專利名稱：振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種振蕩器，且特別是有關(guān)于一種對電壓、 制程變異以及溫度低敏度的振蕩器。
背景技術(shù)：
圖1是顯示傳統(tǒng)RC振蕩器100的示意圖。RC振蕩器100包括反 相器102、反相器104、電容d、電阻Hb反相單元106以及反相 器108。反相器102具有輸入端，耦接至節(jié)點(diǎn)Nii,以及輸出端。反相 器104具有輸入端，耦接至反相器102的輸出端，以及輸出端，耦 接至節(jié)點(diǎn)Nw。電容d是耦接于節(jié)點(diǎn)Nu與節(jié)點(diǎn)Nu之間。電阻Ri 是耦接于節(jié)點(diǎn)Nh與節(jié)點(diǎn)Ni3之間。反相單元106是耦接于節(jié)點(diǎn)Ni2 與節(jié)點(diǎn)Nis之間。反相器108具有輸入端，耦接至節(jié)點(diǎn)Nis，以及輸 出端，用以產(chǎn)生輸出信號IIO。反相單元106可以為與非門或是反相器。在此，反相單元106 是以與非門為例，并且根據(jù)致能信號EN而使RC振蕩器IOO為導(dǎo)通 或不導(dǎo)通，以節(jié)省電力消耗。RC振蕩器IOO的振蕩頻率是取決于電阻R!與電容Ci的時(shí)間常數(shù)。以晶圓制造而言，電容d大致可分為三種，分別為金屬-絕 緣層-金屬(Meta1- Insulator- Metal, MIM)電容、多晶硅(Poly -Insulator - Poly , PIP)電容以及金屬氧化物半導(dǎo)體(Metal Oxide Semiconductor, MOS)電容。另外，RC振蕩器IOO中的電 阻Ri可以為高阻抗多晶硅(high - R poly )或是長溝道(long channel)MOS晶體管。
然而，金屬-絕緣層_金屬電容與多晶硅電容受到制程變異(process vanation)的影響會(huì)產(chǎn)生10% 20°/。的誤差；且金屬氧化 物半導(dǎo)體電容會(huì)受到制程變異以及電壓的影響而產(chǎn)生10 %的誤 差。再者，高阻抗多晶硅受到制程變異的影響會(huì)產(chǎn)生20%的誤差； 且長溝道MOS晶體管會(huì)受到制程變異而產(chǎn)生10%的誤差，并且受 到電壓平方反比的影響。由于RC振蕩器100的振蕩頻率是取決于電阻&與電容d的時(shí) 間常數(shù)，且電阻R!與電容d是受到制程變異與電壓的影響而造成 誤差，因此振蕩頻率受制程變異與電壓影響相當(dāng)?shù)拿黠@(例如產(chǎn)生 不同的RC值)。因此，必須解決RC振蕩器100的振蕩頻率受制程變異與電壓影響此項(xiàng)問題。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種振蕩器，包括補(bǔ)償電路、振蕩模 組以及控制器。補(bǔ)償電路，包括充電電路以及放電電路。充電電 路包括第 一 電流源以及第二晶體管，第 一 電流源是耦接于電壓源 與第二晶體管之間，第二晶體管具有第二第一端子，耦接至第一 電流源，第二第二端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)，以及第二柵極，用以 接收第 一 開關(guān)信號。放電電路包括第三晶體管以及第二電流源， 第三晶體管具有第三第一端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)，第三第二端子， 以及第三柵極，用以接收第二開關(guān)信號，第二電流源是耦接于第 三晶體管與接地點(diǎn)之間。振蕩模組，包括第一反相器、第二反相 器、電容、電阻、第三反相器以及第四反相器。第一反相器具有 第一輸入端，耦接至第一節(jié)點(diǎn)，以及第一輸出端。第二反相器具 有第二輸入端，耦接至第一輸出端，以及第二輸出端，耦4姿至第 二節(jié)點(diǎn)。電容是耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間。電阻是耦接于
第 一 節(jié)點(diǎn)與第三節(jié)點(diǎn)之間。第三反相器是耦接于第二節(jié)點(diǎn)與第三 節(jié)點(diǎn)之間。第四反相器具有第四輸入端，耦接至第三節(jié)點(diǎn)，以及 第四輸出端，用以產(chǎn)生輸出信號。控制器是用以根據(jù)輸出信號而 產(chǎn)生第一開關(guān)信號以及第二開關(guān)信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 電流源與第二電流源包括一 能隙電路、第一晶體管以及第四晶體管。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第一晶體管具有一第一第一端子， 耦接至上述電壓源， 一第一第二端子，耦接至上述第二第一端子， 以及一第一柵極，用以接收一第一偏壓信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第四晶體管具有一第四第一端子， 耦接至上述第三第二端子， 一第四第二端子，耦接至上述接地點(diǎn)， 以及一第四柵極，用以接收一第二偏壓信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述能隙電路是分別提供上述第 一 偏 壓信號與上述第二偏壓信號來選擇導(dǎo)通上述第一晶體管以及第四 晶體管。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 晶體管與第二晶體管為PMOS ( P型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管，且上述第三晶體管與第四晶體管為NMOS ( N型金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管 本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 電流源與第二電流源可分別由一電流鏡電i 各所構(gòu)成。本發(fā)明所述的振蕩器，上述控制器是為一延遲元件。 本發(fā)明所述的振蕩器，更包括一與門，耦接于上述第二反相器與第三反相器之間，用以根據(jù)一致能信號而使上述振蕩模組啟動(dòng)或停用。本發(fā)明所述的一種振蕩器，包括 一振蕩模組，包括 一第 一反相器，具有一第一輸入端，耦接至一第一節(jié)點(diǎn)，以及一第一 輸出端； 一第二反相器，具有一第二輸入端，耦接至上述第一
出端，以及 一 第二 #r出端，井禺才妄至 一 第二節(jié)點(diǎn)； 一 電容，井禺4妄于 上述第一節(jié)點(diǎn)與上述第二節(jié)點(diǎn)之間； 一電阻，耦接于上述第一節(jié) 點(diǎn)與一第三節(jié)點(diǎn)之間； 一第三反相器，耦接于上述第二節(jié)點(diǎn)與上 述第三節(jié)點(diǎn)之間；以及一第四反相器，具有一第四輸入端，耦接 至上迷第三節(jié)點(diǎn)，以及一第四輸出端，用以產(chǎn)生一輸出信號；一 補(bǔ)償電路，包括 一充電電路，耦接于一電壓源與上述第一節(jié)點(diǎn) 之間，用以根據(jù)一第一偏壓信號以及一第一開關(guān)信號對上述振蕩 模組提供一充電路徑；以及一放電電路，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與 一接地點(diǎn)之間，用以根據(jù)一第二偏壓信號以及一第二開關(guān)信號對 上述振蕩模組提供一放電路徑；以及一控制器，用以根據(jù)上述輸 出信號而產(chǎn)生上述第一開關(guān)信號以及上述第二開關(guān)信號。本發(fā)明所述的振蕩器，更包括一與門，耦接于上述第二反相 器與第三反相器之間，用以根據(jù)一致能信號而使上述振蕩模組啟 動(dòng)或停用。本發(fā)明所述的振蕩器，上述充電電路包括 一 第 一 電流源以及 一第二晶體管，上述第一電流源是耦接于上述電壓源與上述第二 晶體管之間，上述第二晶體管具有一第二第一端子，耦接至上述 第一電流源， 一第二第二端子，耦接至上述第一節(jié)點(diǎn)，以及一第 二柵極，用以接收上述第一開關(guān)信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述放電電路包括 一 第三晶體管以及 一第二電流源，上述第三晶體管具有一第三第一端子，耦接至上 述第一節(jié)點(diǎn)， 一第三第二端子，以及一第三柵極，用以接收上述 第二開關(guān)信號，上述第二電流源是耦接于上述第三晶體管與上述 接地點(diǎn)之間。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 電流源與第二電流源包括一 能隙電路、第一晶體管以及第四晶體管。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第一晶體管具有一第一第一端子，
耦接至上述電壓源， 一第一第二端子，耦接至上述第二第一端子， 以及一第一柵極，用以接收上述第一偏壓信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第四晶體管具有一第四第一端子， 耦接至上述第三第二端子， 一第四第二端子，耦接至上述接地點(diǎn)， 以及一第四柵極，用以接收上述第二偏壓信號。本發(fā)明所述的振蕩器，上述能隙電路是分別提供上述第 一 偏 壓信號與上述第二偏壓信號來選擇導(dǎo)通上述第 一晶體管以及第四 晶體管。本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 晶體管與第二晶體管為PMOS晶體管，且上述第三晶體管與第四晶體管為NMOS晶體管。 本發(fā)明所述的振蕩器，上述第 一 電流源與第二電流源可由一電流鏡電路所構(gòu)成。本發(fā)明所述的振蕩器，上述控制器是為一延遲元件。本發(fā)明所述的振蕩器解決了 RC振蕩器的振蕩頻率受制程變異與電壓影響的問題。


圖1是顯示傳統(tǒng)RC振蕩器的示意圖；圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明 一 實(shí)施例所述的RC振蕩器的示意圖； 圖2B是顯示根據(jù)本發(fā)明另 一實(shí)施例所述的RC振蕩器的示意圖；圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的補(bǔ)償電路220的示意圖； 圖4A是顯示操作電壓與輸出信號OSCO之間的關(guān)系圖； 圖4 B是顯示操作電壓與第 一 開關(guān)信號S W1之間的關(guān)系圖。
具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，
下文特舉出較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下圖2A是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的HC振蕩器200的示意 圖。RC振蕩器200包括補(bǔ)償電路220、振蕩模組210以及控制器 280。補(bǔ)償電路220包括充電電路230以及放電電路240。充電電路230包括第 一 電流源212A以及第二晶體管214。第一 電流源212A是耦接于電壓源VDD與第二晶體管214之間。第二晶 體管214具有第二第 一端子，耦接至第一電流源212A,第二第二 端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)Nu,以及第二柵極，用以接收第一開關(guān)信 號SW丄。放電電路2 4 0包括第三晶體管216以及第二電流源212 B 。第三 晶體管216具有第三第一端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)Nu,第三第二端 子，耦接至上述第二電流源212B,以及第三柵極，用以接收第二 開關(guān)信號SW2。第二電流源212B是耦接于第三晶體管216與接地 點(diǎn)GND之間。圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的補(bǔ)償電路220的示意圖。 請參考圖2A及圖3。補(bǔ)償電路220包括電流供應(yīng)電路217、第二晶 體管214以及第三晶體管216。電流供應(yīng)電路217包括第一電流源212A與第二電流源212B。 值得注意的是，第 一 電流源212A與第二電流源212B于 一 實(shí)施例 中，可包括一能隙電路(BANDGAP)310、第一晶體管302以及第 四晶體管304。第一晶體管302具有第一第一端子，耦接至電壓源 VDD,第一第二端子，耦接至第二第一端子，以及第一柵極，用 以接收第一偏壓信號BIASi。第四晶體管304具有第四第一端子， 耦4妾至第三第二端子，第四第二端子，耦4妻至"I妻地點(diǎn)GND，以及 第四柵極，用以接收第二偏壓信號BIAS2。能隙電路310分別提供第一偏壓信號BIASi與第二偏壓信號 BIAS2來選擇導(dǎo)通第 一 晶體管302以及第四晶體管304,而分別產(chǎn)
生所需的電流路徑(即充電路徑12或是放電路徑13)。另外，根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例，第一電流源212A與第二電流 源212B可由 一 電流鏡電路所構(gòu)成。值得注意的是，第 一 晶體管302與第二晶體管214較佳為 PMOS晶體管，且第三晶體管216與第四晶體管304較佳為NMOS晶體管。參照圖2A,根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例所述的振蕩模組210包括第 一反相器202、第二反相器204、電容C2、電阻R2、第三反相器206 以及第四反相器反相器208。第一反相器202具有第一輸入端，耦接至第一節(jié)點(diǎn)Nu,以及 第一輸出端。第二反相器204具有第二輸入端，耦接至第一反相器 202的第一輸出端，以及第二輸出端，耦4妻至第二節(jié)點(diǎn)N22。電容 C2是耦接于節(jié)點(diǎn)Nu與節(jié)點(diǎn)N22之間。電阻R2是耦接于第 一節(jié)點(diǎn) Nu與第三節(jié)點(diǎn)N23之間。第三反相器206是耦接于第二節(jié)點(diǎn)N22與 第三節(jié)點(diǎn)Nn之間。第四反相器208具有第四輸入端，耦接至節(jié)點(diǎn) N23,以及第四輸出端，用以產(chǎn)生輸出信號OSCO。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例所述的控制器280是根據(jù)輸出信號OSCO 產(chǎn)生上述第一開關(guān)信號SW]以及第二開關(guān)信號SW2。值得注意的 是，控制器280是為一廷遲元件。參照圖2B,根據(jù)本發(fā)明另 一 實(shí)施例所述的RC振蕩器250大體 與圖2A的RC振蕩器200相同，除了振蕩模組210更包括與門205, 用以根據(jù)致能信號EN使振蕩模組210啟動(dòng)(enable)或是停用 (disable),以節(jié)省RC振蕩器250的電力消耗。在本發(fā)明實(shí)施例中，電容C2與電阻R2是分別以MOS電容以及 長溝道MOS晶體管為例。由于MOS電容的特性是為，當(dāng)操作電壓 超過一既定值后，MOS電容的電容值比較不會(huì)受到電壓的影響而 產(chǎn)生偏移。然而，對于作為電阻R2的長溝道MOS晶體管來說，其
阻值是與操作電壓之間具有平方反比的關(guān)系。因此，隨著不同的操作電壓與制程變異的影響，電容C2與電阻R2的RC時(shí)間常數(shù)也會(huì)有所不同。圖4A是顯示操作電壓與輸出信號OSCO間的關(guān)系圖。圖4B 是顯示操作電壓與第一開關(guān)信號SWi之間的關(guān)系圖。很明顯的， 當(dāng)操作電壓越大時(shí)0A〉VpV3)，輸出信號OSCO的周期越小 (TT2〈T3)。因此，當(dāng)電壓越小時(shí)，第二晶體管214開啟的時(shí)間越 長；而當(dāng)電壓越大時(shí)，第二晶體管214開啟的時(shí)間越短。例如，當(dāng)電壓上升時(shí)，電阻R2會(huì)減小，因此通過電阻R2與電容C2的電流路徑L中的電流會(huì)變大。然而，根據(jù)圖4B,當(dāng)電壓上 升時(shí)，第二晶體管214開啟的時(shí)間會(huì)變短，以透過充電路徑l2產(chǎn)生 較小的補(bǔ)償電流。再者，當(dāng)電壓下降時(shí)，電阻R2會(huì)增大，因此通過電阻R2與電容C2的電流路徑L中的電流會(huì)變小。然而，根據(jù)圖4B，當(dāng)電壓下 降時(shí)，第二晶體管214開啟的時(shí)間會(huì)變長，以透過充電路徑12產(chǎn)生 較大的補(bǔ)償電流。必須注意的是，電流供應(yīng)電路217是為不受電壓、制程變異以 及溫度影響的電流源，因此，充電路徑I2與放電路徑I3不會(huì)受到電 壓、制程變異以及溫度影響而有所偏差。因此，控制器28()根據(jù)輸出信號OSCO便可以產(chǎn)生第 一 開關(guān)信 號SWi與第二開關(guān)信號SW2,以分別控制第二晶體管214與第三晶 體管216開啟的時(shí)間而透過補(bǔ)償電路2 2 0提供充電路徑12或是放電 路徑h補(bǔ)償電流路徑Ii中的電流。以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明 的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù) 范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下100、 200、 250: RC振蕩器106:反相單元110、 OSCO:輸出信號205:與門210:振蕩模組217:電流供應(yīng)電路220:補(bǔ)償電路230:充電電路240: it電電5各310:能隙電路Ri、 R2:電阻d、 C2:電容I" 電流^備徑12:充電^各徑13:放電路徑VDD:電壓源GND:接地點(diǎn)280:控制器BIAS!、 BIAS2:電流信號SWh SW2:開關(guān)信號212A、 212B:電流源214、 216、 302、 304:晶體管N"、 N12、 Nl3、 N21、 N22、 N23:節(jié)點(diǎn)102、 104、 108、 202、 204、 206、 208:反相器
權(quán)利要求
1.一種振蕩器，其特征在于，該振蕩器包括一補(bǔ)償電路，包括一充電電路， 包括一第一電流源以及一第二晶體管，上述第一電流源是耦接于一電壓源與上述第二晶體管之間，上述第二晶體管具有一第二第一端子，耦接至上述第一電流源，一第二第二端子，耦接至一第一節(jié)點(diǎn)，以及一第二柵極，用以接收一第一開關(guān)信號；以及一放電電路， 包括一第三晶體管以及一第二電流源，上述第三晶體管具有一第三第一端子，耦接至上述第一節(jié)點(diǎn)，一第三第二端子，以及一第三柵極，用以接收一第二開關(guān)信號，上述第二電流源是耦接于上述第三晶體管與一接地點(diǎn)之間；一振蕩模組，包括一第一反相器，具有一第一輸入端，耦接至上述第一節(jié)點(diǎn)，以及一第一輸出端；一第二反相器，具有一第二輸入端，耦接至上述第一輸出端，以及一第二輸出端，耦接至一第二節(jié)點(diǎn)；一電容，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與上述第二節(jié)點(diǎn)之間；一電阻，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與一第三節(jié)點(diǎn)之間；一第三反相器，耦接于上述第二節(jié)點(diǎn)與上述第三節(jié)點(diǎn)之間；一第四反相器，具有一第四輸入端，耦接至上述第三節(jié)點(diǎn)，以及一第四輸出端，用以產(chǎn)生一輸出信號； 以及一控制器，用以根據(jù)上述輸出信號而產(chǎn)生上述第一開關(guān)信號以及上述第二開關(guān)信號。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器，其特征在于，上述第一電 流源與第二電流源包括一 能隙電路、第 一 晶體管以及第四晶體管。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器，其特征在于，上述第一晶 體管具有一第一第一端子，耦接至上述電壓源， 一第一第二端子, 耦接至上述第二第一端子，以及一第一柵極，用以接收一第一偏 壓信號。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩器，其特征在于，上迷第四晶 體管具有一第四第一端子，耦接至上述第三第二端子， 一第四第 二端子，耦接至上述接地點(diǎn)，以及一第四柵極，用以接收一第二 偏壓信號。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩器，其特征在于，上述能隙電 路是分別提供上述第一偏壓信號與上述第二偏壓信號來選擇導(dǎo)通 上述第 一 晶體管以及第四晶體管。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩器，其特征在于，上述第一晶 體管與第二晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，且上述第三晶 體管與第四晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器，其特征在于，上述第一電 流源與第二電流源可分別由 一 電流鏡電路所構(gòu)成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器，其特征在于，上述控制器 是為一延遲元件。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的振蕩器，其特征在于，更包括一與 門，耦接于上述第二反相器與第三反相器之間，用以根據(jù)一致能 信號而使上述振蕩模組啟動(dòng)或停用。
10. —種振蕩器，其特征在于，該振蕩器包括 一振蕩模組，包括一第一反相器，具有一第一輸入端，耦接至一第一節(jié)點(diǎn)，以 及一第一輸出端；一第二反相器，具有一第二輸入端，耦接至上述第一輸出端， 以及一第二輸出端，耦接至一第二節(jié)點(diǎn)；一電容，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與上述第二節(jié)點(diǎn)之間；一電阻，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與一第三節(jié)點(diǎn)之間；一第三反相器，耦接于上述第二節(jié)點(diǎn)與上述第三節(jié)點(diǎn)之間；以及一第四反相器，具有一第四輸入端，耦接至上述第三節(jié)點(diǎn)， 以及一第四輸出端，用以產(chǎn)生一輸出信號； 一補(bǔ)償電路，包括一充電電^^，耦接于一電壓源與上述第一節(jié)點(diǎn)之間，用以才艮 據(jù)一第 一偏壓信號以及一第 一開關(guān)信號對上述振蕩模組提供一充 電路徑；以及一放電電^各，耦接于上述第一節(jié)點(diǎn)與一接地點(diǎn)之間，用以沖艮 據(jù)一第二偏壓信號以及一第二開關(guān)信號對上述振蕩模組提供一放電路徑；以及一控制器，用以根據(jù)上述輸出信號而產(chǎn)生上述第一開關(guān)信號 以及上述第二開關(guān)信號。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的振蕩器，其特征在于，更包括一 與門，耦接于上述第二反相器與第三反相器之間，用以根據(jù)一致 能信號而使上述振蕩模組啟動(dòng)或停用。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的振蕩器，其特征在于，上述充電 電路包括 一 第 一 電流源以及 一 第二晶體管，上述第 一 電流源是耦 接于上述電壓源與上述第二晶體管之間，上述第二晶體管具有一 第二第一端子，耦接至上述第一電流源， 一第二第二端子，耦接 至上述第一節(jié)點(diǎn)，以及一第二柵極，用以接收上述第一開關(guān)信號。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的振蕩器，其特征在于，上述放電 電路包括一第三晶體管以及一第二電流源，上述第三晶體管具有 一第三第一端子，耦接至上述第一節(jié)點(diǎn)， 一第三第二端子，以及 一第三柵極，用以接收上述第二開關(guān)信號，上述第二電流源是耦 接于上述第三晶體管與上述接地點(diǎn)之間。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器，其特征在于，上述第一 電流源與第二電流源包括 一 能隙電路、第 一 晶體管以及第四晶體管o
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的振蕩器，其特征在于，上述第一 晶體管具有一第一第一端子，耦接至上述電壓源， 一第一第二端 子，耦接至上述第二第一端子，以及一第一柵極，用以接收上述 第一偏壓信號。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的振蕩器，其特征在于，上述第四 晶體管具有一第四第一端子，耦接至上述第三第二端子，一第四 第二端子，耦接至上述接地點(diǎn)，以及一第四柵極，用以接收上述 第二偏壓信號。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的振蕩器，其特征在于，上述能隙 電路是分別提供上述第 一偏壓信號與上述第二偏壓信號來選擇導(dǎo) 通上述第 一晶體管以及第四晶體管。
18. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的振蕩器，其特征在于，上述第一 晶體管與第二晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管，且上述第三晶體管與第四晶體管為N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。
19. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的振蕩器，其特征在于，上述第一 電流源與第二電流源可由 一 電流鏡電路所構(gòu)成。
20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的振蕩器，其特征在于，上述控制 器是為一延遲元件。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種振蕩器，包括補(bǔ)償電路、振蕩模組以及控制器。補(bǔ)償電路，包括充電電路及放電電路。充電電路包括第一電流源，耦接于電壓源與第二晶體管之間，以及第二晶體管具有第二第一端子，耦接至第一電流源，第二第二端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)，以及第二柵極，用以接收第一開關(guān)信號。放電電路包括第三晶體管，具有第三第一端子，耦接至第一節(jié)點(diǎn)，以及第三柵極，用以接收第二開關(guān)信號，以及第二電流源，耦接于第三晶體管與接地點(diǎn)之間。振蕩模組是耦接于補(bǔ)償電路與控制器之間，并產(chǎn)生一輸出信號?？刂破魇歉鶕?jù)輸出信號產(chǎn)生第一開關(guān)信號與第二開關(guān)信號。本發(fā)明所述的振蕩器解決了RC振蕩器的振蕩頻率受制程變異與電壓影響的問題。
文檔編號H03B5/24GK101127505SQ20061011124
公開日2008年2月20日 申請日期2006年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月17日
發(fā)明者沈文萬 申請人:普誠科技股份有限公司