專(zhuān)利名稱(chēng)：：Saw濾波器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及例如用作攜帶電話(huà)機(jī)的頻帶濾波器的SAW濾波器裝置，更詳細(xì)地來(lái)說(shuō)涉及具有多個(gè)1端口型SAW共振子被連接的結(jié)構(gòu)的SAW濾波器裝置。
背景技術(shù)：
：以往采用各種彈性表面波濾波器作為攜帶電話(huà)機(jī)等的通信設(shè)備的RF段的頻帶濾波器。這種彈性表面波濾波器的一例公開(kāi)在例如下述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1中。專(zhuān)利文獻(xiàn)l中所記載的彈性表面波濾波器，在41。旋轉(zhuǎn)Y切(cut)X傳輸?shù)腖iNb03基板上，具有由IDT電極構(gòu)成的串聯(lián)腕彈性表面波共振子；與該串聯(lián)腕彈性表面波共振子的一端連接的輸出電極部；一端與輸出電極部連接的并聯(lián)腕彈性表面波共振子；與并聯(lián)腕彈性表面波共振子的另一端連接的接地電極部。在此，IDT電極由Al或者以Al為主要成分的Al合金的金屬膜形成。而且，該金屬膜的厚度處于并聯(lián)腕彈性表面波共振子的IDT電極中的電極周期的2.5°/。以上、7.5%以下的范圍。由此，能夠擴(kuò)大通頻帶，并且在通頻帶內(nèi)沒(méi)有亂真(spurious),通頻帶能夠得到平坦的頻率特性。此外，在以下的非專(zhuān)利文獻(xiàn)l中表示了在LiNb03基板上傳輸?shù)睦桌ㄒ约耙伤茝椥员砻娌ǖ那?cut)角所產(chǎn)生的相位速度和電機(jī)械耦合系數(shù)的變化。即記載有在切角為41。的41。旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板上，表示疑似彈性表面波的電機(jī)械耦合系數(shù)較大的值，但雷利波表示壓電性。此外，記載有在6070。的切角的情況下，表示與疑似彈性表面波的電機(jī)械耦合系數(shù)為41。的情況相比較小的值，但雷利波幾乎不表示壓電性。在非專(zhuān)利文獻(xiàn)1的圖1.7中，表示雷利波和疑似彈性表面波的傳輸速度之比，在切角為41°60°的范圍中為0.8。專(zhuān)利文獻(xiàn)l:特開(kāi)平9—121136號(hào)公報(bào)非專(zhuān)利文獻(xiàn)l:電子材料工業(yè)會(huì)編、"表面波設(shè)備及其應(yīng)用"日刊工業(yè)新聞社刊、第17頁(yè)以及圖17(昭和53年12月25日初版發(fā)行)在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載有，通過(guò)在41°旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNbCb基板上以上述特定的膜厚形成IDT電極，從而能夠?qū)崿F(xiàn)通頻帶的擴(kuò)大、通頻帶內(nèi)的亂真的降低。但是，采用該LiNb03基板構(gòu)成具有陷波(tmp)頻帶和比陷波頻帶低的通頻帶的濾波器裝置時(shí)，能夠擴(kuò)大陷波頻帶，但存在比陷波頻帶低的通頻帶內(nèi)以及通頻帶的高頻側(cè)端部中的插入損耗變大的問(wèn)題。即如非專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述，在切角為41°60°的旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNbC^基板上，雷利波和疑似彈性表面波之間的傳輸速度比為0.8。因此，在形成比陷波頻帶低的通頻帶的濾波器裝置的情況下，在陷波頻率的0.8倍的頻率中，產(chǎn)生雷利波亂真。因此，可知通頻帶中的插入損耗惡化。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于上述課題而提出的，其目的在于提供一種在配置有比陷波頻帶低的通頻帶的SAW濾波器裝置中，能夠減小通頻帶內(nèi)以及通頻帶高頻側(cè)端部中的插入損耗，而且能夠擴(kuò)大陷波頻帶的寬度的SAW濾波器裝置。通過(guò)本發(fā)明提供一種SAW濾波器裝置，具有陷波頻帶和位于該陷波頻帶的低頻側(cè)的通頻帶，該SAW濾波器裝置具有濾波器芯片，該濾波器芯片具有0旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板；和多個(gè)1端口型SAW共振子，其形成在所述LiNb03基板上，具有由Al或以Al為主成分的合金構(gòu)成的IDT電極，上述切角0為50°55°，以彈性表面波的波長(zhǎng)X對(duì)上述IDT電極的厚度h進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化而構(gòu)成的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚100hA(%)為24%，占空比為0.4以下。本發(fā)明相關(guān)的SAW濾波器裝置的某特定的方面中，還具有被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中的多個(gè)第1電感器，在上述輸入端子和接地電位之間、上述輸出端子和接地電位之間以及上述多個(gè)第1電感器間和接地電位之間分別連接有上述1端口型SAW共振子。此時(shí)，在通頻帶和比通頻帶低的頻帶中，信號(hào)通過(guò)，在陷波頻帶中信號(hào)充分衰減，并且能夠有效地降低通頻帶中的亂真。在本發(fā)明的另一特定方面中，還具備搭載有上述濾波器芯片的安裝基板，該安裝基板具有一個(gè)接地端子，與上述濾波器芯片的接地電位連接的部分的全部與上述安裝基板的上述接地端子電連接，并且位于上述輸入端子以及上述輸出端子內(nèi)的一方與接地電位之間的上述1端口型SAW共振子在上述陷波頻帶以及通頻帶中為電容性，且其共振頻率比剩余的1端口型SAW共振子的反共振頻率高。此時(shí)，能夠?qū)崿F(xiàn)SAW濾波器裝置的小型化，并且能夠降低輸入輸出間的直達(dá)波，能夠抑制陷波頻帶中的衰減量的劣化。本發(fā)明的進(jìn)而另一特定的方面中，具備陷波電路部分，其具有第1電感器和第1共振子，該第1電感器被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中，該第1共振子分別被連接在上述第1電感器的兩端和接地電位之間；濾波器電路部分，其被設(shè)置在上述輸入端子和上述陷波電路部分之間以及上述輸出端子和上述陷波電路部分之間的至少一方，上述濾波器電路部分具有第2共振子，其在上述串聯(lián)腕中配置在上述輸入端子和上述陷波電路部分之間或者上述輸出端子和上述陷波電路部分之間；和第2電感器，其連接在第2共振子的一端和接地電位之間或者另一端和接地電位之間，上述第2共振子的共振頻率與上述通頻帶的高頻側(cè)端部大致一致，上述第1、第2共振子由上述1端口型SAW共振子構(gòu)成。此時(shí)，在通頻帶中使信號(hào)通過(guò)，在比通頻帶低的頻帶以及陷波頻帶中能夠使信號(hào)衰減，能夠有效地降低濾波器的通頻帶中的亂真。本發(fā)明的再一特定方面中，具備濾波器電路部分，其具有第3電感器和第1共振子，該第3電感器被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中，該第1共振子與上述第3電感器串聯(lián)連接；陷波電路部分，其具有:被插入到上述串聯(lián)腕的至少一個(gè)第1電感器；被連接在上述第1電感器的一端和接地電位之間的第2共振子；和被連接在上述第l電感器的另一端和接地電位之伺的第3共振子，上述濾波器電路部分和陷波電路部分在串聯(lián)腕中被串聯(lián)連接，上述通頻帶具有第1中心頻率，由上述第1第3共振子的電容成分以及上述第1、第3電感器的電感成分構(gòu)成的濾波器的頻率特性所具有的第2中心頻率比上述第1中心頻率高，上述第1振子由上述1端口型SAW共振子構(gòu)成。此時(shí)，在通頻帶中使信號(hào)通過(guò)，在比通頻帶低的頻帶例如VHF頻帶、陷波頻帶和比陷波頻帶高的頻帶中能夠使信號(hào)衰減，能抑壓通頻帶中的亂真。本發(fā)明的進(jìn)而另一特定的方面在于，上述電感器為芯片型電感部件。在這種情況下，能夠?qū)﹄姼衅鬟M(jìn)行表面安裝，能夠?qū)崿F(xiàn)SAW濾波器裝置的小型化。而且，在本發(fā)明中，上述的電感器不是芯片型電感部件，也可由其他的電感部件構(gòu)成。本發(fā)明的進(jìn)而另一特定的方面在于，上述濾波器芯片采用一個(gè)LiNb03基板而構(gòu)成，還具備搭載有該濾波器芯片的安裝基板和安裝有該安裝基板的電路基板，在上述安裝基板內(nèi)內(nèi)置有上述電感器。本發(fā)明的進(jìn)而另一特定方面在于，上述濾波器芯片采用一個(gè)LiNb03基板而構(gòu)成，還具備安裝有上述安裝基板的電路基板，在該電路基板內(nèi)內(nèi)置有上述電感器。如上所述，在電感器內(nèi)置于電路基板內(nèi)或安裝基板內(nèi)的情況下，不需要作為電感器的外帶的電子部件，因此能夠推進(jìn)SAW濾波器裝置的進(jìn)一步的小型化。此外，能夠?qū)崿F(xiàn)部件個(gè)數(shù)的減少。進(jìn)而，也難以產(chǎn)生電感部件的安裝偏差所引起的特性的偏差。本發(fā)明相關(guān)的SAW濾波器裝置中，按照具有陷波頻帶和位于陷波頻帶的低頻側(cè)的通頻帶的方式，多個(gè)1端口型SAW共振子采用在e旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板上采用由Al或以Al為主要成分的合金構(gòu)成的IDT電極而形成。并且，切角0為5O。以上，55°以下，IDT電極的膜厚、即上述標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為2%以上、4%以下，占空比為0.4以下，因此根據(jù)后述的實(shí)施方式的說(shuō)明可知，能夠有效地降低通頻帶內(nèi)以及通頻帶的高頻側(cè)端部中的插入損耗，進(jìn)而能夠擴(kuò)大陷波頻帶中的衰減頻帶寬度。因此，可以提供具有較大的陷波頻帶，并且在陷波頻帶的低頻側(cè)中具有低插入損耗的通頻帶的SAW濾波器裝置。圖1為本發(fā)明的第1實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路圖。圖2為示意地表示形成在用于第1實(shí)施方式的SAW濾波芯片的下面的電極構(gòu)造的從基板的上面?zhèn)韧敢曄旅娴碾姌O構(gòu)造的平面圖。圖3為在第1實(shí)施方式中采用的作為封裝材料的安裝基板的平面圖。圖4為表示第1實(shí)施方式的SAW濾波器裝置的構(gòu)造的示意的正面剖面圖。圖5為示意地表示在第1實(shí)施方式中，連接外置于安裝基板的電感器(inductor)的構(gòu)造的平面圖。圖6(a)為表示釆用切角e為41。、45。以及50。時(shí)的0旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板的SAW濾波器裝置的通頻帶中的衰減頻率特性的圖，圖6(b)為表示采用切角e為55°時(shí)的e旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板的SAW濾波器裝置的通頻帶中的衰減頻率特性的圖。圖7為表示在第1實(shí)施方式中，設(shè)IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為2%以及3%時(shí)的通頻帶高頻側(cè)的頻率特性的圖。圖8為表示在第1實(shí)施方式中，采用使切角變化為41°、45°、50°、55°、60°以及64°時(shí)的e旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板的SAW濾波器裝置中的IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚100h/X(%)與電機(jī)械耦合系數(shù)K之間的關(guān)系的圖。圖9為表示在第1實(shí)施方式的彈性表面波濾波器裝置中，e旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板的切角0為50°以及55。時(shí)的衰減量頻率特性的圖。圖10為表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。圖11(a)為表示在第2實(shí)施方式的SAW濾波器裝置中，LiNb03基板的切角0為41°、45°以及50。時(shí)的衰減量頻率特性，(b)為9為55°時(shí)的衰減量頻率特性。圖12為表示在第2實(shí)施方式中，設(shè)IDT電極的占空比為0.3、0.4以及0.5時(shí)的通頻帶高頻側(cè)的頻率特性的圖。圖13為表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路構(gòu)成的電路圖。圖14為示意地表示本發(fā)明的變形例相關(guān)的SAW濾波器裝置的構(gòu)造的平面圖。圖15(a)為用于說(shuō)明在圖14所示的SAW濾波器裝置中內(nèi)置于電路基板的電感器的示意的部分凹口正面剖面圖，(b)為示意地表示被內(nèi)置的電感結(jié)構(gòu)線圈狀導(dǎo)體圖案的平面圖。符號(hào)的說(shuō)明1一SAW濾波器裝置；2—連接點(diǎn)；3—連接點(diǎn)；4一公共端子；ll一SAW濾波器芯片；12—壓電基板；12a12f—電極連接盤(pán)(land);13a13f—焊盤(pán)；14一作為封裝材料的安裝基板；14a14e—電極連接盤(pán)；21一SAW濾波器裝置；31—SAW濾波器裝置；32、33—濾波器電路部分；41一SAW濾波器裝置；42—電路基板；43—安裝基板；44一線圈狀導(dǎo)體圖案；45、46—過(guò)孔(viahole)電極；47、48—電極連接盤(pán)；L11L13_第1電感器；L21—第1電感器；L22、L23—第2電感器；L31、L32—第3電感器；P11P14—彈性表面波共振子；P21P22—彈性表面波共振子；S21S22—彈性表面波共振子；S31S32—彈性表面波共振子；La一電感器；IN—輸入端子；OUT—輸出端子。具體實(shí)施例方式以下，通過(guò)參照附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明，能夠明確本發(fā)明。圖1為本發(fā)明的第1實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路圖。本實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1具有連結(jié)輸入端子IN、輸出端子OUT的串聯(lián)腕。在該串聯(lián)腕上，電感器L11L13被互相串聯(lián)地連接配置。此外，在用于連結(jié)在電感器LH和輸入端子IN之間的連接點(diǎn)與接地電位的并聯(lián)腕上，配置有作為并聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子Pll。在連結(jié)電感器Lll、L12間的連接點(diǎn)2和接地電位的并聯(lián)腕上，配置有作為并聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子P12。在電感器L12、L13間的連接點(diǎn)3和接地電位之間的并聯(lián)腕上，配置有作為并聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子P13。進(jìn)而，在電感器L13和輸出端子OUT之間的連接點(diǎn)和接地電位之間的并聯(lián)腕上，配置有作為并聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子P14。彈性表面波共振子P11P14都為1端口型SAW共振子，與各接地電位連接的端部被公共連接，并與公共端子4連接。在該公共端子4和接地電位之間插入電感器La。SAW濾波器裝置1為具有陷波頻帶和位于陷波頻帶的低頻側(cè)的通頻帶的帶阻型濾波器。在SAW濾波器裝置1中，第1彈性表面波共振子Pll的共振頻率和2個(gè)第2彈性表面波共振子P12、P13的共振頻率大致相等，但作為電容元件的第3彈性表面波共振子P14的共振頻率比第2彈性表面波共振子P12、P13的反共振頻率高，并且第3彈性表面波共振子P14在陷波頻帶以及通頻帶中具有電容性。在本實(shí)施方式中，產(chǎn)生在公共連接點(diǎn)4和接地電位之間電連接部分的電感器La，在陷波頻帶中，彈性表面波共振子Pll的阻抗變低，因此在電感器La上施加電壓，產(chǎn)生信號(hào)。但是，在本實(shí)施方式中，第3彈性表面波共振子P14的阻抗在陷波頻帶中具有共振頻率的阻抗的大約50倍的大小。即第3彈性表面波共振子P14在通頻帶中為電容性，因此在電感器La中產(chǎn)生的上述信號(hào)，在輸出端子OUT難以流動(dòng)。因此，能夠抑制由于直達(dá)波所引起的衰減量的惡化。此外，彈性表面波共振子P14并不僅在陷波頻帶中表示電容性，而與電感器L13并聯(lián)連接來(lái)構(gòu)成并聯(lián)共振電路。因此，在并聯(lián)共振電路的并聯(lián)共振頻率位于彈性表面波濾波器裝置1的陷波頻帶內(nèi)的情況下，能夠提高陷波頻帶中的阻抗，由此能夠更加提高電感器La和輸出端子OUT之間的阻抗，從而能夠更有效地抑制上述直達(dá)波的影響。接下來(lái)，參照?qǐng)D2圖5對(duì)上述SAW濾波器裝置1的具體的構(gòu)造進(jìn)行說(shuō)明。在本實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1中，圖2所示的濾波器芯片11通過(guò)倒裝焊接(flipchipbonding)工藝被安裝在圖3的平面圖所示的作為封裝基板的安裝基板14上。圖4為表示該實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1的具體的構(gòu)造的示意的正面剖面圖。在圖2中，形成在濾波器芯片11的下面的電極構(gòu)造，由在透過(guò)壓電基板12的狀態(tài)下的示意的平面圖表示。在本實(shí)施方式中采用55°Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板作為壓電基板12。而且，圖2所示的電極構(gòu)造由Al構(gòu)成。即通過(guò)由AL構(gòu)成的電極構(gòu)造，形成上述的彈性表面波共振子P11P14。此外，不僅彈性表面波共振子P11P14，而且將電極連接盤(pán)12a12f與彈性表面波共振子P11P14連接，用于實(shí)現(xiàn)圖1所示的電路結(jié)構(gòu)的電極圖案也同樣地形成。另外，在圖2中，彈性表面波共振子P11P14僅示意地表示其形成的位置，但具體地來(lái)說(shuō)，為l端口型彈性表面波共振子，其具有由一對(duì)梳齒電極構(gòu)成的IDT電極和配置在該IDT電極的表面波傳輸方向兩側(cè)的一對(duì)反射器。上述彈性表面波共振子P11P14的電極膜厚為彈性表面波的波長(zhǎng)的3%。即設(shè)IDT電極的厚度為h，彈性表面波的波長(zhǎng)為？i時(shí)，IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚100h/X為3X。此外，IDT電極中的占空比為0.3。在上述電極連接盤(pán)12a12f上分別形成金屬焊盤(pán)13a13f。即金屬焊盤(pán)13a13f形成為從壓電基板12的下面向上方突出。另一方面，圖3所示的安裝基板14由鋁等的絕緣性陶瓷或者合成樹(shù)脂等的適當(dāng)?shù)慕^緣性材料構(gòu)成。在安裝基板14的上面形成有電極連接盤(pán)14a14e。電極連接盤(pán)14a為與輸入端子連接的電極連接盤(pán)，電極連接盤(pán)14e為與輸出端子連接的電極連接盤(pán)。電極連接盤(pán)14d為與接地電位連接的電極連接盤(pán)，電極連接盤(pán)14b、14c構(gòu)成與在圖3中未圖示的電感器L11L13連接的端子。即圖1所示的電感器L11L13，如圖5概略圖所示，由與安裝基板14不同的電感部件構(gòu)成。作為這種電感部件，能夠優(yōu)選在安裝基板14或電路基板等采用可表面安裝的芯片型電感部件。另一方面，如圖4所示，在上述安裝基板14上，濾波器芯片ll采用焊盤(pán)13a、13c、13e等被倒裝焊接(flipchipbonding)而被搭載。而且，通過(guò)圖5所示的外帶的電感部件構(gòu)成電感器L11L13能夠得到上述實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1。本實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1具有連結(jié)輸入端子IN和輸出端子OUT的串聯(lián)腕和連結(jié)串聯(lián)腕和接地電位的多個(gè)并聯(lián)腕，在這一點(diǎn)上具有與具有串聯(lián)腕共振子以及并聯(lián)腕共振子的梯型頻帶濾波器類(lèi)似的電路結(jié)構(gòu)。SAW濾波器裝置1那樣的帶阻濾波器裝置也期望梯型的頻帶濾波器的相當(dāng)于通頻帶寬度的陷波域中的頻帶寬度、即衰減頻帶寬度。而且，通過(guò)如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述那樣構(gòu)成，認(rèn)為增大帶阻型濾波器中的衰減頻帶寬度是大致可能的。'但是，在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述那樣構(gòu)成的情況下，實(shí)際上梯型的帶通濾波器中的阻止域、即存在于比陷波頻帶低側(cè)的通頻帶中產(chǎn)生亂真，這一點(diǎn)已由本申請(qǐng)發(fā)明者發(fā)現(xiàn)。上述亂真在共振子的共振頻率X0.8倍的位置出現(xiàn)。因此，該亂真被認(rèn)為由雷利波引起的亂真，在上述梯型的帶通濾波器中也出現(xiàn)了。但是，在梯型的帶通濾波器的情況下，上述亂真出現(xiàn)的頻帶成為通頻帶外的衰減量較大的頻帶，因此存在問(wèn)題的地方減少。與此相對(duì)，如本實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1那樣，在帶阻型的SAW濾波器裝置l中，上述亂真出現(xiàn)在存在于陷波頻帶的低頻側(cè)的通頻帶，會(huì)經(jīng)常對(duì)插入損耗帶來(lái)較大影響。雷利波作為通常沒(méi)有衰減、Q大的表面波被公知。此外，還公知雷利波不依賴(lài)于壓電基板、共振子的電極的膜厚以及IDT電極的占空比。但是，通過(guò)本實(shí)施方式，在SAW濾波器裝置1中，能夠減小由上述雷利波所引起的亂真，或者使其消失。根據(jù)更具體的實(shí)驗(yàn)例對(duì)這一點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。即在SAW濾波器裝置1中，與上述實(shí)施方式相同，設(shè)電極標(biāo)準(zhǔn)化膜厚3%、IDT電極的占空比為0.3，由Al形成電極構(gòu)造。其中采用切角e為41°、45°、50。以及55。這4種Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板，制作4種類(lèi)的SAW濾波器裝置，測(cè)定通過(guò)特性。圖6中表示結(jié)果。由圖6可明確，在切角e為41。的情況下，產(chǎn)生2.0dB左右大小的亂真，但隨著切角e比41。大，亂真變小，在55。時(shí)幾乎不發(fā)生。此外，切角e為58。以上時(shí)，上述亂真完全不發(fā)生。一般，優(yōu)選通頻帶中的衰減量的偏差在1.0dB以下。因此，如果上述亂真的大小在1.0dB以下的范圍、即切角0為50。以上的范圍時(shí)，由于上述通頻帶內(nèi)的衰減量的偏差在1.0dB以下，因此認(rèn)為優(yōu)選。從而，優(yōu)選采用切角為50°以上的Y切X傳輸LiNb03基板作為Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板。另外，在本實(shí)施方式中可以明確，表面波的波長(zhǎng)相對(duì)電極的膜厚的比例為3%，但如果在4%以下也能得到同樣的效果。此外，圖7為表示電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為3%的上述實(shí)施方式的SAW濾波器裝置的通頻帶高頻側(cè)的特性，和除去IDT電極的膜厚/波長(zhǎng)的比例(％)從3%變?yōu)?%以外與該實(shí)施方式構(gòu)成相同的SAW濾波器裝置的通頻帶高頻側(cè)的頻率特性的圖。在圖7中，虛線表示上述實(shí)施方式的結(jié)果，實(shí)線表示IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為2%時(shí)的結(jié)果。IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚比例為2%時(shí)，可知通頻帶高頻側(cè)中的插入損耗劣化一些。通過(guò)本申請(qǐng)發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可明確，該標(biāo)準(zhǔn)化膜厚小于2%時(shí)，通頻帶中的插入損耗具有更加劣化的傾向。因此優(yōu)選切角e為50。以上、且上述電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為2%以上、4%以下。圖8為表示IDT電極的占空比為0.3、壓電基板的切角0變化為41°、45°、50°、55。、60°以及64°時(shí)的IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚比例(％)和電機(jī)械耦合系數(shù)之間的關(guān)系的圖。由圖8可明確，在切角e為50°55°，且標(biāo)準(zhǔn)化膜厚比例為24%的情況下，電機(jī)械耦合系數(shù)能為12.5%15%。雖然優(yōu)選電機(jī)械耦合系數(shù)K較大，但如果過(guò)大則會(huì)有難以實(shí)現(xiàn)陷波頻帶中的衰減特性的急劇型和衰減量之間的平衡的可能性。因此，優(yōu)選電機(jī)械耦合系數(shù)為15%以下程度，因此如上所述，通過(guò)設(shè)電機(jī)械耦合系數(shù)為12.515%，能夠提高陷波中的急劇性和衰減量之間的平衡，這是優(yōu)選的。因此，需要設(shè)切角9為5055°的范圍，并且IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為2X4X的范圍。圖9中用實(shí)線表示采用上述實(shí)施方式的SAW濾波器裝置1、即切角e為55°的旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板的SAW濾波器裝置1的衰減量頻率特性，用虛線表示切角0為50°的SAW濾波器裝置的衰減量頻率特性。上述切角0=50°的SAW濾波器裝置1中的電感器L11L13的電感器為L(zhǎng)ll二15nH，L12=20nH以及L13二15nH。此外，彈性表面波共振子P11P14的電路常數(shù)如下表1所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚為3X，占空比為0.3。另外，圖9中的粗線A為表示通頻帶中的插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)值的線，粗線B為表示陷波頻帶即衰減頻帶中的標(biāo)準(zhǔn)值的線。即插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)值為470770MHz中時(shí)，為2dB以下，上述粗線B所示的陷波頻帶中的衰減量的標(biāo)準(zhǔn)值在830845MHz中時(shí)，為40dB以上。由圖9可明確，切角e二50。時(shí)，得到40dB以上的衰減量的衰減頻帶寬度為28MHz，相對(duì)與此切角e二55。時(shí)，40dB衰減頻帶寬度為25MHz。切角e二50。以及e二55。時(shí)的40dB衰減頻帶寬度的下限頻率都為825MHz。此外，相對(duì)上述衰減頻帶寬度的下限，分別設(shè)置5MHz的頻率的余裕。在通頻帶內(nèi)的高頻側(cè)中，插入損耗為2dB的頻率和作為通頻帶上限的頻率即770MHz之間的頻率差，在e二50。時(shí)為5MHz，相對(duì)于此，在6二55。時(shí)為8MHz。因此，可知在任何情況下頻率余裕都足夠大，但在6=55°的情況下，頻率的余裕更大。在0小于50。的情況下，由于存在在700MHz附近產(chǎn)生的雷利波亂真，因此不能滿(mǎn)足插入損耗的標(biāo)準(zhǔn)。此外，在標(biāo)準(zhǔn)上要求插入損耗的通頻帶內(nèi)中的偏差為ldB以下。如果切角超過(guò)55°，則40dB衰減頻帶寬度比25MHz小，衰減頻帶寬度的頻率余裕也變小。因此，切角6需要為50°以上55°以下。圖10為表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。本發(fā)明的SAW濾波器裝置中的電路結(jié)構(gòu)并不限定為第1實(shí)施方式的電路結(jié)構(gòu)。在第2實(shí)施方式的SAW濾波器裝置21中，在連結(jié)輸入端子IN和輸出端子OUT的串聯(lián)腕連接有第1電感器L21。在連結(jié)第1電感器L21的兩端和接地電位的各并聯(lián)腕中，作為并聯(lián)共振子分別連接有第1彈性表面波共振子P21、P22。由該第1電感器L21和彈性表面波共振子P21、P22構(gòu)成陷波電路部分。在本實(shí)施方式中，在上述陷波電路部分和輸入端子IN之間以及上述陷波電路和輸出端子OUT之間分別設(shè)置有濾波器電路部分。一方的濾波器電路部分具有作為串聯(lián)地插入到輸入端子IN和電感器L21之間的串聯(lián)腕共振子的第2彈性表面波共振子S21;在與第2彈性表面波共振子S21的輸入端子IN相反側(cè)的端部和接地電位之間連接的第2電感器L22。另一方的濾波器電路部分連接在陷波電路和輸出端子OUT之間。即該濾波器電路部分具有作為串聯(lián)地插入到第1電感器L21和輸出端子OUT之間的串聯(lián)腕共振子的第2彈性表面波共振子S22;在與第2彈性表面波共振子S22的陷波電路部分側(cè)端部和接地電位之間連接的第2電感器L23。在此，第2彈性表面波共振子S21、S22的共振頻率與上述SAW濾波器裝置21的通頻帶的高頻側(cè)端部大致一致。因此，在通頻帶中使信號(hào)通過(guò)，能夠使比通頻帶低的頻帶以及陷波頻帶衰減。在本實(shí)施方式中，采用9旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNb03基板作為所使用的壓電基板，由具有由Al或以Al為主要成分的合金構(gòu)成的IDT電極的1端口型SAW共振子構(gòu)成上述彈性表面波共振子S21、S22以及P21、P22，通過(guò)切角0處于50°55°的范圍，IDT電極的厚度h的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚h/入X100(%)為24%，占空比為0.4以下，從而能夠有效地抑壓雷利波亂真。除此之外，在本實(shí)施方式中，由于上述濾波電路部分與陷波電路部分連接，因此能夠形成阻止頻帶寬度較大的通頻帶。即利用作為串聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子S21、S22的并聯(lián)共振以及作為并聯(lián)腕共振子的彈性表面波共振子P21、P22的串聯(lián)共振，來(lái)得到比通頻帶高的頻帶側(cè)中的衰減特性。此外，與第1實(shí)施方式不同，VHF頻帶即比通頻帶低的頻帶側(cè)的頻帶中也能得到較大的衰減量。在本實(shí)施方式中，根據(jù)具體的實(shí)驗(yàn)例對(duì)在切角e、IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚以及占空比位于上述范圍內(nèi)時(shí)，能減小亂真的例子進(jìn)行說(shuō)明。圖11(a)表示切角e為41°、45°以及50°時(shí)的SAW濾波器裝置21的通過(guò)特性，即650750MHz中的通過(guò)特性，圖11(b)表示6=55°時(shí)的通過(guò)特性。由圖11(a)、(b)可知，隨著切角e變大，675MHz附近出現(xiàn)的亂真減小，在9=55°時(shí)幾乎不出現(xiàn)亂真。此外，圖12表示IDT電極的占空比d為0.3的上述第2實(shí)施方式的SAW濾波器裝置21、除去占空比d為0.4之外相同的濾波器裝置以及為了進(jìn)行比較而準(zhǔn)備的除了占空比d為0.5之外與上述SAW濾波器裝置的結(jié)構(gòu)相同的SAW濾波器裝置的衰減量頻率特性。在此，表示通頻帶高頻側(cè)中的衰減量頻率特性。由圖12可知，占空比為0.5時(shí)，675MHz附近的亂真變大。此外，可知在通頻帶高頻側(cè)端部附近，即700760MHz附近亂真增大。因此，優(yōu)選占空比比0.5小，根據(jù)本申請(qǐng)發(fā)明者可以確定，如果為0.4以下，則與上述第1實(shí)施方式的情況相同，降低通頻帶高頻側(cè)中的亂真，能得到良好的濾波特性。在第2實(shí)施方式中，在上述陷波電路部分的前級(jí)以及后級(jí)的雙方中設(shè)置有由彈性表面波共振子S21或者S22、與第2電感器L22或者L23構(gòu)成的濾波電路部分，但也可只設(shè)置任一方的濾波器電路部分。圖13為本發(fā)明的第3實(shí)施方式相關(guān)的SAW濾波器裝置的電路圖。在本實(shí)施方式的SAW濾波器裝置31中，在連結(jié)輸入端子IN和輸出端子OUT的串聯(lián)腕中，串聯(lián)連接陷波電路部分和濾波器電路部分。在本實(shí)施方式中，在陷波電路部分的前級(jí)以及后級(jí)的雙方中連接有濾波器電路部分32、33。濾波器電路部分32被插入到連結(jié)輸入端子IN和輸出端子OUT的串聯(lián)腕中，具有互相串聯(lián)連接的第3電感器L31以及作為串聯(lián)腕共振子的第1彈性表面波共振子S31。同樣，濾波器電路部分33也被插入到串聯(lián)腕，具有互相串聯(lián)連接的第3電感器L32和作為串聯(lián)腕共振子的第1彈性表面波共振子S32。另外，也可只設(shè)置濾波器電路部32、33中的一方。陷波電路部分，構(gòu)成為與第2實(shí)施方式中的陷波電路部分相同。即陷波電路部分具有被插入到串聯(lián)腕中的第1電感器L21;連結(jié)第1電感器L21的兩端和接地電位的各并聯(lián)腕的作為并聯(lián)腕共振子的第2、第3彈性表面波共振子P21、P22。上述SAW濾波器裝置31，通頻帶具有第l中心頻率，由上述陷波頻帶中的第2、第3彈性表面波共振子P21、P22的電容成分、濾波器電路部分中的第1彈性表面波共振子S31、S32的電容成分和第1、第3的電感器L2KL31、L32的電感成分所構(gòu)成的濾波器的頻率特性所具有的第2中心頻率比該第1中心頻率高。在本實(shí)施方式中，也與上述第l、第2實(shí)施方式同樣，采用使所使用的壓電基板的切角e處于上述特定的范圍的LiNb03基板，由具有由Al或以Al為主成分的合金構(gòu)成的IDT電極的1端口型SAW共振子來(lái)構(gòu)成各彈性表面波共振子P21、P22、P31、P32，通過(guò)使IDT電極的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚以及占空比處于上述特定的范圍內(nèi)，從而能夠有效地抑壓雷利波所帶來(lái)的非期望的亂真。此外，在本實(shí)施方式中，由于上述濾波電路部分32、33與陷波電路部分連接，因此能夠使通頻帶中的信號(hào)通過(guò)，使比通頻帶低的VHF頻帶中的頻率以及陷波頻帶以及比陷波頻帶高的頻帶中的信號(hào)衰減。在第1實(shí)施方式中，電感器L11L13如圖5中大致圖示那樣由外置的電感部件構(gòu)成，但如圖14、圖15所示，也可使電感器內(nèi)置于電路基板。即圖14為本發(fā)明的變形例相關(guān)的SAW濾波器裝置的模式平面圖。本變形例的SAW濾波器裝置41中，在構(gòu)成封裝的電路基板42上搭載有搭載了濾波器芯片的安裝基板43。而且，電路基板42的一部分，即在由圖14的單點(diǎn)劃線所包圍的部分內(nèi)在電路基板42中內(nèi)置有電感器。在圖15(a)、(b)中采用D所包圍的部分的部分放大剖面圖以及示意的平面圖來(lái)說(shuō)明上述內(nèi)容。圖15(a)為將電路基板42的一部分放大來(lái)表示的示意的正面剖面圖，在此，在電路基板42內(nèi)構(gòu)成為設(shè)置有線圈狀導(dǎo)體圖案44而構(gòu)成電感器。圖15(b)表示線圈狀導(dǎo)體圖案44的平面形狀。線圈狀導(dǎo)體圖案44具有線圈狀的平面形狀。而且，線圈狀的導(dǎo)體圖案44，通過(guò)過(guò)孔電極45、46從電路基板42的上面被引出。過(guò)孔電極45、46的上端與電極連接盤(pán)47、48連接。電極連接盤(pán)47、48上，與從搭載有濾波器芯片的安裝基板43的下面突出的焊盤(pán)(未圖示)結(jié)合。由此，在本發(fā)明中，用于構(gòu)成SAW濾波器裝置的電感器并不是芯片型電感部件那樣的外帶的電感部件，而也可通過(guò)使構(gòu)成封裝的安裝基板43或者安裝有安裝基板43的電路基板42等內(nèi)置于導(dǎo)體圖案中來(lái)形成。此時(shí)，減少外置的電感部件的數(shù)量，并能夠省略外置的電感部件。因此，能夠推進(jìn)SAW濾波器裝置的小型化以及高度低化。進(jìn)而，也難以產(chǎn)生安裝電感部件時(shí)的安裝偏差所引起的特性偏差。另外，在上述實(shí)施方式以及變形例中，IDT電極由Al形成，但也可由以Al為主成分的合金來(lái)構(gòu)成IDT電極。權(quán)利要求1.一種SAW濾波器裝置，具有陷波頻帶和位于該陷波頻帶的低頻側(cè)的通頻帶，該SAW濾波器裝置具有濾波器芯片，該濾波器芯片具有θ旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNbO3基板；和多個(gè)1端口型SAW共振子，其形成在所述LiNbO3基板上，具有由Al或以Al為主成分的合金構(gòu)成的IDT電極，上述切角θ為50°～55°，以彈性表面波的波長(zhǎng)λ對(duì)上述IDT電極的厚度h進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化而構(gòu)成的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚100h/λ(％)為2～4％，占空比為0.4以下。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，還具有被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中的多個(gè)第1電感器，在上述輸入端子和接地電位之間、上述輸出端子和接地電位之間以及上述多個(gè)第1電感器間和接地電位之間分別連接有上述1端口型SAW共振子。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，還具備搭載有上述濾波器芯片的安裝基板，該安裝基板具有一個(gè)接地端子，與上述濾波器芯片的接地電位連接的部分的全部與上述安裝基板的上述接地端子電連接，并且位于上述輸入端子以及上述輸出端子內(nèi)的一方與接地電位之間的上述1端口型SAW共振子在上述陷波頻帶以及通頻帶中為電容性，且該1端口型SAW共振子的共振頻率比剩余的1端口型SAW共振子的反共振頻率高。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，具備-陷波電路部分，其具有第1電感器和第1共振子，該第1電感器被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中，該第1共振子分別被連接在上述第1電感器的兩端和接地電位之間；濾波器電路部分，其被設(shè)置在上述輸入端子和上述陷波電路部分之間以及上述輸出端子和上述陷波電路部分之間的至少一方，上述濾波器電路部分具有第2共振子，其在上述串聯(lián)腕中配置在上述輸入端子和上述陷波電路部分之間或者上述輸出端子和上述陷波電路部分之間；和第2電感器，其連接在第2共振子的一端和接地電位之間或者另一端和接地電位之間，上述第2共振子的共振頻率與上述通頻帶的高頻側(cè)端部大致一致，上述第l、第2共振子由上述1端口型SAW共振子構(gòu)成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，具備濾波器電路部分，其具有第3電感器和第1共振子，該第3電感器被插入到連結(jié)輸入端子和輸出端子的串聯(lián)腕中，該第1共振子與上述第3電感器串聯(lián)連接；陷波電路部分，其具有被插入到上述串聯(lián)腕的至少一個(gè)第1電感器；被連接在上述第l電感器的一端和接地電位之間的第2共振子；和被連接在上述第1電感器的另一端和接地電位之間的第3共振子，上述濾波器電路部分和陷波電路部分在串聯(lián)腕中被串聯(lián)連接，上述通頻帶具有第1中心頻率，由上述第1第3共振子的電容成分以及上述第1、第3電感器的電感成分構(gòu)成的濾波器的頻率特性所具有的第2中心頻率比上述第1中心頻率咼，上述第1第3共振子由上述1端口型SAW共振子構(gòu)成。6.根據(jù)權(quán)利要求25中任一項(xiàng)所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，上述電感器為芯片型電感部件。7.根據(jù)權(quán)利要求25中任一項(xiàng)所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，上述濾波器芯片采用一個(gè)LiNb03基板而構(gòu)成，還具備搭載有該濾波器芯片的安裝基板和安裝有該安裝基板的電路基板，在上述安裝基板內(nèi)內(nèi)置有上述電感器。8.根據(jù)權(quán)利要求25中任一項(xiàng)所述的SAW濾波器裝置，其特征在于，上述濾波器芯片采用一個(gè)LiNb03基板而構(gòu)成，還具備安裝有上述安裝基板的電路基板，在該電路基板內(nèi)內(nèi)置有上述電感器。全文摘要本發(fā)明提供一種SAW濾波器裝置(1)，具有SAW濾波器芯片，該SAW濾波器芯片在θ旋轉(zhuǎn)Y切X傳輸?shù)腖iNbO₃基板上形成有彈性表面波共振子(P11～P14)，該彈性表面波共振子由Al或以Al為主成分的合金構(gòu)成的IDT電極的多個(gè)1端口型SAW共振子構(gòu)成，切角θ為50°～55°，以彈性表面波的波長(zhǎng)λ對(duì)IDT電極的厚度h進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化而構(gòu)成的標(biāo)準(zhǔn)化膜厚100h/λ(％)為2～4％，占空比為0.4以下。從而，在陷波頻帶的低頻側(cè)具有通頻帶，能夠降低通頻帶內(nèi)以及通頻帶高頻側(cè)端部中的插入損耗，并且能夠擴(kuò)大陷波頻帶中的衰減頻帶寬度。文檔編號(hào)H03H9/64GK101356730SQ20078000141公開(kāi)日2009年1月28日申請(qǐng)日期2007年1月5日優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日發(fā)明者谷口康政申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所