專利名稱：多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是關(guān)于一種多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，尤指一種 利用阻抗逆變(Impedance inverting)原理，使射頻功率放大器的高、中、低功率放大單元 關(guān)閉時不具負(fù)載效應(yīng)，借以省去切換用功率開關(guān)的使用，進(jìn)而降低制造成本。
技術(shù)背景按待機與通話時間的長短一向是手機等行動裝置所強調(diào)的主要效能之一，為有效 延長手機的通話及待機時間，許多技術(shù)被相繼地提出，而提高射頻功率放大器的效率為其 中一種開發(fā)方向，如第六圖所示，是提高射頻功率放大器工作效率的其中一種已知技術(shù)方 案，主要是利用一直流對直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器71(LM3205)供應(yīng)并改變射頻功率放大器70 的工作電源(VCC)，以提高該射頻功率放大器70的工作效率。盡管前述技術(shù)方案確屬可行，但其缺點在于制造成本相對提高。原因在于必須使 用額外的芯片(DC/DC)及uH級的電感方能實現(xiàn)，故就成本層面考量，即難稱周延。又如圖7所示，其揭露有又一提高射頻功率放大器工作效率的技術(shù)方案，主要是 由多個放大器AMPl AMP4、兩個功率開關(guān)Si，S2分別組成一高功率放大單元81、一中功率 放大單元82及一低功率放大單元83 ；該等高、中、低功率放大單元81 83是以并聯(lián)形式 連接在一射頻輸入端(RFIN)與一射頻輸出端(RFOUT)之間；其中該高功率放大單元81是由兩放大器AMP1、AMP2串接組成，該中功率放大單元82 是由一放大器AMP3、一匹配電路84及一功率開關(guān)Sl串接組成；該低功率放大單元83亦由 一放大器AMP4、一匹配電路85及一功率開關(guān)S2串接組成；由于各功率放大單元的放大器 AMPl AMP4的晶體管顆數(shù)(m = 2，40，8，l)不同，因此射頻信號通過不同的功率放大單元， 將執(zhí)行不同大小的功率放大處理，借此可使射頻功率放大器依需求選擇執(zhí)行不同的功率放 大單元，以提高其工作效率。而前述高、中、低功率放大單元81 83之間的切換是通過控制其放大器AMPl AMP4的偏壓(BIAS)及功率開關(guān)Si，S2的切換來達(dá)成。但前述已知方案仍存在缺點1功率開關(guān)造成功率損耗當(dāng)中、低功率放大單元82，83分別執(zhí)行時，射頻信號在 通過功率開關(guān)Si，S2時將造成額外的功率損失。2.需要特殊的BiFET制程由于放大器AMPl AMP4是由HBT制程實現(xiàn)，功率開 關(guān)Sl，S2則由PHEMT制程實現(xiàn)，換言之，此一技術(shù)方案的實現(xiàn)必須整合HBT制程與PHEMT制 程或使用額外的功率開關(guān)芯片方能達(dá)成，惟將提高制程技術(shù)難度與生產(chǎn)成本。再如圖8所示，揭露另一種技術(shù)方案，其與前一技術(shù)方案相近，主要是由多個放大 器AMPl AMP3、一個功率開關(guān)S分別組成一高功率放大單元91及一低功率放大單元92 ； 其中該高功率放大單元91是由兩放大器AMP1、AMP2串接組成，后端放大器AMP的輸出端 是和一匹配電路90連接，又低功率放大單元92是和高功率放大單元91并聯(lián)，其由一放大 器AMP3、一 λ /4的傳輸線93及一功率開關(guān)S組成；其中功率開關(guān)S是連接于傳輸線93的 輸入節(jié)點與接地端之間，借以控制該傳輸線93是否產(chǎn)生阻抗逆變作用。[0010]前述技術(shù)方案的工作原理是在高功率放大單元91工作，而低功率放大單元92關(guān)閉時，該功率開關(guān)S將導(dǎo)通而使傳輸線93輸入節(jié)點接地，如此一來，傳輸線93將產(chǎn)生阻抗 逆變，而在傳輸線93的輸出節(jié)點上產(chǎn)生高阻抗，由于高功率放大單元91工作時，其輸出端 是利用匹配電路90匹配成低阻抗節(jié)點，當(dāng)傳輸線93輸出節(jié)點呈高阻抗，則不影響高功率放 大單元91的輸出；若高功率放大單元91關(guān)閉，而低功率放大單元92工作時，則功率開關(guān)S 關(guān)閉，傳輸線93即作為傳輸信號之用。根據(jù)前述技術(shù)方案亦可令射頻功率放大器切換執(zhí)行高、低功率放大，以提高工作 效率，但其與前一技術(shù)方案存在相同的缺點，即射頻信號通過功率開關(guān)時產(chǎn)生額外功率損 失，及必須采用BiFET制程或使用額外芯片，使制造成本因而提高。由上述可知，既有提高射頻功率放大器工作效率的技術(shù)手段盡管可行，卻共同存 在制程技術(shù)難度及成本偏高等問題，故有待進(jìn)一步檢討，并謀求可行的解決方案。
發(fā)明內(nèi)容因此，本實用新型主要目的在提供一種多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制 電路，其無須使用功率開關(guān)，即可達(dá)成切換執(zhí)行的目的，進(jìn)而有效控制制造成本。為達(dá)成前述目的采取的主要技術(shù)手段是令前述射頻功率放大器控制電路包括 有一阻抗匹配電路，具有一輸入端及一輸出端，其輸出端是作為一射頻輸出端；一高功率放大單元，是由一個以上的放大器組成，又高功率放大單元的輸出端是 和前述阻抗匹配電路的輸入端連接；一中功率放大單元，是和前述高功率放大單元并聯(lián)，所述中功率放大單元包含一 個放大器；一第一阻抗逆變單元，具有一輸入端及一輸出端，其輸入端是和中功率放大單元 連接，其輸出端是和阻抗匹配電路的輸入端連接；一低功率放大單元，是和前述高、中功率放大單元并聯(lián)，所述低功率放大單元包含 一個放大器；一第二阻抗逆變單元，具有一輸入端及一輸出端，其輸入端是和低功率放大單元 連接，其輸出端是和第一阻抗逆變單元的輸入端連接；前述控制電路使用時，是在阻抗匹配電路的輸出端與接地端間連接一電阻，以便 使阻抗匹配電路的輸入端成為低阻抗節(jié)點；又前述控制電路操作在高功率放大模式時，高功率放大單元開啟，中、低功率放大 單元關(guān)閉，此時第一、第二阻抗逆變單元將產(chǎn)生阻抗逆變作用，使中、低功率放大單元輸出 端無負(fù)載效應(yīng)，進(jìn)而令阻抗匹配電路輸入端的低阻抗節(jié)點不受影響；當(dāng)前述控制電路操作在中功率放大模式時，高功率放大單元關(guān)閉，中、低功率放大 單元同時工作，并通過第一、第二阻抗逆變單元、阻抗匹配電路傳送信號，在此狀況下，高功 率放大單元的輸出端無負(fù)載效應(yīng)；俟前述控制電路操作在低功率放大模式時，高、中功率放大單元關(guān)閉，僅低功率放 大單元工作，其通過第二阻抗逆變單元、阻抗匹配電路傳送信號，而在第一阻抗逆變單元作 用下，高、中功率放大單元的輸出端無負(fù)載效應(yīng)；[0025]由上述可知，本實用新型是在高、中、低功率放大單元之間連接有第一、第二阻抗 逆變單元，利用第一、第二阻抗逆變單元的阻抗逆變作用，使功率放大單元關(guān)閉時其輸出端 不產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)，借此可省去切換用的功率開關(guān)，進(jìn)而避免采用BiFET制程的困擾，并有效 降低制造成本。所述的高功率放大單元主要是由兩放大器AMP 11，AMP 12依序串接組成，后端的 放大器AMP 12輸出端是與阻抗匹配電路的輸入端連接。所述的高功率放大單元在兩放大器AMP 11，AMP 12之間串接有一延遲線，又前端 放大器AMP 11輸出端進(jìn)一步連接一放大器AMP 13，該放大器AMP13輸出端通過一第三阻抗 逆變單元與阻抗匹配電路的輸入端連接。所述的放大器AMP13的晶體管顆數(shù)少于放大器AMP12所述的第一、第二阻抗逆變單元是分別由一 λ /4的傳輸線所構(gòu)成。所述的第三阻抗逆變單元是由一 λ /4的傳輸線所構(gòu)成。所述的中功率放大單元是由一放大器ΑΜΡ2構(gòu)成，其輸入端通過一延遲線與一射 頻輸入端連接。所述的低功率放大單元是由兩并聯(lián)的放大器ΑΜΡ3，ΑΜΡ4組成，該放大器ΑΜΡ4的晶 體管顆數(shù)少于另一放大器ΑΜΡ3。所述的第一、第二阻抗逆變單元是分別由一 λ /4的傳輸線所構(gòu)成。所述的第三阻抗逆變單元是由一 λ /4的傳輸線所構(gòu)成。

圖1是本實用新型第一較佳實施例的電路圖；圖2是本實用新型第二較佳實施例的電路圖；圖3是本實用新型第三較佳實施例的電路圖；圖4是本實用新型第四較佳實施例的電路圖；圖5是本實用新型第一至第四較佳實施例所揭示第一至第三阻抗逆變單元的電 路圖；圖6是一種已知射頻功率放大器控制電路的電路圖；圖7是又一種已知射頻功率放大器控制電路的電路圖；以及圖8是再一種已知射頻功率放大器控制電路的電路圖。
具體實施方式
以下配合圖式和本實用新型的較佳實施例，進(jìn)一步闡述本實用新型為達(dá)成預(yù)定實 用新型目的所采取的技術(shù)手段。關(guān)于本實用新型第一較佳實施例的電路構(gòu)造，是如圖1所示，主要是由一高功率 放大單元10、一中功率放大單元11、一低功率放大單元12、一阻抗匹配電路13、一第一阻抗 逆變單元14及一第二阻抗逆變單元15等組成；其中該阻抗匹配電路13是連接于高功率放大單元10的輸出端與一射頻輸出端 (RFOUT)之間，在使用時，該射頻輸出端上連接有一50歐姆的電阻，通過阻抗匹配電路13的 匹配使其輸入端構(gòu)成一低阻抗(例如2歐姆)節(jié)點。[0046]該高功率放大單元10是由一個以上的放大器組成，在本實施例中，其含有兩個放 大器AMP11、AMP12，其中后端放大器AMP12的輸出端是和阻抗匹配電路13的輸入端連接， 前端放大器AMPll的輸入端則與一射頻輸入端(RFIN)連接；又中功率放大單元11含有一個放大器AMP2，具有一輸入端及一輸出端，其輸出端 是通過第一阻抗逆變單元14與阻抗匹配電路13的輸入端連接，與高功率放大單元10呈現(xiàn) 并聯(lián)狀態(tài)；在本實施例中，該第一阻抗逆變單元14是由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成，其具有一 輸入端及一輸出端，其輸入端是和中功率放大單元11的輸出端連接，第一阻抗逆變單元14 的輸出端則連接至阻抗匹配電路13的輸入端；在本實施例中，該中功率放大單元11進(jìn)一步 包括一延遲線111，該延遲線111的一端連接至放大器ΑΜΡ2的輸入端，另端則與一射頻輸入 端(RFIN)連接，該延遲線111的作用容后詳述；再者，該低功率放大單元12含有一個放大器ΑΜΡ3，其輸入端仍與射頻輸入端 (RFIN)連接，其輸出端則通過第二阻抗逆變單元15與第一阻抗逆變單元14的輸入端連接， 與高功率放大單元10呈現(xiàn)并聯(lián)狀態(tài)；在本實施例中，該第二阻抗逆變單元15是由一 λ /4 的傳輸線所構(gòu)成，其具有一輸入端及一輸出端，其輸入端是和低功率放大單元12的輸出端 連接，其輸出端是連接至第一阻抗逆變單元14的輸入端。由上述說明可了解本實用新型第一較佳實施例的詳細(xì)構(gòu)造，至于其工作原理詳如 以下所述如前揭所述，前述射頻功率放大器使用時，其射頻輸出端(RFOUT)上設(shè)有一電阻， 該電阻一般為50歐姆，而使阻抗匹配電路13的輸入端構(gòu)成一低阻抗(如2歐姆)節(jié)點。而前述控制電路操作在高功率放大模式時，高功率放大單元10的兩放大器 AMPlU AMP12工作，中、低功率放大單元11，12的放大器ΑΜΡ2、ΑΜΡ3則關(guān)閉，又阻抗匹配電 路13的輸入端為低阻抗(ZlA)，故射頻功率放大器是工作在高功率放大模式(HIGH POWER MODE)；又低功率放大單元12的放大器AMP3關(guān)閉，其輸出端呈高阻抗(Z3A)，經(jīng)過第二阻抗 逆變單元15產(chǎn)生阻抗逆變，遂在第二阻抗逆變單元15的輸出端產(chǎn)生低阻抗(Z2B)，再者，中 功率放大單元11的放大器AMP2亦關(guān)閉，其輸出端呈高阻抗，因此第一阻抗逆變單元14的 輸入端信號是由第二阻抗逆變單元15的低阻抗輸出端(Z2B)決定，不受放大器AMP2輸出 端的高阻抗影響，從而第一阻抗逆變單元14因輸入端為低阻抗，故使輸出端逆變?yōu)楦咦杩?(ZlB)，而ZlB恒大于Z1A，故不影響高功率放大單元10的輸出。前述控制電路操作在低功率放大模式時，低功率放大單元12的放大器AMP3工作， 高功率放大單元10的放大器AMPll、AMP12均關(guān)閉，又放大器AMP12輸出端呈高阻抗，而無 負(fù)載效應(yīng)；又中功率放大單元11的放大器AMP2亦關(guān)閉，其輸出端呈高阻抗，也無負(fù)載效應(yīng)； 由于阻抗匹配電路13的阻抗匹配作用，故其輸入端ZlA仍為低阻抗，而經(jīng)由第一阻抗逆變 單元14產(chǎn)生阻抗逆變，在第一阻抗逆變單元14的輸入端形成相對高阻抗(Z2A)，再經(jīng)第二 阻抗逆變單元15產(chǎn)生阻抗逆變，而在第二阻抗逆變單元15的輸入端形成高阻抗(Z3A)，其 中Z3A = (Z0_TL2)2/Z2AZ0_TL2 =第二阻抗逆變單元14的阻抗由于Z3A (100歐姆)恒大于ZlA (2歐姆)，且Z3A又大于Z2A (25歐姆)，故放大器 AMP3是在低電流操作模式下執(zhí)行低功率放大。[0056]若前述控制電路操作在中功率放大模式時，則中、低功率放大單元11，12的放大 器AMP2、AMP3同時工作，高功率放大單元10的放大器AMP11、AMP12均關(guān)閉，又放大器AMP12 輸出端呈高阻抗，而無負(fù)載效應(yīng)；由于阻抗匹配電路13的阻抗匹配作用，故其輸入端ZlA仍 為低阻抗，而經(jīng)由第一阻抗逆變單元14產(chǎn)生阻抗逆變，在第一阻抗逆變單元14的輸入端形 成相對高阻抗(Z2A)，從而構(gòu)成中、低功率放大單元11，12的放大器AMP2、AMP3的負(fù)載，其 中當(dāng) ZlA = 2 歐姆 Z2A = 25 歐姆第一阻抗逆變單元14的阻抗Z0_TL1 = (Z1A*Z2A) 0. 5又中、低功率放大單元11，12的放大器AMP2、AMP3的負(fù)載阻抗=Z2A = 25歐姆， 假設(shè)放大器AMP2、AMP3的晶體管顆數(shù)相同(m2 = m3)，則(AMP2RL) // (AMP3RL) = Z2A而(AMP2RL)= (AMP3RL) = 2*Z2A = 50 歐姆由于放大器AMP2、AMP3的負(fù)載阻抗=Z2A = 25歐姆，故中、低功率放大單元11， 12是在低電流操作模式下執(zhí)行中功率放大。再者，中、低功率放大單元11，12同時工作，而低功率放大單元12的放大器AMP3 是通過第二阻抗逆變單元15傳送射頻信號至第一阻抗逆變單元14，中功率放大單元11的 放大器AMP2則直接傳送射頻信號至第一阻抗逆變單元14，為避免造成時間差，中功率放大 單元11的放大器AMP2輸入端設(shè)有一延遲線111，借以平衡信號傳送時間。又如第二圖所示，是本實用新型第二較佳實施例的電路構(gòu)造，主要仍由一高功率 放大單元10、一中功率放大單元11、一低功率放大單元12A、一阻抗匹配電路13、一第一阻 抗逆變單元14及一第二阻抗逆變單元15等組成；主要構(gòu)造與第一實施例大致相同，不同處 在于該低功率放大單元12A進(jìn)一步包含一放大器AMP4，該放大器AMP4是和原有的放大器 AMP3并聯(lián)，而該放大器AMP4的晶體管顆數(shù)少于放大器AMP3工作原理方面，高功率放大模式是第一實施例相同，而低功率放大模式時，高、中 功率放大單元10，11的放大器AMP11、AMP12、AMP2及低功率放大單元12的放大器AMP3均 關(guān)閉，僅低功率放大單元12新增的放大器AMP4工作，高功率放大單元10的放大器AMP11、 AMP12均關(guān)閉，又放大器AMP12輸出端呈高阻抗，而無負(fù)載效應(yīng)；又中功率放大單元11的放 大器AMP2關(guān)閉，其輸出端呈高阻抗，亦無負(fù)載效應(yīng)；由于阻抗匹配電路13的阻抗匹配作用， 故其輸入端ZlA仍為低阻抗，經(jīng)由第一阻抗逆變單元14產(chǎn)生阻抗逆變，在第一阻抗逆變單 元14的輸入端形成相對高阻抗(Z2A)，再經(jīng)第二阻抗逆變單元15產(chǎn)生阻抗逆變，而在第二 阻抗逆變單元15的輸入端形成高阻抗(Z3A)，由于Z3A(100歐姆)恒大于ZlA(2歐姆)， Z3A大于Z2A(25歐姆)，且放大器AMP4的晶體管顆數(shù)(m3 > m4)又少于放大器AMP3，故放 大器AMP4是在低電流操作模式下執(zhí)行低功率放大。而在中功率放大模式時，中、低功率放大單元11，12同時工作，但低功率放大單元 12的放大器AMP4關(guān)閉，僅放大器AMP3工作，而中、低功率放大單元11，12的放大器AMP2、 AMP3是在低電流操作模式下執(zhí)行低功率放大。再如第三圖所示，是本實用新型第三較佳實施例的電路構(gòu)造，主要仍由一高功率 放大單元10A、一中功率放大單元11、一低功率放大單元12、一阻抗匹配電路13、一第一阻 抗逆變單元14、一第二阻抗逆變單元15及一第三阻抗逆變單元16等組成；其與第一實施例不同處在于該高功率放大單元IOA進(jìn)一步包含一延遲線101及一放大器AMP13，該延遲 線101是串接于原有的兩放大器AMP11、AMP12之間，又新增的放大器AMP13具有一輸入端 及一輸出端，其輸入端是連接至放大器AMPll的輸出端，該放大器AMP13的輸出端則通過第 三阻抗逆變單元16與阻抗匹配電路13的輸入端連接，又第二阻抗逆變單元15的輸出端是 連接至第三阻抗逆變單元16的輸入端。
前述控制電路操作在高功率放大模式時，高功率放大單元IOA的放大器AMP11、 AMP12、AMP13工作，但中、低功率放大單元1112的放大器AMP2、AMP3均關(guān)閉，又阻抗匹配電 路13的輸入端為低阻抗(ZlA)，故射頻功率放大器是工作在高功率放大模式(HIGH POWER MODE)；又低功率放大單元12的放大器AMP3關(guān)閉，其輸出端呈高阻抗(Z3A)，經(jīng)過第二阻抗 逆變單元15、第一阻抗逆變單元14依序，而在第一阻抗逆變單元14的輸出端產(chǎn)生高阻抗 (ZlD)，亦無負(fù)載效應(yīng)。又當(dāng)高功率放大單元10A)的放大器AMP12、AMP13的晶體管顆數(shù)相同(ml2 = ml3) 時，第三阻抗逆變單元16的阻抗Z0_TL3 = 2Z1A = 4歐姆。前述控制電路操作在低功率放大模式時，低功率放大單元12的放大器AMP3工作， 高功率放大單元IOA的放大器AMP11、AMP12、AMP13及中功率放大單元11的放大器AMP2均 關(guān)閉，放大器AMP2、AMP12輸出端呈高阻抗，亦無負(fù)載效應(yīng)；而低功率放大單元12的放大器 AMP3工作，由于阻抗匹配電路13的阻抗匹配作用，故其輸入端ZlA仍為低阻抗，而經(jīng)由第三 阻抗逆變單元16產(chǎn)生阻抗逆變，在第三阻抗逆變單元16的輸入端形成相對高阻抗(Z1C， ZlC = (Z0_TL3) 2/Z1A)，又經(jīng)第一阻抗逆變單元14產(chǎn)生阻抗逆變，而在第一阻抗逆變單元 14的輸入端形成高阻抗(Z2A，Z2A= (Z0_TL1)2/Z1C)，最后由第二阻抗逆變單元15產(chǎn)生阻 抗逆變，而在第二阻抗逆變單元15的輸入端形成高阻抗(Z3A，Z3A = (Z0_TL2)2/Z2A)，由 于Z3A (100歐姆)恒大于ZlA (2歐姆)，且Z3A又大于Z2A (25歐姆)，故放大器AMP3是在 低電流操作模式下執(zhí)行低功率放大。若前述控制電路操作在中功率放大模式時，則中、低功率放大單元11，12的放大 器AMP2、AMP3同時工作，高功率放大單元IOA的放大器AMP11、AMP12、AMP13均關(guān)閉，又放 大器AMP12輸出端呈高阻抗，而無負(fù)載效應(yīng)；由于阻抗匹配電路13的阻抗匹配作用，故其輸 入端Z IA仍為低阻抗，而經(jīng)由第三阻抗逆變單元16產(chǎn)生阻抗逆變，在第三阻抗逆變單元16 的輸入端形成相對高阻抗(Z1C，Z1C= (Z0_TL3)2/Z1A)，由于中功率放大模式，故Z2A恒大 于Z1A，又中、低功率放大單元11，12的放大器AMP2、AMP3的負(fù)載阻抗=Z2A = 25歐姆，假 設(shè)放大器AMP2、AMP3的晶體管顆數(shù)相同(m2 = m3)，則(AMP2RL) // (AMP3RL) = Z2A而(AMP2RL)= (AMP3RL) = 2*Z2A = 50 歐姆由于放大器AMP2、AMP3的負(fù)載阻抗=Z2A = 25歐姆，故中、低功率放大單元11， 12是在低電流操作模式下執(zhí)行中功率放大。另如第四圖所示，是本實用新型第四較佳實施例的電路構(gòu)造，基本上為前述第二、 第三實施例的組合，主要是由一高功率放大單元10A、一中功率放大單元11、一低功率放大 單元12A、一阻抗匹配電路13、一第一阻抗逆變單元14、一第二阻抗逆變單元15及一第三 阻抗逆變單元16等組成；其中，該低功率放大單元12A與第二實施例的低功率放大單元12 相同，進(jìn)一步包含一放大器AMP4，該放大器AMP4是和原有的放大器AMP3并聯(lián)，而該放大器AMP4的晶體管顆數(shù)少于放大器AMP3。該高功率放大單元IOA則與第三實施例的高功率放大單元IOA相同。另前述各實施例中的第一至第三阻抗逆變單元14，15，16除可分別由λ /4的傳輸 線構(gòu)成外，亦可由第五圖所示的LC電路構(gòu)成。以上所述僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型做任何形式上的 限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉 本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi) 容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案的內(nèi) 容，依據(jù)本實用新型的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍 屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求一種多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于包括有一阻抗匹配電路，具有一輸入端及一輸出端，其輸出端是作為一射頻輸出端；一高功率放大單元，是由一個以上的放大器組成，又高功率放大單元的輸出端是與前述阻抗匹配電路的輸入端連接；一中功率放大單元，是與前述高功率放大單元并聯(lián)，所述中功率放大單元包含一個放大器；一第一阻抗逆變單元，具有一輸入端及一輸出端，其輸入端是與中功率放大單元連接，其輸出端是與阻抗匹配電路的輸入端連接；一低功率放大單元，是與前述高、中功率放大單元并聯(lián)，所述低功率放大單元包含一個放大器；一第二阻抗逆變單元，具有一輸入端及一輸出端，其輸入端是與低功率放大單元連接，其輸出端是與第一阻抗逆變單元的輸入端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該高功率放大單元主要是由兩放大器AMP11，AMP12依序串接組成，后端的放大器AMP12輸 出端是與阻抗匹配電路的輸入端連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該高功率放大單元在兩放大器AMPll，AMP12之間串接有一延遲線，又前端放大器AMPll輸 出端進(jìn)一步連接一放大器AMP13，該放大器AMP13輸出端通過一第三阻抗逆變單元與阻抗 匹配電路的輸入端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該放大器AMP13的晶體管顆數(shù)少于放大器AMP12。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路， 其特征在于，該第一、第二阻抗逆變單元是分別由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該第三阻抗逆變單元是由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制 電路，其特征在于，該中功率放大單元是由一放大器ΑΜΡ2構(gòu)成，其輸入端通過一延遲線與 一射頻輸入端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一權(quán)利要求所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制 電路，其特征在于，該低功率放大單元是由兩并聯(lián)的放大器ΑΜΡ3，ΑΜΡ4組成，該放大器ΑΜΡ4 的晶體管顆數(shù)少于另一放大器ΑΜΡ3。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該第一、第二阻抗逆變單元是分別由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該第三阻抗逆變單元是由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在于， 該第一、第二阻抗逆變單元是分別由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，其特征在 于，該第三阻抗逆變單元是由一 λ/4的傳輸線所構(gòu)成。
專利摘要本實用新型是關(guān)于一種多模態(tài)無負(fù)載效應(yīng)的射頻功率放大器控制電路，主要是通過切換控制使數(shù)個放大器分別構(gòu)成一高功率放大單元、一中功率放大單元及一低功率放大單元，該高、中、低功率放大單元之間分別通過一阻抗逆變單元相互連接，而在高、中、低功率放大單元分別工作時，利用阻抗逆變單元產(chǎn)生的阻抗逆變作用，使未工作的功率放大單元不具負(fù)載效應(yīng)，借此可省去以不同制程制造的功率開關(guān)進(jìn)行切換，有效降低制造成本。
文檔編號H03F3/189GK201708768SQ201020189558
公開日2011年1月12日 申請日期2010年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月28日
發(fā)明者彭天云, 王文斌, 陳智圣, 黃韋淵 申請人:華新科技股份有限公司