專利名稱：諧振電路、濾波器以及天線雙工器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及諧振電路、濾波器以及天線雙工器，更具體地，涉及一種其中電感器和電容器與諧振器并聯(lián)連接的諧振電路、濾波器以及天線雙工器。
背景技術：
近年來，隨著移動通信系統(tǒng)的發(fā)展，移動電話和移動信息終端已很快普及。例如，移動電話終端在高頻帶(如800MHz到1.0GHz和1.5GHz到2.0GHz)下進行通信。用于移動通信系統(tǒng)的裝置通常使用具有諧振電路的高頻濾波器或具有高頻濾波器的天線雙工器。
參照圖1A，上述裝置中使用的諧振電路形成了單端口諧振電路，其中在輸入端子In與輸出端子Out之間布置有諧振器S21。使用表面聲波(SAW)諧振器或膜體聲諧振器(FBAR)作為諧振器。圖1B是SAW諧振器的俯視圖。在壓電基板70上安裝有分別連接到輸入端子In和輸出端子Out的多個梳狀電極IDT(叉指式換能器)；和置于梳狀電極IDT的兩側的多個反射器R0。例如，梳狀電極IDT和反射器R0由諸如鋁(Al)的金屬制成。其中，在附圖中，示出了反射器R0和IDT具有比指的實際數(shù)量少的電極指(electrode finger)。
圖1C是FBAR的俯視圖。圖1D是其橫截面圖。在基板72(一個示例是硅基板)中的開口76上淀積有下電極75、壓電膜74以及上電極73。例如，使用氮化鋁作為壓電膜74。在某些情況下設置多層反射膜，來代替開口76。
使用梯型濾波器(其中串聯(lián)和并聯(lián)連接了多個單端口諧振電路)作為高頻濾波器。圖2示出了一種梯型濾波器的構成。在輸入端子In與輸出端子Out之間，串聯(lián)連接有串聯(lián)諧振器S11和S12，并且并聯(lián)連接有并聯(lián)諧振器P11和P12。參照圖3A到圖4B，對梯型濾波器的操作原理進行描述。可以將梯型濾波器分成串聯(lián)諧振電路和并聯(lián)諧振電路。參照圖3A，在串聯(lián)諧振電路中，假定諧振器S21是單端口諧振電路，將兩個信號端子中的一個設置給輸入端子In，而將另一端子設置給輸出端子Out。參照圖3B，在并聯(lián)諧振電路中，假定諧振器P21是單端口諧振電路，將兩個信號端子中的一個連接到接地端子，而將另一端子連接到短路線。
圖3C示出了串聯(lián)諧振電路和并聯(lián)諧振電路的從輸入端子In到輸出端子Out的通帶特性。橫軸表示頻率，縱軸表示帶通量。由實線表示串聯(lián)諧振電路的通帶特性，由虛線表示并聯(lián)諧振電路的通帶特性。串聯(lián)諧振電路的通帶特性包括一個諧振點(諧振頻率)frs和一個反諧振點(反諧振頻率)fas。通帶量在所述一個諧振點frs處最高，而在所述一個反諧振點fas處最低。另一方面，并聯(lián)諧振電路的通帶特性包括一個諧振點frp和一個反諧振點fap。通帶量在所述一個諧振點frp處變得最低，而在所述一個反諧振點fap處變得最高。
圖4A示出了一種單級梯型濾波器的結構。參照圖4A，在輸入端子In與輸出端子Out之間串聯(lián)連接有充當串聯(lián)諧振電路的串聯(lián)諧振器S22，并且在輸出端子Out與接地端子之間連接有充當并聯(lián)諧振電路的并聯(lián)諧振器P22。在此，設計成串聯(lián)諧振電路的諧振點frs與并聯(lián)諧振電路的反諧振點fap基本上相同。圖4B示出了單級梯型濾波器的從輸入端子In到輸出端子Out的通帶特性。橫軸表示頻率，縱軸表示帶通量。根據(jù)圖4A所示的結構，將串聯(lián)諧振電路的通帶特性與并聯(lián)諧振電路的通帶特性組合起來，可以得到圖4B的通帶特性。帶通量在串聯(lián)諧振電路的諧振點frs和并聯(lián)諧振電路的反諧振點fap附近最高，而在串聯(lián)諧振電路的反諧振點fas和并聯(lián)諧振電路的諧振點frp處最低。通帶是從并聯(lián)諧振電路的諧振點frp到串聯(lián)諧振電路的反諧振點fap的頻率范圍，而衰減范圍是等于或低于并聯(lián)諧振電路的諧振點frp和等于或高于串聯(lián)諧振電路的反諧振點fap的頻率范圍。按此方式，梯型濾波器充當帶通濾波器。
通過使用具有上述諧振器的濾波器，已經(jīng)提出了一種天線雙工器。該天線雙工器使用兩個帶通濾波器，以在發(fā)送端子與天線端子之間布置發(fā)送濾波器，并在接收端子與天線端子之間布置接收濾波器。在天線端子與發(fā)送濾波器之間或在天線端子與接收濾波器之間還布置有匹配電路(例如，移相器)。該天線雙工器具有從天線端子輸出從發(fā)送端子輸入的發(fā)送信號和從接收端子輸出從天線端子輸入的接收信號的功能。
針對例如匹配電路布置在天線端子與接收濾波器之間的情況，給出對匹配電路的功能的描述。匹配電路具有防止從發(fā)送端子輸入的發(fā)送信號的電進入接收濾波器和從天線端子輸出發(fā)送信號的功能。通常，在接收濾波器處，發(fā)送信號的頻帶中的阻抗幾乎等于零。因此，發(fā)送信號的很大一部分電進入接收濾波器。因此，設置匹配電路用來將接收濾波器處的發(fā)送信號的頻帶中的阻抗轉換成幾乎無窮大。
如在日本特開No.2003-332885、日本特開No.2003-69382、日本特開No.2004-135322以及日本特開No.2004-242281中公開的，已提出其中電感器與諧振器并聯(lián)連接的梯型濾波器。圖5示出了一種根據(jù)上述常規(guī)技術的常規(guī)濾波器。在輸入端子In與輸出端子Out之間串聯(lián)連接有串聯(lián)諧振器S11和S12，在諧振器S11和S12的節(jié)點與地之間連接有并聯(lián)諧振器P11。在輸出端子Out與地之間連接有并聯(lián)諧振器P12。此外，電感器L11和L12分別與串聯(lián)諧振器S11和S12并聯(lián)連接。根據(jù)這種配置，可以得到串聯(lián)諧振電路的兩個反諧振點。由此，通過使用這兩個反諧振點，可以提供一種具有優(yōu)異衰減特性的濾波器。
包括有SAW諧振器或充當諧振器的FBAR的濾波器具有與參照圖3A到圖4B所闡述的諧振點和反諧振點類似的功能(雙諧振特性)。其中，“諧振器”僅僅表示具有雙諧振特性的諧振器，如SAW諧振器或FBAR。此外，“諧振電路(單端口諧振電路)”表示這樣的電路，即，該電路包括單個諧振器或并聯(lián)連接有電感器或電容器的諧振器。
然而，在常規(guī)技術中，與諧振器并聯(lián)連接的電感器的尺寸大，這導致不能減小濾波器和雙工器的尺寸的問題。此外，不能對兩個反諧振點進行任意設置。由于這些原因，還存在另一問題在利用這兩個反諧振點的濾波器中，設計靈活性降低了。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上情況提出了本發(fā)明，本發(fā)明提供了一種諧振電路、濾波器以及天線雙工器，其中，可以減小尺寸并且可以改進設計靈活性。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，優(yōu)選地，提供了一種諧振電路，其包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，優(yōu)選地，提供了一種梯型濾波器，其包括一個或更多個串聯(lián)諧振電路；和一個或更多個并聯(lián)諧振電路。所述一個或更多個串聯(lián)諧振電路和所述一個或更多個并聯(lián)諧振電路中的至少一個包括上述諧振電路。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，優(yōu)選地，提供了一種表面聲波濾波器，其包括多模表面聲波濾波器；和上述諧振電路。
根據(jù)本發(fā)明的再一方面，優(yōu)選地，提供了一種天線雙工器，其包括天線端子；連接到所述天線端子的第一濾波器；以及連接到所述天線端子的第二濾波器。第一濾波器和第二濾波器中的至少一個是上述梯型濾波器。


下面參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細描述，在附圖中圖1A示出了一種諧振器；圖1B是一種SAW諧振器的俯視圖；圖1C是FBAR的俯視圖；圖1D是FBAR的橫截面圖；圖2示出了一種梯型濾波器的配置；圖3A示出了一種串聯(lián)諧振電路的結構；圖3B示出了一種并聯(lián)諧振電路的結構；圖3C示出了串聯(lián)諧振電路和并聯(lián)諧振電路的通帶特性；圖4A示出了一種單級梯型濾波器的結構；圖4B示出了單級梯型濾波器的通帶特性；
圖5示出了一種常規(guī)濾波器；圖6A示出了等效電路；圖6B示出了諧振器的通帶特性；圖7A示出了一種常規(guī)諧振電路的結構；圖7B示出了常規(guī)諧振電路的等效電路；圖7C是示出常規(guī)諧振電路的通帶特性的圖；圖8是示出針對C0和C0×L21的常規(guī)諧振電路的反諧振點和諧振點的圖；圖9A是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的諧振電路的框圖；圖9B是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的等效電路的圖；圖9C示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的諧振電路的通帶特性；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的針對C0和C0×L21的諧振電路的反諧振點和諧振點的圖；圖11A示出了常規(guī)示例1的諧振電路；圖11B示出了對比示例1的諧振電路；圖11C示出了在第一實施例中使用的諧振電路；圖12A示出了常規(guī)示例1、對比示例1以及在本發(fā)明的第一實施例中使用的諧振器的通帶特性；圖12B是反諧振點1附近的放大圖；圖13是示出針對標準化電容值C31/C0的標準化電感值L31/L21的圖；圖14A是常規(guī)示例2的雙工器的框圖；圖14B是對比示例2的雙工器的框圖；圖14C是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的雙工器的框圖；圖15A到圖15C示出了常規(guī)示例2的雙工器；圖16A到圖16C示出了對比示例2的雙工器；圖17是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的雙工器的芯片的俯視圖；圖18A到圖18C示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的雙工器；圖19A示出了對根據(jù)常規(guī)示例2、對比示例2以及第二實施例的接收濾波器和發(fā)送濾波器的通帶特性和雙工器的天線端子的反射特性的測量結果；圖19B是在接收濾波器和發(fā)送濾波器的通帶特性的通帶附近的放大圖；圖20A是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的其上安裝有芯片的疊置封裝的俯視圖；圖20B是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的疊置封裝的橫截面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明第三實施例的疊置封裝的疊層的俯視圖；圖22A是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的其上安裝有芯片的疊置封裝的俯視圖；圖22B是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的疊置封裝的橫截面圖；圖23A是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的疊層的俯視圖；圖23B是根據(jù)本發(fā)明第四實施例的另一疊層的俯視圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明第五實施例的其上安裝有芯片的疊置封裝的俯視圖；圖25A是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的其上安裝有芯片的疊置封裝的俯視圖；圖25B是根據(jù)本發(fā)明第六實施例的MIM電容器的橫截面圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明第七實施例的其上安裝有芯片的疊置封裝和印刷電路板48的俯視圖；圖27A是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的其上安裝有芯片和IPD芯片的疊置封裝的俯視圖；圖27B是根據(jù)本發(fā)明第八實施例的位于IPD芯片上的MIM電容器的橫截面圖；圖28是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的雙工器的框圖；圖29是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的雙工器的框圖；圖30是根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的雙工器的框圖；圖31是根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的梯型濾波器的框圖；圖32是根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的梯型濾波器的框圖；
圖33A是根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的濾波器的框圖；圖33B是根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的DMS濾波器的框圖；圖34是根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的濾波器的框圖；圖35A是根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的濾波器的框圖；以及圖35B是根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的平衡型SAW濾波器的俯視圖。
具體實施例方式
首先，給出對根據(jù)常規(guī)技術可以改進衰減特性的機制的描述。下面對諧振器的諧振點ωr和反諧振點ωa進行描述。圖6A示出了圖1A所示的諧振器的等效電路(雙諧振模型)。在以下描述中，使用電容器的代號(一示例為C0)作為電容器的電容。按同樣的方式使用電感器的代號。參照圖6A，在輸入端子In與輸出端子Out之間，諧振器的電容C0與電感器Lm并聯(lián)連接，電感器Lm與電容器Cm串聯(lián)連接。其中，電容C0在SAW諧振器中對應于IDT的靜電電容，而在FBAR中對應于上電極與下電極之間的靜電電容。Lm和Cm是確定諧振頻率和反諧振頻率的參數(shù)。
在圖6A所示的等效電路中，諧振頻率fr是在輸入端子In與輸出端子Out之間阻抗Z等于零時的頻率，而反諧振頻率fa是導納Y等于零時的頻率。此外，諧振角頻率ωr＝2πfr，而反諧振角頻率ωa＝2πfa。通過對Z＝0和Y＝0進行求解，可以得到公式1中的諧振角頻率ωr和反諧振角頻率ωa。
(公式1)ωr=1LmCm,ωa=1LmCm(Cm+C0C0)]]>其中，假設將諧振角頻率ωr和反諧振角頻率ωa分別固定為給定值。通過對公式1進行求解，可以將Lm和Cm描述為公式2中的函數(shù)。
(公式2)Lm(C0)=1C0(ωa2-ωr2),Cm(C0)=C0(ωa2-ωr2)ωr2]]>圖6B是示出諧振器的針對頻率的衰減量的圖，該針對頻率的衰減量是通過使用圖6A所示的等效電路和公式2計算出來的。其中，將諧振頻率fr設置為1900MHz，將反諧振頻率fa設置為1970MHz，將C0設置為2.0pF。參照圖6B，衰減量在諧振點fr(ωr)處最低，而在反諧振點fa(ωa)處最高。
接著，給出對其中電感器與諧振器并聯(lián)連接的常規(guī)諧振電路的描述。圖7A示出了該諧振電路的結構。圖7B示出了其等效電路。參照圖7A，電感器L21與布置在輸入端子In與輸出端子Out之間的諧振器S21并聯(lián)連接。參照圖7B，電感L21與圖6A所示的諧振器的等效電路并聯(lián)連接。使用該等效電路，通過計算阻抗Z為零時的諧振角頻率ω′r，得到了公式3。在上述情況下，諧振角頻率ω′r等于使用單個諧振器時的諧振角頻率ωr。
(公式3)ω′r＝ωr同時，當對在導納Y等于零的情況下的反諧振角頻率進行計算時，可以得到反諧振點1ω′a1和2ω′a2的兩個反諧振角頻率，如公式4和公式5所述。
(公式4)ωa1′=1+C0L21ωa2-(1+C0L21ωa2)2-4C0L21ωr22C0L21]]>(公式5)ωa2′=1+C0L21ωa2+(1+C0L21ωa2)2-4C0L21ωr22C0L21]]>圖7C是示出使用圖7B的等效電路計算出的針對圖7A所示諧振電路的頻率的衰減量。其中，將諧振頻率fr設置為1900MHz，將反諧振頻率fa設置為1970MHz，將C0設置為2.0pF，將電感器L21設置為3.64nH。參照圖7C，衰減量在諧振點f′r(ω′r)處最低，而在反諧振點1f′a1(ω ′a1)和反諧振點2f′a2(ω′a2)處最高。也就是說，衰減極點是反諧振點1f′a1(ω′a1)和反諧振點2f′a2(ω′a2)。具有其中增加了常規(guī)并聯(lián)電感器的諧振電路的梯型濾波器，具有利用反諧振點1或反諧振點2來改進濾波器的衰減特性的作用。
在公式4或5中，通過將C0乘以L21來確定反諧振點1ω′a1和反諧振點2ω′a2。圖8是示出在將L21固定為3.64nH時諧振器S21的針對電容C0的反諧振點1ω′a1和反諧振點2ω′a2的圖。橫軸表示C0和C0乘以L21，縱軸表示反諧振頻率和諧振頻率。參照圖8，反諧振點1f′a1和反諧振點2f′a2由一個參數(shù)(C0×L21)唯一地確定。因此，在要使用兩個反諧振點(衰減極點)來設計的濾波器中，例如，如果將一個反諧振點設置為希望的頻率，則不能將另一反諧振點設計成具有希望的頻率值。這降低了設計靈活性。
(第一實施例)下面給出對在本發(fā)明第一實施例中使用的諧振電路的配置和原理的描述。圖9A是根據(jù)本發(fā)明第一實施例的諧振電路18的框圖。參照圖9A，在第一實施例中使用的諧振電路包括連接在輸入端子In與輸出端子Out之間的諧振器S31；與諧振器S31并聯(lián)連接的電感器L31；以及與諧振器S31并聯(lián)連接的電容器C31。圖9B是在第一實施例中使用的諧振電路18的等效電路(雙諧振模型)。在圖6A所示的諧振器的等效電路中，電感L31與電容C31并聯(lián)連接。諧振角頻率ω″r等于諧振器S31的諧振角頻率ωr，如公式6所示，其中諧振電路18的阻抗Z等于零。
(公式6)ω″r＝ωr同時，當對導納Y等于零時的反諧振角頻率進行計算時，可以得到具有反諧振點1ω″a1和2ω″a2的兩個反諧振角頻率，如公式7和公式8所述。
(公式7)ωa1′′=1+C0L31ωa2+C31L31ωr2-(1+C0L31ωa2+C31L31ωr2)2-4(C0L31+C31L31)ωr22(C0L31+C31L31)]]>(公式8)ωa2′′=1+C0L31ωa2+C31L31ωr2+(1+C0L31ωa2+C31L31ωr2)2-4(C0L31+C31L31)ωr22(C0L31+C31L31)]]>圖9C是示出第一實施例中使用的諧振電路的利用圖9B的等效電路計算出的針對頻率的衰減量。其中，將諧振頻率fr設置為1900MHz，將反諧振頻率fa設置為1970MHz，將C0設置為2.0pF，將L31設置為1.82nH，將C31設置為2.0pF。參照圖9C，衰減量在諧振點f″r(ω″r)處最低，而在反諧振點1f″a1(ω″a1)和反諧振點2f″a2(ω″a2)處最高。也就是說，衰減極點是反諧振點1f″a1(ω″a1)和反諧振點2f″a2(ω″a2)。與常規(guī)諧振電路一樣，在第一實施例中使用的諧振電路能夠利用反諧振點1或反諧振點2來改進梯型濾波器的衰減特性。
圖10是示出在C31從0pF變到2.0pF的情況下針對C0的反諧振頻率f″a1和f″a2的圖。橫軸表示C0和C0×L21，縱軸表示反諧振頻率和諧振頻率。參照圖10，反諧振頻率f″a1和f″a2可以由參數(shù)(C0×L31)和C31來確定。因此，可以任意設置兩個反諧振點。相應地，在要利用兩個反諧振點(衰減極點)來設計的濾波器中，例如，可以將這兩個反諧振點設置為希望的頻率，從而改進設計靈活性。
接著，描述在使用所述反諧振點中的一個(反諧振點1)作為衰減極點的情況下，在第一實施例中使用的諧振電路的效果。圖11A示出了常規(guī)示例1的諧振電路18a。圖11B示出了對比示例1的諧振電路18b。圖11C示出了第一實施例中使用的諧振電路18。參照圖11A，常規(guī)示例1的諧振電路18a包括與電容為0.885pF的諧振器S21并聯(lián)連接的4.8nH的電感器L21。參照圖11B，對比示例1是這樣的示例，即，其中將諧振器S22的電容設置為1.375pF，并將并聯(lián)連接的電感器L22的電感設置為3.09nH，以減小諧振電路18a的電感器的尺寸。常規(guī)示例1的(C0×L21)在數(shù)值上幾乎等于對比示例1(C0×L22)。因此，常規(guī)示例1和對比示例1具有幾乎相同的反諧振點1。參照圖11C，在第一實施例中使用的諧振電路18中，將諧振器S31的電容設置為0.885pF，這與常規(guī)示例1中的電容相同，并且將并聯(lián)連接的電感器L31的電感設置為3.09nH，這與對比示例1中的電感相同。還并聯(lián)連接了0.885pF的電容器C31，使得反諧振點1變得等于常規(guī)示例1的反諧振點。
圖12A是示出在上述常規(guī)示例1、對比示例1以及第一實施例中使用的諧振電路的通帶特性的計算結果的圖。橫軸表示頻率，縱軸表示衰減量。圖12B是在圖12A所示的反諧振點1附近的放大圖，并且還示出了包括所述諧振電路的濾波器所要求的衰減范圍和通帶范圍。參照圖12A，所述3個諧振電路中的反諧振點1的頻率幾乎相同。參照圖12B，在這種要求的衰減范圍中，對比示例1在衰減量方面比常規(guī)示例1小，并且在衰減特性方面較差。同時，第一實施例的曲線與常規(guī)示例1的曲線大致重合，并具有相似的衰減特性。
電感器需要大的面積，因此使得安裝面積變得更大。因此，可以通過將常規(guī)示例1的諧振電路18a替換成對比示例1的諧振電路18b或在第一實施例中使用的諧振電路18，來減小安裝面積。將諧振器S22的電容設置得比常規(guī)示例1的電容更大，從而將對比示例1的反諧振點設置為等于常規(guī)示例1的反諧振點。因此，如圖12B所示，劣化了衰減特性。然而，在第一實施例中使用的諧振電路18具有其電容與在常規(guī)示例1的諧振電路18a中的諧振器S21的電容相同的諧振器S31?？梢允沟谝粚嵤├乃p特性幾乎與常規(guī)示例1的衰減特性相同。
接下來，進行計算，以獲知所連接的電容器C31可以使電感L31減小多少。公式9和公式10描述了L31，公式9和公式10分別是對公式7和公式8的修改。
(公式9)L31=ωa1′′2-ωr2ωa1′′2{C0(ωa1′′2-ωa2)+C31(ωa1′′2-ωr2)}]]>(公式10)L31=ωa1′′2-ωr2ωa1′′2{C0(ωa1′′2-ωa2)+C31(ωa1′′2-ωr2)}]]>圖13是示出在利用公式9使得諧振電路具有相同的反諧振點1的情況下的標準化電感值L31/L21相對于標準化電容值C31/C0的圖。其中，將反諧振點1設置為圖12A和圖12B所示的反諧振點。當C31/C0等于零時，諧振電路就是其中電感器與諧振器并聯(lián)連接的常規(guī)示例的諧振電路。如果C31/C0變大，則L31/L21變小。換句話說，即便使并聯(lián)連接的電感L31更小，為了獲得具有相同的反諧振點1的諧振電路，也只需要增大與諧振器S31并聯(lián)連接的電容C31。按此方式，通過增大電容C31，可以減小電感器L31的尺寸。通常，當在多層基板上制造電感器時，電感的誤差最大為10％。因此，從實用角度來看，當L31等于或小于L21的90％時，可以展現(xiàn)出減小安裝面積的效果。根據(jù)圖13，通過將C31/C0設置為0.2或更大，可以使L31等于或小于L21的90％。如上所述，電容器C31的電容值優(yōu)選地等于或大于諧振器的電容值C0的0.2倍。因此，可以獲得減小實際安裝面積的效果。
(第二實施例)在本發(fā)明的第二實施例中，將第一實施例中使用的諧振電路應用于天線雙工器。圖14A到圖14C是雙工器的框圖。圖14A是常規(guī)示例2的具有常規(guī)示例1的諧振電路18a的雙工器100a的框圖。圖14B是對比示例2的具有對比示例1的諧振電路18b的雙工器100b的框圖。圖14C是根據(jù)本發(fā)明第二實施例的具有第一實施例中使用的諧振電路18的雙工器100的框圖。
參照圖14C，在第二實施例中使用的雙工器100包括連接在天線端子Ant與接收端子Rx之間的接收濾波器10(第一濾波器)。雙工器100還包括由連接在接收濾波器10與天線端子Ant之間的諧振電路18組成的匹配電路。雙工器100還包括連接在天線端子Ant與發(fā)送端子Tx之間的發(fā)送濾波器12(第二濾波器)。接收濾波器10是包括并聯(lián)諧振器P1到P3、串聯(lián)諧振器S1到S4以及串聯(lián)諧振器S31的梯型濾波器。發(fā)送濾波器12是包括并聯(lián)諧振器P5和P6以及串聯(lián)諧振器S5到S8的梯型濾波器。其中，諧振器S31充當匹配電路的諧振器和接收濾波器10的諧振器。
下面參照圖14A，在常規(guī)示例2的雙工器100a中，除了將常規(guī)示例1的諧振電路18a用于匹配電路和接收濾波器10a以外，與第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，并略去其詳細說明。
圖15A到圖15C是常規(guī)示例2的雙工器的安裝圖。圖16A到圖16C是對比示例2的雙工器的安裝圖。圖17和圖18A到圖18C是在第二實施例中使用的雙工器的安裝圖。
圖17是其中制作有在第二實施例中使用的濾波器的芯片15的俯視圖。在圖17中，黑線是其中形成有金屬(例如鋁)的區(qū)域。通過使用諧振電路的由SAW濾波器組成的梯型濾波器，在壓電基板14上形成接收濾波器10和發(fā)送濾波器12。在接收濾波器10中，串聯(lián)諧振器S31與串聯(lián)諧振器S1到S4串聯(lián)連接。將串聯(lián)諧振器S4連接到接收端子Rx，并由并聯(lián)諧振器P3連接接收端子Rx。并聯(lián)諧振器P2連接在串聯(lián)諧振器S2與S3之間，而并聯(lián)諧振器P3的另一端和并聯(lián)諧振器P2的另一端連接到地端子Gnd。并聯(lián)諧振器P1連接在串聯(lián)諧振器S31與S1之間，而并聯(lián)諧振器P1的另一端連接到地端子Gnd。在串聯(lián)諧振器S31與S1之間還連接有端子L。串聯(lián)諧振器S31的另一端連接到天線端子Ant。
由IDT組成的電容器60與串聯(lián)諧振器S31并聯(lián)連接。電容器60具有多個電極指，這些電極指之間的間隙約為諧振器S1到S8和P1到P6中分別包括的IDT中的間隙的1.5倍寬。設置該差別是為了區(qū)分電容器60中的IDT的諧振頻率與在濾波器10和12中使用的諧振電路的諧振頻率。電容器60的電容是0.885pF。
在發(fā)送濾波器12中，串聯(lián)諧振器S5到S7串聯(lián)連接。串聯(lián)諧振器S5到S8分別連接到天線端子Ant和Tx端子。并聯(lián)諧振器P5連接在串聯(lián)諧振器S5與S6之間，而并聯(lián)諧振器P6連接在串聯(lián)諧振器S7與S8之間。串聯(lián)諧振器S7的另一端和串聯(lián)諧振器S8的另一端連接到地端子Gnd。并聯(lián)諧振器P1連接在串聯(lián)諧振器S31與S1之間，而并聯(lián)諧振器P1的另一端連接到地端子Gnd。針對端子Ant、L、Tx、Rx以及Gnd，分別形成凸起(bump)。
圖18C是其中安裝有在第二實施例中使用的芯片的封裝的橫截面圖。通過使用凸起20，將芯片15倒裝安裝(按面朝下的方式)在疊置封裝30的模片接合面(die attach surface)32上。在模片接合面32上形成有壓接凸起的多個導電凸起焊盤36。這些凸起焊盤36連接到內(nèi)嵌的多個導電通孔38。這些通孔38貫穿疊置封裝30到其背側，并耦合到形成在背側34的導電腳焊盤(footpad)40。通過蓋(帽)31氣密密封疊置封裝30的腔部。按此方式，完成了雙工器100。
圖18A是在其上安裝芯片15之前的疊置封裝30的俯視圖。在圖18A中，黑色的區(qū)域是其中設置有金屬(例如金)的區(qū)域。為芯片15形成的一個或更多個凸起20分別壓接到一個或更多個凸起焊盤36，而且芯片15與這些凸起焊盤36電耦合。端子Ant、L、Tx、Rx以及Gnd分別壓接到凸起焊盤AntB、LB、TxB、RxB以及GndB。在凸起焊盤AntB與LB之間設有線圖案的電感器52。電感器52的電感是3.09nH。相應地，電感器52與形成在芯片中的諧振器S31并聯(lián)連接。凸起焊盤AntB、TxB、RxB以及GndB耦合到所述多個通孔38。
圖18B是疊置封裝30的背側34的俯視圖。在背側34上設有腳焊盤40。連接到凸起焊盤AntB、TxB、RxB以及GndB的所述多個通孔38分別耦合到腳焊盤AntF、TxF、RxF以及GndF，并且還耦合到疊置封裝30的外部。
如至此所描述的，電感器52和電容器60與諧振器S31并聯(lián)連接。
圖15A是常規(guī)示例2的雙工器的芯片的俯視圖。圖15B是在安裝疊置封裝30的芯片之前的俯視圖。圖15C是疊置封裝30的背側34的透視圖。在常規(guī)示例2中，除了在芯片表面上沒有設置電容器60，電感器50的電感為4.8nH并且電感器面積大以外，與圖17、圖18A以及圖18B所示的第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。
圖16A是對比示例2的雙工器的芯片的俯視圖。圖16B是在安裝疊置封裝30的芯片之前的俯視圖。圖16C是疊置封裝30的背側34的透視圖。在對比示例2中，除了在芯片表面上沒有設置電容器60以外，與圖17、圖18A以及圖18B所示的第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號。
在第二實施例中使用的雙工器和對比示例2的雙工器中，使封裝尺寸(安裝面積)比常規(guī)示例2的封裝尺寸小。這是因為，對比示例2中的電感器51和在第二實施例中使用的電感器分別具有3.05nH的電感，該電感比常規(guī)示例2的電感器50的電感4.8nH減小了約64％。
圖19A示出了對常規(guī)示例2、對比示例2以及在第二實施例中使用的接收濾波器和發(fā)送濾波器的通帶特性和雙工器的天線端子的反射特性的測量結果。圖19B是在接收濾波器和發(fā)送濾波器的通帶特性的通帶附近的放大圖。在對比示例2中，接收濾波器的衰減量在1850MHz到1910MHz(對應于發(fā)送通帶(圖19A中的橢圓部分))處降低了。這表示，對比示例1的諧振電路18b的衰減量比常規(guī)示例1的諧振電路18a的衰減量差，如圖12B所示。此外，在發(fā)送通帶的高頻邊沿附近的1900MHz到1910MHz附近(圖19B中的橢圓部分)，發(fā)送濾波器的損耗增大了。這是因為，在上述通帶附近天線端子反射特性劣化了。
同時，在第二實施例中使用的雙工器100的接收濾波器和發(fā)送濾波器的通帶特性和天線端子的反射特性，與常規(guī)示例2的雙工器100a的相應特性幾乎相同。按此方式，對于在第二實施例中使用的雙工器100，可以減小封裝30的安裝面積，同時將濾波器的通帶特性保持為與常規(guī)示例2的通帶特性幾乎相同。此外，諧振電路18位于接收濾波器10的天線端子Ant側，并且將反諧振點(衰減極點)設置于發(fā)送頻帶側。也就是說，將諧振電路18用作被布置成與梯型濾波器的天線端子Ant最靠近的串聯(lián)諧振電路。這使得諧振電路18可以充當雙工器的匹配電路，并且可以改進接收濾波器10的發(fā)送通帶中的衰減特性。
此外，如在第二實施例中描述的，可以由設置在諧振器S31置于其上的同一基板上的SAW諧振器來組成諧振電路18的電容器C31。這使得能夠小型化電容器C31。此外，可以由在其上安裝有諧振器S31的疊置封裝30上形成的線圖案來組成諧振電路18的電感器L31。此外，通過按面朝下的方式進行安裝，可以減小安裝面積的尺寸。
(第三實施例)本發(fā)明的第三實施例是這樣的示例，其中，在芯片15上形成電容器60，在疊置封裝30中形成電感器53，并且按面朝上的方式安裝芯片15。圖20A是其上安裝有芯片15的疊置封裝30的俯視圖。圖20B是疊置封裝30的橫截面圖。圖21是疊置封裝30的疊層44的俯視圖。在第三實施例中，與第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖20A和圖20B，芯片15安裝在模片接合面32上。在芯片15中，除了在端子Ant、L、Tx、Rx或Gnd中沒有形成凸起以外，與第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號。通過導線42將各端子連接到疊置封裝的焊盤40。在由天線端子Ant和L連接的焊盤40處，在疊置封裝30中形成有多個通孔41，通孔41要耦合到形成在疊層44中的電感器53。參照圖21，由導電線圖案制成的電感器53設置在疊層44的表面上。
根據(jù)第三實施例，通過通孔41和導線42將電感器53與諧振器S31串聯(lián)連接。如上所述，可以按面朝上的方式安裝芯片15。
(第四實施例)本發(fā)明的第四實施例是這樣的示例，其中，在疊置封裝30中形成有電容器64和電感器53，并且按面朝上的方式安裝芯片15。圖22A是其上安裝有芯片15的疊置封裝30的俯視圖。圖22B是疊置封裝30的橫截面圖。圖23A是疊置封裝30的疊層44的俯視圖。圖23B是疊置封裝30的疊層46的俯視圖。在第四實施例中，與第三實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖22A和圖22B，在芯片15中沒有設置電容器60。然而，在疊層44上設有上層電極61，并且在疊層46上設有下層電極62。因此，形成了電容器64?，F(xiàn)在參照圖23A，在疊層44的表面上設有由導電圖案組成的上層電極61和由導電線圖案組成的電感器53?，F(xiàn)在參照圖23B，在疊層46的表面上，將由導電圖案組成的下層電極62設置成大致位于上層電極61的下方。由天線端子Ant連接的通孔41耦合到疊層44，而由端子L連接的通孔41耦合到疊層44和疊層46，并且還耦合到下層電極62。因此，電感器53和電容器64通過通孔41和導線42與諧振器S31并聯(lián)連接。
根據(jù)第四實施例，可以提供具有疊置封裝30的封裝材料的MIM電容器64，在該疊置封裝30中，使用諧振電路18的電容器C31和諧振器S31作為介電材料。
(第五實施例)本發(fā)明的第五實施例是這樣的示例，其中，在芯片15中形成有電容器60和電感器54，并且按面朝上的方式安裝芯片15。圖24是其上安裝有芯片15的疊置封裝30的俯視圖。在第五實施例中，與第三實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖24，在芯片15中設有由螺旋線圈組成的電感器54。電感器54的一端連接在諧振器S31與S1之間，并且其另一端通過導線42連接到焊盤40，焊盤40由導線42連接到天線端子Ant。因此，電感器54通過導線42與諧振器S31并聯(lián)連接。
根據(jù)本發(fā)明的第五實施例，可以將諧振電路18的電感器L31形成在諧振器S31形成于其上的同一基板上。
(第六實施例)本發(fā)明的第六實施例是這樣的示例，其中，在芯片15中形成有MIM電容器63和電感器54，并且按面朝上的方式安裝芯片15。圖25A是其上安裝有芯片15的疊置封裝30的俯視圖。圖25B是MIM電容器63的橫截面圖。在第六實施例中，與第三實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖25A，在芯片15上與諧振器S31并聯(lián)設有MIM電容器63。參照圖25B，MIM電容器63由以下部分組成由例如形成在壓電基板14上的鋁制成的下電極63c；由例如位于下電極63c上的氧化硅膜制成的介電膜63b；以及由形成在介電膜63b上的鋁制成的上電極63a。
根據(jù)第六實施例，可以設置MIM電容器，在該MIM電容器中，在其上設有諧振器S31的同一基板上設有諧振電路18的電容器C31。
(第七實施例)本發(fā)明的第七實施例是這樣的示例，其中，在其上安裝有疊置封裝30的印刷電路板上安裝有芯片電容器65和芯片電感器55。圖26是疊置封裝30和印刷電路板48的俯視圖。在疊置封裝30上，安裝有芯片15。在第七實施例中，與第三實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖26，在芯片15上既未設置電容器也未設置電感器。分別通過疊置封裝30中的通孔和腳焊盤(未示出)，將芯片15的端子Ant、L、Tx、Rx以及Gnd連接到印刷電路板48的端子AntT、Lt、TxT、RxT以及GndT。然后，將芯片電容器65和芯片電感器55連接在端子AntT與LT之間。因此，與諧振器S31并聯(lián)連接了芯片電容器65和芯片電感器55。
根據(jù)第七實施例，可以將諧振電路18的電容器C31和電感器L31替換成在其上安裝有諧振器S31的疊置封裝30外部的印刷電路板48(基板)上設置的芯片電容器或芯片電感器。
(第八實施例)本發(fā)明的第八實施例是這樣的示例，其中，在集成無源器件(IPD)芯片58上安裝有電容器66和電感器56。圖27A是其上安裝有芯片15和IPD芯片58的疊置封裝30的俯視圖。圖27B是位于IPD芯片上的MIM電容器66的橫截面圖。在第八實施例中，與第三實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。參照圖27A，在芯片15上既未設置電容器又未設置電感器。在IPD芯片58上，使用螺旋線圈的電感器56與MIM電容器66并聯(lián)連接。通過導線42將芯片15與IPD芯片58連接起來。因此，電感器56和電容器66與諧振器S31并聯(lián)連接。參照圖27B，MIM電容器66由以下部分組成由例如形成在IPD芯片58上的鋁制成的下電極66c；由例如位于下電極66c上的氧化硅膜制成的介電膜66b；以及由形成在介電膜66b上的鋁制成的上電極66a。
根據(jù)第八實施例，可以將諧振電路18的電容器C31和電感器L31替換成形成在IPD芯片58(基板)(而非其上設有諧振器S31的壓電基板14)中的電容器和電感器。
根據(jù)第三到第八實施例，在諧振電路18和雙工器100中，按與第一和第二實施例相類似的方式，可以減小封裝30的安裝面積，同時將濾波器的通帶特性保持為與常規(guī)示例的通帶特性幾乎相同。
(第九實施例)圖28是根據(jù)本發(fā)明第九實施例的雙工器100c的框圖。在雙工器100c中，將匹配電感器LAnt與天線端子Ant串聯(lián)連接。除了上述配置以外，與第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。根據(jù)第九實施例，可以減小天線端子的反射損耗。
(第十實施例)圖29是根據(jù)本發(fā)明第十實施例的雙工器100d的框圖。在雙工器100d中，在接收濾波器10c的天線端子Ant側設有諧振電路18，此外，在發(fā)送濾波器12c的天線端子Ant側還設有其中電感器L32和電容器C32與諧振器S32并聯(lián)連接的諧振電路19。除了上述配置以外，與第二實施例中相同的組成部分和配置具有相同的標號，從而略去其詳細說明。將諧振電路19配置成，使得在接收通帶中存在反諧振點(衰減極點)。因此，諧振電路19充當雙工器的匹配電路，并且可以用于改進接收濾波器10c的接收通帶中的衰減特性。因此可以增大從發(fā)送濾波器12c的天線觀察到的接收通帶的阻抗，并增大從接收濾波器10c的天線觀察到的發(fā)送通帶的阻抗?？梢詼p小天線端子的反射損耗。這可以實現(xiàn)低損耗雙工器。
(第十一實施例)圖30是根據(jù)本發(fā)明第十一實施例的雙工器100e的框圖。在雙工器100e中，在接收濾波器10d的天線端子Ant側或發(fā)送濾波器12d的天線端子Ant側的諧振器處，既未設置電感器又未設置電容器。諧振電路18位于接收濾波器10d的接收端子Rx側，而諧振電路19位于接收濾波器10d的中部。此外，在接收濾波器10d與天線端子Ant之間、在發(fā)送濾波器12d與天線端子Ant之間、以及與天線端子Ant分別串聯(lián)連接有匹配電路22a、22b以及22c。通過使用具有電感器或電容器的集總參數(shù)電路或具有帶狀線(strip line)或微帶狀線的分布式常數(shù)電路，來設計匹配電路22a到22c。根據(jù)第十一實施例，通過將并聯(lián)連接的電感器或電容器與串聯(lián)諧振器(而非置于天線端子Ant側的串聯(lián)諧振器)相連接，可以獨立于對匹配電路的需求來設置反諧振點(衰減極點)。因此，可以改進任意頻率的衰減量。此外，可以減小電感器L31和L32的尺寸，從而減小安裝表面。
根據(jù)第九到第十一實施例，將發(fā)送濾波器(第二濾波器)和接收濾波器(第一濾波器)中的至少一個構造成包括在第一實施例中使用的諧振電路18或19，從而使得可以提供這樣的天線雙工器其中減小了安裝面積，并且在任意頻率處都可以改進衰減量。
(第十二實施例)圖31是根據(jù)本發(fā)明第十二實施例的梯型濾波器110的框圖。在梯型濾波器110中，在輸入端子In與輸出端子Out之間設有串聯(lián)諧振器S2和S31以及并聯(lián)諧振器P1和P2。電容器C31和電感器L31與諧振器S31并聯(lián)連接。諧振器S31、電容器C31以及電感器L31構成在第一實施例中使用的諧振電路18。在梯型濾波器110中，通過將在第一實施例中使用的諧振電路18包括進來，可以在很大程度上改進任意頻率處的衰減量。(第十三實施例)圖32是根據(jù)本發(fā)明第十三實施例的梯型濾波器110a的框圖。在梯型濾波器110a中，除了在第十二實施例中使用的諧振電路18以外，還將電容器C32和電感器L32與其余串聯(lián)諧振器S32并聯(lián)連接。諧振器S32、電容器C32以及電感器L32構成在第一實施例中使用的諧振電路19。因此，在梯型濾波器110a中，電容器和電感器與所有串聯(lián)諧振器相連接。因此與在第十一實施例中使用的濾波器110相比，可以改進任意頻率處的衰減量。
根據(jù)第十二和第十三實施例，在梯型濾波器中，所述多個串聯(lián)諧振電路中的至少一個是在第一實施例中使用的諧振電路18。這使得可以減小安裝面積，并改進任意頻率處的衰減量。
此外，在第二到第十三實施例中，描述了這樣的示例，其中，將在第一實施例中使用的諧振電路18應用于梯型濾波器的串聯(lián)諧振電路。然而，可以將在第一實施例中使用的諧振電路應用于并聯(lián)諧振電路。也就是說，只需要串聯(lián)諧振電路和并行諧振電路中的至少一個是在第一實施例中使用的諧振電路。
(第十四實施例)圖33A是根據(jù)本發(fā)明第十四實施例的濾波器110b的框圖。在濾波器110b中，在輸入端子In與輸出端子Out之間設有雙模SAW(DMS)濾波器24，并且在該濾波器24的輸入端子In側串聯(lián)連接有在第一實施例中使用的諧振電路18。圖33B是DMS濾波器24的框圖。DMS濾波器24包括連接在兩個反射器R0之間并連接到輸出端子Out0的兩個輸出IDT 2；和連接到輸入端子In0的一個輸入IDT 1。按此方式，可以將在第一實施例中使用的諧振電路18添加到多模SAW濾波器。因此可以改進多模SAW濾波器中的任意頻率處的衰減量。
(第十五實施例)圖34是根據(jù)本發(fā)明第十五實施例的濾波器110c的框圖。在濾波器110c中，在第十四實施例中使用的DMS濾波器24的兩側串聯(lián)連接有在第一實施例中使用的諧振電路18和19。諧振器P1并聯(lián)連接在諧振電路18與DMS濾波器24之間，而諧振器P2與輸出端子Out并聯(lián)連接。在具有這種配置的多模SAW濾波器中，可以改進任意頻率處的衰減量。
(第十六實施例)圖35A是根據(jù)本發(fā)明第十六實施例的濾波器110d的框圖。在濾波器110d中，在連接到輸出端子Out1和Out2的平衡型DMS濾波器24a的輸入端子In側，串聯(lián)連接有在第一實施例中使用的諧振電路18和19。圖35B是平衡型DMS濾波器24a的框圖。DMS濾波器24a包括置于兩個反射器R0之間并連接到輸出端子Out1和Out2的輸出IDT 1a；和連接到輸入端子In0的兩個輸出IDT 2。在輸出端子Out1和Out2處輸出倒相信號，以充當平衡型DMS濾波器。在具有這種配置的平衡型多模SAW濾波器中，可以改進任意頻率處的衰減量。
根據(jù)在第十四到第十六實施例中使用的濾波器，通過將多模SAW濾波器和在第一實施例中使用的諧振電路18包括進來，可以減小安裝面積，并且可以改進任意頻率處的衰減量。
在第一到第十三實施例中，描述了其中將SAW諧振器用作諧振器的示例。然而，可以使用壓電薄膜諧振器。在這種情況下，可以得到與在第一到第十二實施例中的效果相同的效果。
本發(fā)明并不限于上述多個實施例，而是可以在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下得到其他實施例、變型例以及修改例。
本發(fā)明基于在2005年7月28日提交的日本特開No.2005-219254，通過引用將其全部公開內(nèi)容并入于此。
權利要求
1.一種諧振電路，其包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
2.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電容器具有等于或大于所述諧振器的電容值的0.2倍的電容值。
3.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述諧振器是表面聲波諧振器或壓電薄膜諧振器。
4.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電容器和所述電感器中的至少一個形成在所述諧振器形成于其上的同一基板上。
5.根據(jù)權利要求4所述的諧振電路，其中，所述電容器是表面聲波叉指式換能器。
6.根據(jù)權利要求4所述的諧振電路，其中，所述電容器是MIM電容器。
7.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電容器是這樣的MIM電容器，即，該MIM電容器使用介電材料作為所述諧振器安裝于其上的封裝的材料。
8.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電容器和所述電感器中的至少一個形成在與所述諧振器形成于其上的基板不同的基板上。
9.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電容器和所述電感器中的至少一個是置于所述諧振器安裝于其上的封裝的外部的芯片電容器或芯片電感器。
10.根據(jù)權利要求1所述的諧振電路，其中，所述電感器被形成為所述諧振器安裝于其上的封裝中的線圖案。
11.一種梯型濾波器，其包括一個或更多個串聯(lián)諧振電路；和一個或更多個并聯(lián)諧振電路，其中，所述一個或更多個串聯(lián)諧振電路和所述一個或更多個并聯(lián)諧振電路中的至少一個包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
12.根據(jù)權利要求11所述的梯型濾波器，其中，所述一個或更多個串聯(lián)諧振電路中的至少一個包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
13.一種表面聲波濾波器，其包括多模表面聲波濾波器；和諧振電路，其包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
14.一種天線雙工器，其包括天線端子；連接到所述天線端子的第一濾波器；以及連接到所述天線端子的第二濾波器，其中，第一濾波器和第二濾波器中的至少一個是梯型濾波器，該梯型濾波器包括一個或更多個串聯(lián)諧振電路；和一個或更多個并聯(lián)諧振電路，其中，所述一個或更多個串聯(lián)諧振電路和所述一個或更多個并聯(lián)諧振電路中的至少一個包括諧振器；與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器；以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
15.根據(jù)權利要求14所述的天線雙工器，其中第一濾波器和第二濾波器中的至少一個是梯型濾波器，在所述梯型濾波器中，所述一個或更多個串聯(lián)諧振電路中的至少一個包括諧振器、與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器；并且被布置成最靠近所述天線端子的所述串聯(lián)諧振電路包括諧振器、與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。
全文摘要
提供了一種諧振電路、濾波器以及天線雙工器，該諧振電路包括諧振器、與所述諧振器并聯(lián)連接的電感器，以及與所述諧振器并聯(lián)連接的電容器。還提供了一種具有上述諧振電路的濾波器和天線雙工器。
文檔編號H03H9/54GK1905365SQ20061010895
公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月28日 優(yōu)先權日2005年7月28日
發(fā)明者井上將吾, 西原時弘, 松田隆志, 上田政則 申請人:富士通媒體部品株式會社, 富士通株式會社