專利名稱：At切型鍍膜返回頻率和溫度頻差的關(guān)系的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本專利涉及一種表面貼裝(SMD: Surface Mount Device) AT切 型石英晶體諧振器及其相關(guān)振蕩器領(lǐng)域。適用于寬溫度變化條件下， 頻率高穩(wěn)定性AT切型石英晶體諧振器晶片的批量生產(chǎn)。
背景技術(shù)：
AT切型石英晶體由于其覆蓋頻率范圍寬，頻率穩(wěn)定性好，并且 適合小型化等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于頻率控制領(lǐng)域。近年來，市場對寬 溫小頻差高標(biāo)準(zhǔn)要求石英諧振器需求量增加，由于AT切型石英諧振 器在不同溫度下的頻率穩(wěn)定性與晶片切角有密切的關(guān)系，因此對AT 切角范圍的要求也越來越窄，但是，受石英切割以及研磨等加工因素 影響，加工后石英晶片AT切角呈正態(tài)分布，大量晶片無法滿足成品 加工所要求的窄角度范圍，從而造成生產(chǎn)上的浪費(fèi)。
為了最大限度地利用所有AT切型各種角度晶片，本發(fā)明能夠大 幅擴(kuò)展晶片可利用范圍，節(jié)約成本效果明顯。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明發(fā)現(xiàn)AT切型表面貼裝石英晶體諧振器鍍膜返回頻率和晶 體諧振器溫度頻差的相互關(guān)系。為大批量生產(chǎn)寬溫度變化范圍內(nèi)，小 溫度頻差表面貼裝石英諧振器，需要解決的技術(shù)問題是，生產(chǎn)加工中 晶片切角分布范圍過大，但可利用范圍窄。
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是 根據(jù)本發(fā)現(xiàn)所述AT切型鍍膜返回頻率對晶體諧振器溫度頻差的 相互關(guān)系，通過改變鍍膜返回頻率，改變晶體諧振器溫測RBA，等
效于改變晶片的AT切角，達(dá)到拓寬晶片AT切角可利用范圍、節(jié)約 成本的目的。
本發(fā)明的有益效果是
拓展了 AT切型表面貼裝石英晶體諧振器所有頻率段的可利用切
角范圍，具體拓展程度，受成品標(biāo)稱頻率、溫度范圍、溫度頻率變化
指標(biāo)因素影響各有不同。如，在標(biāo)稱頻率為40MHz、 0 85。C溫度范 圍內(nèi)、溫度頻差《9 ppm的成品指標(biāo)下，AT切角加工可利用范圍可 以拓展100%以上。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)晶片切角與鍍膜返回頻率的關(guān)系式，將晶片實(shí)際物理AT切角 代入，計(jì)算出目標(biāo)鍍膜返回頻率，變相改變AT切角至目標(biāo)RBA范 圍之內(nèi)，使晶片溫度特性達(dá)到預(yù)期要求。具體步驟如下
1、 測試ZZ'中心切角^,晶片，在鍍膜返回頻率巧下，對應(yīng)成品 溫測相對基準(zhǔn)中心切角。
2、 測試ZZ'中心切角4晶片，在鍍膜返回頻率《下，對應(yīng)成品溫 測相對基準(zhǔn)中心切角i A4,'。
3、 計(jì)算鍍膜返回頻率與相對基準(zhǔn)切角比例系數(shù)r=K 。
4、 若使用ZZ'中心切角4晶片，可以通過改變鍍膜返回頻率至《， 得到溫測相對基準(zhǔn)中心角度為i 5^的效果。其中，巧="(4-^) + 5。 5、若使用ZZ'中心切角4晶片，可以通過改變鍍膜返回頻率至 F:,，得到溫測相對基準(zhǔn)中心角度為i A42的效果。其中
權(quán)利要求
1.一種AT切型表面貼裝石英晶體諧振器溫度頻差與鍍膜返回頻率的相互關(guān)系。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種AT切型石英諧振器晶片加工工藝，其 特征是通過改變晶片鍍膜返回頻率，達(dá)到改變石英諧振器溫測 RBA及溫度頻差的目的。
全文摘要
本發(fā)明公開了AT切型表面貼裝石英晶體諧振器晶片鍍膜返回頻率影響石英晶體諧振器RBA從而改變其溫度頻差的相互關(guān)系，根據(jù)其相互關(guān)系規(guī)律，通過改變晶片鍍膜返回頻率，拓展AT切角晶片可利用范圍，是批量生產(chǎn)寬溫度范圍、小溫度頻差表面貼裝石英晶體諧振器的一種高效的生產(chǎn)工藝。
文檔編號H03H3/04GK101350606SQ20081012643
公開日2009年1月21日 申請日期2008年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月26日
發(fā)明者吳敬軍, 平 武, 牛文婧 申請人:廊坊中電大成電子有限公司