專利名稱：多路功率mosfet驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
多路功率M0SFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路
所屬技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種短路保護(hù)電路，尤其是應(yīng)用于多路功率MOSFET驅(qū)動輸出電路的短路保護(hù)。
背景技術(shù)：
在很多控制設(shè)備會用到多路功率M0SFET驅(qū)動輸出電路，由于功率M0SFET通常只能承受毫秒級的負(fù)載短路，因此功率MOSFET驅(qū)動輸出的短路保護(hù)非常重要。目前，常用的功率M0SFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)方案有選用帶短路保護(hù)的功率M0SFET、每路功率MOSFET加自恢復(fù)保險絲等。前一方案主要缺點是帶短路保護(hù)的功率MOSFET成本高，并且這類功率M0SFET的器件型號規(guī)格少，選型比較困難；后一方案的缺點是自恢復(fù)保險絲的短路切斷速度較慢、切斷電流的離散性較大，保護(hù)不可靠，并且每路都要加自恢復(fù)保險絲，成本高、占線路板面積大。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決常規(guī)多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路存在的成本高、器件選型困難、短路切斷速度慢、保護(hù)不可靠等問題，本實用新型提供一種多路功率MOSFET驅(qū)動輸出集中短路保護(hù)的方案，具有電路簡單、成本低、保護(hù)可靠的特點。 本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是由電源電壓檢測電路、帶復(fù)位輸入腳的寄存器鎖存驅(qū)動電路、功率MOSFET輸出電路組成。其中，電源電壓檢測電路由電阻分壓、電壓檢檢測芯片構(gòu)成。在電源電壓檢測電路中，負(fù)載總電源經(jīng)由電阻分壓，然后輸入到電壓檢測芯片，電壓檢測芯片的輸出經(jīng)過由小信號MOSFET管構(gòu)成的電平匹配電路連接到寄存器復(fù)位腳，寄存器鎖存輸出連接到多路功率M0SFET，這多路功率M0SFET的驅(qū)動輸出負(fù)載共用電源。當(dāng)有功率MOSFET驅(qū)動輸出負(fù)載短路時，將引起負(fù)載總電源電壓的快速下降，此電壓下降經(jīng)分壓電路傳送到電壓檢測芯片，電壓檢測芯片迅速改變輸出狀態(tài)，經(jīng)電平匹配電路產(chǎn)生短路復(fù)位信號，復(fù)位寄存器的各路輸出，即迅速關(guān)閉所有功率MOSFET。從負(fù)載短路到關(guān)閉功率MOSFET的過程小于lms，由于功率MOSFET具有承受毫秒級的大脈沖電流能力，因此可以可靠的保護(hù)功率MOSFET。 本實用新型的有益效果是，可以可靠的保護(hù)多路功率M0SFET，免遭負(fù)載短路而損壞，并具有電路簡單、成本低、保護(hù)可靠的特點。


以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進(jìn)一步說明。 圖1是本實用新型多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路一種實施例的電路原理圖。
具體實施方式
在圖1中，U1是電壓檢測芯片，U2是具有復(fù)位腳的寄存器芯片，根據(jù)輸出路數(shù)可以是多個寄存器芯片，Q2 Q2n是多個功率MOSFET，驅(qū)動RL0 RLn多路負(fù)載，這些負(fù)載共用電源VCC1。電阻Rl、 R2串聯(lián)對負(fù)載總電源VCC1進(jìn)行分壓，分壓輸出連接到電壓檢測芯片Ul，電壓檢測芯片Ul的短路復(fù)位輸出信號連接到由小信號M0SFET管Ql和電阻R3構(gòu)成的電平匹配電路，電平匹配電路輸出連接到寄存器芯片U2的復(fù)位腳，寄存器芯片U2的鎖存輸出經(jīng)電阻R4 R4n連接到功率MOSFET Q2 Q2n，功率M0SFET驅(qū)動負(fù)載RL0 RLn，負(fù)載RL0 RLn連接到電源VCC1 。
權(quán)利要求一種多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路，其特征在于該保護(hù)電路由電源電壓檢測電路、帶復(fù)位輸入腳的寄存器鎖存驅(qū)動電路、功率MOSFET輸出電路組成，通過對負(fù)載總電源電壓的監(jiān)測，檢出功率MOSFET的驅(qū)動輸出負(fù)載短路所引起的電源電壓下降，檢出的負(fù)載短路信號連接至寄存器復(fù)位腳，快速復(fù)位寄存器來關(guān)閉所有功率MOSFET的輸出，實現(xiàn)多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路，其特征是電源電壓檢測電路由電阻分壓、電壓檢測芯片構(gòu)成，電源電壓經(jīng)電阻分壓后輸入到電壓檢測芯片，當(dāng)電源電壓因功率MOSFET驅(qū)動輸出短路引起電源電壓下降時輸出短路信號。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路，其特征是功率MOSFET輸出電路所驅(qū)動的多路負(fù)載共用電源。
專利摘要一種多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)電路，由電源電壓檢測電路、帶復(fù)位輸入腳的寄存器鎖存驅(qū)動電路、功率MOSFET輸出電路組成，通過對負(fù)載總電源電壓的監(jiān)測，檢出功率MOSFET的驅(qū)動輸出負(fù)載短路所引起的電源電壓下降，檢出的負(fù)載短路信號連接至寄存器復(fù)位腳，快速復(fù)位寄存器來關(guān)閉所有功率MOSFET的輸出，實現(xiàn)多路功率MOSFET驅(qū)動輸出短路保護(hù)。本實用新型的有益效果是，可以可靠的保護(hù)多路功率MOSFET，免遭負(fù)載短路而損壞，并具有電路簡單、成本低、保護(hù)可靠的特點。
文檔編號H03K19/007GK201523373SQ20092019046
公開日2010年7月7日 申請日期2009年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月29日
發(fā)明者陳小強(qiáng) 申請人:杭州科強(qiáng)智能控制系統(tǒng)有限公司