖18示出第二實(shí)施方式的基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明凹部形成工序的工序圖。圖19示出第二實(shí)施方式的基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明芯材部插入工序及熔敷工序的工序圖。圖20是實(shí)施方式所涉及的振蕩器的結(jié)構(gòu)圖。圖21是實(shí)施方式所涉及的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖。圖22是實(shí)施方式所涉及的電波鐘的結(jié)構(gòu)圖。圖23示出蓋基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明空腔形成工序的其它方法的工序圖。
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。(第一實(shí)施方式)(壓電振動(dòng)器)下面，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器。圖1是實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的外觀斜視圖。圖2是壓電振動(dòng)器的拆下蓋基板后的狀態(tài)的平面圖。圖3是沿著圖2 的A-A線的側(cè)面剖視圖。圖4是壓電振動(dòng)器的分解斜視圖。此外在圖4中，為了方便觀看附圖，省略了后述的壓電振動(dòng)片4的激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17及重錘金屬膜21的圖示。如圖1 圖4所示，本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器1是具備通過接合膜35陽(yáng)極接合基底基板2及蓋基板3的封裝件9和收納于封裝件9的空腔C的壓電振動(dòng)片4的表面安裝型的壓電振動(dòng)器1。圖5是壓電振動(dòng)片的平面圖，圖6是仰視圖，圖7是沿著圖5的B-B線的剖視圖。如圖5 圖7所示，壓電振動(dòng)片4是由水晶或鉭酸鋰、鈮酸鋰等的壓電材料形成的音叉型振動(dòng)片，在被施加既定電壓時(shí)振動(dòng)。該壓電振動(dòng)片4具備平行配置的一對(duì)振動(dòng)腕部 IOUl ；將該一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的基端側(cè)固定成一體的基部12 ；以及形成在一對(duì)振動(dòng)腕部 IOUl的兩主表面上的溝部18。該溝部18沿著該振動(dòng)腕部10、11的長(zhǎng)邊方向從振動(dòng)腕部 IOUl的基端側(cè)形成至大致中間附近。此外，本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)片4包括形成在一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的外表面上并使一對(duì)振動(dòng)腕部10、11振動(dòng)的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15 ； 以及與第一激振電極13及第二激振電極14電連接的裝配電極16、17。激振電極15、裝配電極16、17及引出電極19、20由例如鉻(Cr)或鎳(Ni)、鋁(Al)、鈦(Ti)等的導(dǎo)電材料的
覆蓋膜形成。激振電極15是使一對(duì)振動(dòng)腕部10、11在互相接近或分離的方向上以既定的諧振頻率振動(dòng)的電極。構(gòu)成激振電極15的第一激振電極13及第二激振電極14，在一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的外表面上，以分別電性切斷的狀態(tài)被構(gòu)圖而形成。具體而言，第一激振電極13 主要形成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的溝部18上和另一振動(dòng)腕部11的兩側(cè)面上，并且第二激振電極14主要形成在一個(gè)振動(dòng)腕部10的兩側(cè)面上和另一振動(dòng)腕部11的溝部18上。此外，第一激振電極13及第二激振電極14在基部12的兩主表面上，分別經(jīng)由引出電極19、20而與裝配電極16、17電連接。此外，在一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的前端，覆蓋有用于調(diào)整(頻率調(diào)整)的重錘金屬膜 21，以使本身的振動(dòng)狀態(tài)在既定頻率的范圍內(nèi)振動(dòng)。該重錘金屬膜21被分為在粗調(diào)頻率時(shí)使用的粗調(diào)膜21a和微調(diào)時(shí)使用的微調(diào)膜21b。如圖1、圖3及圖4所示，蓋基板3是由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的能夠陽(yáng)極接合的基板，大致形成為板狀。在蓋基板3的與基底基板2的接合面?zhèn)?，形成有收納壓電振動(dòng)片4的空腔C用的凹部3a。在蓋基板3的與基底基板2的整個(gè)接合面一側(cè)，形成有陽(yáng)極接合用的接合膜35。 即，接合膜35除在凹部3a的整個(gè)內(nèi)表面形成以外，還形成在凹部3a周圍的邊緣區(qū)域。本實(shí)施方式的接合膜35由Si膜形成，但是也可以用Al形成接合膜35。此外作為接合膜，也能夠采用通過摻雜等來(lái)低電阻化的Si塊(bulk)材料。然后如后文所述，該接合膜35與基底基板2被陽(yáng)極接合，空腔C被真空密封。基底基板2是由玻璃材料例如堿石灰玻璃構(gòu)成的基板，如圖1 圖4所示，以與蓋基板3相等的外形大致形成為板狀。在基底基板2的上表面加一側(cè)(與蓋基板3的接合面一側(cè))，如圖1 圖4所示， 構(gòu)圖有一對(duì)迂回電極36、37。各迂回電極36、37由例如下層的Cr膜及上層的Au膜的層疊體形成。然后如圖3、圖4所示，在迂回電極36、37的表面，通過金等的凸點(diǎn)(bump)B，上述壓電振動(dòng)片4的裝配電極16、17被凸點(diǎn)接合。壓電振動(dòng)片4以使振動(dòng)腕部10、11從基底基板2的上表面加浮起的狀態(tài)被接合。此外在基底基板2形成有貫通該基底基板2的一對(duì)貫通電極32、33。通過在貫通孔30、31中配置由導(dǎo)電性的金屬材料構(gòu)成芯材部28而形成貫通電極32、33，通過芯材部28 確保穩(wěn)定的電導(dǎo)通性。一個(gè)貫通電極32形成在一個(gè)迂回電極36的正下方。另一貫通電極 33形成在振動(dòng)腕部11的前端附近，并且經(jīng)由迂回布線連接至另一迂回電極37。芯材部觀通過與基底基板2的熔敷而被固定，芯材部28完全堵塞貫通孔30、31而維持空腔C內(nèi)的氣密。芯材部觀是由例如科瓦鐵鎳鈷合金或!^e-Ni合金(42合金(alloy)) 等的、熱膨脹系數(shù)接近(優(yōu)選為相等或低)基底基板2的玻璃材料的材料形成為圓柱狀的導(dǎo)電性的金屬芯材，其兩端平坦且厚度與基底基板2的厚度相同。圖8是鉚釘體的斜視圖。此外，在貫通電極32、33作為完成品形成的情況下，如上述那樣芯材部28以截圓錐狀且厚度與基底基板2的厚度相同地形成，但在制造過程中，如圖8所示，與芯材部觀的一個(gè)端部連結(jié)的平板狀的基座部四一起形成鉚釘體27。S卩，芯材部觀以使延伸方向與基座部四的厚度方向一致的方式被支撐。此外，芯材部觀的厚度(高度)形成為薄于后面成為基底基板2的基底基板用圓片41 (參照?qǐng)D10)的厚度?；克募皬幕谆逵脠A片41突出的芯材部28的前端部，在制造過程中，被研磨除去。此外在基底基板2的下表面2b，如圖1、圖3及圖4所示，形成有一對(duì)外部電極 38、39。一對(duì)外部電極38、39形成在基底基板2的長(zhǎng)邊方向的兩端部，并且對(duì)一對(duì)貫通電極 32、33分別電連接。在使這樣構(gòu)成的壓電振動(dòng)器1動(dòng)作時(shí)，對(duì)形成在基底基板2的外部電極38、39施加既定的驅(qū)動(dòng)電壓。這樣，從一個(gè)外部電極38經(jīng)由一個(gè)貫通電極32及一個(gè)迂回電極36而與壓電振動(dòng)片4的第一激振電極13通電。此外從另一外部電極39經(jīng)由另一貫通電極33及另一迂回電極37而與壓電振動(dòng)片4的第二激振電極14通電。由此，電流能夠在壓電振動(dòng)片4的由第一激振電極13及第二激振電極14構(gòu)成的激振電極15中流過，能夠使一對(duì)振動(dòng)腕部10、11在接近/分離的方向上以既定頻率振動(dòng)。然后，利用該一對(duì)振動(dòng)腕部10、11的振動(dòng)，能夠作為時(shí)刻源、控制信號(hào)的定時(shí)源或參考信號(hào)源等而加以利用。(壓電振動(dòng)器的制造方)接著，對(duì)上述壓電振動(dòng)器的制造方法進(jìn)行說明。圖9是本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法的流程圖。圖10是圓片體的分解斜視圖。下面，對(duì)在基底基板用圓片(貫通電極形成基板)41與蓋基板用圓片(空腔形成基板)42之間密封多個(gè)壓電振動(dòng)片4而形成圓片體43，并將圓片體43切斷而同時(shí)制造多個(gè)壓電振動(dòng)器1的方法進(jìn)行說明。此外，圖10以后的各圖中所示的虛線M示出在切斷工序中切斷的切斷線。本實(shí)施方式的壓電振動(dòng)器的制造方法，主要包括壓電振動(dòng)片制作工序(Si)、基底基板用圓片制作工序(SlO)、蓋基板用圓片制作工序(S30)。其中，壓電振動(dòng)片制作工序 (Si)、基底基板用圓片制作工序(S20)及蓋基板用圓片制作工序(S30)能夠并行地實(shí)施。在壓電振動(dòng)片制作工序(Si)中，制作圖5 圖7所示的壓電振動(dòng)片4。具體而言， 首先以既定的角度對(duì)水晶的朗伯(Lambert)原礦石進(jìn)行切片，做成一定厚度的圓片。接下來(lái)，對(duì)該圓片進(jìn)行研磨而粗加工后，用蝕刻除去加工變質(zhì)層，之后進(jìn)行拋光(polish)等鏡面研磨加工，得到既定厚度的圓片。接下來(lái)，對(duì)圓片實(shí)施清洗等適當(dāng)?shù)奶幚砗?，利用光刻技術(shù)以壓電振動(dòng)片4的外形形狀對(duì)圓片進(jìn)行構(gòu)圖，并且進(jìn)行金屬膜的成膜及構(gòu)圖，形成激振電極15、引出電極19、20、裝配電極16、17、重錘金屬膜21。據(jù)此，可以制作多個(gè)壓電振動(dòng)片 4。接下來(lái)，進(jìn)行壓電振動(dòng)片4的諧振頻率的粗調(diào)。這是通過對(duì)重錘金屬膜21的粗調(diào)膜21a 照射激光使其一部分蒸發(fā)，使振動(dòng)腕部10、11的重量發(fā)生變化來(lái)進(jìn)行的。接著，進(jìn)行制作后面成為基底基板2的基底基板用圓片41的工序(SlO)。首先， 形成如圖10、圖11所示那樣的基底基板用圓片41。具體而言，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，用蝕刻等除去最表面的加工變質(zhì)層(S11)。此外，圖11是表示基底基板用圓片41的一部分的斜視圖，實(shí)際上基底基板用圓片41為大致圓板狀(參照?qǐng)D10)。 此外，圖11中的貫通孔30、31是利用在后述的基底基板用圓片41形成貫通電極32、33的工序來(lái)形成的。(貫通電極形成工序)接著，進(jìn)行在基底基板用圓片41形成貫通電極32、33的貫通電極形成工序 (SlOA)。(貫通孔形成工序)首先，形成貫通基底基板用圓片41的貫通孔(凹部)30、31(512)。圖12示出基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明貫通孔形成工序(凹部形成工序)的工序圖。此外，本說明書還包括將貫通孔30、31等、沿厚度方向貫通基底基板用圓片41的情形，并且從基底基板用圓片41的表面凹陷的部位被包含于凹部中。如圖12所示，利用由具備平板部52和形成在平板部52的一個(gè)面的凸部53的碳材料構(gòu)成的貫通孔形成用模(成形模)51，按壓基底基板用圓片41并進(jìn)行加熱而形成貫通孔 30,31o平板部52是在按壓基底基板用圓片41時(shí)，與基底基板用圓片41的表面相接的平坦的部件。凸部53是在按壓基底基板用圓片41時(shí)，貫通基底基板用圓片41而形成貫通孔 30、31的部件。在凸部53的側(cè)面形成有起模用的錐，凸部53的形狀被轉(zhuǎn)印到貫通孔30、31。 這時(shí)，貫通孔30、31形成為內(nèi)徑比芯材部觀的直徑大20 30 μ m左右。此外，在后面的制造工序中基底基板用圓片41熔敷到芯材部觀，從而貫通孔30、31被芯材部28堵塞。在貫通孔形成工序(S12)中，首先如圖12(a)所示，以使凸部53成為上側(cè)(圖12 中上側(cè))的方式設(shè)置貫通孔形成用模51，在其上設(shè)置基底基板用圓片41。然后，配置在被保持在惰性氣體氣氛(氮?dú)夥?下的加熱爐內(nèi)，并且在約900°C左右的高溫狀態(tài)下施加壓力，從而使凸部53貫通基底基板用圓片41。其后，使基底基板用圓片41的溫度逐漸降低而冷卻。如上述那樣在貫通孔形成工序(S12)中，使用碳制的貫通孔形成用模51，但加熱爐內(nèi)被保持在惰性氣體氣氛(氮?dú)夥?下，因此能夠抑制貫通孔形成用模51的氧化，并能提高貫通孔形成用模51的耐久性。這時(shí)，加熱爐的溫度最高能加熱到1000°C左右。此外， 也能抑制伴隨著貫通孔形成用模51的氧化而產(chǎn)生的潤(rùn)濕性的增加，因此也能維持貫通孔形成用模51從基底基板用圓片41的脫模性。此外，雖然未做圖示，但在基底基板用圓片41 的上側(cè)，配置有由貫通孔形成用模51夾持基底基板用圓片41，并支持從貫通孔形成用模51 作用的壓力的承模。在此，本實(shí)施方式的貫通孔形成用模51優(yōu)選采用開氣孔率為14%以上，且熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料作成。使貫通孔形成用模51的開氣孔率成為14%以上，從而在加熱成形時(shí)從基底基板用圓片41被釋放的逸氣，進(jìn)入貫通孔形成用模51的開氣孔內(nèi)。即，貫通孔形成用模51的開氣孔成為從基底基板用圓片41釋放出的逸氣的泄放處，減少基底基板用圓片41內(nèi)的逸氣的殘余量，從而能抑制上述起泡現(xiàn)象的發(fā)生。因而，抑制加熱成形后的基底基板用圓片41 的走形，并且能夠?qū)⒒谆逵脠A片41維持在所希望的圓板形狀。此外，在脫模時(shí)貫通孔形成用模51的氣孔內(nèi)存在的氣體，進(jìn)入貫通孔形成用模51 與基底基板用圓片41之間，因此加熱成形后的基底基板用圓片41難以粘接到貫通孔形成用模51，能夠提高貫通孔形成用模51的脫模性。因此，能夠防止基底基板用圓片41的斷裂等，并且提高制造效率。此外，開氣孔率是指在設(shè)試料(貫通孔形成用模51)的外形容積為 1的情況下，其中所占的開氣孔部分的容積的百分比(Jis R 1634)。而且，通過使貫通孔形成用模51的熱膨脹系數(shù)成為4ppm/°C以上，能夠縮小貫通孔形成用模51的熱膨脹系數(shù)與基底基板用圓片(一般為8. 3ppm/°C左右)的熱膨脹系數(shù)之差，因此能夠抑制伴隨加熱而在貫通孔形成用模51與基底基板用圓片41之間產(chǎn)生的歪曲。 由此，能夠按所希望的厚度或外徑高精度地形成基底基板用圓片41。此外，在基底基板用圓片41上也能將凸部53配置在所希望的位置，因此能夠確保貫通孔30、31的位置精度。作為滿足這樣的條件的材料，本實(shí)施方式的貫通孔形成用模51如上述那樣使用碳。以碳為主要成分的材料，由于材料成本較低，能夠作成低價(jià)的貫通孔形成用模51。而且，以碳為主要成分的材料，由于容易加工，所以能夠用NC機(jī)械等來(lái)簡(jiǎn)單且高精度形成貫通孔形成用模51。此外，由于能夠確保貫通孔形成用模51的加工表面上的平面度(例如， 30μπι以內(nèi))，所以也能確保仿效加工表面而成形的基底基板用圓片41的平面度。(芯材部插入工序)接著，進(jìn)行向貫通孔30、31內(nèi)插入芯材部觀的工序(S13)。圖13示出基底基板用圓片的剖視圖，并且是用于說明芯材部插入工序、熔敷工序、及研磨工序的工序圖。如圖13 (a)所示，將基底基板用圓片41設(shè)置在后述的熔敷模61的壓模63之上， 向貫通孔30、31內(nèi)從上側(cè)插入鉚釘體27的芯材部28，使鉚釘體27的基座部四與基底基板用圓片41接觸，用壓模63、后述的熔敷模61的承模62夾持基底基板用圓片41及鉚釘體 27，如圖13(b)所示，使之上下反轉(zhuǎn)。此外，將芯材部觀插入貫通孔30、31的工序使用撥入機(jī)來(lái)進(jìn)行。這時(shí)，基座部四比貫通孔30、31的開口還大，成為能夠堵塞開口的平面形狀。芯材部28是與基座部四連結(jié)的鉚釘體27，因此容易插入貫通孔30、31且作業(yè)性良好。(熔敷工序)接著，進(jìn)行將基底基板用圓片41加熱，使基底基板用圓片41熔敷到芯材部觀的工序(S14)。熔敷工序是這樣進(jìn)行的在包括設(shè)置在基底基板用圓片41的下側(cè)的承模62、設(shè)置在基底基板用圓片41的上側(cè)的壓模63、以及設(shè)置在承模62與壓模63的側(cè)方的側(cè)板64的、 由碳材料構(gòu)成的熔敷模61上逐個(gè)設(shè)置基底基板用圓片41，按壓并加熱基底基板用圓片41。承模62是保持基底基板用圓片41的下側(cè)及鉚釘體27的模，比基底基板用圓片41 的平面形狀還大，且鉚釘體27的芯材部觀插穿貫通孔30、31，呈現(xiàn)從基底基板用圓片41沿著基座部四突出的基底基板用圓片41的下側(cè)(圖13(b)中下側(cè))的形狀。承模62包括在保持基底基板用圓片41時(shí)與基底基板用圓片41的表面相接的承模平板部65 ；以及與基座部四相接并且相當(dāng)于基座部四的凹部的承模凹部66。承模凹部66將設(shè)置在基底基板用圓片41的鉚釘體27的基座部四對(duì)位后形成。 基座部四被嵌入到承模凹部66，從而承模62能保持鉚釘體27，能夠防止鉚釘體27脫落或芯材部觀偏移。壓模63是按壓基底基板用圓片41的模，成為與承模62相同的平面形狀，并且鉚釘體27的芯材部觀插穿貫通孔30、31，呈現(xiàn)從基底基板用圓片41沿著芯材部觀的前端部突出的基底基板用圓片41的上側(cè)(圖13(b)中上側(cè))的形狀。壓模63具備在按壓基底基板用圓片41的上側(cè)時(shí)與基底基板用圓片41相接的壓模平板部67 ；和被插入芯材部觀的前端部的壓模凹部68。壓模凹部68是比從基底基板用圓片41突出的芯材部28的高度還要約深0. 2mm 的凹部，在芯材部28的前端部與壓模凹部68的底部之間具有間隙69。在芯材部28的前端部與壓模凹部68的底部之間有間隙69，從而能夠泄放加熱產(chǎn)生的芯材部觀的膨脹。此外，用壓模63來(lái)按壓基底基板用圓片41時(shí)，壓力不會(huì)從壓模63加到芯材部觀，能夠防止芯材部觀的變形或移位。壓模凹部68與從基底基板用圓片41突出的芯材部28對(duì)位后形成。此外，壓模63在端部具有貫通壓模63的狹縫70。狹縫70能夠作為在加熱并按壓基底基板用圓片41時(shí)的空氣或基底基板用圓片41的剩余的玻璃材料的泄放孔。熔敷工序中，首先在將置于熔敷模61的基底基板用圓片41及鉚釘體27承載于金屬制的網(wǎng)帶之上的狀態(tài)下置入被保持在大氣氣氛下的加熱爐內(nèi)并進(jìn)行加熱。然后，利用配置在加熱爐內(nèi)的壓力機(jī)等，用壓模63例如以30 50g/cm2的壓力對(duì)基底基板用圓片41進(jìn)行加壓。此外，加熱溫度設(shè)定為基底基板用圓片41的730°C以上(堿石灰玻璃的軟化點(diǎn)溫度前后)。然后，通過在高溫狀態(tài)下對(duì)基底基板用圓片41進(jìn)行加壓，基底基板用圓片41流動(dòng)，從而堵塞芯材部28與貫通孔30、31的間隙，使基底基板用圓片41熔敷到芯材部28，芯材部觀成為堵塞貫通孔30、31的狀態(tài)。此外，通過在熔敷模61先形成其它的凸部或凹部， 能夠使基底基板用圓片41熔敷到芯材部觀，并且能夠在基底基板用圓片41形成凹部或凸部。接著，從熔敷工序的加熱時(shí)的730°C逐漸降低溫度，從而冷卻基底基板用圓片 41(S15)。由此，能形成如圖13(c)所示的、鉚釘體27的芯材部觀堵塞貫通孔30、31的狀態(tài)的基底基板用圓片41。在此，與上述貫通孔形成用模51同樣地，本實(shí)施方式的熔敷模61優(yōu)選用開氣孔率為14%以上且熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料作成。通過使熔敷模61的開氣孔率成為14%以上，抑制上述起泡現(xiàn)象的發(fā)生，并且能夠?qū)⒒谆逵脠A片41維持在所希望的圓板形狀，并且能夠提高熔敷模61的脫模性。而且，通過使熔敷模61的熱膨脹系數(shù)成為4ppm/°C以上，能夠抑制伴隨加熱而在熔敷模61與基底基板用圓片41之間產(chǎn)生的歪曲。由此，能夠按所希望的厚度或外徑高精度地形成基底基板用圓片41。此外，利用在熔敷模61與基底基板用圓片41之間產(chǎn)生的歪曲，能夠減少?gòu)娜鄯竽?1作用到鉚釘體27的應(yīng)力，因此能夠抑制被嵌入到熔敷模61的承模凹部66內(nèi)的基座部四被熔敷模61拉伸，從而鉚釘體27從所希望的位置移位，或者斜入。 由此，能夠提高基底基板用圓片41上的貫通電極32、33的位置精度，所以能夠確保與貫通電極32、33連接的外部電極38、39或與迂回電極36、37的導(dǎo)通性。作為滿足這樣的條件的材料，本實(shí)施方式的熔敷模61由以一氮化硼等為主要成分的材料構(gòu)成。以一氮化硼為主要成分的材料，由于其耐氧化性優(yōu)異，即便在大氣氣氛中進(jìn)行熔敷工序也能抑制熔敷模61的氧化。由此，能夠抑制熔敷模61的潤(rùn)濕性的上升并能維持脫模性。此外，提高熔敷模61的耐久性，并且能夠在較高的溫度下進(jìn)行成形。而且，一氮化硼的機(jī)械加工性優(yōu)異，所以能夠確保熔敷模61的加工表面上的平面度(例如，30μπι以內(nèi))，并且能夠確保仿效加工表面而成形的基底基板用圓片41的平面度。(研磨工序)接著，將鉚釘體27的基座部四及芯材部28的突出部分研磨而除去(S16)。鉚釘體27的基座部四及芯材部28的研磨采用公知的方法來(lái)進(jìn)行。然后，如圖 13(d)所示，基底基板用圓片41的表面與貫通電極32、33(芯材部觀)的表面，成為大致共面的狀態(tài)。如此，在基底基板用圓片41形成貫通電極32、33。此外，基座部四或芯材部觀的突出的部分不會(huì)被除去，而直接按該狀態(tài)使用也可。例如，基座部四或芯材部觀的突出的部分能夠作為散熱板等加以使用。如此，用熔敷模61來(lái)按壓并加熱基底基板用圓片41及鉚釘體27，從而使基底基板用圓片41熔敷到芯材部28，因此能夠用不含有機(jī)物的粘合劑的材料形成貫通電極32、33。 因此，與用玻璃料來(lái)填埋貫通孔30、31與芯材部觀之間的情況不同，沒有伴隨有機(jī)物的除去而產(chǎn)生的體積減少，而能夠防止在貫通電極32、33周圍產(chǎn)生凹部。接著，如圖10所示，在基底基板用圓片41的上表面上對(duì)導(dǎo)電材料進(jìn)行構(gòu)圖而進(jìn)行迂回電極形成工序(S17)。這樣，結(jié)束基底基板用圓片41的制作工序。接著，在與基底基板2的制作同時(shí)或前后的定時(shí)，制作在后面成為蓋基板3的蓋基板用圓片42(S30)。在制作蓋基板3的工序中，首先，形成后面成為蓋基板3的圓板狀的蓋基板用圓片42。具體而言，將堿石灰玻璃研磨加工至既定厚度并加以清洗后，用蝕刻等來(lái)除去最表面的加工變質(zhì)層(S31)。接著，利用蝕刻或壓力加工等，在蓋基板用圓片42形成空腔 C用的凹部3a(S32)。接著，研磨與基底基板用圓片41的接合面。接著，利用濺鍍等，在蓋基板用圓片42的與基底基板用圓片41的接合面及凹部3a 的內(nèi)表面形成接合膜35(S3!3)。如此，在蓋基板用圓片42的整個(gè)內(nèi)表面形成接合膜35，從而將不需要接合膜35的構(gòu)圖，能夠減少制造成本。此外，接合膜35是在成膜后進(jìn)行構(gòu)圖， 從而也可以是僅在蓋基板用圓片42的與基底基板用圓片41的接合面形成的構(gòu)成。此外， 在接合膜形成工序(S33)之前研磨接合面，因此能確保接合膜35的表面的平面度，并能實(shí)現(xiàn)與基底基板用圓片41的穩(wěn)定的接合。然后，將由上述壓電振動(dòng)片制作工序(Si)制作的多個(gè)壓電振動(dòng)片4，分別通過金等的凸點(diǎn)B來(lái)裝配在基底基板用圓片41的各迂回電極36、37上。然后，使在上述的各圓片 41,42的作成工序中作成的基底基板用圓片41及蓋基板用圓片42疊合。由此，被裝配的壓電振動(dòng)片4成為被收納于由形成在蓋基板用圓片42的凹部3a和基底基板用圓片41包圍的空腔C內(nèi)的狀態(tài)。在疊合兩基板用圓片41、42之后，將已疊合的2個(gè)圓片41、42置于未圖示的陽(yáng)極接合裝置，并且在利用未圖示的保持機(jī)構(gòu)來(lái)夾緊圓片的外周部分的狀態(tài)下，在既定的溫度氣氛中施加既定電壓而進(jìn)行陽(yáng)極接合。由此，能夠在空腔C內(nèi)密封壓電振動(dòng)向片4，并且能夠得到基底基板用圓片41與蓋基板用圓片42接合的圓片體43。其后，形成與一對(duì)貫通電極32、33分別電連接的一對(duì)外部電極38、39，并微調(diào)壓電振動(dòng)器1的頻率。然后，進(jìn)行將圓片體43沿著切斷線M進(jìn)行小片化的切斷工序，并進(jìn)行內(nèi)部的電特性檢查，從而能形成收納壓電振動(dòng)片4的壓電振動(dòng)器1。如此，在本實(shí)施方式中，采用這樣的構(gòu)成利用其開氣孔率為14%以上且熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料構(gòu)成的貫通孔形成用模51及熔敷模61，加熱成形基底基板用圓片41。依據(jù)該構(gòu)成，通過上述那樣將開氣孔率設(shè)定在14%以上，能夠如上述那樣抑制基底基板用圓片41的起泡現(xiàn)象的發(fā)生，并且能夠提高加熱成形后的貫通孔形成用模51及熔敷模61的脫模性。由此，能夠提高壓電振動(dòng)器1的成品率。此外，降低基底基板用圓片41 中的逸氣的殘余量，能夠降低基底基板用圓片41的氣孔率，因此能夠確?；谆逵脠A片 41與蓋基板用圓片42的凹部3a被陽(yáng)極接合而成的壓電振動(dòng)器1的空腔C的氣密性。因而，能夠制造氣密性優(yōu)異的封裝件9，因此能夠制造振動(dòng)特性優(yōu)異的可靠性高的壓電振動(dòng)器 1。而且，通過將熱膨脹系數(shù)設(shè)定在4ppm/°C以上，抑制伴隨加熱而在貫通孔形成用模 51及熔敷模61與基底基板用圓片41之間產(chǎn)生的歪曲等，能夠?qū)⒒谆逵脠A片41形成為所希望的形狀，并且能以所希望的位置精度形成貫通電極32、33。由此，能夠確保后面形成的迂回電極36、37或外部電極38、39和貫通電極32、33的導(dǎo)通，因此能夠提供空腔C的內(nèi)部與外部的導(dǎo)通性優(yōu)異的封裝件9。(實(shí)施例)在此，舉實(shí)施例說明本發(fā)明。本申請(qǐng)的發(fā)明人，為了選定上述的凹部形成用?；蛉鄯竽Ｉ鲜褂玫牟牧希瑢⒉煌M成的碳(石墨)及一氮化硼(BN)按類別準(zhǔn)備多種，對(duì)這些多種材料的每一材料作成樣品模，利用各樣品模來(lái)對(duì)樣品圓片進(jìn)行加熱成形。此外，雖然未做圖示，樣品圓片與上述基底基板用圓片同樣采用由堿石灰玻璃構(gòu)成的圓板狀的圓片。此外，樣品模采用與上述貫通孔形成用模51同樣的構(gòu)成，具有配置在樣品圓片的一個(gè)面?zhèn)榷３謽悠穲A片的承模；和配置在樣品圓片的另一面?zhèn)榷哂杏糜谠跇悠穲A片形成貫通孔的多個(gè)凸部的按壓模。此外，本實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)條件設(shè)定為與上述貫通孔形成工序同樣。表1是匯總本實(shí)驗(yàn)中使用的模的材料、這些材料的組成、熱膨脹系數(shù)、氣孔率(開氣孔率及閉氣孔率)、及加工結(jié)果的表。即，在本實(shí)驗(yàn)中使用3種碳材料及4種一氮化硼。表 1
材料材料構(gòu)成熱膨脹系數(shù)氣孔率 (%)開氣孔率(％)閉氣孔率(％)壓力加工結(jié)果實(shí)施例1石墨Si、Fe、Ti、B、Ca、 Mg、Al5.8ppm17152O實(shí)施例2石‘璽、Si、Fe、Ti、B、Ca、 Mg、Al6.8ppm15141O比較例1石墨Si、Fe、Ti、B、Ca、 Mg、Al7. Ippm1~31~3-X實(shí)施例3BNBN%(70)Si3N4(30)4. Ippm20.520.30.2O實(shí)施例4BNBN% (99.5 以上)-0.6ppm29.229.20Δ比較例2BN(BN單身系) BN%(97)-0.25ppm13.64.69X比較例3BN(BN - Si3N4): BN%(30)3.0ppm10.20.99.3X如表1所示，在實(shí)施例1、2的條件下，能以良好的狀態(tài)成形樣品圓片。具體而言， 不發(fā)生起泡現(xiàn)象，且能夠?qū)悠穲A片維持在圓板形狀，并且能以所希望的位置精度(間距) 排列貫通孔。而且，從樣品圓片拆下樣品模之際的脫模性也良好。另一方面，在比較例1中，如圖14所示，在樣品圓片發(fā)生起泡現(xiàn)象，無(wú)法將樣品圓片維持在圓板形狀。認(rèn)為這是以下原因造成的在成形時(shí)因加熱而從樣品圓片釋放出的逸氣充滿于模內(nèi)，沒有逸氣的泄放處，以氣泡方式殘留在樣品圓片內(nèi)。此外，在實(shí)施例3的條件下，與實(shí)施例1、2同樣地，能以良好的狀態(tài)成形樣品圓片。另一方面，在比較例3、4中，與比較例1同樣地，無(wú)法將樣品圓片維持所希望的形狀(參照?qǐng)D14)。由這樣的結(jié)果，可知本實(shí)施方式的樣品模(貫通孔形成用模51及熔敷模61)的開氣孔率需要在14%以上。與之相對(duì)，在實(shí)施例4中，雖然在樣品圓片不發(fā)生起泡現(xiàn)象，且能夠?qū)悠穲A片維持在圓板形狀，但由于在樣品圓片與樣品模之間的歪曲而得到的結(jié)果是樣品圓片的厚度或外徑稍微偏移，或者樣品圓片上的貫通孔的位置精度下降。由這樣的結(jié)果，為了提高樣品圓片的外形尺寸或貫通孔的位置精度，優(yōu)選由熱膨脹系數(shù)接近玻璃材料的材料作成樣品模，具體而言優(yōu)選使用熱膨脹系數(shù)為4ppm/°C以上的材料來(lái)作成?？墒?，使用石墨制的樣品模，并且在大氣氣氛下進(jìn)行加熱成形時(shí)，加熱爐內(nèi)的空氣和樣品模引起氧化反應(yīng)，存在樣品模的耐久性下降的問題。此外，還存在的問題是基底基板和樣品模的潤(rùn)濕性變高、樣品模的脫模性下降。此外，即便在惰性氣體氣氛中，也有空氣或水蒸氣從加熱爐的搬入口及搬出口流入的情況，在該情況下，擔(dān)心會(huì)發(fā)生與上述大氣氣氛下的情況同樣的問題。表2示出在成形氣氛或反應(yīng)對(duì)象物的不同的情況下進(jìn)行的石墨的氧化反應(yīng)開始溫度。表權(quán)利要求
1.一種封裝件的制造方法，制造具備在互相接合的由玻璃材料構(gòu)成的多個(gè)基板、和在所述多個(gè)基板的內(nèi)側(cè)形成的能夠封入電子部件的空腔的封裝件，其特征在于，包括用成形模按壓所述基板并且加熱而成形的成形工序， 所述成形模由開氣孔率為14%以上的材料構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝件的制造方法，其特征在于，所述成形模由熱膨脹系數(shù)為 4ppm/°C以上的材料構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的封裝件的制造方法，其特征在于，在惰性氣體氣氛下進(jìn)行所述成形工序，所述成形模由以碳為主要成分的材料構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1或2所述的封裝件的制造方法，其特征在于，在大氣氣氛下進(jìn)行所述成形工序，所述成形模由以一氮化硼為主要成分的材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的封裝件的制造方法，其特征在于，具有貫通電極形成工序，形成使所述空腔的內(nèi)部和所述多個(gè)基板的外側(cè)導(dǎo)通的貫通電極，所述貫通電極形成工序包括凹部形成工序，在所述多個(gè)基板之中，形成沿著貫通電極形成基板的厚度方向的凹部；以及芯材部配置工序，在所述貫通電極形成基板的所述凹部?jī)?nèi)，插入由導(dǎo)電材料形成的芯材部，所述成形工序是這樣的工序在所述凹部形成工序中，用具有與所述凹部相當(dāng)?shù)耐共康乃龀尚文０磯核鲐炌姌O形成基板，并且進(jìn)行加熱來(lái)形成所述凹部。
6.如權(quán)利要求5所述的封裝件的制造方法，其特征在于，所述貫通電極形成工序在所述芯材部配置工序的后段，具有使所述貫通電極形成基板熔敷到所述芯材部的熔敷工序，所述成形工序是這樣的工序在所述熔敷工序中，用所述成形模按壓所述貫通電極形成基板，并且進(jìn)行加熱，從而使所述貫通電極形成基板熔敷到所述芯材部。
7.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的封裝件的制造方法，其特征在于， 具有空腔形成工序，以對(duì)所述多個(gè)基板之中空腔形成基板，形成所述空腔，所述成形工序是這樣的工序在所述空腔形成工序中，用具有與所述空腔相當(dāng)?shù)耐共康乃龀尚文０磯核隹涨恍纬苫?，并且進(jìn)行加熱，從而形成所述空腔。
8.一種封裝件，其特征在于，其利用權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的封裝件的制造方法來(lái)制造。
9.一種壓電振動(dòng)器，其特征在于，在權(quán)利要求8所述的封裝件的所述空腔內(nèi)氣密密封有壓電振動(dòng)片。
10.一種振蕩器，其特征在于，使權(quán)利要求9所述的壓電振動(dòng)器，作為振子電連接到集成電路。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，使權(quán)利要求9所述的壓電振動(dòng)器電連接至計(jì)時(shí)部。
12.一種電波鐘，其特征在于，使權(quán)利要求9所述的壓電振動(dòng)器電連接至濾波部。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠?qū)⒒寮訜岢尚螢樗Ｍ男螤畹姆庋b件的制造方法、封裝件、壓電振動(dòng)器、振蕩器、電子設(shè)備及電波鐘。本發(fā)明的特征在于成形工序是在貫通孔形成工序中，用具有與貫通孔(30、31)相當(dāng)?shù)耐共?53)的貫通孔形成用模(51)按壓基底基板用圓片(41)，并通過加熱而形成貫通孔(30、31)的工序，貫通孔形成用模(51)由開氣孔率為14％以上的材料構(gòu)成。
文檔編號(hào)H03H9/02GK102195587SQ20111005864
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月3日
發(fā)明者樋口浩, 沼田理志 申請(qǐng)人:Nsg精密股份有限公司, 精工電子有限公司