專利名稱：可配置射頻功率放大器及包含該放大器的射頻發(fā)射前端模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及移動(dòng)終端射頻領(lǐng)域，尤其是可配置射頻功率放大器及包含該放大器的 射頻發(fā)射前端模塊。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)中，射頻發(fā)射前端模塊是實(shí)現(xiàn)射頻信號(hào)無線傳輸?shù)年P(guān)鍵部 件。在目前無線通信頻段變得越來越擁擠的情況下，頻段利用率較高的各種調(diào)制方式，如 CDMA、WCDMA、TD-SCDMA等被越來越廣泛地應(yīng)用。這些調(diào)制方式都要求移動(dòng)終端射頻發(fā)射前 端中的射頻功率放大器具有較高的線性度以保證較高的語音通話及數(shù)據(jù)通信質(zhì)量。然而， 線性度的提高是以射頻功率放大器平均效率的降低為犧牲的，使得移動(dòng)終端的通話時(shí)間大 幅縮短?？紤]到射頻功率放大器的輸出功率隨基站信號(hào)的強(qiáng)弱而改變，通常在輸出功率較 高時(shí)效率較高，而在輸出功率較低時(shí)效率較低，如果采用單一功率模式的射頻功率放大器， 將使得移動(dòng)終端電池續(xù)航時(shí)間非常短。以CDMA移動(dòng)終端中射頻功率放大器為例，如果采 用單一功率放大器，當(dāng)其輸出功率為16dBm時(shí)，效率僅為10%，而且靜態(tài)工作電流較大，最 高可達(dá)IOOmA以上，嚴(yán)重影響手機(jī)通話時(shí)間。因此，為了提高線性射頻功率放大器的平均效 率，通常需要為射頻功率放大器電路設(shè)置兩種或幾種功率模式，使得無論輸出多大的射頻 功率，射頻功率放大器都有較高的效率。現(xiàn)有的多功率模式射頻發(fā)射前端的解決方案如圖1所示。圖1中，高功率模式射 頻功率放大器107包括功率放大器管芯101及其輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102 ；中功率模式射頻功率 放大器108包括功率放大器管芯103及其輸出匹配網(wǎng)絡(luò)104 ；低功率模式射頻功率放大器 109包括功率放大器管芯105及其輸出匹配網(wǎng)絡(luò)106。高功率模式射頻功率放大器107、中 功率模式射頻功率放大器108和低功率模式射頻功率放大器109分別輸出高、中、低等級(jí)的 射頻功率，它們的輸入端都連接到射頻輸入信號(hào)(RFin)。由于每個(gè)射頻功率放大器都為各自 的輸出功率等級(jí)單獨(dú)設(shè)計(jì)，因此可以保證在各個(gè)功率模式下都有較高的效率。射頻開關(guān)芯 片114包括三個(gè)單獨(dú)的射頻開關(guān)111、112、113。高功率模式射頻功率放大器107的輸出端 連接到射頻開關(guān)111的一端，射頻開關(guān)111的另外一端連接到天線115 ；中功率模式射頻功 率放大器108的輸出端連接到射頻開關(guān)112的一端，射頻開關(guān)112的另外一端連接到天線 115 ；低功率模式射頻功率放大器106的輸出端連接到射頻開關(guān)113的一端，射頻開關(guān)113 的另外一端連接到天線115。輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102將50歐姆天線阻抗轉(zhuǎn)換為一個(gè)低阻抗作為 高功率模式射頻功率放大器管芯101的負(fù)載阻抗，使其輸出較高功率；輸出匹配網(wǎng)絡(luò)104將 50歐姆天線阻抗轉(zhuǎn)換為一個(gè)中阻抗作為中功率模式射頻功率放大器管芯103的負(fù)載阻抗， 使其輸出較低功率；輸出匹配網(wǎng)絡(luò)106將50歐姆天線阻抗轉(zhuǎn)換為一個(gè)高阻抗作為低功率模 式射頻功率放大器管芯105的負(fù)載阻抗，使其輸出較低功率。高功率模式射頻功率放大器 107、中功率模式射頻功率放大器108和低功率模式射頻功率放大器109在同一時(shí)刻只有其 中之一工作，并且射頻開關(guān)111、射頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113也在同一時(shí)刻只有其中之一
4閉合。功率模式控制器芯片110控制高功率模式射頻功率放大器107、中功率模式射頻功率 放大器108和低功率模式射頻功率放大器109的工作狀態(tài)(工作或不工作)，并且控制射頻 開關(guān)111、射頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113的工作狀態(tài)(閉合或打開)。在此方案中，功率模式控制器110通常為采用CMOS工藝的單芯片；高功率模式射 頻功率放大器107、中功率模式射頻功率放大器108和低功率模式射頻功率放大器109可以 是采用GaAs HBT等工藝的單芯片，也可以是模塊形式，即其中的功率放大器管芯101、103、 105采用GaAs HBT等工藝制造，而輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102、104、106采用分立元件或半導(dǎo)體工藝， 例如 GaAsHBT、GaAs HEMT 或集成無源器件(Integrated Passive Devices, IPD)等；射頻 開關(guān)芯片114通常采用GaAs HEMT工藝制造。綜上，在此方案中，將有至少5塊單獨(dú)的芯片 或模塊，使得多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的集成度很低，占用很大移動(dòng)終端電路板面積， 不利于移動(dòng)終端的小型化，并且由于多塊芯片或模塊的存在也使得移動(dòng)終端的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為了克服現(xiàn)有多功率模式射頻發(fā)射前端模塊面積大、集成度低并導(dǎo)致移動(dòng) 終端成本高的缺陷，提供一種可配置射頻功率放大器及包含該放大器的射頻發(fā)射前端模 塊。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了 一種可配置射頻功率放大器200，包括可配 置射頻功率放大器管芯201以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202 ；可配置射頻功率放大器管 芯201的輸出端與可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202連接；可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202具有包含電感和電容的若干阻抗電路；可配置輸出 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)還包括射頻開關(guān)，射頻開關(guān)控制各阻抗電路導(dǎo)通或斷開。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202包括第一電感Li、第二電 感L2、第三電感L3、第一電容Cl、第二電感C2、第三電感C3、第一射頻開關(guān)113和第二射頻 開關(guān)112 ；可配置射頻功率放大器管芯201的輸出端分別與第一電感Ll和第二電感L2的一 端連接，第一電感Ll的另一端分別與第三電感L3和第三電容C3的一端連接，第三電感L3 的另一端接供電電壓，第二電感L2分別與第一電容Cl和第二電容C2的一端連接；第二電 容C2的另一端接地；第一電容Cl的另一端與第二射頻開關(guān)112的一端連接，第二射頻開關(guān) 112的另一端接天線115 ；第三電容C3的另一端與第一射頻開關(guān)113的一端連接，第一射頻 開關(guān)113的另一端接天線115。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，可配置射頻功率放大器管芯201的偏置電壓根據(jù)可配置 射頻功率放大器管芯201的工作模式確定，工作模式為低功率模式或中功率模式。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，在低功率模式下，第一射頻開關(guān)113閉合而第二射頻開 關(guān)112打開，可配置射頻功率放大器管芯201的偏置電壓為低功率模式對(duì)應(yīng)的偏置電壓；在 中功率模式下，第一射頻開關(guān)113打開而第二射頻開關(guān)112閉合，可配置射頻功率放大器管 芯201的偏置電壓為中功率模式對(duì)應(yīng)的偏置電壓。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了一種多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，包括 功率模式控制器110、高功率模式射頻功率放大器107和第三射頻開關(guān)111，高功率模式射 頻功率放大器107包括高功率模式射頻功率放大器管芯101及第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，還包括所述的可配置射頻功率放大器200 ；可配置射頻功率放大器200與功率模式控制器110連接，功率模式控制器110根 據(jù)功率模式控制第一射頻開關(guān)113、第二射頻開關(guān)112和第三射頻開關(guān)111的開啟或閉合；射頻輸入信號(hào)分別輸入高功率模式射頻功率放大器管芯101和可配置射頻功率 放大器管芯201。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，功率模式控制器110、高功率模式射頻功率放大器107、 第三射頻開關(guān)111和可配置射頻功率放大器200分別集成于第一集成電路芯片和第二集成 電路芯片中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器107和可配置射頻功率放大 器200集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器110和第三射頻開關(guān)111集成于第二集 成電路芯片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器管芯101和可配置射頻功率 放大器管芯201集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器110、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102、第 三射頻開關(guān)111以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202集成于第二集成電路芯片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器管芯101集成于第一集成電 路芯片，功率模式控制器110、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102、第三射頻開關(guān)111、可配置射頻功率 放大器管芯201以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202集成于第二集成電路芯片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還包括第四射頻開關(guān)209 ；第四射頻開關(guān)209與功率模式 控制器110連接；射頻輸入信號(hào)直接輸入第四射頻開關(guān)209的一端，第四射頻開關(guān)209的另 一端接天線115 ；在旁路模式下，功率模式控制器110關(guān)閉第四射頻開關(guān)209而打開第一射 頻開關(guān)113、第二射頻開關(guān)112和第三射頻開關(guān)111，并控制高功率模式功率放大器107和 可配置射頻功率放大器200不工作。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，功率模式控制器110、高功率模式射頻功率放大器107、 第三射頻開關(guān)111、第四射頻開關(guān)209和可配置射頻功率放大器200分別集成于第一集成電 路芯片和第二集成電路芯片中。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器107和可配置射頻功率放大 器200集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器110、第三射頻開關(guān)111和第四射頻開關(guān) 209集成于第二集成電路芯片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器管芯101和可配置射頻功率 放大器管芯201集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器110、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102、第 三射頻開關(guān)111、第四射頻開關(guān)209以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202集成于第二集成電路
-H-· I I心片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，高功率模式射頻功率放大器管芯101集成于第一集成 電路芯片，功率模式控制器110、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102、第三射頻開關(guān)111、第四射頻開關(guān) 209、可配置射頻功率放大器管芯201以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202集成于第二集成電 路芯片。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其特征在于，第一集成電路芯片采用GaAs HBT工藝制造， 第二集成電路芯片采用絕緣體硅工藝制造。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，本發(fā)明提供了 一種移動(dòng)終端，包括基帶控制芯片61、前端
6芯片62、多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63以及天線115、64，其特征在于，所述多功率模式 射頻發(fā)射前端模塊63為多功率模式射頻發(fā)射前端模塊。本發(fā)明減少了多功率模式射頻前端的獨(dú)立單元的數(shù)量，并在一個(gè)單模塊中集成兩 塊芯片，使得多功率模式射頻發(fā)射前端模塊占用移動(dòng)終端電路板面積大幅減小，同時(shí)也大 幅降低了移動(dòng)終端的制造成本。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)圖；圖2是本發(fā)明實(shí)施例一的具有可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的射頻功率放大器的結(jié) 構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例三的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)圖；圖5是本發(fā)明實(shí)施例四的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)圖；圖6是本發(fā)明實(shí)施例五的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)圖；圖7是本發(fā)明實(shí)施例六的移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式通常移動(dòng)終端中每個(gè)模式的射頻功率放大器都有與該模式對(duì)應(yīng)的放大器管芯及 輸出匹配網(wǎng)絡(luò)組成，這樣就導(dǎo)致了射頻發(fā)射器前端的面積較大。同時(shí)，移動(dòng)終端中的射 頻功率放大器管芯通常需要采用GaAs異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)工藝來制造，功率模式控制器采用CMOS工藝來制造，射頻開關(guān)芯片則需 要采用GaAs高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工藝來制 造，并且需要設(shè)計(jì)多個(gè)工作于不同功率模式的射頻功率放大器管芯，使得整個(gè)射頻發(fā)射前 端的面積較大。為了解決現(xiàn)有上述的缺陷，本發(fā)明提供了如下的解決方案。實(shí)施例一如圖2所示為本發(fā)明所提出的具有可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的射頻功率放大器 的實(shí)現(xiàn)方案。射頻功率放大器包括射頻功率放大器管芯201、第一電感Li、第二電感L2、第 三電感L3、第一電容Cl、第二電容C2、第三電容C3、射頻開關(guān)112、射頻開關(guān)113以及天線 115。射頻功率放大器的輸入端連接到射頻輸入信號(hào)(RFIN)，輸出端連接到第一電感Ll和 第二電感L2的一端；第一電感Ll的另一端連接到第三電感L3的一端和第三電容C3的一 端；第三電感L3的另外一端連接到射頻功率放大器的直流供電端；第三電容C3的另外 一端通過射頻開關(guān)113連接到天線115 ；第二電感L2的另外一端連接到第二電容C2的一 端和第一電容Cl的一端；第二電容C2的另外一端連接到地；第一電容Cl的另外一端通過 射頻開關(guān)112連接到天線115。在中功率模式下，射頻功率放大器的偏置電壓設(shè)置為中功率模式所需的中等級(jí)電 壓(該電壓值與實(shí)際設(shè)計(jì)有關(guān)，但高于低功率模式下的低等級(jí)電壓)，并且射頻開關(guān)112閉 合而射頻開關(guān)113打開，此時(shí)射頻功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)由第一電感Li、第二電感L2、 第三電感L3、第一電容Cl和第二電容C2組成，為射頻功率放大器提供中等程度的負(fù)載阻 抗，使其能輸出中功率模式的射頻功率。在低功率模式下，射頻功率放大器的偏置設(shè)置為低功率模式所需的低等級(jí)電壓，并且射頻開關(guān)112打開而射頻開關(guān)113閉合，此時(shí)射頻功率放 大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)由第一電感Li、第二電感L2、第三電感L3、第二電容C2和第三電容C3 組成，為射頻功率放大器提供高等級(jí)的負(fù)載阻抗，使其輸出較低的射頻功率。在一個(gè)用于800MHz通信的手機(jī)功率放大器的具體實(shí)施例中，射頻功率放大器采 用GaAs工藝實(shí)現(xiàn)，直流供電電壓(Vcc)為3. 4V，第一電感Ll的值為3nH，第二電感L2的值 為3nH，第三電感L3的值為3nH，第一電容Cl的值為IOOOpF,第二電容C2的值為4pF，第三 電容C3的值為IOOOpF,射頻開關(guān)112、113用GaAs工藝實(shí)現(xiàn)。在此元件值配置下，高功率 模式下，射頻開關(guān)112閉合射頻開關(guān)112打開，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)為射頻功率放大器提供25歐 姆的負(fù)載阻抗，輸出射頻功率為20dBm，功率附加效率為35% ；低功率模式下，射頻開關(guān)113 閉合而射頻開關(guān)112打開，輸出匹配網(wǎng)絡(luò)為射頻功率放大器提供100歐姆的負(fù)載阻抗，輸出 射頻功率為10dBm，功率附加效率為25%。需要說明的是，直流供電電壓Vrc的值、第一電感Li、第二電感L2、第三電感L3、第 一電容Cl、第二電容C2和第三電容C3的元件值，需要根據(jù)整個(gè)射頻功率放大器的具體情況 來設(shè)計(jì)，這對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來講是易于理解的。另外，需要說明的是，本發(fā)明所提出的 技術(shù)方案中的射頻功率放大器、匹配網(wǎng)絡(luò)中的電感、電容以及開關(guān)的實(shí)現(xiàn)可以是采用分立 元件的方法，也可以采用GaAs工藝、絕緣體硅工藝、集成無源器件工藝、CMOS工藝等半導(dǎo)體 工藝或聚四氟乙烯基板工藝，但不限于上述實(shí)現(xiàn)方式。上述的技術(shù)方案使得能夠?qū)崿F(xiàn)高、中、低功率模式的多功率模式射頻發(fā)射前端模 塊只需要兩個(gè)放大器管就能正常工作，從而能夠減少多功率模式射頻發(fā)射前端模塊所需要 的面積。應(yīng)用了本發(fā)明所提供的可配置射頻功率放大器的多模式射頻發(fā)射前端模塊，如圖 3-6所示，包括功率模式控制器110、高功率模式射頻功率放大器107、可配置功率射頻放 大器200和第三射頻開關(guān)111，高功率模式射頻功率放大器107包括高功率模式射頻功率放 大器管芯101及第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102 ；可配置射頻功率放大器200與功率模式控制器110 連接，功率模式控制器110根據(jù)功率模式控制第一射頻開關(guān)113、第二射頻開關(guān)112和第三 射頻開關(guān)111的開啟或閉合；射頻輸入信號(hào)分別輸入高功率模式射頻功率放大器管芯101 和可配置射頻功率放大器管芯201。雖然上述的技術(shù)方案已經(jīng)減小了多功率模式射頻發(fā)射前端模塊所需的面積，但為 了進(jìn)一步減少多功率模式射頻發(fā)射前端模塊所需的面積，并且提高集成度，下面通過實(shí)施 例詳細(xì)描述應(yīng)用了具有可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)的射頻功率放大器的多功率模式射頻發(fā) 射前端模塊的實(shí)現(xiàn)方案。實(shí)施例二本發(fā)明所提出的第一種多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)如圖3所示。整個(gè)射 頻發(fā)射前端被集成為一個(gè)單模塊，其中包括第一芯片203和第二芯片204。第一芯片203上 集成了高功率模式射頻功率放大器管芯101及其輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102和具有可配置輸出阻抗 匹配網(wǎng)絡(luò)202的可配置射頻功率放大器200，可配置射頻功率放大器200包括可配置輸出 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202和可配置射頻功率放大器管芯201，可配置射頻功率放大器管芯201的 偏置電壓可以改變；第一芯片203通常采用GaAs HBT工藝制造。第二芯片204上集成了功 率模式控制器110和射頻開關(guān)111。第二芯片采用絕緣體硅工藝(SOI)制造。由于SOI — 方面與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容，可以方便用于實(shí)現(xiàn)功率模式控制器110 ；并且另外一方面其
8具有與GaAs工藝類似的高電阻率襯底(電阻率大于300Ω · cm)和高擊穿電壓，可以用于 實(shí)現(xiàn)低損耗的射頻開關(guān)111，因此可以采用SOI工藝集成功率模式控制器110及射頻開關(guān) 111，從而大幅提高射頻發(fā)射前端的集成度?？膳渲蒙漕l功率放大器管芯201和高功率模式 射頻功率放大器管芯101的輸入端連接到射頻輸入信號(hào)(RFin)；可配置射頻功率放大器管 芯201和高功率模式射頻功率放大器管芯101的輸出端分別連接到可配置輸出阻抗匹配網(wǎng) 絡(luò)202、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的一端；輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的另外一端連接到射頻開關(guān)111的一 端，可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202的另外一端連接到天線115 ；射頻開關(guān)111的另外一端連 接到天線115。功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯201的工作狀態(tài)(工 作或不工作，工作時(shí)在何種偏置電壓下工作)和高功率模式射頻功率放大器管芯101的工 作狀態(tài)(工作或不工作)，并控制射頻開關(guān)111和可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202中的射頻開 關(guān)112、113的狀態(tài)(閉合或打開)。在此技術(shù)方案中，可以實(shí)現(xiàn)三種功率模式，即低功率模式、中功率模式和高功率 模式。在低功率模式下，功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯105在低 等級(jí)的偏置電壓下工作而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開 關(guān)113閉合而射頻開關(guān)111及射頻開關(guān)112打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器 (Transceiver)的輸入射頻信號(hào)(RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān) 113之后連接到天線115，而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在中功率模式下， 功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯105在中等級(jí)的偏置電壓下工作而高 功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開關(guān)112閉合而射頻開關(guān)111及 射頻開關(guān)113打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號(hào) (RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān)112之后連接到天線115，而高功 率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在高功率模式下，功率模式控制器110控制高功 率模式射頻功率放大器管芯101工作、可配置射頻功率放大器管芯201不工作，并且控制射 頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113打開而射頻開關(guān)111閉合；此時(shí)，高功率模式射頻功率放大器管 芯101工作，輸出高等級(jí)功率。實(shí)施例三本發(fā)明所提出的第二種多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)如圖4所示。整個(gè)射 頻發(fā)射前端被集成為一個(gè)單模塊，其中包括第三芯片205和第四芯片206。第三芯片205上 集成了高功率模式射頻功率放大器管芯101和可配置射頻功率放大器管芯201 ；第三芯片 205通常采用GaAs HBT工藝制造。第四芯片206上集成了功率模式控制器110，射頻開關(guān) 111，高功率模式射頻功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以及可配置射頻功率放大器200的 可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202。第四芯片采用絕緣體硅工藝(SOI)制造。由于SOI—方面 與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容，可以方便用于實(shí)現(xiàn)功率模式控制器110 ；并且另外一方面其具有 與GaAs工藝類似的高電阻率襯底(電阻率大于300 Ω -cm)和高擊穿電壓，可以用于實(shí)現(xiàn)低 損耗的射頻開關(guān)111，因此可以采用SOI工藝集成功率模式控制器110，射頻開關(guān)111，功率 模式射頻功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以及可配置射頻功率放大器200的可配置輸出 阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202，從而大幅提高射頻發(fā)射前端的集成度?？膳渲蒙漕l功率放大器管芯201 和高功率模式射頻功率放大器管芯101的輸入端連接到射頻輸入信號(hào)(RFin)；可配置射頻 功率放大器管芯201和高功率模式射頻功率放大器管芯101的輸出端分別連接到可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的一端；輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的另外一端連接到射頻 開關(guān)111的一端，可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202的另外一端連接到天線115 ；射頻開關(guān)111 的另外一端連接到天線115。功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯201的 工作狀態(tài)(工作或不工作，工作時(shí)在何種偏置電壓下工作)和高功率模式射頻功率放大器 管芯101的工作狀態(tài)(工作或不工作)，并控制射頻開關(guān)111和可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò) 202中的射頻開關(guān)112、113的狀態(tài)(閉合或打開)。在此技術(shù)方案中，可以實(shí)現(xiàn)三種功率模式，即低功率模式、中功率模式和高功率 模式。在低功率模式下，功率模式控制器Iio控制可配置射頻功率放大器管芯105在低 等級(jí)的偏置電壓下工作而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開 關(guān)113閉合而射頻開關(guān)111及射頻開關(guān)112打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器 (Transceiver)的輸入射頻信號(hào)(RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān) 113之后連接到天線115，而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在中功率模式下， 功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯105在中等級(jí)的偏置電壓下工作而高 功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開關(guān)112閉合而射頻開關(guān)111及 射頻開關(guān)113打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號(hào) (RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān)112之后連接到天線115，而高功 率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在高功率模式下，功率模式控制器110控制高功 率模式射頻功率放大器管芯101工作、可配置射頻功率放大器管芯201不工作，并且控制射 頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113打開而射頻開關(guān)111閉合；此時(shí)，高功率模式射頻功率放大器管 芯101工作，輸出高等級(jí)功率。實(shí)施例四本發(fā)明所提出的第三種多功率模式射頻發(fā)射前端模塊的結(jié)構(gòu)如圖5所示。整個(gè)射頻發(fā)射前端被集成為一個(gè)單模塊，其中包括第五芯片207和第六芯片208。 第五芯片207上集成了高功率模式射頻功率放大器管芯101 ；第五芯片205通常采用GaAs HBT工藝制造。第六芯片206上集成了功率模式控制器110，射頻開關(guān)111，可配置射頻功率 放大器管芯201，高功率模式射頻功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以及可配置射頻功率放 大器200的可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202。第六芯片采用絕緣體硅工藝(SOI)制造。由于 SOI —方面與傳統(tǒng)的CMOS工藝兼容，可以方便用于實(shí)現(xiàn)功率模式控制器110;并且另外一方 面其具有與GaAs工藝類似的高電阻率襯底(電阻率大于300 Ω · cm)和高擊穿電壓，可以 用于實(shí)現(xiàn)低損耗的射頻開關(guān)111，因此可以采用SOI工藝集成功率模式控制器110，射頻開 關(guān)111，可配置射頻功率放大器管芯201，功率模式射頻功率放大器的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以 及可配置射頻功率放大器200的可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202，從而大幅提高射頻發(fā)射前 端的集成度?？膳渲蒙漕l功率放大器管芯201和高功率模式射頻功率放大器管芯101的輸 入端連接到射頻輸入信號(hào)(RFin)；可配置射頻功率放大器管芯201和高功率模式射頻功率 放大器管芯101的輸出端分別連接到可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的 一端；輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的另外一端連接到射頻開關(guān)111的一端，可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò) 202的另外一端連接到天線115 ；射頻開關(guān)111的另外一端連接到天線115。功率模式控制 器110控制可配置射頻功率放大器管芯201的工作狀態(tài)(工作或不工作，工作時(shí)在何種偏 置電壓下工作)和高功率模式射頻功率放大器管芯101的工作狀態(tài)(工作或不工作)，并控
10制射頻開關(guān)111和可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202中的射頻開關(guān)112、113的狀態(tài)(閉合或打 開)。在此技術(shù)方案中，可以實(shí)現(xiàn)三種功率模式，即低功率模式、中功率模式和高功率 模式。在低功率模式下，功率模式控制器Iio控制可配置射頻功率放大器管芯105在低 等級(jí)的偏置電壓下工作而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開 關(guān)113閉合而射頻開關(guān)111及射頻開關(guān)112打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器 (Transceiver)的輸入射頻信號(hào)(RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān) 113之后連接到天線115，而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在中功率模式下， 功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯105在中等級(jí)的偏置電壓下工作而高 功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開關(guān)112閉合而射頻開關(guān)111及 射頻開關(guān)113打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號(hào) (RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān)112之后連接到天線115，而高功 率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在高功率模式下，功率模式控制器110控制高功 率模式射頻功率放大器管芯101工作、可配置射頻功率放大器管芯201不工作，并且控制射 頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113打開而射頻開關(guān)111閉合；此時(shí)，高功率模式射頻功率放大器管 芯101工作，輸出高等級(jí)功率。實(shí)施例五圖1所示的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊能夠?qū)崿F(xiàn)高、中、低3中功率模式，為了 進(jìn)一步降低移動(dòng)終端待機(jī)時(shí)的功率，本發(fā)明還提供了一種旁路模式，其具體的結(jié)構(gòu)如圖6 所示。該多功率模式射頻發(fā)射前端模塊包括功率模式控制器110，高功率模式射頻功率 放大器107，可配置射頻功率放大器200，射頻天線111、209 ；高功率模式射頻功率放大器 107包括高功率模式射頻功率放大器管芯101和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，可配置射頻功率放大器 200包括可配置射頻功率放大器管芯201和可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202 ；射頻天線209的 一端、可配置射頻功率放大器管芯201和高功率模式射頻功率放大器管芯101的輸入端連 接到射頻輸入信號(hào)(RFin)；可配置射頻功率放大器管芯201和高功率模式射頻功率放大器 管芯101的輸出端分別連接到可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102的一端；輸 出匹配網(wǎng)絡(luò)102的另外一端連接到射頻開關(guān)111的一端，可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202的 另外一端連接到天線115 ；射頻開關(guān)111、209的另外一端連接到天線115。功率模式控制器 110控制可配置射頻功率放大器管芯201的工作狀態(tài)(工作或不工作，工作時(shí)在何種偏置電 壓下工作)和高功率模式射頻功率放大器管芯101的工作狀態(tài)(工作或不工作)，并控制射 頻開關(guān)111、209和可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)202中的射頻開關(guān)112、113的狀態(tài)(閉合或打 開)。在此技術(shù)方案中，可以實(shí)現(xiàn)四種功率模式，即旁路模式、低功率模式、中功率模式 和高功率模式。在旁路模式，功率模式控制器Iio控制可配置射頻功率放大器管芯105和 高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開關(guān)209閉合而射頻開關(guān)111、 射頻開關(guān)112及射頻開關(guān)113打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器(Transceiver) 的輸入射頻信號(hào)(RFin)直接經(jīng)射頻開關(guān)209之后連接到天線115，而可配置射頻功率放大 器管芯105和高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在低功率模式下，功率模式控制器110控制可配置射頻功率放大器管芯105在低等級(jí)的偏置電壓下工作而高功率模式射 頻功率放大器管芯101不工作，并且控制射頻開關(guān)113閉合而射頻開關(guān)111及射頻開關(guān)112 打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端中射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號(hào)(RFin)經(jīng)可配 置射頻功率放大器200放大再經(jīng)過射頻開關(guān)113之后連接到天線115，而高功率模式射頻功 率放大器管芯101不工作。在中功率模式下，功率模式控制器110控制可配置射頻功率放 大器管芯105在中等級(jí)的偏置電壓下工作而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作， 并且控制射頻開關(guān)112閉合而射頻開關(guān)111及射頻開關(guān)113打開。此時(shí)，來自于移動(dòng)終端 中射頻收發(fā)器(Transceiver)的輸入射頻信號(hào)(RFin)經(jīng)可配置射頻功率放大器200放大再 經(jīng)過射頻開關(guān)112之后連接到天線115，而高功率模式射頻功率放大器管芯101不工作。在 高功率模式下，功率模式控制器110控制高功率模式射頻功率放大器管芯101工作、可配置 射頻功率放大器管芯201不工作，并且控制射頻開關(guān)112和射頻開關(guān)113打開而射頻開關(guān) 111閉合；此時(shí)，高功率模式射頻功率放大器管芯101工作，輸出高等級(jí)功率。為了減少圖6所示的多功率模式射頻發(fā)射前端所占用的電路板面積，可以進(jìn)一步 地對(duì)其進(jìn)行集成。在集成時(shí)，可以選擇下述的任意一種方案1、高功率模式射頻功率放大器107和可配置射頻功率放大器200集成到一個(gè)芯 片，該芯片通常采用GaAs HBT工藝制造；功率模式控制器110和射頻開關(guān)111、209集成到 另一個(gè)芯片，該芯片通常采用絕緣體硅工藝制造；2、高功率模式射頻功率放大器管芯101和可配置射頻功率放大器管芯201集成到 一個(gè)芯片，該芯片通常采用GaAs HBT工藝制造；功率模式控制器110，射頻開關(guān)111、209，高 功率模式射頻功率放大器管芯101的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以及可配置射頻功率放大器管芯 201的可配置輸出阻抗配置網(wǎng)絡(luò)集成到另一個(gè)芯片，該芯片通常采用絕緣體硅工藝制造；3、高功率模式射頻功率放大器管芯101集成到一個(gè)芯片，該芯片通常采用GaAs HBT工藝制造；功率模式控制器110，射頻開關(guān)111、209，可配置射頻功率放大器管芯201，高 功率模式射頻功率放大器管芯101的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)102，以及可配置射頻功率放大器管芯 201的可配置輸出阻抗配置網(wǎng)絡(luò)集成到另一個(gè)芯片，該芯片通常采用絕緣體硅工藝制造。實(shí)施例六本發(fā)明提供的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊可以應(yīng)用于支持各種通信標(biāo)準(zhǔn)的移 動(dòng)終端中，例如GSM、CDMA2000、WCDMA, TD-SCDMA以及LTE等，也可以應(yīng)用于雙?；蛘叨嗄?移動(dòng)終端中，例如GSM/CDMA雙模移動(dòng)終端以及WCDMA/TD-SCDMA雙模移動(dòng)終端。圖7顯示了移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)示意圖。移動(dòng)終端包括基帶控制芯片61、前端芯片(射 頻收發(fā)器)62、多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63以及天線64。多功率模式射頻發(fā)射前端模 塊63可以為上述實(shí)施例提供的任一多功率模式射頻發(fā)射前端模塊?；鶐Э刂菩酒?1用于 合成將要發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼；前端芯片62，對(duì)從基帶控制 芯片61傳輸來的基帶信號(hào)進(jìn)行處理而生成射頻信號(hào)，并將所生成的射頻信號(hào)發(fā)送到多功 率模式射頻發(fā)射前端模塊63，或?qū)亩喙β誓Ｊ缴漕l發(fā)射前端模塊63傳輸來的射頻信號(hào) 進(jìn)行處理而生成基帶信號(hào)，并將所生成的基帶信號(hào)發(fā)送到基帶控制芯片61 ；多功率模式射 頻發(fā)射前端模塊63用于對(duì)從前端芯片62傳輸來的射頻信號(hào)進(jìn)行諸如功率放大的處理，或 接收信號(hào)并將該接收信號(hào)處理后發(fā)送至前端芯片62 ；天線64，其與多功率模式射頻發(fā)射前 端模塊63相連接，用于從外界接收信號(hào)或發(fā)射從多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63傳輸來
12的信號(hào)。具體而言，進(jìn)行信號(hào)發(fā)射時(shí)，基帶控制芯片61把要發(fā)射的信息編譯成基帶碼(基 帶信號(hào))并將其傳輸給前端芯片62，前端芯片62對(duì)該基帶信號(hào)進(jìn)行處理生成射頻信號(hào)，并 將該射頻信號(hào)傳輸?shù)蕉喙β誓Ｊ缴漕l發(fā)射前端模塊63，多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63 將從前端芯片62傳輸來的射頻信號(hào)進(jìn)行功率放大并通過天線64向外發(fā)射；進(jìn)行信號(hào)接收 時(shí)，多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63將通過天線64接收的射頻信號(hào)傳輸給前端芯片62，前 端芯片62將從多功率模式射頻發(fā)射前端模塊63傳輸來的射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為基帶信號(hào)，并將 該基帶信號(hào)傳輸?shù)交鶐Э刂菩酒?1，最后由基帶控制芯片61將從前端芯片62傳輸來的基 帶信號(hào)解譯為接收信息?？蛇x地，所述要發(fā)射的信息或接收信息可以包括音頻信息、地址信息(手機(jī)號(hào)碼、 網(wǎng)站地址)、文字信息(短信息文字、網(wǎng)站文字)、圖片信息等。所述基帶控制芯片的主要組件為處理器(DSP、ARM等)和內(nèi)存(如SRAM、Flash)。 可選地，該基帶控制芯片由單一基帶芯片實(shí)現(xiàn)。優(yōu)選地，所述前端芯片支持兩種基帶信號(hào)接口，可以支持帶模擬基帶功能的基帶 控制芯片，也可以同時(shí)支持純數(shù)字的基帶控制芯片。需要說明的，本發(fā)明所提出的技術(shù)方案，可以應(yīng)用于需要多功率模式的任何無線 通信標(biāo)準(zhǔn)移動(dòng)終端，而不受具體通信頻段的限制；并且，高、中、低功率模式下所對(duì)應(yīng)的具體 功率值，根據(jù)通信標(biāo)準(zhǔn)的具體要求而定。任何在具體電路或芯片布局實(shí)現(xiàn)形式上的變化，都 包括在本專利的涵蓋范圍之內(nèi)。
1權(quán)利要求
一種可配置射頻功率放大器(200)，其特征在于，包括可配置射頻功率放大器管芯(201)以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)；可配置射頻功率放大器管芯(201)的輸出端與可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)連接；可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)具有包含電感和電容的若干阻抗電路；可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)還包括射頻開關(guān)，射頻開關(guān)控制各阻抗電路導(dǎo)通或斷開。
2.如權(quán)利要求1所述的可配置射頻功率放大器，其特征在于，可配置輸出阻抗匹配 網(wǎng)絡(luò)(202)包括第一電感(Li)、第二電感(L2)、第三電感(L3)、第一電容(Cl)、第二電感 (C2)、第三電感(C3)、第一射頻開關(guān)(113)和第二射頻開關(guān)(112)；可配置射頻功率放大器管芯(201)的輸出端分別與第一電感(Li)和第二電感(L2)的 一端連接，第一電感(Li)的另一端分別與第三電感(L3)和第三電容(C3)的一端連接，第 三電感(L3)的另一端接供電電壓，第二電感(L2)分別與第一電容(Cl)和第二電容(C2) 的一端連接；第二電容(C2)的另一端接地；第一電容(Cl)的另一端與第二射頻開關(guān)(112) 的一端連接，第二射頻開關(guān)(112)的另一端接天線(115)；第三電容(C3)的另一端與第一 射頻開關(guān)(113)的一端連接，第一射頻開關(guān)(113)的另一端接天線(115)。
3.如權(quán)利要求2所述的可配置射頻功率放大器，其特征在于，可配置射頻功率放大器 管芯(201)的偏置電壓根據(jù)可配置射頻功率放大器管芯(201)的工作模式確定，工作模式 為低功率模式或中功率模式。
4.如權(quán)利要求3所述的可配置射頻功率放大器，其特征在于，在低功率模式下，第一射 頻開關(guān)(113)閉合而第二射頻開關(guān)(112)打開，可配置射頻功率放大器管芯(201)的偏置 電壓為低功率模式對(duì)應(yīng)的偏置電壓；在中功率模式下，第一射頻開關(guān)(113)打開而第二射 頻開關(guān)(112)閉合，可配置射頻功率放大器管芯(201)的偏置電壓為中功率模式對(duì)應(yīng)的偏 置電壓。
5.一種多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，包括功率模式控制器(110)、高功率模式射頻 功率放大器(107)和第三射頻開關(guān)(111)，高功率模式射頻功率放大器(107)包括高功率模 式射頻功率放大器管芯(101)及第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(102)，其特征在于，還包括如權(quán)利要求 1所述的可配置射頻功率放大器(200)；可配置射頻功率放大器(200)與功率模式控制器(110)連接，功率模式控制器(110) 根據(jù)功率模式控制第一射頻開關(guān)(113)、第二射頻開關(guān)(112)和第三射頻開關(guān)(111)的開啟 或閉合；射頻輸入信號(hào)分別輸入高功率模式射頻功率放大器管芯(101)和可配置射頻功率放 大器管芯(201)。
6.如權(quán)利要求5所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，功率模式控制器 (110)、高功率模式射頻功率放大器(107)、第三射頻開關(guān)(111)和可配置射頻功率放大器 (200)分別集成于第一集成電路芯片和第二集成電路芯片中。
7.如權(quán)利要求6所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式射頻 功率放大器(107)和可配置射頻功率放大器(200)集成于第一集成電路芯片，功率模式控 制器(110)和第三射頻開關(guān)(111)集成于第二集成電路芯片。
8.如權(quán)利要求6所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式射頻 功率放大器管芯(101)和可配置射頻功率放大器管芯(201)集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器(110)、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(102)、第三射頻開關(guān)(111)以及可配置輸出阻抗 匹配網(wǎng)絡(luò)(202)集成于第二集成電路芯片。
9.如權(quán)利要求6所述的射頻多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式 射頻功率放大器管芯(101)集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器(110)、第三輸出匹 配網(wǎng)絡(luò)(102)、第三射頻開關(guān)(111)、可配置射頻功率放大器管芯(201)以及可配置輸出阻 抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)集成于第二集成電路芯片。
10.如權(quán)利要求5所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，還包括第四射頻 開關(guān)(209)；第四射頻開關(guān)(209)與功率模式控制器(110)連接；射頻輸入信號(hào)直接輸入第 四射頻開關(guān)(209)的一端，第四射頻開關(guān)(209)的另一端接天線(115)；在旁路模式下，功 率模式控制器(110)關(guān)閉第四射頻開關(guān)(209)而打開第一射頻開關(guān)(113)、第二射頻開關(guān) (112)和第三射頻開關(guān)(111)，并控制高功率模式功率放大器(107)和可配置射頻功率放大 器(200)不工作。
11.如權(quán)利要求10所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，功率模式控制 器(110)、高功率模式射頻功率放大器(107)、第三射頻開關(guān)(111)、第四射頻開關(guān)(209)和 可配置射頻功率放大器(200)分別集成于第一集成電路芯片和第二集成電路芯片中。
12.如權(quán)利要求11所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式射 頻功率放大器(107)和可配置射頻功率放大器(200)集成于第一集成電路芯片，功率模式 控制器(110)、第三射頻開關(guān)(111)和第四射頻開關(guān)(209)集成于第二集成電路芯片。
13.如權(quán)利要求11所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式 射頻功率放大器管芯(101)和可配置射頻功率放大器管芯(201)集成于第一集成電路芯 片，功率模式控制器(110)、第三輸出匹配網(wǎng)絡(luò)(102)、第三射頻開關(guān)(111)、第四射頻開關(guān) (209)以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)集成于第二集成電路芯片。
14.如權(quán)利要求11所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于，高功率模式射 頻功率放大器管芯(101)集成于第一集成電路芯片，功率模式控制器(110)、第三輸出匹配 網(wǎng)絡(luò)(102)、第三射頻開關(guān)(111)、第四射頻開關(guān)(209)、可配置射頻功率放大器管芯(201) 以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)集成于第二集成電路芯片。
15.如權(quán)利要求5-14任意一項(xiàng)中所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊，其特征在于， 第一集成電路芯片采用GaAs HBT工藝制造，第二集成電路芯片采用絕緣體硅工藝制造。
16.一種移動(dòng)終端，包括基帶控制芯片(61)、前端芯片(62)、多功率模式射頻發(fā)射前端 模塊(63)以及天線(115、64)，其特征在于，所述多功率模式射頻發(fā)射前端模塊(63)為如權(quán) 利要求5-14任意一項(xiàng)中所述的多功率模式射頻發(fā)射前端模塊。全文摘要
本發(fā)明涉及可配置射頻功率放大器及包含該放大器的射頻發(fā)射前端模塊。可配置射頻功率放大器包括可配置射頻功率放大器管芯(201)以及可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)；可配置射頻功率放大器管芯(201)的輸出端與可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)連接；可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(202)具有包含電感和電容的若干阻抗電路；可配置輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)還包括射頻開關(guān)，射頻開關(guān)控制各阻抗電路導(dǎo)通或斷開。本發(fā)明減少了多功率模式射頻前端的獨(dú)立單元的數(shù)量，并在一個(gè)單模塊中集成兩塊芯片，使得多功率模式射頻發(fā)射前端模塊占用移動(dòng)終端電路板面積減小，同時(shí)也降低了移動(dòng)終端的制造成本。
文檔編號(hào)H03F3/20GK101917166SQ20101023994
公開日2010年12月15日 申請(qǐng)日期2010年7月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月28日
發(fā)明者袁志鵬, 趙冬末 申請(qǐng)人:銳迪科創(chuàng)微電子(北京)有限公司