專(zhuān)利名稱(chēng)：具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器及載波泄露校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種混頻器，特別有關(guān)于一種具有自我載波泄露校正機(jī) 制的混頻器及載波泄露校正方法。
背景技術(shù)：
無(wú)線(xiàn)通信已經(jīng)被廣泛的運(yùn)用在多種應(yīng)用上。
一般來(lái)說(shuō)，每一個(gè)無(wú)線(xiàn)通信裝置需要無(wú)線(xiàn)電收發(fā)器(radio transceiver)，即包括接收器與發(fā)射器。隨著對(duì) 更佳效能的要求，直接轉(zhuǎn)換技術(shù)(direct conversion technology)因其所需的小 體積，低成本及更少的功率消耗而被廣泛使用。然而，在直接轉(zhuǎn)換發(fā)射器(direct conversion transmitter)中，必須克服本地振蕩器頻率牽弓l (LO pulling)，由 同相/正交因子(In-phase-Quadrature components,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為I-Q)直流偏移 產(chǎn)生的射頻載波泄露(RF carrier leakage)以及I-Q增益/相位不平衡的問(wèn)題。圖1為調(diào)變器輸出的漏電流影響的電路示意圖。輸入級(jí)11將兩個(gè)差動(dòng)輸 入信號(hào)Vp與Vn提供至互導(dǎo)級(jí)(gm stage)13。本地振蕩器在載波頻率上產(chǎn)生兩 個(gè)差動(dòng)信號(hào)。在直接轉(zhuǎn)換調(diào)變(direct conversion modulation)處理中，載波功 率(carrier power)理論上是應(yīng)該完全被消除掉的，但是在實(shí)際操作中，很難 真的把載波完全消除。不希望得到的載波，如本地振蕩器泄露(local oscillator leakage)，會(huì)降低混頻器12的效能。當(dāng)晶體管Ml與M2的偏壓電流(bias current)不匹配時(shí)，本地振蕩器差動(dòng)信號(hào)LOn與LOp會(huì)泄露到調(diào)變器的輸出 RF。utp或RF。她。假設(shè)晶體管M1的偏壓電流為(I+Ai)，晶體管M2的偏壓電 流為(I-Ai)，則本地振蕩器差動(dòng)信號(hào)LOn為-Au)COS(coLot)，本地振蕩器差 動(dòng)信號(hào)LOp為ALOCOS(coLOt)，因此調(diào)變器的輸出RF。utp可由下列式子表示RF0Utp= (LOp(I+Ai) + LOn(I-Ai)} Lload=2Ai ALOCOS(coLOt)Lload.可以很明顯的觀察到，混頻器12的輸出信號(hào)包括了來(lái)自本地震蕩差動(dòng)信 號(hào)LOp的不想要的項(xiàng)Au)COS(c^ot)。為了得到更好的效能，應(yīng)盡可能的最小 化載波泄露，因此需要校正裝置來(lái)降低Ai的值。圖2為相關(guān)技術(shù)中所揭露的載波泄露校正系統(tǒng)。泄露檢測(cè)器22接收直接 升頻發(fā)射器(direct up transmitter) 21的輸出信號(hào)作為反饋信號(hào)以檢測(cè)載波泄 露，并傳送檢測(cè)結(jié)果至校正演算單元(correction algorithm) 23。校正演算單 元23接收檢測(cè)結(jié)果以產(chǎn)生數(shù)字值，并輸出數(shù)字值到數(shù)模轉(zhuǎn)換器24與25。數(shù) 模轉(zhuǎn)換器24與25分別輸出補(bǔ)償同相調(diào)變(in-phase modulation)信號(hào)1。(t)以及 補(bǔ)償正交調(diào)變(quadrature modulation)信號(hào)Q,至同相調(diào)變信號(hào)I(t)與正交調(diào)變信號(hào)Q(t)，用以校正載波泄露。圖3為相關(guān)技術(shù)中所揭露的具有反饋補(bǔ)償路徑(compensation feedback path)的直接升頻發(fā)射器。損傷檢測(cè)器(impairment detector) 31測(cè)量直接升 頻轉(zhuǎn)換器33的輸出的信號(hào)損傷，并產(chǎn)生反饋信號(hào)34至損傷補(bǔ)償單元32?；?頻處理器35產(chǎn)生同相數(shù)字基頻信號(hào)I與正交相(quadrature-phase)數(shù)字基頻 信號(hào)Q用以使用在射頻傳輸上。同相基頻信號(hào)I與正交相基頻信號(hào)Q在損傷 補(bǔ)償單元32的模擬轉(zhuǎn)換之前就被修正好。接著，修正好的同相基頻信號(hào)I與 正交相基頻信號(hào)Q通過(guò)數(shù)模轉(zhuǎn)換器36轉(zhuǎn)換到模擬域(analog domain)。直接 升頻轉(zhuǎn)換器33合并模擬的基頻信號(hào)與來(lái)自頻率合成器(fr叫uency synthesizer) 38的射頻載波信號(hào)37。損傷補(bǔ)償單元32使用反饋信號(hào)34以預(yù)先使同相基頻 信號(hào)I與正交相基頻信號(hào)Q失真，如此，可通過(guò)預(yù)先失真消除任何由直接升 頻轉(zhuǎn)換器33中的損傷產(chǎn)生的失真。發(fā)明內(nèi)容為解決現(xiàn)有技術(shù)中的載波泄露問(wèn)題，本發(fā)明揭露一種具有自我載波泄露 校正機(jī)制的混頻器，可通過(guò)降低混頻器內(nèi)的電流不匹配校正載波泄露。本發(fā)明的一實(shí)施方式提供一種具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，包 括雙平衡混頻器、互導(dǎo)級(jí)、電流復(fù)制電路以及電流測(cè)量電路?；?dǎo)級(jí)耦接雙 平衡混頻器，包括第一處理單元以及第二處理單元。電流復(fù)制電路耦接互導(dǎo) 級(jí)，選擇第一處理單元與第二處理單元中的一個(gè)，用以復(fù)制被選擇到的處理 單元的復(fù)制電流。電流測(cè)量電路耦接互導(dǎo)級(jí)，分別接收第一處理單元與第二 處理單元的復(fù)制電流，并根據(jù)第一處理單元與第二處理單元的電流差值產(chǎn)生 補(bǔ)償電流。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種載波泄露校正方法，適用于混頻器，混頻器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與互導(dǎo)級(jí)，所述的方法包括關(guān)閉轉(zhuǎn)換級(jí)；初始化載波泄露檢 測(cè)單元；自互導(dǎo)級(jí)復(fù)制復(fù)制電流；以復(fù)制電流對(duì)電容充電；計(jì)數(shù)電流被充電 到參考電壓的充電時(shí)間；以及根據(jù)充電時(shí)間決定補(bǔ)償電流。本發(fā)明的另一實(shí)施方式提供一種載波泄露校正方法，適用于混頻器，混 頻器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與互導(dǎo)級(jí)，互導(dǎo)級(jí)包括第一處理單元以及第二處理單元，所 述的方法包括關(guān)閉轉(zhuǎn)換級(jí)；選擇第一處理單元；自第一處理單元復(fù)制第一電 流；以第一電流對(duì)電容充電并開(kāi)始往上計(jì)數(shù)第一計(jì)數(shù)值；當(dāng)電容被完全充電 后，停止往上計(jì)數(shù)；對(duì)電容放電；選擇第二處理單元；自第二處理單元復(fù)制 第二電流；以第二電流對(duì)電容充電，并從第一計(jì)數(shù)值開(kāi)始往下計(jì)數(shù)；當(dāng)電容 被完全充電后，停止往下計(jì)數(shù)；得到剩余計(jì)數(shù)值；根據(jù)剩余計(jì)數(shù)值產(chǎn)生補(bǔ)償 電流。上述具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器及載波泄露校正方法可通過(guò)產(chǎn) 生的補(bǔ)償電流降低存在于混頻器內(nèi)的電流不匹配，從而校正載波泄露。


圖1為調(diào)變器輸出的漏電流影響的電路示意圖。圖2為相關(guān)技術(shù)所揭露的載波泄露校正系統(tǒng)的示意圖。圖3為相關(guān)技術(shù)所揭露的具有反饋補(bǔ)償路徑的直接升頻發(fā)射器的示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器的 功能方塊示意圖。圖5為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器的功能方塊示意圖。圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的功能方塊示意圖。圖7為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。圖8為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。圖10為根據(jù)本發(fā)明的混頻器中的載波泄露校正方法一實(shí)施方式的流程圖。圖11為根據(jù)本發(fā)明的混頻器中的載波泄露校正方法另一實(shí)施方式的流程圖。圖12為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。
具體實(shí)施方式
為了讓本發(fā)明的目的、特征、及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施 方式。本發(fā)明說(shuō)明書(shū)提供不同的實(shí)施方式來(lái)說(shuō)明本發(fā)明不同實(shí)施方式的技術(shù) 特征，并非用以限制本發(fā)明。因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定的 范圍為準(zhǔn)。圖4為根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器的 功能方塊示意圖。輸入級(jí)401產(chǎn)生并傳送一對(duì)差動(dòng)信號(hào)至互導(dǎo)級(jí)(gmstage)403?；?dǎo)級(jí)403更耦接雙平衡混頻器402 (或稱(chēng)轉(zhuǎn)換級(jí)(switching stage))。 互導(dǎo)級(jí)403包括第一處理單元404與第二處理單元405。當(dāng)載波泄露校正機(jī)制 運(yùn)作時(shí)，雙平衡混頻器402會(huì)被關(guān)閉。電流復(fù)制電路406復(fù)制來(lái)自第一處理 單元404的第一電流或來(lái)自第二處理單元405的第二電流，并以復(fù)制的電流 對(duì)電容C,充電。比較器407具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中 第一輸入端耦接于電流復(fù)制電路406與電容Q之間，第二輸入端接收參考電 壓Vref。當(dāng)載波泄露校正開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，電容Q先被放電，且當(dāng)電容d被完全 放電后，比較器407輸出開(kāi)始計(jì)數(shù)(start-counting)信號(hào)至控制器408。當(dāng)電 容C,被完全充電后，比較器407輸出停止計(jì)數(shù)(stop-counting)信號(hào)至控制器 408，且開(kāi)關(guān)SW1在電容C,與地電位之間形成電性連接，用以對(duì)電容C,放電。 控制器408包括計(jì)數(shù)器409與數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元410。計(jì)數(shù)器409根據(jù)開(kāi)始計(jì) 數(shù)信號(hào)開(kāi)始計(jì)數(shù)，并根據(jù)停止計(jì)數(shù)信號(hào)停止計(jì)數(shù)。當(dāng)計(jì)數(shù)器409停止計(jì)數(shù)時(shí)， 產(chǎn)生且傳送計(jì)數(shù)值到數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元410，用以產(chǎn)生數(shù)字編碼。電流補(bǔ)償單 元411根據(jù)數(shù)字編碼產(chǎn)生并輸入對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流至第一處理單元404或第二 處理單元405。在另一實(shí)施方式中，電容Q分別由第一電流與第二電流充電，用以得到 第一計(jì)數(shù)值與第二計(jì)數(shù)值。第一計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)于以第一電流充電電容Q到參考 電壓的第一充電時(shí)間。第二計(jì)數(shù)值對(duì)應(yīng)于以第二電流充電電容Ci到參考電壓 的第二充電時(shí)間。計(jì)數(shù)器409產(chǎn)生第一計(jì)數(shù)值與第二計(jì)數(shù)值之間的差值并傳 送到數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元410。電流補(bǔ)償單元411根據(jù)差值產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流 并輸入至第一處理單元404或第二處理單元405。換言之，補(bǔ)償電流會(huì)根據(jù)第 一充電時(shí)間與第二充電時(shí)間而變化。在另一實(shí)施方式中，計(jì)數(shù)器409對(duì)第一 充電時(shí)間往上計(jì)數(shù)(up-counting)以得到第一計(jì)數(shù)值，并對(duì)第二充電時(shí)間自第 一計(jì)數(shù)值開(kāi)始往下計(jì)數(shù)(down-counting)，以得到余值(residual value)。接 著，電流補(bǔ)償單元411根據(jù)余值產(chǎn)生補(bǔ)償電流。圖5為根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器的功能方塊示意圖。輸入級(jí)501產(chǎn)生并傳送一對(duì)差動(dòng)信號(hào)至互導(dǎo)級(jí)503?；?導(dǎo)級(jí)503更耦接轉(zhuǎn)換級(jí)(switching stage) 502?；?dǎo)級(jí)503包括第一處理單元 504與第二處理單元505。第二開(kāi)關(guān)SW2與第三開(kāi)關(guān)SW3，分別耦接第一處 理單元504與第二處理單元505。在本實(shí)施方式中，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始 運(yùn)作時(shí)，第二開(kāi)關(guān)SW2與第三開(kāi)關(guān)SW3中只有一個(gè)導(dǎo)通。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)， 當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，轉(zhuǎn)換級(jí)502會(huì)被關(guān)閉。電流鏡電路506復(fù) 制來(lái)自第一處理單元504的第一電流或來(lái)自第二處理單元505的第二電流， 并通過(guò)電流鏡電路506的輸出端對(duì)電容C充電。電容C具有耦接電流鏡電路 506的輸出端的第一端，以及耦接于地電位的第二端。第一比較器507具有第 一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端耦接電流鏡電路506的 輸出端，第二輸入端接收參考電壓Vref，以及輸出端耦接于控制器508。當(dāng)電 容C開(kāi)始被充電時(shí)，第一比較器507輸出開(kāi)始計(jì)數(shù)信號(hào)至控制器508，用以 計(jì)數(shù)充電時(shí)間。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，電容C在被來(lái)自互導(dǎo)級(jí)503的電流充電之前 就應(yīng)該被完全的放電。第一開(kāi)關(guān)SW1具有第一端與第二端，其中第一端耦接 電容C的第一端，第二端耦接于地電位。當(dāng)電容C被完全充電后，例如電容 C的第一端的電壓相等于參考電壓Vref，第一開(kāi)關(guān)SW1被導(dǎo)通用以對(duì)電容C 放電。同一時(shí)間，第一比較器507輸出停止計(jì)數(shù)信號(hào)至控制器508?？刂破?508決定電容C的充電時(shí)間，轉(zhuǎn)換為數(shù)字編碼并傳送至電流補(bǔ)償單元511用 以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。在一實(shí)施方式中，電容C分別被第一電流與第二電流充電。充電程序與 放電程序分別使用于電容C。首先，先將電容C完全放電。第二，電容C被 第一電流充電，而且得到對(duì)應(yīng)于第一充電時(shí)間的第一計(jì)數(shù)值。第三，再次對(duì) 電容C完全放電。第四，電容C被第二電流充電，而且得到對(duì)應(yīng)于第二充電 時(shí)間的第二計(jì)數(shù)值。電流補(bǔ)償單元511根據(jù)第一充電時(shí)間與第二充電時(shí)間產(chǎn) 生補(bǔ)償電流?？刂破?08包括計(jì)數(shù)器509以及數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元510。計(jì)數(shù)器509根據(jù)參考時(shí)鐘信號(hào)(圖上未繪出)運(yùn)作，以產(chǎn)生第一計(jì)數(shù)值與第二計(jì)數(shù)值。數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元510接收第一計(jì)數(shù)值或第二計(jì)數(shù)值并轉(zhuǎn)換為第一數(shù)字編碼或第 二數(shù)字編碼。電流補(bǔ)償單元511則根據(jù)第一數(shù)字編碼或第二數(shù)字編碼產(chǎn)生補(bǔ) 償電流。在一實(shí)施方式中，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換 單元510傳送初始碼至電流補(bǔ)償單元511以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。在另一實(shí)施方式 中，計(jì)數(shù)器509對(duì)第一充電時(shí)間往上計(jì)數(shù)以得到第一計(jì)數(shù)值，并對(duì)第二充電 時(shí)間由第一計(jì)數(shù)值開(kāi)始往下計(jì)數(shù)，以得到余值。接著，電流補(bǔ)償單元511根 據(jù)余值產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流。電流補(bǔ)償單元511包括兩個(gè)數(shù)字控制電流產(chǎn)生器，分別是第一電流產(chǎn)生 器(或稱(chēng)為第一電流補(bǔ)償單元)512與第二電流產(chǎn)生器(或稱(chēng)為第二電流補(bǔ)償 單元)513，分別耦接第一處理單元504與第二處理單元505。在一實(shí)施方式 中，第一電流產(chǎn)生器512與第二電流產(chǎn)生器513為數(shù)模轉(zhuǎn)換器(Digital to Analog Converter, DAC)。第一處理單元504包括第二比較器514，第一晶體 管M1以及第一負(fù)載(loader)(圖上未標(biāo)號(hào))。第二比較器514具有第一輸 入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)501的 差動(dòng)信號(hào)。第一晶體管M1具有控制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接第 二比較器514的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)502，輸出端耦接第一負(fù)載。第二 處理單元505包括第三比較器515，第二晶體管M2以及第二負(fù)載(圖上未標(biāo) 號(hào))。第三比較器515具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一 輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)501的差動(dòng)信號(hào)。第二晶體管M2具有控制端，輸 入端與輸出端，其中控制端耦接第三比較器515的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換 級(jí)502，輸出端耦接第二負(fù)載。當(dāng)電流補(bǔ)償單元511輸出補(bǔ)償電流至第二比較 器514與第三比較器515時(shí)，第二比較器514與第三比較器515的輸出端的 電壓改變，而且流經(jīng)第一晶體管M1與第二晶體管M2的電流也會(huì)改變。如此 一來(lái)，存在于第一晶體管M1與第二晶體管M2之間的電流不匹配就可以被降 低。圖6為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器的功能方塊示意圖。輸入級(jí)601產(chǎn)生并傳送一對(duì)差動(dòng)信號(hào)至互導(dǎo)級(jí)603。互導(dǎo) 級(jí)603包括第一處理單元604與第二處理單元605。第一處理單元604包括第 二比較器614，第一晶體管M1以及第一負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第二比較器614 具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸 入級(jí)601的差動(dòng)信號(hào)。第一晶體管M1具有控制端，輸入端與輸出端，其中控 制端耦接第二比較器614的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)602，輸出端耦接第一 負(fù)載。第二處理單元605包括第三比較器615，第二晶體管M2以及第二負(fù)載 (圖上未標(biāo)號(hào))。第三比較器615具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端， 其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)601的差動(dòng)信號(hào)。第二晶體管M2具有控 制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接第三比較器615的輸出端，輸入端 耦接轉(zhuǎn)換級(jí)602，輸出端耦接第二負(fù)載。第二開(kāi)關(guān)SW2具有第一端與第二端，其中第一端耦接第一晶體管M1的 輸入端。第三開(kāi)關(guān)SW3具有第一端與第二端，第一端耦接第二開(kāi)關(guān)SW2的 第二端，第二端耦接第二晶體管M2的輸入端。在本實(shí)施方式中，當(dāng)載波泄露 校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，第二開(kāi)關(guān)SW2與第三幵關(guān)SW3中只有一個(gè)導(dǎo)通。更 進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，轉(zhuǎn)換級(jí)602會(huì)被關(guān)閉。電流鏡電路606復(fù)制來(lái)自第一處理單元604的第一電流或來(lái)自第二處理 單元605的第二電流，并通過(guò)電流鏡電路606的輸出端對(duì)電容C充電。電容 C具有耦接電流鏡電路606的輸出端的第一端，以及耦接于地電位的第二端。 第一比較器607具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端 耦接電流鏡電路606的輸出端，第二輸入端接收參考電壓Vref，以及輸出端 耦接控制器608。當(dāng)電容C開(kāi)始被充電時(shí)，第一比較器607輸出開(kāi)始計(jì)數(shù)信 號(hào)至控制器608，用以計(jì)數(shù)充電時(shí)間。更進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，電容C在被來(lái)自互導(dǎo) 級(jí)603的電流充電之前就應(yīng)該被完全的放電。第一開(kāi)關(guān)SW1具有第一端與第 二端，其中第一端耦接電容C的第一端，所述的第二端耦接于地電位。當(dāng)電15容C被完全充電后，例如電容C的第一端的電壓相等于參考電壓Vmf，第一 開(kāi)關(guān)SW1被導(dǎo)通用以對(duì)電容C放電。同一時(shí)間，第一比較器607輸出停止計(jì) 數(shù)信號(hào)至控制器608。之后，控制器608決定電容C的充電時(shí)間，轉(zhuǎn)換為數(shù) 字編碼并傳送至電流補(bǔ)償單元611用以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。在圖6中，電流產(chǎn)生器616并聯(lián)于電容C。如果電容C的電容值過(guò)大， 充電電流又不夠大，可能會(huì)造成充電時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，而引起不必要的延遲。因此， 在本實(shí)施方式中，電流產(chǎn)生器616可以提供固定電流給電容C充電，用以減 少電容C的充電時(shí)間。另一方面來(lái)說(shuō)，電流產(chǎn)生器616亦可以提供固定的負(fù) 電流給電容C充電，用以增加電容C的充電時(shí)間，使得電流補(bǔ)償單元611產(chǎn) 生更精準(zhǔn)的補(bǔ)償電流。在一實(shí)施方式中，電容C分別被第一電流與第二電流充電。充電程序與 放電程序分別使用于電容C。首先，將電容C完全放電。第二，電容C被第 一電流充電，而且得到對(duì)應(yīng)于第一充電時(shí)間的第一計(jì)數(shù)值。第三，再次對(duì)電 容C完全放電。第四，電容C被第二電流充電，而且得到對(duì)應(yīng)于第二充電時(shí) 間的第二計(jì)數(shù)值。電流補(bǔ)償單元611根據(jù)第一充電時(shí)間與第二充電時(shí)間產(chǎn)生 補(bǔ)償電流?？刂破?08包括計(jì)數(shù)器609以及數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元610。計(jì)數(shù)器609根據(jù) 參考時(shí),鐘信號(hào)(圖上未繪出)運(yùn)作，以產(chǎn)生第一計(jì)數(shù)值與第二計(jì)數(shù)值。數(shù)字 編碼轉(zhuǎn)換單元610接收第一計(jì)數(shù)值或第二計(jì)數(shù)值并轉(zhuǎn)換為第一數(shù)字編碼或第 二數(shù)字編碼。電流補(bǔ)償單元611則根據(jù)第一數(shù)字編碼或第二數(shù)字編碼產(chǎn)生補(bǔ) 償電流。在一實(shí)施方式中，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換 單元610傳送初始碼至電流補(bǔ)償單元611以產(chǎn)生補(bǔ)償電流。在另一實(shí)施方式 中，計(jì)數(shù)器609對(duì)第一充電時(shí)間往上計(jì)數(shù)以得到第一計(jì)數(shù)值，并對(duì)第二充電 時(shí)間由第一計(jì)數(shù)值開(kāi)始往下計(jì)數(shù)，以得到余值。接著，電流補(bǔ)償單元611根 據(jù)余值產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流。電流補(bǔ)償單元611包括兩個(gè)數(shù)字控制電流產(chǎn)生器，分別是第一電流產(chǎn)生器612與第二電流產(chǎn)生器613，分別耦接第一處理單元604與第二處理單元 605。在一實(shí)施方式中，第一電流產(chǎn)生器612與第二電流產(chǎn)生器613為數(shù)模轉(zhuǎn) 換器。第一處理單元604包括第二比較器614，第一晶體管M1以及第一負(fù)載 (圖上未標(biāo)號(hào))。第二比較器614具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端， 其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)601的差動(dòng)信號(hào)。第一晶體管M1具有控 制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接第二比較器614的輸出端，輸入端 耦接轉(zhuǎn)換級(jí)602，輸出端耦接第一負(fù)載。第二處理單元605包括第三比較器 615，第二晶體管M2以及第二負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第三比較器615具有第 一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)601 的差動(dòng)信號(hào)。第二晶體管M2具有控制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接 第三比較器615的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)602，輸出端耦接第二負(fù)載。當(dāng) 電流補(bǔ)償單元611輸出補(bǔ)償電流至第二比較器614與第三比較器615時(shí)，第 二比較器614與第三比較器615的輸出端的電壓改變，而且流經(jīng)第一晶體管 M1與第二晶體管M2的電流也會(huì)改變。如此一來(lái)，存在于第一晶體管M1與 第二晶體管M2之間的電流不匹配就可以被降低。圖7與圖8為根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的 混頻器的電路示意圖。圖7與圖8所示的混頻器的運(yùn)作方式與連接關(guān)系分別 與圖5、圖6所示的混頻器相似。唯一不同處在于電流補(bǔ)償單元(如電流補(bǔ)償 單元711與811)的位置。在圖7與圖8中，電流補(bǔ)償單元是與第一處理單元 及第二處理單元并聯(lián)。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，除了電流補(bǔ)償單元外，其余混頻器的 組件的運(yùn)作方式與連接關(guān)系在此略過(guò)不提，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)前述 說(shuō)明而了解圖7與圖8的電路的運(yùn)作方式與功能。圖9為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。圖9所示的混頻器的運(yùn)作方式與連接關(guān)系與圖7所示的混頻 器的運(yùn)作方式與連接關(guān)系相似。唯一不同處在于互導(dǎo)級(jí)92為差動(dòng)對(duì)電路 (differential pair circuit)，用以直接接收一對(duì)差動(dòng)信號(hào)。為了簡(jiǎn)化說(shuō)明，除了互導(dǎo)級(jí)92外，其余混頻器的組件的運(yùn)作方式與連接關(guān)系在此略過(guò)不提，本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)前述說(shuō)明而了解圖9的電路的運(yùn)作方式與功能。圖10為根據(jù)本發(fā)明的混頻器中的載波泄露校正方法的一實(shí)施方式的流程 圖?；祛l器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與互導(dǎo)級(jí)，且圖IO所示的載波泄露校正方法用以解決 互導(dǎo)級(jí)內(nèi)的電流不匹配的問(wèn)題。在步驟S101中，關(guān)閉轉(zhuǎn)換級(jí)，且在步驟S102 中，決定對(duì)應(yīng)初始補(bǔ)償電流的初始數(shù)字編碼。在步驟S103中，對(duì)電容放電， 接著在步驟S104中，選擇互導(dǎo)級(jí)中的一個(gè)分支(branch)，并利用電流復(fù)制 電路復(fù)制流經(jīng)被選擇的分支的電流。在本實(shí)施方式中，互導(dǎo)級(jí)包括兩個(gè)分支， 如圖4到圖9中所示的兩個(gè)處理單元。在步驟S105中，用復(fù)制的電流對(duì)電容 充電，并利用計(jì)數(shù)器往上計(jì)數(shù)充電時(shí)間。當(dāng)電容的電壓Vc與參考電壓Vref 相等時(shí)，計(jì)數(shù)器停止計(jì)數(shù)并在步驟S106中得到計(jì)數(shù)值。在步驟S107中，電 容再次被放電到OV。當(dāng)電容被完全放電后，選擇互導(dǎo)級(jí)中的另一分支，并在 步驟S108中利用電流復(fù)制電路復(fù)制流經(jīng)被選擇的分支的電流。在步驟S109 中，用復(fù)制的電流對(duì)電容充電，并利用計(jì)數(shù)器從步驟S106中得到的計(jì)數(shù)值往 下計(jì)數(shù)充電時(shí)間。當(dāng)電容的電壓Vc與參考電壓Vref相等時(shí)，計(jì)數(shù)器停止計(jì) 數(shù)并在步驟SllO中得到剩余計(jì)數(shù)值。在步驟S111中，通過(guò)數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單 元轉(zhuǎn)換剩余計(jì)數(shù)值為數(shù)字編碼。在步驟S113中，電流補(bǔ)償單元根據(jù)步驟Slll 中所產(chǎn)生的數(shù)字編碼產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流。接著，在步驟S112中，以步驟S111 中產(chǎn)生的數(shù)字編碼取代初始數(shù)字編碼。圖11為根據(jù)本發(fā)明的混頻器中的載波泄露校正方法的另一實(shí)施方式的流 程圖?；祛l器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與互導(dǎo)級(jí)，且圖ll所示的載波泄露校正方法用以解 決互導(dǎo)級(jí)內(nèi)的電流不匹配的問(wèn)題。在步驟SllOl中，關(guān)閉轉(zhuǎn)換級(jí)，且在步驟 S1102中，決定對(duì)應(yīng)初始補(bǔ)償電流的初始數(shù)字編碼。步驟S1103中，互導(dǎo)級(jí)被 切換(switch)為耦接至電流鏡電路，用以復(fù)制互導(dǎo)級(jí)中的電流。在步驟S1104 中，電容初始是完全放電狀態(tài)，接著在步驟S1105中，選擇互導(dǎo)級(jí)中的一個(gè) 分支，并利用電流鏡電路復(fù)制流經(jīng)被選擇的分支的電流。在本實(shí)施方式中，互導(dǎo)級(jí)包括了兩個(gè)分支，如圖4到圖9中所示的兩個(gè)處理單元。在步驟S1106 中，以復(fù)制的電流對(duì)電容充電，并利用計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)第一充電時(shí)間。當(dāng)電容的 電壓Vc與參考電壓Vref相等時(shí)，計(jì)數(shù)器停止計(jì)數(shù)并在步驟S1107中得到第 一計(jì)數(shù)值。在步驟S1108中，電容再次被放電到OV。當(dāng)電容被完全放電后， 在步驟S1109中選擇互導(dǎo)級(jí)中的另一分支，并利用電流鏡電路復(fù)制流經(jīng)所選 擇的分支的電流。在步驟S1110中，以復(fù)制的電流對(duì)電容充電，并利用計(jì)數(shù) 器計(jì)數(shù)第二充電時(shí)間。當(dāng)電容的電壓Vc與參考電壓Vref相等時(shí)，計(jì)數(shù)器停 止計(jì)數(shù)并在步驟S1110中得到第二計(jì)數(shù)值。在步驟Sllll與步驟S1112中， 第一計(jì)數(shù)值與第二計(jì)數(shù)值的差值通過(guò)數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元轉(zhuǎn)換為數(shù)字編碼。在 步驟S1114中，電流補(bǔ)償單元根據(jù)步驟S1112中所產(chǎn)生的數(shù)字編碼產(chǎn)生對(duì)應(yīng) 的補(bǔ)償電流。接著，在步驟S1113中，以步驟S1112中所產(chǎn)生的數(shù)字編碼取 代初始數(shù)字編碼。圖12為根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器 的電路示意圖。輸入級(jí)1201產(chǎn)生并傳送一對(duì)差動(dòng)信號(hào)至互導(dǎo)級(jí)1203?；?dǎo)級(jí) 1203包括第一處理單元1204與第二處理單元1205。第一處理單元1204包括 第二比較器1214，第一晶體管M1以及第一負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第二比較 器1214具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端用以接收 來(lái)自輸入級(jí)1201的差動(dòng)信號(hào)。第一晶體管M1具有控制端，輸入端與輸出端， 其中控制端耦接第二比較器1214的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)1202，輸出端 耦接第一負(fù)載。第二處理單元1205包括第三比較器1215，第二晶體管M2以 及第二負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第三比較器1215具有第一輸入端、第二輸入端 以及輸出端，其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)1201的差動(dòng)信號(hào)。第二晶 體管M2具有控制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接第三比較器1215的 輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)1202，輸出端耦接第二負(fù)載。第二開(kāi)關(guān)SW2具有第一端與第二端，其中第一端耦接第一晶體管M1的 輸入端。第三開(kāi)關(guān)SW3具有第一端與第二端，第一端耦接第二開(kāi)關(guān)SW2的第二端，第二端耦接第二晶體管M2的輸入端。在本實(shí)施方式中，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，第二開(kāi)關(guān)SW2與第三開(kāi)關(guān)SW3中只有一個(gè)導(dǎo)通。更 進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，當(dāng)載波泄露校正機(jī)制開(kāi)始運(yùn)作時(shí)，轉(zhuǎn)換級(jí)1202會(huì)被關(guān)閉。電流鏡電路1206復(fù)制來(lái)自第一處理單元1204的第一電流或來(lái)自第二處 理單元1205的第二電流，并通過(guò)電流鏡電路1206的輸出端將復(fù)制的電流傳 送到電阻R。電阻R具有第一端，耦接電流鏡電路1206的輸出端，以及第二 端，耦接于地電位。第一比較器1207具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出 端，其中第一輸入端耦接電流鏡電路1206的輸出端，第二輸入端接收參考電 壓Vref，以及輸出端耦接控制器1208。第一比較器1207比較電流鏡電路1206 的輸出端的電壓與參考電壓Vref，用以將比較信號(hào)輸入至控制器1208。接著， 控制器1208將比較信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字編碼，并傳送至電流補(bǔ)償單元1211用以 產(chǎn)生補(bǔ)償電流。比較信號(hào)例如為電流鏡電路1206的輸出端的電壓與參考電壓 之間的電壓差。電流補(bǔ)償單元1211包括兩個(gè)數(shù)字控制電流產(chǎn)生器，分別是第一電流產(chǎn)生 器1212與第二電流產(chǎn)生器1213，分別耦接第一處理單元1204與第二處理單 元1205。在一實(shí)施方式中，第一電流產(chǎn)生器1212與第二電流產(chǎn)生器1213為 數(shù)模轉(zhuǎn)換器。第一處理單元1204包括第二比較器1214，第一晶體管M1以及 第一負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第二比較器1214具有第一輸入端、第二輸入端以 及輸出端，其中第一輸入端用以接收來(lái)自輸入級(jí)1201的差動(dòng)信號(hào)。第一晶體 管M1具有控制端，輸入端與輸出端，其中控制端耦接第二比較器1214的輸 出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)1202，輸出端耦接第一負(fù)載。第二處理單元1205包 括第三比較器1215，第二晶體管M2以及第二負(fù)載(圖上未標(biāo)號(hào))。第三比 較器1215具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中第一輸入端用以接 收來(lái)自輸入級(jí)1201的差動(dòng)信號(hào)。第二晶體管M2具有控制端，輸入端與輸出 端，其中控制端耦接第三比較器1215的輸出端，輸入端耦接轉(zhuǎn)換級(jí)1202，輸 出端耦接第二負(fù)載。當(dāng)電流補(bǔ)償單元1211輸出補(bǔ)償電流至第二比較器121420與第三比較器1215時(shí)，第二比較器1214與第三比較器1215的輸出端的電壓 改變，而且流經(jīng)第一晶體管M1與第二晶體管M2的電流也會(huì)改變。如此一來(lái)， 存在于第一晶體管M1與第二晶體管M2之間的電流不匹配就可以被降低。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，依據(jù) 本發(fā)明實(shí)施方式的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜 上所述，本說(shuō)明書(shū)內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器包括雙平衡混頻器；互導(dǎo)級(jí)，耦接所述的雙平衡混頻器，包括第一處理單元以及第二處理單元；電流復(fù)制電路，耦接所述的互導(dǎo)級(jí)，選擇所述的第一處理單元與所述的第二處理單元中的一個(gè)，用以復(fù)制所述的被選擇的處理單元的復(fù)制電流；以及電流測(cè)量電路，耦接所述的互導(dǎo)級(jí)，分別接收所述的第一處理單元與所述的第二處理單元的復(fù)制電流，并根據(jù)所述的第一處理單元與所述的第二處理單元的電流差值產(chǎn)生補(bǔ)償電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的電流測(cè)量電路包括電容，具有第一端與第二端，其中所述的第二端耦接于地電位且所述的第一端用以接收所述的復(fù)制電流；控制器，耦接所述的電容，用以決定所述的電容的充電時(shí)間以產(chǎn)生補(bǔ)償 信號(hào)，其中所述的充電時(shí)間為所述的電容的電壓被充電至參考電壓所需的時(shí)間；以及電流補(bǔ)償單元，耦接所述的控制器，接收所述的補(bǔ)償信號(hào)以產(chǎn)生所述的 補(bǔ)償電流至所述的雙平衡混頻器。
3. 如權(quán)利要求2所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，當(dāng)以所述的第一處理單元的第一電流對(duì)所述的電容充電時(shí)，所述的充電 時(shí)間為第一充電時(shí)間，以及當(dāng)以所述的第二處理單元的第二電流對(duì)所述的電 容充電時(shí)，所述的充電時(shí)間為第二充電時(shí)間。
4. 如權(quán)利要求3所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的補(bǔ)償信號(hào)由所述的第一充電時(shí)間與所述的第二充電時(shí)間之間的差 值所決定。
5. 如權(quán)利要求2所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括第一比較器，具有第 一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中所述的第一輸入端耦接所述的電容 的第一端，所述的第二輸入端用以接收所述的參考電壓以及所述的輸出端耦 接所述的控制器。
6. 如權(quán)利要求5所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，當(dāng)所述的電容被完全放電時(shí)，所述的第一比較器輸出開(kāi)始計(jì)數(shù)信號(hào)至所 述的控制器，當(dāng)所述的電容被完全充電時(shí)，所述的第一比較器輸出停止計(jì)數(shù) 信號(hào)至所述的控制器。
7. 如權(quán)利要求6所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的控制器更包括計(jì)數(shù)器，根據(jù)時(shí)鐘信號(hào)運(yùn)作，用以輸出計(jì)數(shù)值，且 所述的補(bǔ)償信號(hào)是基于所述的計(jì)數(shù)值而決定。
8. 如權(quán)利要求7所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的控制器更包括數(shù)字編碼轉(zhuǎn)換單元，用以根據(jù)所述的計(jì)數(shù)值輸出數(shù) 字編碼。
9. 如權(quán)利要求5所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括開(kāi)關(guān)裝置，具有第一 端以及第二端，其中所述的開(kāi)關(guān)裝置的第一端耦接所述的電容的第一端，當(dāng) 所述的電容被充電時(shí)，所述的開(kāi)關(guān)裝置的第二端耦接所述的第一比較器的第 二輸入端，當(dāng)所述的電容被放電時(shí)，所述的開(kāi)關(guān)裝置的第二端耦接于地電位。
10. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的電流測(cè)量電路包括電容，并且所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制 的混頻器更包括與所述的電容并聯(lián)的電流產(chǎn)生單元。
11. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的電流測(cè)量電路包括電流補(bǔ)償單元，并且所述的電流補(bǔ)償單元包括 第一電流補(bǔ)償單元與第二電流補(bǔ)償單元，分別針對(duì)所述的第一處理單元與所 述的第二處理單元產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的補(bǔ)償電流。
12. 如權(quán)利要求11所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的第一電流補(bǔ)償單元與所述的第二電流補(bǔ)償單元分別與所述的第 一處理單元與所述的第二處理單元并聯(lián)。
13. 如權(quán)利要求11所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的第一處理單元包括第一晶體管，具有控制端，輸出端，以及耦接所述的雙平衡混頻器的輸 入端；以及第二比較器，具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中所述的第 一輸入端用以接收第一差動(dòng)輸入信號(hào)，所述的第二輸入端耦接所述的第一晶 體管的輸出端，所述的輸出端耦接所述的第一晶體管的控制端。
14. 如權(quán)利要求13所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的第一電流補(bǔ)償單元耦接所述的第二比較器的第一輸入端，用以 輸入所述的補(bǔ)償電流至所述的第二比較器。
15. 如權(quán)利要求13所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的第一電流補(bǔ)償單元與所述的第一處理單元并聯(lián)。
16. 如權(quán)利要求11所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的第二處理單元包括第二晶體管，具有控制端，輸出端，以及耦接所述的雙平衡混頻器的輸入端；以及第三比較器，具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中所述的第 一輸入端用以接收第二差動(dòng)輸入信號(hào)，所述的第二輸入端耦接所述的第二晶 體管的輸出端，所述的輸出端耦接所述的第二晶體管的控制端。
17. 如權(quán)利要求16所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的第二電流補(bǔ)償單元耦接所述的第三比較器的第一輸入端，用以 輸入所述的補(bǔ)償電流至所述的第三比較器。
18. 如權(quán)利要求16所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的第二電流補(bǔ)償單元與所述的第二處理單元并聯(lián)。
19. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的電流復(fù)制電路為電流鏡電路。
20. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括選擇裝置，耦接所述 的第一處理單元與所述的第二處理單元，用以在所述的電流復(fù)制電路與所述 的第一處理單元和所述的第二處理單元兩者之一之間形成電性連接。
21. 如權(quán)利要求20所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的選擇裝置包括兩個(gè)開(kāi)關(guān)裝置。
22. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括輸入級(jí)，用以提供多 個(gè)差動(dòng)信號(hào)至所述的互導(dǎo)級(jí)。
23. 如權(quán)利要求1所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在 于，所述的電流測(cè)量電路包括電阻，具有第一端與第二端，其中所述的第一端耦接所述的電流復(fù)制電路，所述的第二端耦接于地電位；以及比較器，具有第一輸入端、第二輸入端以及輸出端，其中所述的第一輸 入端耦接所述的電阻的第一端，所述的第二輸入端接收參考電壓，所述的輸 入端用以輸出電壓差。
24. 如權(quán)利要求23所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征 在于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括電流補(bǔ)償單元，根 據(jù)所述的電壓差產(chǎn)生補(bǔ)償電流。
25. 如權(quán)利要求23所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括控制器，接收并轉(zhuǎn) 換所述的電壓差為數(shù)字編碼。
26. 如權(quán)利要求25所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器，其特征在于，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器更包括數(shù)模轉(zhuǎn)換器，接收 并轉(zhuǎn)換所述的數(shù)字編碼為補(bǔ)償電流以輸入至所述的雙平衡混頻器。
27. —種載波泄露校正方法，適用于混頻器，所述的混頻器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與互導(dǎo)級(jí)，所述的方法包括關(guān)閉所述的轉(zhuǎn)換級(jí)； 初始化載波泄露檢測(cè)單元； 自所述的互導(dǎo)級(jí)復(fù)制復(fù)制電流； 以所述的復(fù)制電流對(duì)電容充電；計(jì)數(shù)所述的電容被充電到參考電壓的充電時(shí)間；以及 根據(jù)所述的充電時(shí)間決定補(bǔ)償電流。
28. 如權(quán)利要求27所述的載波泄露校正方法，其特征在于，所述的初始 化載波泄露檢測(cè)單元的步驟包括對(duì)所述的電容放電。
29. 如權(quán)利要求28所述的載波泄露校正方法，其特征在于，所述的載波 泄露校正方法更包括決定初始充電時(shí)間，且所述的補(bǔ)償電流是基于所述的充 電時(shí)間與所述的初始充電時(shí)間的差值而決定。
30. 如權(quán)利要求27所述的載波泄露校正方法，其特征在于，所述的互導(dǎo) 級(jí)包括第一處理單元以及第二處理單元。
31. 如權(quán)利要求30所述的載波泄露校正方法，其特征在于，所述的載波 泄露校正方法更包括決定以所述的第一處理單元的第一電流對(duì)所述的電容充 電至所述的參考電壓的第一充電時(shí)間，以及以所述的第二處理單元的第二電 流對(duì)所述的電容充電至所述的參考電壓的第二充電時(shí)間。
32. 如權(quán)利要求31所述的載波泄露校正方法，其特征在于，所述的補(bǔ)償 電流是基于所述的第一充電時(shí)間與所述的第二充電時(shí)間之間的差值而決定。
33. —種載波泄露校正方法，適用于混頻器，所述的混頻器包括轉(zhuǎn)換級(jí)與 互導(dǎo)級(jí)，所述的互導(dǎo)級(jí)包括第一處理單元以及第二處理單元，所述的方法包 括關(guān)閉所述的轉(zhuǎn)換級(jí)；選擇所述的第一處理單元；自所述的第一處理單元復(fù)制第一電流；以所述的第一電流對(duì)電容充電并開(kāi)始往上計(jì)數(shù)第一計(jì)數(shù)值；當(dāng)所述的電容被完全充電后，停止往上計(jì)數(shù)；對(duì)所述的電容放電；選擇所述的第二處理單元；自所述的第二處理單元復(fù)制第二電流；以所述的第二電流對(duì)所述的電容充電，并從所述的第一計(jì)數(shù)值開(kāi)始往下 計(jì)數(shù)；當(dāng)所述的電容被完全充電后，停止往下計(jì)數(shù)； 得到剩余計(jì)數(shù)值；以及 根據(jù)所述的剩余計(jì)數(shù)值產(chǎn)生補(bǔ)償電流。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器及載波泄露校正方法，所述的具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器包括雙平衡混頻器、互導(dǎo)級(jí)、電流復(fù)制電路以及電流測(cè)量電路，互導(dǎo)級(jí)包括第一處理單元以及第二處理單元；電流復(fù)制電路，選擇第一處理單元與第二處理單元中的一個(gè)，用以復(fù)制被選擇的處理單元的復(fù)制電流；電流測(cè)量電路，分別接收第一處理單元與第二處理單元的復(fù)制電流，并根據(jù)第一處理單元與第二處理單元的電流差值產(chǎn)生補(bǔ)償電流。上述具有自我載波泄露校正機(jī)制的混頻器及載波泄露校正方法可通過(guò)產(chǎn)生的補(bǔ)償電流降低存在于混頻器內(nèi)的電流不匹配，從而校正載波泄露。
文檔編號(hào)H03D7/14GK101262243SQ20081008090
公開(kāi)日2008年9月10日 申請(qǐng)日期2008年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月16日
發(fā)明者賴(lài)玠瑋, 鐘元鴻 申請(qǐng)人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司