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一種電子開關(guān)的電路的制作方法

文檔序號:7512967閱讀:219來源:國知局
專利名稱:一種電子開關(guān)的電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種電子開關(guān),具體地講是涉及一種二線制電子開關(guān)電 路,屬于電工電子技術(shù)領(lǐng)域,主要用于電器附件產(chǎn)品使用。
背景技術(shù)
二線制電子開關(guān)在室內(nèi)、樓道、走廊、庭院等場所廣泛使用,如聲光 控開關(guān)、觸摸延時電子開關(guān),安裝方便,使用便捷,深受廣大消費者的青 睞,但由于其技術(shù)方案仍然停留在較落后的技術(shù)層面,產(chǎn)品存在以下問題, 難以產(chǎn)業(yè)化1、 產(chǎn)品的可靠性極差,不能承受大電流、短路電流的沖擊。二線制電 子開關(guān)控制負載時,當負載燒毀、短路或者白熾燈負載壽命終結(jié)時,電流 回路中都會形成大電流,電子開關(guān)因不能承受大電流而燒毀,即產(chǎn)品的可 靠性很差,壽命很短;2、 部分設(shè)計為了提高產(chǎn)品的可靠性,在電子開關(guān)中加入熔絲管、溫度 保護器件等保護裝置,當電路中出現(xiàn)大電流時,以熔絲管保護開關(guān)。但這 種解決方案需要消費者經(jīng)常更換熔絲管,非常不方便,同時產(chǎn)品的成本較 高,溫度保護器件能夠提供過載保護,但對短路故障無能為力,同時產(chǎn)品 成本大大增加,產(chǎn)品性價比大大降低,不便于推廣;3、 產(chǎn)品沒有設(shè)計動態(tài)電源電路。負載工作時,產(chǎn)品的電能輸出效率 很低,同時由于沒有動態(tài)電源電路,產(chǎn)品的電路不宜設(shè)計的更復雜,因此 功能較復雜的產(chǎn)品極難實現(xiàn);4、 產(chǎn)品的靜態(tài)功耗較大, 一般二線制電子開關(guān)本身功耗都在lmA以 上,不能控制小功率負載,更不能控制節(jié)能燈、日光燈等負載,如果控制 后通過負載的漏電流使節(jié)能燈、日光燈出現(xiàn)不斷閃爍、關(guān)不斷的現(xiàn)象,因此產(chǎn)品僅僅能控制阻性負載,產(chǎn)品的實用性受到限制,不便推廣,不利于節(jié)能;5、產(chǎn)品的電磁兼容性能較差,受到干擾誤動作,同時污染電網(wǎng)環(huán)境。 在國外,由于人們的習慣,電子開關(guān)使用二線制工作方式較少,且國 外電網(wǎng)工作電壓低,電網(wǎng)質(zhì)量較好,許多可靠性問題在國外不存在,因此, 國外對二線制電子開關(guān)技術(shù)投入較少。沒有國外先進技術(shù)、芯片集成商的 支撐,目前二線制電子開關(guān)在國內(nèi)技術(shù)瓶頸、技術(shù)難題很多,產(chǎn)品技術(shù)不 夠成熟,導致電器附件電子產(chǎn)品不能產(chǎn)業(yè)化,各廠家僅僅停留在單件小批 量生產(chǎn)階段。發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明的目的在于提供一種二線制電子開 關(guān)電路,提高開關(guān)的可靠性和實用性。本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的 一種二線制電子開關(guān)電路,包 括功率電子開關(guān)、靜態(tài)電源通道、電源電路、控制電路、負載,其特征 在于還包括動態(tài)電源通道和過載短路取樣電路,所述的動態(tài)電源通道與靜 態(tài)電源通道連接在功率電子開關(guān)和電源電路之間,過載短路信號經(jīng)所述的 過載短路取樣電路傳遞到控制電路。前述的二線制電子開關(guān)電路,其特征在于所述的功率電子開關(guān)主要由整流橋Bl和可控硅VI組成,其中可控硅VI的陽極和整流橋Bl的正輸出 端3連接。所述靜態(tài)電源通道由一電阻R2構(gòu)成,其中電阻R2的一端和可 控硅V1的陽極相連,另一端連接于動態(tài)電源通道。前述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電源通道包括穩(wěn)壓二 極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、整流二極 管D1,其中穩(wěn)壓二極管Z1的負極和電阻R2的另一端相連,正極與可控硅 V2的陽極相連;可控硅V1的控制極和可控硅V2的陰極相連,陰極接地電 平,控制極和陰極之間跨接電阻R3;電阻R7的一端和可控硅V2的控制極 相連,另一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2的控制極以及電阻R7連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的陽極和穩(wěn)壓二級管Zl 的負極相連,陰極通過電阻R8連接于地電平,控制極和地電平之間跨接 電阻R6,控制級連接電阻R9的一端,R9的另一端和電阻R7并聯(lián)于控制 電路;整流二級管D1的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電路連 接;所述的過載短路取樣電路包括電阻R1、 RIO、 R4、電容C1、光耦I(lǐng)C1, 其中電阻Rl的一端和可控硅VI的陰極連接,另一端和整流橋Bl的負輸 出端4連接;光耦I(lǐng)C1由光電三級管與發(fā)光二極管組成,其中發(fā)光二級管 正負輸入端之間并聯(lián)有電阻R4和電容C1,并且正極與地電平連接,光耦 IC1的光電三級管和控制電路相連;整流橋B1的負輸出端4通過電阻R10 和光耦I(lǐng)C1的發(fā)光二級管的陰極連接。前述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電源通道包括穩(wěn)壓二 極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9,整流二極 管D1,其中可控硅V2的陽極和電阻R2的另一端相連,陰極和穩(wěn)壓二級管 Zl的負極、電阻R3的一端分別相連,電阻R3的另一端接地電平;可控硅 VI的控制極與穩(wěn)壓二極管Zl的正極相連;可控硅V2的控制極與電阻R7 的一端相連,R7的另一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2的 控制極連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的陽極和可控硅V2的陽極 相連,控制級與電阻R9的一端相連,陰極通過電阻R8連接于地電平,控 制極和地電平之間跨接電阻R6,電阻R9的另一端和電阻R7的一端并連于 控制電路;整流二級管D1的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電 路連接;所述的過載短路取樣電路包括電阻R1、 RIO、 R4、電容C1、三 級管V4,其中電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋 Bl的負輸出端4連接;三極管V4的發(fā)射極和整流橋Bl的負輸出端4連接, 基極通過電阻R10連接于地電平,基極和發(fā)射極之間并聯(lián)跨接電阻R4和 電容C1,集電極和控制電路連接。前述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電源通道包括穩(wěn)壓二 極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 Rll,整流 二極管Dl、 D2,其中可控硅V2的陽極和電阻R2的另一端相連,可控硅V2的陰極分別和穩(wěn)壓二級管Zl的負極、電阻R3的一端相連,電阻R3的 另一端連接于地電平;穩(wěn)壓二極管Zl的正極和整流二級管D2的正極相連, 整流二極管D2的負極和可控硅VI的控制極連接;電阻Rll跨接于可控硅 VI的控制極和地電平之間;電阻R7的一端和可控硅V2的控制極相連,另 一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2的控制極連接,另一端 和地電平相連;可控硅V3的陽極和可控硅V2的陽極相連,陰極通過電阻 R8連接于地電平,控制極和地電平之間串聯(lián)電阻R6;電阻R9的一端連于 可控硅V3的控制級,另一端和電阻R7并連于控制電路;整流二級管Dl 的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電路連接;所述的過載短路 取樣電路包括電阻R1、 RlO、 R4、電容C1、三級管V4,其中電阻R1的 一端和可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋B1的負輸出端4連接,并 連接于地電平;三級管V4的發(fā)射極連接于地電平,基極通過電阻R10連 接于可控硅V1的陰極,基極和發(fā)射極之間并聯(lián)電阻R4與電容C1,集電極 和控制電路連接。前述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電源通道包括穩(wěn)壓二 極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 Rll,整流 二極管D1、 D2,其中穩(wěn)壓二極管Z1的負極和電阻R2的另一端相連,正極 與可控硅V2的陽極相連;整流二級管D2的正極與可控硅V2的陰極連接, 負極和可控硅VI的控制極連接;電阻R3的一端連接于可控硅V2的陰極, 另一端連接于地電平;電阻Rll跨接于可控硅VI的控制極和地電平之間; 電阻R7的一端和可控硅V2的控制極相連,另一端和控制電路連接;電阻 R5的一端和可控硅V2的控制極連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的 陽極和穩(wěn)壓二級管Zl的負極以及R2的一端相連,陰極通過電阻R8連接 于地電平,控制級與電阻R9的一端相連接;電阻R9的另一端和電阻R7 并連于控制電路;電阻R6跨接于可控硅V3的控制極和地電平之間;整流 二級管D1的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電路連接;所述的 過載短路取樣電路包括電阻R1、 RIO、 R4、電容C1、比較器IC1,其中 電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋B1的負輸出端4連接,并連接于地電平。比較器IC1的正端通過電阻R10連接于可控硅V1 的陰極,負端和比較參考電平連接,輸出端和控制電路連接,比較器IC1 正端和地電平之間并聯(lián)電阻R4、電容C1。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明在現(xiàn)有的電子開關(guān)電路中增加保護電 路、動態(tài)供電電路,大大提高產(chǎn)品的可靠性和實用性,能夠控制包括節(jié)能 燈、日光燈在內(nèi)的各種負載,輸出效率高,電氣性能優(yōu)良。采用常規(guī)元件 設(shè)計,產(chǎn)品的一致性、可制造性較好,通過這種電子開關(guān)能夠設(shè)計出各種 各樣的高可靠性、高性價比的電器附件電子產(chǎn)品,從而使行業(yè)產(chǎn)品能夠批 量產(chǎn)業(yè)化,能夠完全克服市場現(xiàn)有產(chǎn)品的不足、解決了行業(yè)的技術(shù)瓶頸, 是目前中國市場急需的技術(shù)方案。


圖1是本發(fā)明電子開關(guān)的原理框圖; 圖2是本發(fā)明電子開關(guān)電路原理圖的一種結(jié)構(gòu)形式; 圖3是本發(fā)明電子開關(guān)電路原理圖的另一種結(jié)構(gòu)形式; 圖4是本發(fā)明電子開關(guān)電路原理圖的又一種結(jié)構(gòu)形式;圖5是本發(fā)明電子開關(guān)電路原理圖的再一種結(jié)構(gòu)形式。
具體實施方式
下面將結(jié)合附圖,詳細說明本發(fā)明的
具體實施例方式
實施例1參照圖l所示, 一種電子開關(guān)電路,由功率電子開關(guān)、靜態(tài)電源通道、 動態(tài)電源通道、電源電路、過載短路取樣電路、控制電路組成,其中,功 率電子開關(guān)用于電流的接通和關(guān)斷,靜態(tài)電源通道在開關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下為開 關(guān)本身供電,動態(tài)電源通道在開關(guān)接通狀態(tài)下為開關(guān)本身供電,電源電路 為該開關(guān)所有耗電部件提供穩(wěn)定電源,過載短路取樣電路為控制電路提供 過電流故障檢出信號,同時將短路電流限制在規(guī)定值以內(nèi),控制電路控制 本開關(guān)各部分協(xié)調(diào)工作,完成開關(guān)設(shè)計的所有功能。參照圖2所示,L、 N端子直接接入強電火線和零線,LAMP為負載,功率電子開關(guān)由整流橋Bl和可控硅VI構(gòu)成,可控硅VI為該二線制開關(guān) 的開關(guān)控制器件??煽毓鑆1的陽極與整流橋B1的正輸出端3連接,陰極 與電阻R1的一端連接,同時接地電平。電阻R1的另一端與R10的一端連 接后共同連接到整流橋的負輸出端4。過載短路取樣電路由電阻R1、 RIO、 R4、電容C1、光耦I(lǐng)C1構(gòu)成,光耦I(lǐng)C1由光電三級管與發(fā)光二極管組成, Rl為電流取樣電阻,同時限制開關(guān)短路電流的最大值在電子開關(guān)能承受的 最大值之內(nèi),以保證過載短路電流檢出的同時功率電子開關(guān)不會損毀。光 耦I(lǐng)C1的發(fā)光二級管輸入端之間并聯(lián)有電阻R4和電容Cl, R10的另一端 與電容C1、電阻R4、光耦I(lǐng)C1的發(fā)光二級管輸入負端相連,電阻R10為 光耦I(lǐng)C1的輸入限流電阻,在Rl上電流轉(zhuǎn)變成電壓的形式通過限流電阻 R10將過載短路信號傳送給光耦I(lǐng)C1,通過光耦I(lǐng)C1將信號傳送給控制電 路以關(guān)斷主電流回路,完成保護功能。電阻R4、電容C1為提高抗干擾性 能而設(shè)計,為避免電網(wǎng)瞬時噪聲干擾而造成產(chǎn)品保護誤動作,同時也可保 護光耦I(lǐng)C1被大的尖峰電流沖擊而損壞。電容Cl、電阻R4的一端和光耦 IC1的發(fā)光二級管輸入正端接地電平。靜態(tài)電源通道由電阻R2構(gòu)成,其為 電源電路提供靜態(tài)電流,同時也作為可控硅控制極的限流電阻。動態(tài)電源 通道由穩(wěn)壓二極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9,整流二極管D1構(gòu)成,可控硅V1的陽極和整流橋B1的正輸出端3、電 阻R2的一端相連。穩(wěn)壓二極管Zl的負極和電阻R2的另一端相連,正極 與可控硅V2的陽極相連;可控硅V2的陰極和可控硅VI的控制極相連, 電阻R3跨接于可控硅VI的控制極和陰極之間,可控硅VI的陰極接地電 平;電阻R7的一端和可控硅V2的控制極相連,另一端和控制電路連接; 電阻R5的一端和可控硅V2的控制極以及電阻7連接,另一端和地電平相 連;可控硅V3的陽極和穩(wěn)壓二級管Zl的負極相連,陰極通過電阻R8連 接于地電平,控制級連接電阻R9的一端,R9的另一端和電阻R7并連于控 制電路;電阻R6跨接于可控硅V3的控制極和地電平之間;整流二級管D1 的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電路連接。其中電阻R2為限 流電阻,穩(wěn)壓二級管Zl為調(diào)整功率電子開關(guān)導通相位而設(shè)置,保證開關(guān)導通后開關(guān)本身有足夠的電源供給。電阻R3為可控硅V2提供直流通道, 并作為可控硅V1控制極的電阻,提高產(chǎn)品的抗噪聲能力,保證V1不會誤 動作??煽毓鑆3為產(chǎn)品動態(tài)供電源提供通道,與可控硅V2配合完成動態(tài) 電源通道的功能,電阻R8為其直流通道。整流二級管Dl將電源從V3送 往電源電路,以免電源反向饋送??煽毓鑆2、 V3分別通過電阻R7、 R9受 控制電路統(tǒng)一控制,只是因受到穩(wěn)壓二級管Z1調(diào)相控制,V3較V2提前導 通,為開關(guān)動態(tài)時提供電源。電阻R5、 R6分別為可控硅V2、 V3的控制極 電阻,提高其抗干擾的能力,從而提高產(chǎn)品的電磁兼容性能。 實施例2參照圖3, 一種電子開關(guān)電路,與實施例1不同之處在于動態(tài)電源通 道中調(diào)整功率電子開關(guān)導通相位角的穩(wěn)壓二級管Zl位置調(diào)換,同樣實現(xiàn) 所需作用??煽毓鑆2的陽極和電阻R2的一端相連,陰極和穩(wěn)壓二級管Zl 的負極、電阻R3的一端分別相連,電阻R3的另一端接地電平。穩(wěn)壓二極 管Zl的正極和可控硅VI的控制極相連;電阻R7的一端和可控硅V2的控 制極相連,另一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2的控制極 連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的陽極和可控硅V2的陽極相連。 過載短路取樣電路改為利用三級管V4、電阻R1、 RIO、 R4、電容C1完成 過載短路取樣電路的作用,電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一 端和整流橋Bl的負輸出端4連接;三極管V4的發(fā)射極與整流橋Bl的負 輸出端4連接,基極通過電阻R10連接于地電平,基極和發(fā)射極之間并聯(lián) 跨接電阻R4、電容Cl,集電極和控制電路連接。從而使電路成本更低, 結(jié)構(gòu)更簡單。電阻Rl的作用與實施例1相同,電阻R10為三級管V4的限 流電阻,同時設(shè)定電子開關(guān)的功率保護范圍,電阻R4、電容C1為提高三 級管V4的抗擾度而設(shè)置,同時避免大電流沖擊三級管V4的發(fā)射極PN結(jié),實施例3參照圖4, 一種電子開關(guān)電路,與實施例2不同之處在于改變過載短 路取樣電路中取樣電阻R1的位置、三級管V4的連接方式,動態(tài)電源電路 中增加了整流二級管D2、電阻Rll。其中,電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋Bl的負輸出端4連接,并連接于地電平;三 級管V4的發(fā)射極連接于地電平,基極通過電阻R10連接于可控硅V1的陰 極,基極和發(fā)射極之間并聯(lián)電阻R4、電容Cl,集電極和控制電路連接。 穩(wěn)壓二極管Zl的正極和整流二級管D2的正極相連,整流二極管D2的負 極和可控硅V1的控制極連接。電阻Rll跨接于可控硅V1的控制極和地電 平之間,電阻Rll為避免可控硅VI誤觸發(fā)。增加整流二級管D2主要是避 免取樣電阻Rl上壓降太大而造成可控硅VI、 V2等器件的控制極和陰極之 間反向擊穿。 實施例4參照圖5, 一種電子開關(guān)電路,與實施例1不同之處在于過載短路取 樣電路中用比較器IC1將光耦調(diào)換,并且在動態(tài)電源電路中增加了整流二 級管D2、電阻Rll,整流二級管D2主要是避免取樣電阻R1上壓降太大而 造成可控硅VI、 V2等器件的控制極和陰極之間反向擊穿,電阻Rll為可 控硅VI的控制極電阻,為避免可控硅VI誤觸發(fā)。其中電阻Rl的一端和 可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋B1的負輸出端4連接,并連接于 地電平。比較器IC1的正端通過電阻R10連接于可控硅VI的陰極,負端 和比較參考電平連接,輸出端與控制電路連接,正端和地電平之間并聯(lián)電 阻R4、電容C1。電阻R1將主回路中電流轉(zhuǎn)換為電壓的形式,通過電阻RIO 和電阻R4分壓后提供給比較器的正端,通過這兩個電阻可以調(diào)節(jié)電子開 關(guān)保護的功率范圍,電容Cl同樣為提高產(chǎn)品抗擾度而設(shè)置,以免產(chǎn)品誤 動作。以上已以較佳實施例公開了本發(fā)明,然其并非用以限制本發(fā)明,凡采 用等同替換或者等效變換方式所獲得的技術(shù)方案,均落在本發(fā)明的保護范 圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種電子開關(guān)電路,包括功率電子開關(guān)、靜態(tài)電源通道、電源電路、控制電路、負載,其特征在于還包括動態(tài)電源通道和過載短路取樣電路,所述的動態(tài)電源通道與靜態(tài)電源通道連接在功率電子開關(guān)和電源電路之間,過載短路信號經(jīng)所述的過載短路取樣電路傳遞到控制電路。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的功率電子開關(guān)主要由整流橋Bl和可控硅VI組成,其中可控硅VI的陽極和整流 橋Bl的正輸出端3相連;所述靜態(tài)電源通道由一電阻R2構(gòu)成,電阻R2 的一端和可控硅V1的陽極連接,另一端連于動態(tài)電源通道電路。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電 源通道包括穩(wěn)壓二極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、整流二極管D1,其中穩(wěn)壓二極管Z1的負極和電阻R2的另一端相 連,正極與可控硅V2的陽極相連;可控硅V1的控制極和可控硅V2的陰 極相連,陰極接地電平,控制極和陰極之間跨接電阻R3;電阻R7的一端 和可控硅V2的控制極相連,另一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可 控硅V2的控制極以及電阻R7連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的 陽極和穩(wěn)壓二級管Z1的負極相連,陰極通過電阻R8連接于地電平,控制 極和地電平之間跨接電阻R6,控制級連接電阻R9的一端,R9的另一端和 電阻R7并聯(lián)于控制電路;整流二級管Dl的正極和可控硅V3的陰極連接, 負極和電源電路連接;所述的過載短路取樣電路包括電阻R1、 RIO、 R4、 電容C1、光耦I(lǐng)C1,其中電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端 和整流橋Bl的負輸出端4連接;光耦I(lǐng)C1由光電三級管與發(fā)光二極管組 成,其中發(fā)光二級管正負輸入端之間并聯(lián)有電阻R4和電容C1,并且正極 與地電平連接,光耦I(lǐng)C1的光電三級管和控制電路相連;整流橋Bl的負 輸出端4通過電阻R10和光耦I(lǐng)C1的發(fā)光二級管的陰極連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電 源通道包括穩(wěn)壓二極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、R8、 R9,整流二極管D1,其中可控硅V2的陽極和電阻R2的另一端相連, 陰極和穩(wěn)壓二級管Zl的負極、電阻R3的一端分別相連,電阻R3的另一 端接地電平;可控硅V1的控制極與穩(wěn)壓二極管Z1的正極相連;可控硅V2 的控制極與電阻R7的一端相連,R7的另一端和控制電路連接;電阻R5的 一端和可控硅V2的控制極連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的陽極 和可控硅V2的陽極相連,控制級與電阻R9的一端相連,陰極通過電阻R8 連接于地電平,控制極和地電平之間跨接電阻R6,電阻R9的另一端和電 阻R7的一端并連于控制電路;整流二級管Dl的正極和可控硅V3的陰極 連接,負極和電源電路連接;所述的過載短路取樣電路包括電阻R1、R10、 R4、電容C1、三級管V4,其中電阻R1的一端和可控硅VI的陰極連接, 另一端和整流橋Bl的負輸出端4連接;三極管V4的發(fā)射極和整流橋Bl 的負輸出端4連接,基極通過電阻R10連接于地電平,基極和發(fā)射極之間 并聯(lián)跨接電阻R4和電容C1,集電極和控制電路連接。
5、根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電 源通道包括穩(wěn)壓二極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 Rll,整流二極管D1、 D2,其中可控硅V2的陽極和電阻R2的另 一端相連,可控硅V2的陰極分別和穩(wěn)壓二級管Zl的負極、電阻R3的一 端相連,電阻R3的另一端連接于地電平;穩(wěn)壓二極管Z1的正極和整流二 級管D2的正極相連,整流二極管D2的負極和可控硅VI的控制極連接; 電阻Rll跨接于可控硅VI的控制極和地電平之間;電阻R7的一端和可控 硅V2的控制極相連,另一端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2 的控制極連接,另一端和地電平相連;可控硅V3的陽極和可控硅V2的陽 極相連,陰極通過電阻R8連接于地電平,控制極和地電平之間串聯(lián)電阻 R6;電阻R9的一端連于可控硅V3的控制級,另一端和電阻R7并連于控 制電路;整流二級管D1的正極和可控硅V3的陰極連接,負極和電源電路 連接;所述的過載短路取樣電路包括電阻R1、 RIO、 R4、電容C1、三級 管V4,其中電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端和整流橋B1 的負輸出端4連接,并連接于地電平;三級管V4的發(fā)射極連接于地電平,基極通過電阻R10連接于可控硅VI的陰極,基極和發(fā)射極之間并聯(lián)電阻 R4與電容C1,集電極和控制電路連接。
6、根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子開關(guān)電路,其特征在于所述的動態(tài)電 源通道包括穩(wěn)壓二極管Z1、可控硅V2、 V3、電阻R2、 R3、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9、 Rll,整流二極管D1、 D2,其中穩(wěn)壓二極管Zl的負極和電阻R2 的另一端相連,正極與可控硅V2的陽極相連;整流二級管D2的正極與可 控硅V2的陰極連接,負極和可控硅VI的控制極連接;電阻R3的一端連 接于可控硅V2的陰極,另一端連接于地電平;電阻R11跨接于可控硅V1 的控制極和地電平之間;電阻R7的一端和可控硅V2的控制極相連,另一 端和控制電路連接;電阻R5的一端和可控硅V2的控制極連接,另一端和 地電平相連;可控硅V3的陽極和穩(wěn)壓二級管Zl的負極以及R2的一端相 連,陰極通過電阻R8連接于地電平,控制級與電阻R9的一端相連接;電 阻R9的另一端和電阻R7并連于控制電路;電阻R6跨接于可控硅V3的控 制極和地電平之間;整流二級管D1的正極和可控硅V3的陰極連接,負極 和電源電路連接;所述的過載短路取樣電路包括電阻Rl、 RIO、 R4、電 容C1、比較器IC1,其中電阻R1的一端和可控硅V1的陰極連接,另一端 和整流橋Bl的負輸出端4連接,并連接于地電平。比較器IC1的正端通 過電阻R10連接于可控硅VI的陰極,負端和比較參考電平連接,輸出端 和控制電路連接,比較器IC1正端和地電平之間并聯(lián)電阻R4、電容C1。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子開關(guān)電路,包括功率電子開關(guān)、靜態(tài)電源通道、電源電路、控制電路、傳感電路、負載,還包括動態(tài)電源通道和過載短路取樣電路,所述的動態(tài)電源通道與靜態(tài)電源通道連接在功率電子開關(guān)和電源電路之間,過載短路信號經(jīng)所述的過載短路取樣電路傳遞到控制電路。本發(fā)明大大提高電子開關(guān)的可靠性和實用性,能夠控制包括白熾燈、節(jié)能燈、日光燈在內(nèi)的各種負載,輸出效率高,電氣性能優(yōu)良。電路采用常規(guī)元件設(shè)計,一致性高,可制造性極佳。
文檔編號H03K17/725GK101247118SQ200810024530
公開日2008年8月20日 申請日期2008年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月26日
發(fā)明者成 喬, 何咸林, 葉永全, 朱曉軍 申請人:江蘇西蒙奇通電器有限公司
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