專利名稱：封裝構(gòu)件組件、封裝構(gòu)件組件的制造方法、封裝構(gòu)件、以及使用了封裝構(gòu)件的壓電振動器 ...的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于電子設備等的壓電振動器件的封裝構(gòu)件、一體地形成有多個封裝構(gòu)件的封裝構(gòu)件組件、封裝構(gòu)件組件的制造方法、以及使用了封裝構(gòu)件的壓電振動器件的制造方法。
背景技術：
以往，作為用于電子設備等的壓電振動器件，廣泛使用了晶體振動器。例如，表面安裝型的晶體振動器一般為如下結(jié)構(gòu)經(jīng)由導電粘接材料等將晶體振動板粘接到具有上部開口的凹部的容器體(封裝構(gòu)件)的內(nèi)部(凹部的內(nèi)底面)，以平板狀的蓋來氣密密封容器體的開口部分。這里所說的晶體振動器的封裝由容器體和蓋體所構(gòu)成。關于容器體，例如能夠通過層疊陶瓷片并進行焙燒而一體地成形多個容器體，并沿著規(guī)定線進行切斷來獲得多個容器體。在容器體的底面形成有外部端子，外部端子經(jīng)由焊錫等與電子設備等的內(nèi)部的基板連接。在將該電子設備等用作例如車載用設備的情況下，能夠設想受到各種振動、沖擊、 或在高溫環(huán)境下使用的情況，因此對于晶體振動器與基板的接合，要求高的接合強度。因此，作為用于提高接合強度的以往的方法，有如下方法(例如參照專利文獻1以及專利文獻 2)將在容器體的側(cè)面向容器體的深度方向伸展、并與外部端子連接的側(cè)面導體形成為城堡形(castellation)，在該導體部分上也粘附焊錫。側(cè)面導體在容器體由陶瓷構(gòu)成的情況下，首先在陶瓷片的狀態(tài)下，在縱橫鄰接的容器體(形成區(qū)域)的邊界線的交點形成以交點為中心的貫通孔(通孔)。之后，通過絲網(wǎng)印刷、電鍍處理在貫通孔周邊以及貫通孔內(nèi)壁面粘附導體。而且在陶瓷片的層疊焙燒之后， 縱橫地切斷陶瓷片使得通過貫通孔的中心。由此能夠獲得形成有側(cè)面導體的容器體。然而， 在容器體側(cè)面的任意位置形成側(cè)面導體的情況下，需要增加陶瓷片的層疊數(shù)。在這種情況下，導致容器體的整個高度變高。另外，在陶瓷片的情況下，有時在焙燒之后由于陶瓷片的收縮而產(chǎn)生一些層疊偏差。當晶體振動器成為超小型化時層疊偏差的影響變?yōu)樵絹碓綗o法忽略的水平。即由于層疊偏差，越來越難以形成期望形狀的側(cè)面導體。由此，導致減弱由側(cè)面導體形成帶來的所述的接合強度提高的效果。作為解決所述的層疊偏差的問題的方法，有在容器體中使用玻璃、晶體等材料的方法。然而，在使用這種材料的容器體的側(cè)面形成側(cè)面導體是困難的。申請人調(diào)查了有關結(jié)構(gòu)的先行技術文獻，其結(jié)果是在申請時沒有發(fā)現(xiàn)相同的方法。專利文獻1 日本特開2006-5027號專利文獻2 日本特許3413657號

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于有關問題而作出的，其目的在于提供一種能夠在以玻璃或者晶體為基材的封裝構(gòu)件中可靠地形成側(cè)面導體的封裝構(gòu)件組件、封裝構(gòu)件組件的制造方法、封裝構(gòu)件以及使用了封裝構(gòu)件的壓電振動器件的制造方法。為了達成上述目的，本發(fā)明為一種封裝構(gòu)件組件，一體地形成有多個封裝構(gòu)件，該封裝構(gòu)件組件的特征在于，在由玻璃或者晶體所構(gòu)成的晶片的至少背主面形成多個有底孔，在所述晶片的背主面形成多個外部端子，所述外部端子與粘附在所述背主面的有底孔的內(nèi)壁面的側(cè)面導體連接。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠以一體地形成多個所述封裝構(gòu)件的狀態(tài)來進行處理，該多個所述封裝構(gòu)件形成有所述側(cè)面導體。具體地說，粘附在所述有底孔的內(nèi)壁面的導體成為所述封裝構(gòu)件的側(cè)面導體。此外，以通過所述有底孔的線切斷所述封裝構(gòu)件組件，從而能夠獲得多個形成有所述側(cè)面導體的單片狀態(tài)的所述封裝構(gòu)件。另外，為了達成上述目的，本發(fā)明為一種以玻璃或者晶體為基材且俯視為矩形的封裝構(gòu)件，其特征在于，所述封裝構(gòu)件在底面具有多個外部端子，具備在封裝構(gòu)件的外側(cè)面或者外周棱部切口的多個切口部，在所述切口部的內(nèi)壁面粘附或者填充側(cè)面導體，所述側(cè)面導體與所述外部端子連接。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，所述封裝構(gòu)件具備在其外側(cè)面或者外周棱部切口的所述切口部， 在所述切口部的內(nèi)壁面粘附或者填充有所述側(cè)面導體。由此，例如在經(jīng)由焊錫將使用了所述封裝構(gòu)件的壓電振動器件與電子設備內(nèi)部的基板接合時，除了所述封裝構(gòu)件的底面的所述外部端子之外，在所述側(cè)面導體中也粘附焊錫。即，在回流工序中，通過在基板上的熔融的焊錫，不僅將所述外部端子與基板接合起來，而且在所述側(cè)面導體上形成焊錫的圓角 (fillet)(爬起部)。由此，所述壓電振動器件與焊錫的接觸面積增大，并且能夠在兩方向 (是所述外部端子和所述側(cè)面導體的各自的面方向，兩個方向)支持所述壓電振動器件。因而，能夠提高所述壓電振動器件與基板的接合強度。在本發(fā)明中所述切口部的形成位置成為從所述封裝構(gòu)件的外側(cè)面或者外周棱部的側(cè)面到所述封裝構(gòu)件的底面。所述封裝構(gòu)件的底面的形成位置也可以是達到俯視為矩形的所述封裝構(gòu)件的底面的角部或者邊部、或者包含角部的邊部(長短邊的雙方)的位置。另外，為了達成上述目的，本發(fā)明也可以在所述結(jié)構(gòu)中配置成在所述封裝構(gòu)件的底面形成對置邊，沿著所述對置邊形成至少大于等于2個的矩形狀的所述外部端子，至少大于等于2個的所述外部端子以所述底面的中心為基準而點對稱地配置，并且也可以在一側(cè)視圖(在與所述對置邊正交的方向)中配置成相互的外部端子的一部分重疊。根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，至少大于等于2個的所述外部端子配置成以所述底面的中心為基準而成為點對稱。并且，至少大于等于2個的所述外部端子配置成在一側(cè)視圖中相互的外部端子的一部分重疊。通過以這樣的位置關系配置所述外部端子，能夠提高所述壓電振動器件與電子設備等內(nèi)部的基板的接合可靠性。這是因為能夠抑制由于所述封裝構(gòu)件和基板的熱膨脹系數(shù)不同而在接合這些的焊錫中產(chǎn)生應力、發(fā)生斷裂。具體地說，以下一邊比較以往的由陶瓷材料所構(gòu)成的封裝構(gòu)件、和本發(fā)明中的所述封裝構(gòu)件一邊進行說明。所述封裝構(gòu)件由例如氧化鋁等陶瓷材料構(gòu)成，在所述基板是由一般使用的玻璃環(huán)氧基板所構(gòu)成的組合的情況下，基板的熱膨脹系數(shù)比所述封裝構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)大。而且， 當在面向車載用等的耐熱用途中使用由這些材料的組合構(gòu)成的所述封裝構(gòu)件(所述壓電振動器件的封裝構(gòu)件)和基板時，因為被曬在高溫環(huán)境下，所以所述的熱膨脹系數(shù)差擴大而變得容易在焊錫中產(chǎn)生龜裂(斷裂)，有時所述壓電振動器件從所述斷裂的部分剝離。與此相對，本發(fā)明中的所述封裝構(gòu)件由玻璃或者晶體構(gòu)成，熱膨脹系數(shù)變得比氧化鋁大。由此能夠減小熱膨脹系數(shù)差。另外，本發(fā)明的所述封裝構(gòu)件的外部端子配置在所述封裝構(gòu)件的底面以使得在所述封裝構(gòu)件的一側(cè)視圖中相互的所述外部端子的一部分重疊。即在至少大于等于2個的所述外部端子中形成有相對置的區(qū)域和不對置的區(qū)域。通過所述相對置的區(qū)域，能夠提高所述壓電振動器件(所述封裝構(gòu)件)與基板的接合強度、且抑制所述壓電振動器件(所述封裝構(gòu)件)在基板上三維地扭曲。另一方面，通過所述不對置的區(qū)域，能夠避開所述封裝構(gòu)件和基板的熱膨脹系數(shù)差引起的應力。即能夠抑制向存在于所述封裝構(gòu)件與基板之間的間隙的焊錫的應力集中。因而，能夠提高所述壓電振動器件(所述封裝構(gòu)件)與電子設備等的內(nèi)部基板的接合可靠性。并且，在回流工序中，在基板上熔融的焊錫不僅附著在所述外部端子，還附著在所述側(cè)面導體，因此接合強度也得到提高。另外，為了達成上述目的，本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件的制造方法是上述的封裝構(gòu)件組件的制造方法，該制造方法的特征在于，具有有底孔形成工序，在由玻璃或者晶體構(gòu)成的晶片的至少背主面形成多個有底孔；蒸鍍層形成工序，至少在前述背主面的有底孔周邊、 前述背主面的有底孔的內(nèi)壁面以及內(nèi)底面形成蒸鍍層；以及電鍍層形成工序，在前述背主面的所述有底孔的內(nèi)壁面的蒸鍍層、和與該蒸鍍層連接且在前述背主面的有底孔周邊的蒸鍍層上形成電鍍層。根據(jù)上述制造方法，能夠以高精度來成形封裝構(gòu)件組件，該封裝構(gòu)件組件一體地形成有具有所述側(cè)面導體的多個封裝構(gòu)件，該多個封裝構(gòu)件由玻璃或者晶體構(gòu)成。具體地說，在所述有底孔形成工序中，能夠例如通過干蝕刻、濕蝕刻來形成所述有底孔。另外，能夠例如通過使用光刻技術而以高精度構(gòu)圖所述外部端子以及所述側(cè)面導體的形成區(qū)域。另外，根據(jù)上述制造方法，在由玻璃或者晶體所構(gòu)成的封裝構(gòu)件中，能夠形成任意高度的所述側(cè)面導體。這是因為如果是本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件的制造方法，則不需要如以往的陶瓷封裝那樣地通過陶瓷片的層疊焙燒來形成封裝構(gòu)件。具體地說，通過干蝕刻或者濕蝕刻而以任意深度形成所述有底孔，在向所述有底孔的內(nèi)壁面粘附了導體之后，通過切斷鄰接的所述封裝構(gòu)件間，能夠形成任意高度的所述側(cè)面導體。另外，為了達成上述目的，本發(fā)明的壓電振動器件的制造方法，該壓電振動器件具有封裝構(gòu)件、壓電振動板以及蓋體，該制造方法的特征在于，具有搭載工序，在所述的本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件的表主面?zhèn)却钶d形成有激勵電極的多個壓電振動板；密封工序，通過將多個蓋體與前述封裝構(gòu)件組件、或者前述多個壓電振動板接合來氣密密封前述激勵電極； 以及分割工序，通過沿著假想線來切斷所述封裝構(gòu)件組件而獲得多個所述壓電振動器件， 該假想線通過前述封裝構(gòu)件組件的背主面的有底孔。根據(jù)上述制造方法，在所述搭載工序之后具有密封工序，該密封工序通過將多個所述蓋體與所述封裝構(gòu)件組件接合來氣密密封所述激勵電極。這與如下情況相當例如，以平板狀的所述蓋體來氣密密封在上方具備凹部的箱狀的容器體(所述封裝構(gòu)件)的所述凹部的結(jié)構(gòu)。在所述結(jié)構(gòu)中，能夠獲得具有所述的側(cè)面導體、并且整個高度更低的壓電振動器件?；蛘咭部梢允侨缦碌姆庋b工序在所述搭載工序之后，通過將多個所述蓋體與多個所述壓電振動板接合來氣密密封所述激勵電極。這與如下結(jié)構(gòu)相當例如，在所述壓電振動板以所述振動部以及包圍所述振動部的框部成為一體的結(jié)構(gòu)中，通過將大致平板狀的所述封裝構(gòu)件與所述框部的表背主面接合來氣密密封所述激勵電極。在所述結(jié)構(gòu)中，變得不需要在所述封裝構(gòu)件上形成用于收容所述壓電振動板的所述有底孔，因此所述封裝構(gòu)件組件的制造效率優(yōu)良。并且如果是上述結(jié)構(gòu)，則因為一體地形成有多個所述壓電振動器件的狀態(tài)，因此處理變得容易。另外，能夠通過切割來成批地獲得多個所述壓電振動器件，因此生產(chǎn)效率優(yōu)
良ο如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種能夠在以玻璃或者晶體為基材的封裝構(gòu)件中可靠地形成側(cè)面導體的封裝構(gòu)件組件、封裝構(gòu)件組件的制造方法、封裝構(gòu)件以及使用了封裝構(gòu)件的壓電振動器件的制造方法。


圖1是本發(fā)明的第1實施方式的封裝構(gòu)件組件的截面示意圖。圖2是本發(fā)明的第1實施方式的封裝構(gòu)件的截面示意圖。圖3是本發(fā)明的第1實施方式的封裝構(gòu)件的立體圖。圖4是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖5是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖6是本發(fā)明的有底孔的變形例的截面示意圖。圖7是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖8是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖9是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖10是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖11是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖12是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖13是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖14是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖15是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖16是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖17是表示本發(fā)明的第1實施方式的晶體振動器的制造程序的截面示意圖。圖18是本發(fā)明的第1實施方式的側(cè)面導體的部分放大截面圖。圖19是本發(fā)明的第2實施方式的晶體振動器的截面示意圖。圖20是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的立體圖。圖21是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖22是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖23是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖M是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖25是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖沈是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖27是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。
圖觀是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖四是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖30是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖31是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖32是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖33是表示本發(fā)明的外部端子的配置的一個例子的封裝構(gòu)件的底面立體圖。圖34是表示本發(fā)明的晶體振動器的變形例的截面示意圖。圖35是表示本發(fā)明的晶體振動器的變形例的截面示意圖。圖36是表示本發(fā)明的晶體振動器的變形例的截面示意圖。
具體實施例方式-第1實施方式-下面，參照

本發(fā)明的第1實施方式。此外，在后述的本發(fā)明的全部的實施方式中，將作為壓電振動片使用了晶體振動板的晶體振動器例舉為例子進行說明。圖1是表示第1實施方式的封裝構(gòu)件組件的截面示意圖。封裝構(gòu)件組件10是一體地形成有多個封裝構(gòu)件1的組件。此外，設圖1中的以“1區(qū)段”表示的區(qū)域為單體的封裝構(gòu)件1(參照圖2)。接著，使用圖2、3說明單體狀態(tài)的封裝構(gòu)件1。圖2是表示第1實施方式的封裝構(gòu)件1的截面示意圖，圖3是表示第1實施方式的封裝構(gòu)件1的立體圖。如圖2所示，封裝構(gòu)件1是由硼硅酸玻璃等玻璃構(gòu)成，成為上部具有開口部(有底孔15)的截面視圖的凹形狀。在有底孔15的內(nèi)底面110的周圍，形成有周邊狀地包圍有底孔15的內(nèi)底面110的提部17。有底孔15的內(nèi)底面110為平滑平坦面，排列形成有一對搭載電極13、13。在封裝構(gòu)件1中，從內(nèi)底面110到封裝構(gòu)件的底面12形成有貫通孔。而且，在所述貫通孔的內(nèi)部填充導體而形成通路20。封裝構(gòu)件1的底面12為平滑平坦面，形成有外部端子14。此外，如圖2所示，搭載電極13與外部端子14經(jīng)由通路20而導通連接。外部端子14在封裝構(gòu)件1的外側(cè)面具有側(cè)面導體18(參照圖2、3)。側(cè)面導體18成為如下狀態(tài)(參照圖3)在本實施方式中將封裝構(gòu)件1的外側(cè)面向內(nèi)側(cè)挖進一些(切口部6)，在其表面粘附了導體。封裝構(gòu)件1具備切口部6，該切口部6從封裝構(gòu)件1的外側(cè)面(具體地說4處的外周棱部)的中途切口到封裝構(gòu)件1的底面，在切口部6的內(nèi)壁面填充有側(cè)面導體18。由此，在經(jīng)由焊錫接合使用了所述封裝構(gòu)件1的壓電振動器件與電子設備內(nèi)部的基板時，除了封裝構(gòu)件1的底面的外部端子14以外，在側(cè)面導體18上也附著焊錫。即在回流工序中， 通過基板上的熔融的焊錫，不僅接合外部端子14與基板，而且在側(cè)面導體18形成焊錫的圓角(爬起部)。由此，壓電振動器件與焊錫的接觸面積增大，并且能夠在兩方向(是外部端子14與側(cè)面導體18的各自的面方向、兩個方向)支撐壓電振動器件。因而，能夠提高壓電振動器件與基板的接合強度。接著參照

該第1實施方式的封裝構(gòu)件組件10的制造方法、以及使用了該封裝構(gòu)件組件10的晶體振動器的制造方法。首先，說明封裝構(gòu)件組件10的制造方法。首先，如圖4所示那樣地準備晶片。晶片由玻璃構(gòu)成，晶片的表主面11以及背主面12為平滑平坦面。此外，在第1實施方式中使用了玻璃晶片，但也可以使用晶體晶片、硅晶片。(有底孔形成工序)通過真空蒸鍍法在晶片的表背主面(表主面11和背主面1 形成蒸鍍膜(省略圖示)。這里蒸鍍膜成為如下膜結(jié)構(gòu)將鉻設為基底層，在其上層疊有金層。接著，在晶片的表背主面11、12形成抗蝕劑(在本實施方式中使用正型抗蝕劑)(省略圖示)。而且，在經(jīng)由描繪為規(guī)定圖案的掩模進行曝光之后，進行顯像(省略圖示)。接著將抗蝕劑設為保護膜，通過金屬蝕刻來溶解通過曝光以及顯像而暴露出的蒸鍍膜的部分。由此，暴露玻璃基體 (晶片的表主面11和背主面1 (省略圖示)。此外，通過所述的曝光/顯像/金屬蝕刻而開口的晶片的表背主面11、12的區(qū)域成為圖5所示的形成有有底孔15以及有底孔16的區(qū)域。金屬蝕刻之后剝離抗蝕劑，進行干蝕刻(省略圖示)。在該第1實施方式中干蝕刻使用反應離子蝕刻(所謂RIE =Reactive Ion Etching)。此外，有底孔15、16的形成除了干蝕刻以外也可以通過濕式蝕刻(濕蝕刻)來進行。由此，分別在不對置的位置在晶片的表主面11中形成多個有底孔15，在晶片的背主面12中形成多個有底孔16。如以上那樣地在晶片的表背主面11、12形成了多個有底孔15、16之后，去除了蒸鍍膜的狀態(tài)成為圖5所示的狀態(tài)。此外，所述的有底孔16由以圖5所示的內(nèi)壁面和內(nèi)底面構(gòu)成。作為該第1實施方式的有底孔16的變形例，也可以是如圖6所示那樣的形狀的有底孔16’。在圖6中，有底孔16’成為開口部放大為錐狀的截面形狀。圖6所示的有底孔 16’的開口直徑變得比圖5中的有底孔16大。由此，例如能夠使電解電鍍時的新的電鍍液向有底孔16’內(nèi)部的循環(huán)狀態(tài)良好。即在后述的電鍍層形成工序中，能夠以更穩(wěn)定的狀態(tài)向有底孔16’內(nèi)部形成電鍍層。此外，不僅是如圖6所示的有底孔16’那樣的形狀，也可以是如下形狀例如在截面視圖中從有底孔的內(nèi)底面向背主面12，以大致矩形狀成形固定深度，從此處到背主面12開口直徑放大為錐形狀。(通路形成工序)接著，如圖7所示，針對1區(qū)段的封裝構(gòu)件1的形成區(qū)域形成2處貫通內(nèi)底面110 和背主面12的貫通孔19。在該第1實施方式中，通過干蝕刻來形成貫通孔19。此外，在貫通孔19的形成時除了干蝕刻以外也可以使用濕式蝕刻。接著，在貫通孔19的內(nèi)壁面作為電解電鍍時的種子層(省略圖示)，以鉻為基底并通過濺射在其上形成形成有金層的金屬膜。此外，在該第1實施方式中通過濺射來進行了種子層的形成，但是也可以使用真空蒸鍍法。而且，在這些膜之上通過電解電鍍法來層疊形成鍍錫層和鍍金層(省略圖示)。這里鍍錫層和鍍金層不僅可以以單獨的層來形成，也可以形成為金錫合金的電鍍層。此外，如本實施方式那樣在鍍錫層之上層疊鍍金層的情況下，在鍍錫層之上作為種子層形成有極薄的鍍金層(金打底(Strike)鍍層)。在加熱為規(guī)定溫度的氣氛中，通過加熱熔融使所述的蒸鍍膜以及電鍍層一體化。 由此，導體背填充到貫通孔19的內(nèi)部(參照圖8)。由此形成通路20。(蒸鍍層形成工序)接著，在整個背主面12(包含有底孔16的內(nèi)壁面以及內(nèi)底面)成批形成蒸鍍層 140。另外，關于整個表主面11(包含有底孔15的內(nèi)底面110)也形成蒸鍍層130(參照圖9)。蒸鍍層130、140是通過真空蒸鍍法來形成，成為以鉻為基底層并在其上層疊有金層的膜結(jié)構(gòu)。蒸鍍層130、140形成在通路20的上端部以及下端部上，經(jīng)由通路20來導通連接蒸鍍層130和蒸鍍層140。(部分去除工序)接著，如圖10所示，去除背主面12的有底孔16的內(nèi)底面的蒸鍍層140。在該第 1實施方式中，為了去除有底孔16的內(nèi)底面的蒸鍍層140而使用了光刻技術。在該部分去除工序中，將內(nèi)底面的蒸鍍層140全部去除，但是也可以只去除內(nèi)底面的蒸鍍層140的一部分。即在后述的分割工序中，也可以只去除位于假想線上(或者大于等于切割刀片寬度) 的內(nèi)底面的蒸鍍層140，該假想線成為通過切割來切斷封裝構(gòu)件組件10時的基準。接著，如圖11所示那樣地在表主面11側(cè)的有底孔15上、和背主面12側(cè)的蒸鍍層 140的一部分形成抗蝕劑。(電鍍層形成工序)然后，通過電解電鍍法在蒸鍍層140(最終成為外部端子的區(qū)域的蒸鍍層)上形成電鍍層141(參照圖12)。在該第1實施方式中電鍍層141為金。接著，去除蒸鍍層130以及蒸鍍層140上的抗蝕劑。然后，關于形成在有底孔15 的內(nèi)底面110的蒸鍍層130，使用光刻技術進行構(gòu)圖以使得只殘留通路20的上端部以及該上端部附近的區(qū)域的蒸鍍層130。由此形成搭載電極13。另外，關于背主面12側(cè)的抗蝕劑下的蒸鍍層140，是通過金屬蝕刻來去除的。如以上那樣，完成了多個封裝構(gòu)件1矩陣狀地排列而一體地形成的封裝構(gòu)件組件 10(參照圖13)。此外，在該第1實施方式中，在電鍍層形成工序之后進行了抗蝕劑去除以及金屬蝕刻，但是也可以在電鍍層形成之前通過曝光以及顯像來構(gòu)圖蒸鍍層，之后去除抗蝕劑，并在再形成抗蝕劑使得形成電鍍層的區(qū)域暴露之后進行電解電鍍。接著，說明使用了封裝構(gòu)件組件10的晶體振動器5(參照圖17)的制造方法。(搭載工序)在封裝構(gòu)件組件10的表主面?zhèn)却钶d多個晶體振動板2。具體地說，在封裝構(gòu)件組件10的各封裝構(gòu)件1的區(qū)域(有底孔15的內(nèi)部)通過圖像識別單元分別將晶體振動板2 定位載置到一對一的位置(參照圖14)。晶體振動板2是以規(guī)定的角度切出的AT切割晶體片，形成有激勵電極以及引出電極等。在圖14中省略了激勵電極以及引出電極等的記載。(臨時固定工序)在所述定位載置之后，一邊以使超聲波喇叭(horn)接觸晶體振動板2的狀態(tài)進行加壓一邊施加超聲波。由此，將晶體振動板2 (引出電極的端部的接合用電極)臨時固定接合在搭載電極13上。此外，在所述臨時固定接合中，經(jīng)由金屬釬焊材料(省略圖示)來接合晶體振動板2和搭載電極13。在該第1實施方式中，使用了金錫合金。(正式接合工序)在臨時固定工序之后，在加熱到規(guī)定溫度的氣氛中通過加熱熔融使所述金屬釬焊材料和金屬膜(搭載電極13以及晶體振動板2的所述接合用電極)一體化。(密封工序)如圖15所示，經(jīng)由所述金屬釬焊材料(在圖15乃至17中省略記載)將多個蓋體 3與封裝構(gòu)件組件10的提部的上表面170(參照圖14)接合。在本實施方式中所述金屬釬焊材料使用了金錫合金。此外，蓋體3由玻璃或者晶體構(gòu)成，在俯視圖中成為矩形。通過將蓋體3與封裝構(gòu)件組件10的提部的上表面170接合，氣密密封形成在晶體振動板2的激勵電極。在該第1實施方式中，在真空氣氛下進行封裝構(gòu)件組件10與晶體振動板2的臨時固定接合、以及封裝構(gòu)件組件10與蓋體3的接合，但是也可以在氮氣等惰性氣體氣氛中進行所述接合。(分割工序)在所述正式接合工序之后，如圖16所示那樣地通過封裝構(gòu)件組件10的背主面?zhèn)?(晶片的背主面12側(cè))的有底孔16，沿著從晶片的表主面11到背主面12形成的假想線 (邊界線)，通過切割來切斷封裝構(gòu)件組件10。具體地說，在封裝構(gòu)件組件10內(nèi)鄰接的封裝構(gòu)件1之間通過切割而分別切斷，能夠成批地同時獲得具有側(cè)面導體18的多個晶體振動器 5(參照圖17)。根據(jù)上述制造方法，能夠以高精度成形封裝構(gòu)件組件10，該封裝構(gòu)件組件10 —體地形成有具有側(cè)面導體18的多個封裝構(gòu)件1，該多個封裝構(gòu)件1由玻璃構(gòu)成。具體地說，在所述有底孔形成工序中，能夠例如通過干蝕刻、濕蝕刻來形成有底孔15、16。另外，能夠例如通過光刻技術而以高精度構(gòu)圖外部端子14以及側(cè)面導體18的形成區(qū)域。并且，根據(jù)上述制造方法，在由玻璃或者晶體構(gòu)成的封裝構(gòu)件1中，能夠形成任意高度的側(cè)面導體18。這是因為如果是該第1實施方式的封裝構(gòu)件組件10的制造方法，則變得無需如以往的陶瓷封裝那樣地通過陶瓷片的層疊焙燒來形成封裝構(gòu)件1。具體地說，通過干蝕刻或者濕蝕刻而以任意深度形成有底孔16，在向有底孔16的內(nèi)壁面粘附了導體之后， 通過切斷鄰接的封裝構(gòu)件1間，能夠形成任意高度的側(cè)面導體18。另外，根據(jù)上述制造方法，在所述搭載工序之后具有密封工序，該密封工序通過將多個蓋體3、3、…、3與封裝構(gòu)件組件10接合來氣密密封形成于晶體振動板2的激勵電極。 這例如所述的實施方式那樣地，在將晶體振動板2收容到凹部(有底孔1 之后以平板狀的蓋體3來氣密密封所述凹部的結(jié)構(gòu)中，具有側(cè)面導體，能夠獲得整個高度更低的壓電振動器件。并且，如果是上述制造方法，則為一體地形成有多個晶體振動器5的狀態(tài)，因此處理變得容易。另外，能夠通過切割來成批地獲得多個晶體振動器5，因此生產(chǎn)效率優(yōu)良。另外，根據(jù)該第1實施方式的晶體振動器5的結(jié)構(gòu)，封裝構(gòu)件1具備從封裝構(gòu)件1 的外側(cè)面(的中途)切口到封裝構(gòu)件1的底面的多個切口部6，在切口部6的內(nèi)壁面填充有側(cè)面導體18。由此，如圖17所示地，在經(jīng)由焊錫將使用了封裝構(gòu)件1的晶體振動器5與電子設備內(nèi)部的基板進行接合時，除了封裝構(gòu)件1的底面的外部端子14之外，在側(cè)面導體18 上也附著焊錫。即在回流工序中，通過基板上的熔融焊錫，不僅接合外部端子14與基板，而且在側(cè)面導體18上形成焊錫的焊腳(爬起部)。由此，晶體振動器5與焊錫的接觸面積增大，并且能夠在兩方向(是外部端子14和側(cè)面導體18的各自的面方向、兩個方向)支撐晶體振動器5。因而，能夠提高晶體振動器5與基板的接合強度。此外，在該第1實施方式中，如圖2、3、17所示那樣地，在鉛直方向上在與封裝構(gòu)件 1的外側(cè)面(提部17的外側(cè)面)大致相同的線上形成側(cè)面導體18。但是不限定于本結(jié)構(gòu)， 也可以是如下結(jié)構(gòu)例如圖18所示那樣，封裝構(gòu)件1的外側(cè)面(提部17的外側(cè)面)比側(cè)面導體18更向外側(cè)伸出。另外，也可以如圖18所示，側(cè)面導體18不僅形成在有底孔16的內(nèi)壁面而且還形成在內(nèi)底面上。如果是這樣的結(jié)構(gòu)的側(cè)面導體18，則在回流工序中在將晶體振動器5與基板接合的情況下，附著在側(cè)面導體18的焊錫8的量與如圖2那樣的結(jié)構(gòu)相比增大，并且在更多的面(具體地說內(nèi)底面)上附著焊錫8。由此，能夠進一步提高晶體振動器5與基板7的接合強度。此外，在圖18中為了說明的便利，以分割工序前的狀態(tài)的有底孔16的內(nèi)底面以及內(nèi)壁面來表示形成側(cè)面導體18的面。-第2實施方式_下面，說明本發(fā)明的第2實施方式。此外，省略關于與第1實施方式相同的結(jié)構(gòu)的說明，并且具有與第1實施方式相同的效果。圖19是表示該第2實施方式的晶體振動器5’ 的截面示意圖。圖19所示的晶體振動器5’的主要結(jié)構(gòu)構(gòu)件包括具有框部觀的晶體振動板2’、 與晶體振動板2’的表里接合的封裝構(gòu)件1’以及蓋體3’(封裝構(gòu)件)。封裝構(gòu)件1’以及蓋體3’經(jīng)由由金屬釬焊材料以及金屬膜所構(gòu)成的接合材料4與晶體振動板2’的框部觀的表背主面201，202接合。此外，在圖19中封裝構(gòu)件1’以及蓋體3’將Z板晶體用作為基材。晶體振動板2’是AT切割晶體片，一體地成形有形成有激勵電極23的薄壁區(qū)域的振動部20、形成在振動部20的一主面21的外周區(qū)域的突起部沈、薄壁部27以及框部28。 這里，框部28環(huán)狀地包圍振動部20，形成得比振動部20更厚壁。另外，薄壁部27形成在振動部20與框部28之間，形成得比振動部20更薄壁。激勵電極23通過真空蒸鍍法形成，從振動部20的主面?zhèn)绕痦樞虻匾糟t、金的膜結(jié)構(gòu)來形成。此外，激勵電極23的膜結(jié)構(gòu)不限于此，也可以是其它膜結(jié)構(gòu)。從振動部20的表背主面(一主面21、另一主面22)的激勵電極23分別導出引出電極對。從另一主面22側(cè)的激勵電極23引出的引出電極M在厚度方向貫穿振動部20向一主面21側(cè)導出。而且， 向一主面21側(cè)導出的引出電極M導出為覆蓋突起部26 (在圖19中位于左側(cè)的突起部26) 的表面。另一方面，從一主面21側(cè)的激勵電極23引出的引出電極M導出為覆蓋突起部 26(在圖19中位于右側(cè)的突起部26)的表面。通過金屬釬焊材料以及金屬膜的熔融處理在突起部沈上引出的引出電極M的端部與形成在封裝構(gòu)件1’的一主面11的電極圖案21接合。在圖19中，外部端子14的俯視圖為矩形，分別形成在封裝構(gòu)件1’的另一主面12(底面)的各短邊緣部及其附近。外部端子14與通路20連接地形成，成為經(jīng)由電極圖案21等最終與激勵電極23電連接的狀態(tài)。在圖19中，外部端子14的外周端部與側(cè)面導體18連接。外部端子14的膜結(jié)構(gòu)成為如下狀態(tài)在晶體基體上以鉻、金的順序?qū)盈B蒸鍍層，并且在其上層層疊有鍍金層。側(cè)面導體18以除了一部分工序以外與所述的該第1實施方式中的晶體振動器5的制造方法相同的方法來形成。具體地說封裝構(gòu)件組件10的結(jié)構(gòu)與所述的該第1實施方式不同。即不需要在封裝構(gòu)件1’(在第1實施方式中為封裝構(gòu)件1)上形成用于收容晶體振動板2’ (在第1實施方式中為晶體振動板2)的有底孔15的工序(與第1實施方式相比，在第2實施方式中只形成有底孔16、貫通孔19)。由此，封裝構(gòu)件組件10的制造效率得到提高。根據(jù)該第2實施方式的晶體振動器5的結(jié)構(gòu)，在以大致平板狀的封裝構(gòu)件1’經(jīng)由接合材料4來接合振動部20和框部觀成為一體的晶體振動板2’的結(jié)構(gòu)的情況下，不需要在封裝構(gòu)件1’的一主面?zhèn)刃纬捎糜谑杖菥w振動板2’的凹部(在第1實施方式中為有底孔15)，因此封裝構(gòu)件組件10的制造效率優(yōu)良。在圖19中，側(cè)面導體18以不到封裝構(gòu)件1’的一主面11的高度形成。這是因為使用了本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件10的制造方法。即如果是本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件的制造方法，則在由玻璃或者晶體所構(gòu)成的封裝構(gòu)件1’中，能夠形成任意高度的側(cè)面導體18。即因根據(jù)本發(fā)明的封裝構(gòu)件組件1 ’的制造方法，通過干蝕刻或者濕蝕刻以任意深度來形成有底孔16，并在向有底孔16的內(nèi)壁面粘附導體之后，通過切斷鄰接的封裝構(gòu)件1’之間，能夠形成任意高度的側(cè)面導體18。另外，在用于實施本發(fā)明的方式中，外部端子14的形成數(shù)在第1實施方式中為4 個，在第2實施方式中成為2個。例如在2端子的情況下，如圖20所示，也可以形成達到封裝構(gòu)件1的整個一短邊的長度的側(cè)面導體18。在這樣地側(cè)面導體18擴展為帶狀結(jié)構(gòu)的情況下，焊錫的接觸面積增大，因此接合強度得到提高。另外，在上述的第1實施方式、第2實施方式中，不限于2端子，如圖21所示，也可以是4端子。在圖21所示的方式中，形成達到封裝構(gòu)件1的整個一短邊的長度的缺口(切口部6)，在切口部6中的外部端子14的對置部分形成有側(cè)面導體18。另外，在圖20、21中， 形成了達到封裝構(gòu)件1的整個一短邊的長度的缺口(切口部6)，但是也可以如圖22所示， 形成達到封裝構(gòu)件1的整個一長邊的長度的缺口(切口部6)，并在切口部6中的外部端子 14的對置部分形成側(cè)面導體18。在圖22所示的切口部6中，在其表面形成膜狀的側(cè)面導體18，不會通過側(cè)面導體18來填補切口部6。另外，在封裝11的短邊形成小區(qū)域的切口部 6，在該小區(qū)域的切口部6也形成有膜狀的側(cè)面導體18。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，在切口部6形成側(cè)面導體18的情況下，也不會通過側(cè)面導體18來填補切口部6，而顯現(xiàn)出切口部6的外形形狀，能夠提高基于固定器效果的焊錫的接合性。此外，在圖22中形成了達到封裝構(gòu)件1的整個一長邊的長度的缺口(切口部6)，但是如圖23所示，也可以在形成有沿著封裝構(gòu)件1 的長邊的外部端子14的區(qū)域形成缺口(切口部6)。另外，也可以以如圖M至28所示那樣的位置關系配置2個外部端子。此外，在圖21至觀所示的晶體振動器1中使用了第1實施方式的封裝構(gòu)件1，但是即使是第2實施方式的封裝1’也能夠具有相同的結(jié)構(gòu)。在圖M、25所示的外部端子14的配置中，2個的外部端子14是正對置的。在圖M 中，將封裝構(gòu)件1的基材從底面12側(cè)以大致長方體狀挖進而形成切口部6 (凹部)，形成有在該凹部填充有導體的外部端子14以及側(cè)面導體18。通過在這樣地從底面(背主面12) 以長方體形狀挖進的切口部6中形成導體(外部端子14以及側(cè)面導體18)，提高外部端子 14以及側(cè)面導體18對封裝構(gòu)件1的基體的接合強度，能夠提高封裝構(gòu)件1的可靠性。另一方面，在圖25中成為只挖進了二短邊棱部的附近部分的狀態(tài)。在這種情況下，不用加厚封裝構(gòu)件1的底面(背主面1 的厚度也能夠形成外部端子14以及側(cè)面導體18，因此能夠?qū)Ψ庋b構(gòu)件1的輕薄化(薄型化)做出貢獻。在圖沈乃至觀中，沿著封裝構(gòu)件1的底面12的對置邊形成2個矩形狀的外部端子14，以底面12的中心為基準來點對稱地配置。并且在一側(cè)視圖(參照與對置邊正交的方向、圖沈至觀的圖中的箭頭方向)中配置成相互的外部端子14的一部分重疊。另外，上述的第1實施方式、第2實施方式的切口部6在背主面12的1邊或者2 邊成形，但是不限于此，如圖四所示，關于外部端子14的配置，2個的外部端子14是正對置的。另外，在圖四所示的方式中，挖進在背主面12的各個短邊、和與各短邊的兩端連續(xù)的相對置的長片的3邊，沿著背主面12的外周形成了 [字狀的切口部6。在圖四所示的切口部6中形成側(cè)面導體18，側(cè)面導體18與外部端子14 一體地形成。根據(jù)這種圖四所示的方式，切口部6形成在各短邊、和與各短邊的兩端連續(xù)的相對置的長片的3邊，因此提高了外部端子14以及側(cè)面導體18對封裝構(gòu)件1的基體的接合強度，能夠提高封裝構(gòu)件1的可靠性。另外，在上述的第1實施方式、第2實施方式中采用了 2端子，但是也可以如圖30 所示那樣采用4端子。另外，在上述的第1實施方式、第2實施方式中，向內(nèi)側(cè)挖進封裝構(gòu)件1、1’的外側(cè)面而形成了切口部6，但是切口部6的形狀不限于這些，只要能夠形成外部端子14的側(cè)面導體18，則也可以如圖31、32所示那樣地形成在封裝構(gòu)件1、1’的任意位置。在圖31、32所示的方式中，沿著形成在封裝構(gòu)件1的背主面12的外部端子14的外周挖進而形成有切口部6。在這些結(jié)構(gòu)中，形成在封裝構(gòu)件1、1’的外側(cè)面的切口部6的切口前端為平坦面，只形成在封裝構(gòu)件1的背主面12的切口部6的切口前端為V槽。另外， 不限于圖31、32所示的方式，也可以如圖33所示那樣地在形成于封裝構(gòu)件1的背主面12 的外部端子14(的中央位置)沿著短邊方向進一步形成切口部6。另外，外部端子14的表面既可以是平坦的，也可以是具有凹凸的結(jié)構(gòu)。這樣，在背主面12形成凹凸的情況下，能夠通過固定器效果來提高焊錫的接合強度。在如上述那樣的位置關系中，通過在底面12上配置一對外部端子14，能夠提高壓電振動器件(晶體振動器幻與電子設備等內(nèi)部的基板的接合可靠性。這是因為能夠抑制由于封裝構(gòu)件1和所述基板的熱膨脹系數(shù)的不同，在接合這些的焊錫上產(chǎn)生應力、產(chǎn)生斷裂。并且在回流工序中，通過基板上的熔融的焊錫，不僅接合外部端子14與基板，還在側(cè)面導體18上形成焊錫的焊腳(爬起部)。由此，晶體振動器5與焊錫的接觸面積增大，并且能夠在兩方向(是外部端子14和側(cè)面導體18的各自的面方向、兩個方向)支撐晶體振動器 5。因而，能夠提高晶體振動器5與基板的接合強度。因而，能夠提高晶體振動器5與基板的接合強度。在上述的第1實施方式、第2實施方式中，在晶體振動板2的與封裝構(gòu)件1、1’的接合區(qū)域中使用了金，在封裝構(gòu)件1、1’中的與晶體振動板2的接合區(qū)域中使用了金以及錫 (或者金錫合金)。然而，本發(fā)明的應用不限于所述組合，也可以是其它組合。即也可以是形成共晶合金的其它金屬的組合，例如可以是金和鍺、金和硅、銀和鍺、銀和硅等的組合。另外，在第1實施方式中，也可以使用含有金屬填充物的導電樹脂粘接劑來導電接合晶體振動板2與封裝構(gòu)件1。另外，在上述的第1實施方式、第2實施方式中，成為封裝構(gòu)件1、1’、蓋體3的主面 (例如背主面12參照)與側(cè)面正交的結(jié)構(gòu)，但是不限于此，也可以是如下結(jié)構(gòu)如圖34所示，封裝構(gòu)件1、蓋體3的主面和側(cè)面中的至少1面成形為錐形狀，在成形為錐形狀的部位封裝構(gòu)件1、蓋體3的主面(背主面12參照)與側(cè)面不正交。另外，不限于圖34所示的方式，也可以是如下結(jié)構(gòu)如圖35所示，形成在封裝構(gòu)件 1的切口部6具有級差。在圖35所示的方式中，切口部6形成為錐形狀，在形成為該錐形狀的切口部6的側(cè)面中間位置形成有級差。在切口部6形成側(cè)面導體18，在側(cè)面導體18的表面也形成有級差。此外，切口部6的級差也可以不形成為錐形狀，而是直角結(jié)構(gòu)的階段狀的級差，該直角結(jié)構(gòu)的階段狀的級差具有如圖18所示那樣的向垂直方向上升的內(nèi)壁面、和接著它而向平行方向延伸的內(nèi)底面。通過這樣地在切口部6形成級差，產(chǎn)生固定器效果，能夠提高用于向基板7接合時的焊錫8 (金屬釬焊材料)的接合可靠性。另外，如圖36所示，也可以在圖35所示的封裝構(gòu)件1的外部端子14上形成由金屬膜所構(gòu)成的導電性的凸塊9。在這種情況下，不僅通過在切口部6形成級差而產(chǎn)生固定器效果，而且通過形成凸塊9，起到緩沖在焊錫8(金屬釬焊材料)的加熱接合時產(chǎn)生的應力的作用，能夠提高與基板7的接合時所使用的焊錫8的接合可靠性。特別是，如圖36所示，通過接著切口部6的級差而形成凸塊9，進一步提高接合強度，即使假設在焊錫8中產(chǎn)生了斷裂等，也能夠防止斷裂的發(fā)展，能夠確保高的接合可靠性。此外，凸塊9能夠應用于設置有切口部6的上述的全部實施方式中。在本發(fā)明的實施方式中將表面安裝型晶體振動器作為了例子，但是也能夠應用于將晶體振動器組裝到集成電路等電子部件的晶體濾波器等用于電子設備等的其它表面安裝型的壓電振動器件的制造方法中。此外，本發(fā)明能夠在不超出其精神或者主要特征的范圍內(nèi)以其它各種形式來實施。因此，上述的實施方式在所有點上只不過是簡單的例示，不應限定地進行解釋。本發(fā)明的范圍是通過權(quán)利要求范圍來表示，在說明書本文中沒有什么限制。并且，屬于權(quán)利要求范圍的均等范圍的變形、變更全部在本發(fā)明的范圍內(nèi)。另外，本申請請求基于2009年4月3日在日本申請的日本特愿2009-090623號的優(yōu)先權(quán)。通過在此提及而將其全部的內(nèi)容引入本申請中。產(chǎn)業(yè)上的可利用性 能夠應用于壓電振動器件的量產(chǎn)。附圖標記說明1 封裝構(gòu)件；10 封裝構(gòu)件組件；110 :內(nèi)底面；11 表主面(晶片)；12 背主面 (晶片)；13 搭載電極；130、140 蒸鍍層；141 電鍍層；14 外部端子；15、16 有底孔；170 提部上表面；17提部；18 側(cè)面導體；19 貫通孔；20 通路；2 晶體振動板；3 蓋體；4 接合材料；5 晶體振動器；6 切口部；7 基板；8 焊錫；9 凸塊。
權(quán)利要求
1.一種封裝構(gòu)件組件，一體地形成有多個封裝構(gòu)件，該封裝構(gòu)件組件的特征在于，在由玻璃或者晶體構(gòu)成的晶片的至少背主面形成多個有底孔，在所述晶片的背主面形成多個外部端子，所述外部端子與粘附在所述背主面的有底孔的內(nèi)壁面的側(cè)面導體連接。
2.一種封裝構(gòu)件，是以玻璃或者晶體為基材的俯視為矩形的封裝構(gòu)件，其特征在于，所述封裝構(gòu)件在底面具有多個外部端子，在封裝構(gòu)件的外側(cè)面或者外周棱部具備多個切口部，在所述切口部的內(nèi)壁面粘附或者填充側(cè)面導體，所述側(cè)面導體與所述外部端子連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝構(gòu)件，其特征在于，在所述封裝構(gòu)件的底面形成對置邊，沿著所述對置邊形成至少大于等于2個的矩形狀的外部端子，至少大于等于2個的所述外部端子以所述底面的中心為基準而點對稱地配置，并且在一側(cè)視圖中配置成相互的外部端子的一部分重疊。
4.一種封裝構(gòu)件組件的制造方法，該封裝構(gòu)件組件是權(quán)利要求1所述的封裝構(gòu)件組件，該制造方法的特征在于，具有有底孔形成工序，在由玻璃或者晶體構(gòu)成的晶片的至少背主面形成多個有底孔；蒸鍍層形成工序，至少在所述背主面的有底孔周邊、所述背主面的有底孔的內(nèi)壁面以及內(nèi)底面形成蒸鍍層；以及電鍍層形成工序，在所述背主面的有底孔的內(nèi)壁面的蒸鍍層、和與該蒸鍍層連接且在所述背主面的有底孔周邊的蒸鍍層上形成電鍍層。
5.一種壓電振動器件的制造方法，該壓電振動器件具有封裝構(gòu)件、壓電振動板以及蓋體，該制造方法的特征在于，具有搭載工序，在權(quán)利要求1所述的封裝構(gòu)件組件的表主面?zhèn)却钶d形成有激勵電極的多個壓電振動板；密封工序，通過將多個蓋體與所述封裝構(gòu)件組件、或者所述多個壓電振動板接合而氣密密封所述激勵電極；以及分割工序，通過沿著假想線切斷封裝構(gòu)件組件而獲得多個壓電振動器件，該假想線通過所述封裝構(gòu)件組件的背主面的有底孔。
全文摘要
封裝構(gòu)件組件一體地形成有多個封裝構(gòu)件。封裝構(gòu)件組件在由玻璃構(gòu)成的晶片的表主面以及背主面具有多個有底孔，在背主面形成有與粘附在有底孔的內(nèi)壁面的側(cè)面導體連接的外部端子。
文檔編號H03H9/02GK102362430SQ20108001323
公開日2012年2月22日 申請日期2010年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月3日
發(fā)明者佐藤俊介, 吉岡宏樹, 幸田直樹 申請人:株式會社大真空