專利名稱：一種機(jī)械按鍵裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電路領(lǐng)域，尤其涉及一種機(jī)械按鍵裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中對于輕觸按鍵等機(jī)械按鍵信號， 一般經(jīng)過簡單的通斷判定
電路來工作，如圖l所示，SW1為機(jī)械按鍵，按鍵SW1按下時開關(guān)導(dǎo)通， A、 B兩端的電阻很小(接近0歐姆)，而按鍵未按下時開關(guān)斷開，A、 B兩 端的電阻可視為無窮大( 一般大于10M歐姆)。但是按鍵SW1在長期使用 或其他條件導(dǎo)致4^4定材料老化(如按鍵導(dǎo)電片銹蝕等)后會出現(xiàn)導(dǎo)通不良， 此時導(dǎo)通電阻較大(不是理想的接近0歐姆)，因此會導(dǎo)致后級的處理電路 誤判并可能引起誤操作。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型實(shí)施例要解決的問題在于，提供一種機(jī)械按鍵裝置，解決 由于機(jī)械按鍵材料老化導(dǎo)致電路導(dǎo)通不良的問題。
為解決上述問題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種機(jī)械按鍵裝置，包括
機(jī)械按鍵、連接于所述機(jī)械按鍵一個接腳的驅(qū)動電源、柵極連接于所 述機(jī)械按鍵另一個接腳的MOS管以及連接于所述MOS管柵極和源極之間 的泄方丈電阻，所述MOS管的漏極和源極為所述機(jī)械按4建裝置的外接引腳。
實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例具有以下有益效果
才幾械纟妄4定可以控制MOS管源才及和漏極的導(dǎo)通，將MOS管的源極和漏 極作為外接引腳連接至需要的電路中便可以通過機(jī)械按鍵控制電路的導(dǎo) 通，且可以解決由于機(jī)械按鍵材料老化導(dǎo)致電路導(dǎo)通不良的問題。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的機(jī)械"fe4楚電路示意圖2為本實(shí)用新型一種機(jī)械按鍵裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)地介紹如圖2所示為本實(shí)用新型一種機(jī)械按鍵裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，其包括
驅(qū)動電源VCC、 MOS管VI、泄放電阻R1、機(jī)械按鍵SW1;
驅(qū)動電源VCC的電壓要求滿足大于MOS管的開啟電壓Vlth和MOS管源極電壓VT2之和，同時小于MOS管搪源極最大輸入電壓Vlgs ( max )與VT2之和，即
Vlth+VT2<VCC<Vlgs (max) +VT2若VT2=0V則Vlth <VCC<Vlgs (max )
機(jī)械按鍵SW1連接于驅(qū)動電源VCC和MOS管的柵極之間，控制VCC是否在MOS管柵極施加電壓；
優(yōu)選的，MOS管VI為N溝道增強(qiáng)型MOS管(如2N7002型號)，相應(yīng)的一美殳要求漏極電壓VT1 (Vd)大于或者等于源^ L電壓VT2 (Vs);
泄放電阻Rl連接于MOS管VI的柵極和源極之間，泄放電阻Rl可以在機(jī)械按鍵SW1松開、斷開驅(qū)動電源和MOS管之間的連接后，釋放殘余在MOS管的電源，其耳又值一4殳在幾k到幾百K之間；
優(yōu)選的，本實(shí)用新型實(shí)施例還包括靜電保護(hù)穩(wěn)壓二極管VD1,其標(biāo)稱值Vp滿足
Vlth<Vp<Vlgs (max)用于保護(hù)MOS管VI不會受到高壓靜電的破壞。
工作時，機(jī)械按鍵SW1的理想電阻可視為0歐姆，當(dāng)按下SWl,則導(dǎo)通驅(qū)動電源VCC與穩(wěn)壓二極管VD1 、泄放電阻Rl以及MOS管VI柵極的電路連接，此時穩(wěn)壓二極管VD1反向電壓不導(dǎo)通，相當(dāng)于開路狀態(tài)，加在MOS管VI棚-極和源極之間的電壓Vlgs=VCC-VT2,由上述可知Vlth<Vlgs<Vlgs (max),即Vlgs大于MOS管VI的開啟電壓，MOS管VI的漏極和源極導(dǎo)通，Tl和T2的導(dǎo)通電阻可浮見為0歐姆，同時Vlgs小于Vlgs (max),保證不會石皮壞MOS管VI 。
如果機(jī)械按鍵SW1發(fā)生材料老化，此時機(jī)械按4建SW1的電阻不可牙見為0歐姆，當(dāng)按下機(jī)械按鍵SW1,加在MOS管VI柵極和源極之間的電壓Vlgs相當(dāng)于泄放電阻Rl和機(jī)械按鍵SWl串聯(lián)時泄放電阻Rl的對VCC-VT2的分壓，此時機(jī)械按鍵SW1的電阻一般不足lk歐姆，而泄放電阻Rl的取值則可以要求在10k歐姆以上，則機(jī)械按鍵SWl對于VCC-VT2的分壓可以忽略不計(jì)，Vlgs VCC-VT2;另一方面以2N7002型MOS管為例，其開啟電壓Vlth—般不足IV，其柵源極最大輸入電壓Vlgs (max)為20V左右，因此也可以將驅(qū)動電源VCC設(shè)置一個合適的電壓如5V,以保證Vlth < Vlgs< Vlgs (max ),使得MOS管VI的漏極和源極導(dǎo)通，Tl和T2導(dǎo)通。
當(dāng)有高壓靜電輸入電路時，靜電保護(hù)穩(wěn)壓二極管VD1可以將MOS管VI的柵源極電壓Vlgs穩(wěn)定為Vp，由上可知Vlth<Vp<Vlgs (max),則Vlgs滿足Vlth<Vlgs<Vlgs ( max )，保證Tl和T2的導(dǎo)通又不會損壞MOS管。
當(dāng)松開機(jī)械按鍵SWl,斷開驅(qū)動電源VCC與穩(wěn)壓二極管VD1、泄放電阻Rl以及MOS管VI柵極的電路連接，泄放電阻Rl將MOS管VI殘余的電源釋放，則MOS管VI的源極和漏極不導(dǎo)通，T1和T2之間的電阻可-見為無窮大。
最后，將MOS管VI的漏極和源極分別作為外接引腳T1和T2，便可將本實(shí)用新型實(shí)施例中的機(jī)械按鍵裝置連接至所需要的電路中，通過機(jī)械按鍵來控制電路的導(dǎo)通。
實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，通過機(jī)械按鍵可以控制MOS管源極和漏極的導(dǎo)通，且不會受到機(jī)械按鍵材料老化的影響，將MOS管的源極和漏極作為外接引腳連接至所需要的電路中，便可以通過機(jī)械按鍵控制電路的導(dǎo)通，而且能解決由于機(jī)械按鍵材料老化導(dǎo)致電路導(dǎo)通不良的問題。
最后需要說明的是，上述實(shí)施例僅為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例，依據(jù)本實(shí)用新型所作同等變換，仍屬于本實(shí)用新型保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、一種機(jī)械按鍵裝置，其特征在于，包括驅(qū)動電源、MOS管、連接于所述驅(qū)動電源和所述MOS管柵極之間的機(jī)械按鍵、以及連接于所述MOS管柵極和源極之間的泄放電阻，所述MOS管的漏極和源極為所述機(jī)械按鍵裝置的外接引腳。
2、 如權(quán)利要求1所述的機(jī)械按鍵裝置，其特征在于，還包括 連接于所述MOS管柵極和源極之間的靜電保護(hù)穩(wěn)壓二極管。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的機(jī)械按鍵裝置，其特征在于，所述MOS 管為N溝道增強(qiáng)型MOS管。
4、 如權(quán)利要求3所述的機(jī)械按鍵裝置，其特征在于，所述N溝道增強(qiáng) 型MOS管為2N7002型。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種機(jī)械按鍵裝置，其包括驅(qū)動電源、MOS管、連接于所述驅(qū)動電源和所述MOS管柵極之間的機(jī)械按鍵、以及連接于所述MOS管柵極和源極之間的泄放電阻，所述MOS管的漏極和源極為所述機(jī)械按鍵裝置的外接引腳。實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，通過機(jī)械按鍵可以控制MOS管源極和漏極的導(dǎo)通，且不會受到機(jī)械按鍵材料老化的影響，將MOS管的源極和漏極作為外接引腳連接至所需要的電路中，便可以通過機(jī)械按鍵控制電路的導(dǎo)通，能解決由于機(jī)械按鍵材料老化導(dǎo)致電路導(dǎo)通不良的問題。
文檔編號H03K17/687GK201270501SQ200820147199
公開日2009年7月8日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月5日
發(fā)明者何廣舉 申請人:康佳集團(tuán)股份有限公司