專(zhuān)利名稱(chēng):一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的xed燈鎮(zhèn)流器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，包括整流濾波模塊、功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊和高壓?jiǎn)?dòng)模塊，控制模塊以及輔助電源，所述控制模塊與所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊相連接，用于檢測(cè)所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊。采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，有效的消除了脈沖尖峰在點(diǎn)火啟動(dòng)時(shí)對(duì)燈電極的損傷，相對(duì)的延長(zhǎng)了燈的使用壽命，同時(shí)減小了傳導(dǎo)干擾因素，并可以保持有效燈使用壽命(3萬(wàn)小時(shí))的光效不變，維持在初始光效狀態(tài)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型技術(shù)涉及照明領(lǐng)域中的一種電子鎮(zhèn)流器，特別涉及一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的 XED 燈(Xenon Energy-saving Discharge-lamp)鎮(zhèn)流器。

【背景技術(shù)】
[0002]HID高壓氣體放電燈(熒光燈、高壓鈉燈、金鹵燈、XED燈)是目前相對(duì)光效很好的發(fā)光源，驅(qū)動(dòng)器大多采用了電感式鎮(zhèn)流器作為驅(qū)動(dòng)，電感式鎮(zhèn)流器價(jià)格低廉、工作穩(wěn)定可靠，所以得到了廣泛的應(yīng)用；由于電感式鎮(zhèn)流器功率因素(PFC)低，加了補(bǔ)償電容后也只做到0.8左右，且?guī)лd效率也很低，只有75%左右，這樣電能利用率相對(duì)很低，再是需要大量的銅、硅原材料，又笨重又，又費(fèi)材，同時(shí)，電壓的波動(dòng)會(huì)使燈的功率不穩(wěn)定，由于采用的電感式的，沒(méi)有各種安全保護(hù)裝置；特別是在每個(gè)交流周期，由于電流與電壓交越時(shí)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)瞬間電壓(這個(gè)電壓很高)加在燈的電極上，使電極損壞激增，加速了燈的光衰，一般的5000小時(shí)左右就達(dá)到了有效使用壽命的極限。在當(dāng)下提倡節(jié)能降耗的大形勢(shì)下，有必要有新的技術(shù)來(lái)代替這種驅(qū)動(dòng)方式。
[0003]電子鎮(zhèn)流器的提出，很好的解決了功率因素(PFC)低的問(wèn)題(在全電壓范圍輸入時(shí)達(dá)到90%以上)，帶載效率也得到了提升83%左右，各種安全保護(hù)裝置也可以加上?，F(xiàn)有的鎮(zhèn)流器一般采用了開(kāi)關(guān)降壓(Switch buck)轉(zhuǎn)換型全橋驅(qū)動(dòng)、半橋驅(qū)動(dòng)。由于現(xiàn)有技術(shù)采用的是開(kāi)關(guān)降壓型電路拓?fù)浞桨?，帶載效率做不高，這將形成了一個(gè)技術(shù)突破難題。對(duì)于節(jié)能緊迫的當(dāng)下，提出一種更高效節(jié)能，更安全可靠的鎮(zhèn)流器勢(shì)在必行。
[0004]故，針對(duì)目前現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，實(shí)有必要進(jìn)行研宄，以提供一種方案，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器。
[0006]一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，包括整流濾波模塊、功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊和高壓?jiǎn)?dòng)模塊，其中，
[0007]所述整流濾波模塊與交流輸入相連接，用于對(duì)交流電進(jìn)行整流濾波；
[0008]所述功率因數(shù)校正模塊與所述整流濾波模塊相連接，用于進(jìn)行功率因數(shù)校正；
[0009]所述第一變頻模塊與所述功率因數(shù)校正模塊相連接，用于將所述功率因數(shù)校正模塊輸出的直流電壓進(jìn)行脈沖方波變換；
[0010]所述第二變頻模塊與所述第一變頻模塊相連接，用于將所述第一變頻模塊輸出的脈沖方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻率更低的脈沖方波信號(hào)；
[0011]所述高壓?jiǎn)?dòng)模塊與所述第二變頻模塊相連接，用于在所述鎮(zhèn)流器開(kāi)啟時(shí)產(chǎn)生瞬間高壓信號(hào)點(diǎn)亮XED燈。
[0012]優(yōu)選地，還包括輔助電源和控制模塊，所述輔助電源與所述功率因數(shù)校正模塊相連接，用于為所述控制模塊提供低壓供電；
[0013]所述控制模塊與所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊相連接，用于檢測(cè)所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊、第一變頻模塊、第二變頻模塊。
[0014]優(yōu)選地，還包括智能接口，所述智能接口與所述控制模塊相連接，用于與外部設(shè)備相連接。
[0015]優(yōu)選地，所述整流濾波模塊包括保險(xiǎn)絲F3、吸收電阻RT2，電容C4、電感T5、電容C6、整流橋D3和電容C12。
[0016]優(yōu)選地，所述功率因數(shù)校正模塊包括變壓器T6、電阻R3、電阻R7、電阻R9、電阻R17、電阻R5、電阻R4、電阻R2、電阻R20、電阻R2022、電容C20、電容C14、電容C15、電容C17、芯片U2、二極管D2004和MOS管Q2。
[0017]優(yōu)選地，所述第一變頻模塊包括電阻R38、電阻R39、電阻R37、電阻R23、電阻R24、電阻R26、三極管Q5、三極管Q6、MOS管Q3和MOS管Q4。
[0018]優(yōu)選地，所述第二變頻模塊包括轉(zhuǎn)換電感器T3、轉(zhuǎn)換電感器T2、電容C22、電容C28、電容Cll和電容C27。
[0019]優(yōu)選地，所述高壓?jiǎn)?dòng)模塊為高壓變換器Tl。
[0020]優(yōu)選地，所述輔助電源包括二極管D1、電容Cl、電容C4、二極管D5、二極管D6、電容C3、穩(wěn)壓管D4、二極管D2、電感L1、穩(wěn)壓管D3、集成電路芯片U1、電容C29、電阻R1、集成電路芯片U3和電容C7 ；
[0021]所述控制模塊為單片機(jī)。
[0022]優(yōu)選地，所述第一變頻模塊輸出的方波信號(hào)的頻率范圍在40KHz-200KHz之間；
[0023]所述第二變頻模塊根據(jù)所述第一變頻模塊輸出的方波信號(hào)進(jìn)行跟隨變頻，其輸出的方波信號(hào)的頻率范圍在50Hz-500Hz之間。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用本實(shí)用新型的技術(shù)方案，由于采用了二級(jí)變頻方式，有效的消除了燈啟動(dòng)時(shí)大尖峰電壓變化(dv/dt)對(duì)開(kāi)關(guān)管的損壞，有效的消除了脈沖尖峰在點(diǎn)火啟動(dòng)時(shí)對(duì)燈電極的損傷，相對(duì)的延長(zhǎng)了燈的使用壽命，同時(shí)減小了傳導(dǎo)干擾因素，并可以保持有效燈使用壽命(3萬(wàn)小時(shí))的光效不變，維持在初始光效狀態(tài)。
[0025]上述說(shuō)明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。

【附圖說(shuō)明】

[0026]圖1是本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式I的原理框圖；
[0027]圖2是本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式2的原理框圖；
[0028]圖3是本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式3的原理框圖；
[0029]圖4是本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器的電路原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0030]為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定實(shí)用新型目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的玻璃鋼纖維混凝土復(fù)合管，詳細(xì)說(shuō)明如下:
[0031]參見(jiàn)圖1，所示為本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式I的原理框圖，包括整流濾波模塊(101)、功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)和高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)，具體工作原理如下:
[0032]外接輸入交流電壓為鎮(zhèn)流器供電，經(jīng)整流濾波模塊(101)對(duì)交流電進(jìn)行整流濾波，再通過(guò)功率因數(shù)校正模塊(102)進(jìn)行功率因素校正，使功率因素在全電壓輸入(AV80V-265V 50Hz/60Hz)范圍內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的0.98以上，并輸出恒定電壓；再經(jīng)第一變頻模塊(103)和第二變頻模塊(104)將功率因數(shù)校正模塊(102)輸出的恒定電壓進(jìn)行脈沖二級(jí)頻率變換，第一變頻模塊(103)輸出的方波頻率為40KHz-200KHz，第二變頻模塊(104)輸出的方波頻率為50Hz-500Hz ;再由高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)在所述鎮(zhèn)流器(10)開(kāi)啟時(shí)產(chǎn)生瞬間高壓信號(hào)，從而點(diǎn)亮XED燈(20)。XED燈(20)通過(guò)高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)輸出的瞬間高壓(20KV)電場(chǎng)產(chǎn)生等離子放電，并維持一定功率的放電狀態(tài)，從而產(chǎn)生類(lèi)似太陽(yáng)光普的可見(jiàn)光。
[0033]本實(shí)用新型通過(guò)脈沖頻率控制驅(qū)動(dòng)XED光源，使XED光源工作在恒定或受調(diào)光控制功率狀態(tài)，將驅(qū)動(dòng)器的效率提高至96%或更高，達(dá)到節(jié)能的目的。功率驅(qū)動(dòng)部分采用了二級(jí)跟隨變頻方式實(shí)現(xiàn)，頻率變化是根據(jù)所要控制的負(fù)載功率參數(shù)，達(dá)到實(shí)現(xiàn)控制負(fù)載功率穩(wěn)定可靠工作的目的。
[0034]參見(jiàn)圖2，所示為本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式2的原理框圖，還包括輔助電源(107)和控制模塊(106)，所述輔助電源(107)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)相連接，用于為所述控制模塊(106)提供低壓供電；從而提供一個(gè)穩(wěn)定的直流電壓，以便集成電路芯片能可靠的進(jìn)行工作。
[0035]所述控制模塊(106)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)相連接，用于檢測(cè)所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)。
[0036]交流輸入經(jīng)功率因數(shù)校正模塊(102)進(jìn)行功率因數(shù)調(diào)整并將電壓升到400V得到一個(gè)穩(wěn)定不變的直流電壓，根據(jù)負(fù)載的功率的不同，控制模塊(106)進(jìn)行處理，確保功率因素使終大于0.98以上，第一變頻模塊(103)將升壓后得到的穩(wěn)定直流電壓進(jìn)行脈沖方波變換控制，頻率控制范圍控制在40KHz-200HKz，其目的是為了提高輸入部分的抗干擾性，有效提高CCC認(rèn)證要求的ESD標(biāo)準(zhǔn)，頻率的變化是由控制模塊(106)檢測(cè)到XED燈在不同工作狀態(tài)各種參數(shù)進(jìn)行調(diào)整變頻；為了使得燈電極兩端的工作溫度保持足夠水平，并達(dá)到平衡狀態(tài)，同時(shí)為了消除燈兩極電流的di/dt瞬間尖峰狀態(tài)，第二變頻模塊(104)將第一變頻模塊(103)的頻率轉(zhuǎn)換成50Hz-500Hz脈沖頻率，頻率跟隨第一變頻模塊(103)進(jìn)行變化，頻率范圍控制在50Hz-500Hz之內(nèi)，而后用這個(gè)方波脈動(dòng)直流對(duì)XED燈(20)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)是在開(kāi)啟工作時(shí)，從第二變頻模塊(104)中取出電壓信號(hào)，形成一個(gè)瞬間電壓，這個(gè)電壓幅度達(dá)到23KV以上，同時(shí)有效峰值時(shí)間寬度大于100ns，這個(gè)電壓所產(chǎn)生的電場(chǎng)將擊穿XED燈(20)內(nèi)的發(fā)光體，形成一個(gè)等離子狀態(tài)，此時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)將不再工作，而由第二變頻模塊(104)接管驅(qū)動(dòng)，維持XED燈(20)進(jìn)入等離子放電狀態(tài)，這個(gè)放電過(guò)程中，離子不斷的復(fù)合電離，在復(fù)合的過(guò)程中，電能轉(zhuǎn)換成光能，以光的形式輻射。
[0037]在進(jìn)行功率因數(shù)校正時(shí)，控制模塊(106)首先根據(jù)輸入交流電經(jīng)過(guò)整流濾波模塊(101)整流后得到的饅頭波電壓進(jìn)行貞測(cè)，再根據(jù)XED燈(20)的工作功率，得到控制PFC的控制頻率，使得輸入的電壓、電流的相位重合，從而得到最大的功率因素值。
[0038]在XED燈(20)啟動(dòng)時(shí)，控制模塊(106)給第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)提供一個(gè)固定控制頻率，這個(gè)頻率目的是讓高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)產(chǎn)生一個(gè)符合XED燈
(20)啟動(dòng)的電壓。
[0039]當(dāng)XED燈(20)啟動(dòng)成功后，控制模塊(106)控制對(duì)燈的各種參數(shù)進(jìn)行跟蹤分析，同時(shí)對(duì)第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)作出相應(yīng)的變頻控制，使用得XED燈(20)符合啟動(dòng)及正常工作要求，當(dāng)XED燈(20)的參數(shù)發(fā)生變化時(shí)，各級(jí)控制頻率也相應(yīng)的改變，使XED燈(20)工作在最佳狀態(tài)，保證XED燈(20)的壽命及光衰維持率。采用本實(shí)用新型技術(shù)方案，可以使總個(gè)驅(qū)動(dòng)方案達(dá)到97%以上的負(fù)載效率，從而達(dá)到節(jié)能的目的，同時(shí)有效的解決電子鎮(zhèn)流器入網(wǎng)的ESD干擾難于解決的問(wèn)題。同時(shí)能保證在波動(dòng)市電電壓輸入不穩(wěn)定狀態(tài)及負(fù)載功率不一樣的情況下，確保功率因素維持不變水平。
[0040]參見(jiàn)圖3，所示為本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器實(shí)施方式3的原理框圖，還包括智能接口(108)，所述智能接口(108)與所述控制模塊(106)相連接，用于與外部設(shè)備相連接。智能接口(108)是為了實(shí)現(xiàn)智慧型產(chǎn)品的控制，這一接口兼容電力載波、CDMA、GPRS、Dala1、5V電壓、WiF1、APP等不同的控制方式進(jìn)行控制燈的工作狀態(tài)，有利于產(chǎn)品的智能化控制實(shí)現(xiàn)。
[0041]參見(jiàn)圖4，所示為本實(shí)用新型基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED鎮(zhèn)流器的電路原理圖。
[0042]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，整流濾波模塊(101)由F3保險(xiǎn)絲、吸收電阻RT2，電容C4、電感T5、電容C6、整流橋D3、電容C12等電子元件組成；
[0043]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，功率因數(shù)校正模塊(102)由變壓器T6、電阻R3、電阻R7、電阻R9、電阻R17、電阻R5、電阻R4、電阻R2、電阻R20、電阻R2022、電容C20、電容C14、電容C15、電容C17、芯片U2、二極管D2004、M0S管Q2等電子元件組成；
[0044]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，第一變頻模塊(103)由電阻R38、電阻R39、電阻R37、電阻R23、電阻R24、電阻R26、三極管Q5、三極管Q6、MOS管Q3、MOS管Q4等電子元件組成；
[0045]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，第二變頻模塊(104)由轉(zhuǎn)換電感器T3、轉(zhuǎn)換電感器T2、電容C22、電容C28、電容Cl 1、電容C27等電子元件組成；
[0046]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)由高壓變換器Tl組成；
[0047]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，輔助電源(107)由二極管D1、電容Cl、電容C4、二極管D5、二極管D6、電容C3、穩(wěn)壓管D4、二極管D2、電感L1、穩(wěn)壓管D3、集成電路芯片U1、電容C29、電阻R1、集成電路芯片U3、電容C7等電子元件組成；
[0048]在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，控制模塊(106)為MCU單片機(jī)U4，其外圍電路由電阻R30、電阻R32、電阻R36、電容C20、電阻R18、電阻R19、電容C19、電容C18、電容C13、電阻R16、電阻R29、電容C30、電阻R31、電容C24、電容C25、電阻R33、電阻R15、電容C16、電阻R14、二極管D6A、二極管D6B、電阻R34、電容C26、電阻R35、電容Cl、電容C10、電容C9、電容C8、電阻R12、電阻R13、電容C12、電阻R11、電阻R8等電子元件組成。
[0049]在圖4所示的電路原理圖中，部分連接關(guān)系和工作原理如下:
[0050]電阻R30的一端連到整流橋D3的正端，另一端與電阻R32的一端相連，電阻R32的另一端與電阻R36相連后與電容C13的一端相連，同時(shí)與MCU單片機(jī)集成電路U4的29腳相連，達(dá)到檢測(cè)輸入電壓數(shù)據(jù)的檢測(cè)作用，這一數(shù)據(jù)用來(lái)對(duì)功率因數(shù)校正控制作出設(shè)計(jì)整作用；
[0051]電阻R3的一端與整流橋D3的正端相連，電阻R3的另一端與電阻R7的一端相連，電阻R7的另一端與電阻R9的一端，與C14的一端，MCU單片機(jī)集成電路U4的13腳相連，作為MCU單片機(jī)檢測(cè)輸入電壓經(jīng)整流橋D3整流，并在經(jīng)電容C12濾波，得到的半正弦波的波形進(jìn)行檢測(cè)，得到的數(shù)據(jù)經(jīng)MCU單片機(jī)U4處理后，作為對(duì)PFC控制的開(kāi)關(guān)控制，使輸入的電流與電壓相位一致，得到一個(gè)高功率因素值。電容C15的一端與變換器T6的副邊一端相連，另一端與電阻R17的一端相連，電阻R17的一端與電容C17的一端相連，同時(shí)連到U4的第10腳，作為功率因數(shù)校正控制中的零電流開(kāi)關(guān)檢測(cè)；
[0052]電阻R8的一端與二極管D2004的負(fù)端相連，電阻R8的另一端與電阻Rll的一端相連，電阻Rll的另一端與電容C12的一端、電阻R13的一端相連后與U4的第27腳相連，U4的27腳作為功率因數(shù)校正模塊(102)經(jīng)功率因素校正并升壓后得到的直流穩(wěn)定電壓的檢測(cè)，這個(gè)參數(shù)值經(jīng)控制模塊(106)后得到XED燈(20)在不同階段工作的一個(gè)參量，以此對(duì)燈進(jìn)行控制，控制是經(jīng)第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)來(lái)實(shí)現(xiàn)；
[0053]U4的第4腳、第3腳分別與電阻R26、R39的一端相連后去控制第一變頻模塊(103)，實(shí)現(xiàn)第一級(jí)變頻的驅(qū)動(dòng)控制。U4的第18腳與電阻R14、R33相連，R33的另一端與電容與C25的一端相連，C25的另一端與二極管D6A正極相連，二極管D6A的正極與變壓器T2的副邊一端相連，U4第7腳與電阻R19、R31的一端相連，電阻R31的另一端與電容C24的一端相連，電容C24的另一端與二極管D6B的正極相連后與變壓器T3的副邊一端相連，二極管D6A與D6B的負(fù)端相連后與電阻R34、R35、電容C26的一端相連，電阻R35的另一端與電容Cl相連后與U4的第19腳相連，這樣U4的第19腳、第18腳、第7腳作為二極變頻的控制處理。
[0054]以上所述，僅是本實(shí)用新型的實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XE D燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，包括整流濾波模塊(101)、功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)和高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)，其中， 所述整流濾波模塊(101)與交流輸入相連接，用于對(duì)交流電進(jìn)行整流濾波； 所述功率因數(shù)校正模塊(102)與所述整流濾波模塊(101)相連接，用于進(jìn)行功率因數(shù)校正； 所述第一變頻模塊(103)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)相連接，用于將所述功率因數(shù)校正模塊(102)輸出的直流電壓進(jìn)行脈沖方波變換； 所述第二變頻模塊(104)與所述第一變頻模塊(103)相連接，用于將所述第一變頻模塊(103)輸出的脈沖方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為頻率更低的脈沖方波信號(hào)； 所述高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)與所述第二變頻模塊(104)相連接，用于在所述鎮(zhèn)流器(10)開(kāi)啟時(shí)產(chǎn)生瞬間高壓信號(hào)點(diǎn)亮XED燈(20)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，還包括輔助電源(107)和控制模塊(106)，所述輔助電源(107)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)相連接，用于為所述控制模塊(106)提供低壓供電； 所述控制模塊(106)與所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)相連接，用于檢測(cè)所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104)的工作參數(shù)，并根據(jù)該工作參數(shù)控制所述功率因數(shù)校正模塊(102)、第一變頻模塊(103)、第二變頻模塊(104) ?3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，還包括智能接口(108)，所述智能接口(108)與所述控制模塊(106)相連接，用于與外部設(shè)備相連接。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述整流濾波模塊(101)包括保險(xiǎn)絲F3、吸收電阻RT2，電容C4、電感T5、電容C6、整流橋D3和電容 C12。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述功率因數(shù)校正模塊(102)包括變壓器T6、電阻R3、電阻R7、電阻R9、電阻R17、電阻R5、電阻R4、電阻R2、電阻R20、電阻R2022、電容C20、電容C14、電容C15、電容C17、芯片U2、二極管D2004 和 MOS 管 Q2。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第一變頻模塊(103)包括電阻R38、電阻R39、電阻R37、電阻R23、電阻R24、電阻R26、三極管Q5、三極管Q6、MOS管Q3和MOS管Q4。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第二變頻模塊(104)包括轉(zhuǎn)換電感器13、轉(zhuǎn)換電感器12、電容022、電容028、電容(:11和電容C27。8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述高壓?jiǎn)?dòng)模塊(105)為高壓變換器Tl。9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述輔助電源(107)包括二極管D1、電容Cl、電容C4、二極管D5、二極管D6、電容C3、穩(wěn)壓管D4、二極管D2、電感L1、穩(wěn)壓管D3、集成電路芯片U1、電容C29、電阻R1、集成電路芯片U3和電容C7 ； 所述控制模塊(106)為單片機(jī)。10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基于二級(jí)變頻控制技術(shù)的XED燈鎮(zhèn)流器，其特征在于，所述第一變頻模塊(103)輸出的方波信號(hào)的頻率范圍在40KHz-200KHz之間； 所述第二變頻模塊(104)根據(jù)所述第一變頻模塊(103)輸出的方波信號(hào)進(jìn)行跟隨變頻，其輸出的方波信號(hào)的頻率范圍在50Hz-500Hz之間。
【文檔編號(hào)】H05B41-285GK204291539SQ201420708133
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