專利名稱：壓電器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于各種電子設(shè)備的壓電振蕩器，特別是涉及裝載有水晶及其它壓電振動(dòng)片，以及具有驅(qū)動(dòng)所述振動(dòng)片的振蕩回路的IC芯片等半導(dǎo)體IC元件及/或分立的電子部件的壓電振蕩器。
現(xiàn)有技術(shù)在現(xiàn)有技術(shù)中，在信息通信設(shè)備，個(gè)人電腦等OA(辦公自動(dòng)化)設(shè)備，民用設(shè)備等各種電子設(shè)備上，廣泛使用例如以電子回路作為時(shí)鐘信號(hào)源的壓電振子，以及將壓電振子和IC芯片封裝到同一組件內(nèi)的振蕩器等壓電器件。同時(shí)，伴隨著這些電子設(shè)備的小型化，薄型化，要求壓電器件進(jìn)一步地小型化和薄型化，同時(shí)，大多采用適合于向裝置的電路基板上安裝的表面安裝型的壓電器件。特別是在最近，與伴隨著便攜式電話等信息通信領(lǐng)域中信息傳送的大容量化及高速化相應(yīng)的通信頻率的高頻化及系統(tǒng)的高速化，要求以基波在80MHz或更高的高頻動(dòng)作的壓電器件。
例如，在實(shí)開(kāi)平6-48216號(hào)公報(bào)中，公開(kāi)了一種表面安裝型水晶振蕩器，其中，在由至少三層絕緣層構(gòu)成的疊層電路基板上形成中空部，在形成于其底部的腔內(nèi)配置IC芯片及電子零部件(電阻)，而且在中空部上部配置水晶振動(dòng)片，在該疊層電路基板的上端接合有蓋體并氣密地封裝的同時(shí)，在疊層電路基板的背面形成與外部連接用的端子電極。此外，在特開(kāi)平11-186850號(hào)公報(bào)中所述的可表面安裝的壓電振蕩器，把水晶振動(dòng)片及其驅(qū)動(dòng)IC芯片容納在同一個(gè)箱體中，把驅(qū)動(dòng)IC芯片直接用焊料塊連接到形成于該箱體里面底部上的配線圖形上，并且通過(guò)將水晶振動(dòng)片固定保持在其上方電連接到前述配線圖形上，在可以小型化、薄型化的同時(shí)，可以減少因配線造成的電抗分量，提高其高頻特性。進(jìn)而，特開(kāi)平9-107186號(hào)公報(bào)所述的水晶振蕩器，為了防止向其它設(shè)備的安裝基板上安裝時(shí)熱膨脹率之差引起的斷線，把振蕩元件及其控制元件安裝到陶瓷基板上，把外面設(shè)置連接到該陶瓷基板的電極的外部連接用端子的樹(shù)脂制箱體覆蓋在陶瓷基板上并將其封裝。

發(fā)明內(nèi)容
為了在使用壓電振蕩器時(shí)保持高精度的頻率，需要利用其它參照頻率與之同步，總是把其頻率保持在所需的數(shù)值或范圍內(nèi)。此外，與溫度等環(huán)境變化相應(yīng)地，需要對(duì)因溫度變化等造成的頻率偏差進(jìn)行修正。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)例如要求壓電振蕩器具有可以利用通過(guò)控制電壓改變電容量的可變電容器等，能夠充分修正與參照頻率的頻率差的功能。
在特開(kāi)平10-22735號(hào)公報(bào)中，作為T(mén)CXO(溫度補(bǔ)償型水晶振蕩器)的一個(gè)例子，描述了把形成連接壓電振動(dòng)片及IC芯片的電路圖形的底壁和容納它們的具有開(kāi)口部的環(huán)形側(cè)壁疊層燒結(jié)形成陶瓷基底、在其一端上設(shè)置把底壁和環(huán)形側(cè)壁成一整體地延長(zhǎng)的調(diào)整用輔助部且在其外表面上形成連接到前述電路圖形上的調(diào)整用端子的壓電振蕩器。這種壓電振蕩器通過(guò)中間經(jīng)過(guò)前述調(diào)整用端子向IC芯片的存儲(chǔ)電路中寫(xiě)入補(bǔ)償數(shù)據(jù)后將調(diào)整用輔助部分割，可以防止在制造陶瓷基底時(shí)發(fā)生變形和彎曲。
這種電壓控制型數(shù)據(jù)振蕩器的等效電路模型示于圖5。這里，相對(duì)于負(fù)載容量CL的變化水晶振子的頻率變化量用下面的(1)式表示。特別是在用于在高頻率時(shí)使用的便攜式電話機(jī)等通信設(shè)備中優(yōu)選地使水晶振蕩器的頻率的可變寬度，即ΔF盡可能地大，從而γ＝C0/C1小。
公式1 ΔF＝1/[2γ(1+CL/C0))]…(1)其中，γ＝C0/C1然而，實(shí)際的水晶振蕩器如圖6所示，具有寄生電容CPP。在這種情況下，表現(xiàn)的并聯(lián)電容成為(C0+CPP)，水晶振蕩器的頻率變化量ΔF′被修正為下面的(2)式。
公式2 ΔF′＝1/{2γ′[(1+CL/(C0+Cpp)]}…(2)這里， γ′＝(C0+Cpp)/C1從公式(2)可以看出，當(dāng)寄生電容量CPP大時(shí)，頻率相對(duì)于負(fù)載容量CL的變化量ΔF變小，以及頻率越高寄生電容量CPP越大。特別是，在高頻工作的AT切割水晶振子，由于要求它具有很高的精度，所以這將成為很大的問(wèn)題。
作為這種寄生電容的原因，有水晶振子片本身的靜電容，由形成于水晶振動(dòng)片上的引出電極間的直接電流產(chǎn)生的靜電容。組件的端子之間產(chǎn)生的靜電容，以及水晶振動(dòng)片與組件之間產(chǎn)生的靜電容等。根據(jù)發(fā)明人證實(shí)，在各種壓電材料中，特別是水晶的情況下，在8MHz以上，與組件相關(guān)的寄生電容Cpp≈C0，給予頻率變化的影響很大。
此外，如上述特開(kāi)平11-186850號(hào)公報(bào)，特開(kāi)平9-107186號(hào)公報(bào)后面所描述的水晶振蕩器那樣，利用把水晶振子與驅(qū)動(dòng)用IC等電子部件裝載到同一個(gè)組件內(nèi)的結(jié)構(gòu)，有利于減少發(fā)生在兩者之間的寄生電容，但是，電子部件的焊料塊及電極墊片以及固定它們的粘接劑等產(chǎn)生的氣體被吸附到水晶振動(dòng)片的表面，會(huì)對(duì)其振動(dòng)特性造成惡劣的影響。這里由于氣體吸附引起的頻率降低的量由下面的公式(3)表示，頻率越高其降低的數(shù)量越大。例如，在水晶振子吸附相同量的氣體時(shí)，在頻率為20MHz時(shí)，頻率降低1ppm，而當(dāng)頻率為100MHz時(shí)，其頻率則降低25ppm。
公式3 Δf＝(Wab/pq·Vq)·f2…(3)其中，Wab電極表面吸附的氣體的重量(g/cm2)Pq水晶的密度(g/cm3)Vq水晶中的傳播速度f(wàn)共振頻率這樣，特別是在高頻下工作的水晶振子，對(duì)周圍的氣體非常敏感，很容易受到影響，所以最好不要在相同的氛圍內(nèi)裝載其它的電子部件。特開(kāi)平8-316732號(hào)描述的水晶振蕩器，為了防止在箱體封裝后吸附從接合蓋用的粘接劑產(chǎn)生的氣體引起的頻率偏移，在箱內(nèi)設(shè)置第一容納部以及在其底部設(shè)置第二容納部，把IC等振蕩電路容納在第一容納部?jī)?nèi)，把水晶振子片裝載到第二容納部?jī)?nèi)，并且用罩封裝，組裝到箱體內(nèi)之后，在與壓電振子等效的狀態(tài)下測(cè)定頻率并調(diào)整IC，可以相對(duì)于水晶振子元件片制造時(shí)的殘留形變及由于固定到箱體上時(shí)產(chǎn)生的變形調(diào)整頻率。但是，該公報(bào)所描述的水晶振蕩器，在氣密性封裝的容器內(nèi)還進(jìn)一步另外設(shè)置氣密封裝的水晶振子用的空間，蓋變成雙重結(jié)構(gòu)，所以存在著組件總體的薄型化，小型化受到限制的問(wèn)題。
因此，本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題而提出的，其目的是提供一種把壓電振動(dòng)片和構(gòu)成其振蕩回路的電子部件裝載到同一個(gè)組件中的壓電器件，可以有效地防止由吸附電子部件及配線所產(chǎn)生的氣體、以及因組件和配線結(jié)構(gòu)等造成的寄生電容等所引起的頻率可變量的下降，在滿足小型化、薄型化要求的同時(shí)，可以高精度地調(diào)整頻率，特別適合于基波在80MHz或高于80MHz的高頻振蕩器的壓電器件。
根據(jù)本發(fā)明，為了達(dá)到上述目的，提供一種壓電器件，其特征為，配備有具有在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的一個(gè)主面上形成配線圖形的基板，以圍繞該第一區(qū)域且在其內(nèi)部劃分出第一空腔的方式設(shè)置在基板上的第一側(cè)壁部，接合到所述第一側(cè)壁部的上端、氣密地封裝第一空腔的蓋的組件；連接到前述配線圖形上，安裝到第一空腔內(nèi)的壓電振動(dòng)片；連接到前述配線圖形上，安裝到第二區(qū)域內(nèi)的電子部件；其中，前述第二區(qū)域的電子部件及配線圖形是由樹(shù)脂封裝的。
這樣，通過(guò)把壓電振動(dòng)片氣密地封裝到與電子部件的氛圍不同的第一空腔內(nèi)，在封裝后，不會(huì)產(chǎn)生因吸收從電子部件等產(chǎn)生的氣體引起的寄生電容，同時(shí)，由于它具有將壓電振動(dòng)片及電子部件直接連接到形成于作為組件底板的基板上的配線圖形上的配線結(jié)構(gòu)，所以它不會(huì)產(chǎn)生像把疊層的多層薄板上分別形成的配線圖形在層與層之間連接形成的配線結(jié)構(gòu)中那樣的寄生電容，不存在因這類寄生電容造成頻率偏移的問(wèn)題，所以獲得很高的頻率穩(wěn)定性及老化特性。而且，在把壓電振動(dòng)片氣密封裝的狀態(tài)下通過(guò)調(diào)整第二區(qū)域的電子部件，可以進(jìn)行高精度的頻率調(diào)整。此外，由于無(wú)需像上述特開(kāi)平8-316732號(hào)公報(bào)中所述的水晶振蕩器那樣把蓋制成雙重結(jié)構(gòu)，所以能夠使整個(gè)組件薄型化，小型化。
在一個(gè)實(shí)施例中，通過(guò)把前述電子部件構(gòu)成驅(qū)動(dòng)壓電振動(dòng)片的振蕩回路，獲得具有上述特征的良好的壓電振蕩器，特別是在高頻振蕩器中可以增大頻率可變幅度。進(jìn)而，通過(guò)使前述電子部件包括可變電容器，得到良好的電壓控制式振蕩器。
在另一個(gè)實(shí)施例中，上述組件還具有比形成于基板上的第一側(cè)壁部的高度低的第二側(cè)壁部，以便劃分出包圍第二區(qū)域、且在其內(nèi)部容納電子部件的第二空腔。由于第一側(cè)壁部具有處于第二側(cè)壁部上方的高度，所以可以容易地進(jìn)行蓋的接合，且能夠容易地進(jìn)行第二區(qū)域的可靠的樹(shù)脂封裝。特別是，當(dāng)前述蓋是用金屬板材制成、利用縫焊接合到第一側(cè)壁部上時(shí)，可以在第二側(cè)壁部的上方確保把夾具與蓋及密封環(huán)咬合所必需的空間。進(jìn)而，由于在這種情況下，可以把第一空腔保持在不存在像用低熔點(diǎn)玻璃接合蓋時(shí)產(chǎn)生的不良?xì)怏w的氛圍中，所以在壓電振蕩片封裝之后，不會(huì)產(chǎn)生因吸附氣體而引起的頻率偏移，可以獲得因高的頻率穩(wěn)定性帶來(lái)的優(yōu)異的老化特性。
進(jìn)而，當(dāng)利用注入到第二側(cè)壁部?jī)?nèi)側(cè)的澆注封裝材料把第二區(qū)域的電子部件及配線圖形樹(shù)脂封裝時(shí)，澆注封裝材料不會(huì)從第二區(qū)域流出，能夠以簡(jiǎn)單的操作可靠地進(jìn)行封裝。
此外，在一個(gè)實(shí)施例中，前述配線圖形具有配置在第二區(qū)域且用樹(shù)脂封裝的壓電振動(dòng)片用測(cè)試端子。在第二區(qū)域用樹(shù)脂封裝之前，可經(jīng)過(guò)專用的測(cè)試端子精密地測(cè)定封裝在第一空腔內(nèi)的壓電振動(dòng)片的頻率，且在第二區(qū)域用樹(shù)脂封裝之后，不會(huì)露出到組件的外面，所以不存在受到外部噪音的影響，也不會(huì)被腐蝕，確保頻率及振動(dòng)特性的穩(wěn)定性。
進(jìn)而，在另一個(gè)實(shí)施例中，第一側(cè)壁部通過(guò)把第一空腔的具有開(kāi)口部的陶瓷板疊層在前述基板上形成，借此可簡(jiǎn)化組件的結(jié)構(gòu)及裝配。
本發(fā)明借助上面所述的結(jié)構(gòu)可以獲得下面所述的特殊效果。
根據(jù)本發(fā)明，由于壓電振動(dòng)片被氣密地封裝在與電子部件隔離開(kāi)的氛圍的第一空腔內(nèi)，所以不會(huì)吸附從電子部件等產(chǎn)生的氣體，而且由于壓電振動(dòng)片及電子部件直接連接到形成于基板上的配線圖形上，從而不存在因壓電振動(dòng)片吸附氣體及因組件的配線結(jié)構(gòu)而產(chǎn)生的寄生電容，不會(huì)產(chǎn)生頻率偏移，可以發(fā)揮高的頻率穩(wěn)定性及老化特性，與此同時(shí)，可以獲得通過(guò)調(diào)整第二區(qū)域的電子部件，可以高精度地進(jìn)行頻率調(diào)整的、可小型化、薄型化的表面安裝型壓電器件。特別是，在應(yīng)用電壓控制型的高頻振蕩器時(shí)，可以加大頻率可變幅度，有利于用于通信設(shè)備等。
附圖的簡(jiǎn)單說(shuō)明

圖1(A)是表示根據(jù)本發(fā)明的水晶振蕩器的平面圖，(B)是其縱向剖面圖。
圖2是圖1所示的基底的分解透視圖。
圖3是表示在根據(jù)本發(fā)明的電壓控制型水晶振蕩器中，頻率相對(duì)于外加電壓的可變量的曲線圖。
圖4是表示水晶振蕩器的理論上的等效回路模型的電路圖。
圖5是表示實(shí)際的水晶振蕩器中的等效回路模型的電路圖。
具體實(shí)施形式下面參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
圖1(A)及(B)概略地表示作為應(yīng)用本發(fā)明的壓電器件的實(shí)施例的水晶振蕩器的結(jié)構(gòu)。該水晶振蕩器將AT切割的水晶振動(dòng)片2及構(gòu)成驅(qū)動(dòng)該水晶振動(dòng)片2用的振蕩回路IC芯片3裝載到由絕緣材料構(gòu)成的組件1上。本實(shí)施例的AT切割水晶振動(dòng)片2具有所謂倒臺(tái)面結(jié)構(gòu)，在設(shè)于成矩形的水晶元件片的表面和背面的凹陷的薄壁部4的大致中央部位處形成激振電極5，且在它們的一個(gè)端部側(cè)上引出一對(duì)連接電極6。
組件1在其一個(gè)主面，即，上表面上具有安裝水晶振動(dòng)片2用的第一區(qū)域7a和安裝IC芯片3用第二區(qū)域7b，并具有由陶瓷材料制成的基板7構(gòu)成的基底。在基板7的上表面上，相互鄰接地一體設(shè)置矩形形狀的第一側(cè)壁部9以及矩形的第二側(cè)壁部11，其中，所述第一側(cè)壁部9圍繞第一區(qū)域7a并劃分出在其內(nèi)部容納水晶振動(dòng)片2用的第一空腔8，所述第二側(cè)壁部11圍繞第二區(qū)域7b且劃分出在其內(nèi)部容納IC芯片3用的第二空腔10。第一側(cè)壁部9高于第二側(cè)壁部11，且在其上端中間經(jīng)由密封環(huán)12氣密地接合有金屬制的蓋13。
在基板7的前述主面上，形成連接水晶振動(dòng)片2及IC芯片3用的配線圖形14，并且與在基板7的另一個(gè)主面、即背面上設(shè)置的外部端子連接。這些配線圖形及外部端子一般通過(guò)將W，Mo等金屬配線材料用絲網(wǎng)印刷在陶瓷基板表面上并在其上面鍍以Ni、Au形成。
配線圖形14具有配置在第一區(qū)域7a上的一對(duì)水晶振動(dòng)片用的接線端子16。在各接線端子16上，分別形成用適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料構(gòu)成的、且表面鍍金等的基本上為矩形的電極墊片17。用導(dǎo)電性粘接劑18將水晶振動(dòng)片2以使其各連接電極6與之相對(duì)應(yīng)的方式單臂地基本上水平地固定支承在前述接線端子的電極墊片17上，并且進(jìn)行電連接。在本實(shí)施例中，兩個(gè)接線端子16配置在中央附近靠近第二區(qū)域7b的第一側(cè)壁部9的緊內(nèi)側(cè)。借此，由于使連接水晶振動(dòng)片2與IC芯片3的配線的路線的長(zhǎng)度最短，可使噪音等的影響最小，所以的優(yōu)選的。
進(jìn)而，配線圖形14具有配置在第二區(qū)域7b內(nèi)的IC芯片用的接線端子(圖中省略)，為了與之連接，IC芯片3例如以倒裝片的方式進(jìn)行倒裝接合。前述IC芯片也可以借助引線接合進(jìn)行連接，但是從降低高度使組件整體薄型化的角度考慮，倒裝接合更為有利。IC芯片3及露出到第二區(qū)域7b的配線圖形14借助填充到第二空腔10內(nèi)的澆注封裝材料19樹(shù)脂封裝。借此，在保護(hù)前述IC芯片及配線圖形的同時(shí)，防止因異物等造成的電極及配線之間的短路。
本實(shí)施例的前述基底如圖2所示，由陶瓷材料薄板的疊層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，將具有構(gòu)成第一空腔8的下側(cè)部分的開(kāi)口部20a和構(gòu)成第二空腔10的開(kāi)口部20b的陶瓷薄板20，和具有構(gòu)成第一空腔8的上側(cè)部分的開(kāi)口部21a的陶瓷板21疊層在預(yù)先形成配線圖形14的基板7的前述一個(gè)主面上，使之成一整體。進(jìn)而，將金屬制密封環(huán)12一體接合到陶瓷薄板21上。這種疊層結(jié)構(gòu)在現(xiàn)有技術(shù)的壓電器件的制造中是公知的，由于可以用大型的陶瓷薄板同時(shí)制造多個(gè)基底，所以是十分有利的。
本實(shí)施例的水晶振蕩器按照以下順序進(jìn)行裝配。首先，與圖2相關(guān)地如上面所述，準(zhǔn)備將陶瓷薄板疊層制成的基底，用導(dǎo)電性粘接劑18將AT切割水晶振動(dòng)片2粘接到與其連接電極6對(duì)應(yīng)的各個(gè)電極墊片17上，以單臂支撐的方式固定在第一空腔8內(nèi)。在使導(dǎo)電性粘接劑18充分固化并充分地把有害的氣體從第一空腔8的內(nèi)部排除之后，把該基底配置在真空氛圍或氮?dú)夥諊?，中間經(jīng)由密封環(huán)12把蓋13縫焊在第一側(cè)壁部9上，把第一空腔8封裝到真空或氮?dú)夥諊?。由于第一?cè)壁部9被設(shè)置得高于第二側(cè)壁部11，所以，在縫焊時(shí)，可在第二側(cè)壁部的上方確保將夾具與蓋13和密封環(huán)12咬合所必需的空間。進(jìn)而，由于不會(huì)像用樹(shù)脂或低熔點(diǎn)玻璃進(jìn)行蓋的接合時(shí)那樣產(chǎn)生有害氣體，而且可以把第一空腔維持在不存在這種氣體的氛圍中，不會(huì)因封裝后水晶振動(dòng)片吸附氣體造成頻率偏移，可以獲得高的頻率穩(wěn)定性及優(yōu)異的老化特性。
其次，利用配置在第二區(qū)域7b中的IC芯片連接用配線圖形14測(cè)定水晶振動(dòng)片2的基本振動(dòng)特性。借此，可以事先清除不能發(fā)揮所需振動(dòng)特性的次品，可以提高整個(gè)水晶振蕩器的制造工藝的成品率，降低成本。然后，將IC芯片3倒裝接合到第二區(qū)域7b內(nèi)。進(jìn)而，用基板7背面的外部端子15確認(rèn)IC芯片3的振蕩特性，根據(jù)需要調(diào)整IC芯片3以便進(jìn)行頻率的調(diào)整后，把適當(dāng)?shù)臐沧⒎庋b材料18注入到第二側(cè)壁部11中，以把前述IC芯片及配線圖形14的露出部分完全封裝的方式將第二空腔10填充。這樣，制成根據(jù)本發(fā)明的水晶振蕩器。
根據(jù)本發(fā)明的另外的實(shí)施例，進(jìn)而除IC芯片3之外，可以把可變電容器作為獨(dú)立的電子部件安裝到基板7的第二區(qū)域7b中，同樣進(jìn)行樹(shù)脂封裝。借此，可以獲得具有和上述實(shí)施例同樣的高的頻率穩(wěn)定性及優(yōu)異的老化特性、且能夠小型化、薄型化的電壓控制型水晶振蕩器。
圖3表示對(duì)于這種電壓控制型水晶振蕩器測(cè)定頻率可變量(ppm)的結(jié)果，橫軸為外加電壓(V)，縱軸為頻率偏差(ppm)＝頻率可變量(ΔF′)/2。在同一個(gè)圖中，表示出了把水晶振動(dòng)片封裝在組件中并且把其振蕩電路作為另外的分立的部件連接的現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)的水晶振蕩器所進(jìn)行的比較，如從圖中可以看出的，在本發(fā)明的水晶振蕩器中，由于實(shí)質(zhì)上沒(méi)有因水晶振動(dòng)片的氣體吸附和組件以及配線結(jié)構(gòu)引起的寄生電容，所以頻率可變量可大幅度增大，約增加20％。
同時(shí)，對(duì)于同樣的本發(fā)明的電壓控制型水晶振蕩器，測(cè)定相對(duì)于所經(jīng)過(guò)的時(shí)間的頻率偏差，并分析其老化特性。其結(jié)果，與把水晶振動(dòng)片及作為其振蕩回路的IC芯片裝載到同一組件的同一氛圍中的水晶振蕩器進(jìn)行比較，可以確認(rèn)，隨著時(shí)間的推移，實(shí)質(zhì)上未看出頻率偏差的變化或者其變化非常小，能夠發(fā)揮優(yōu)異的老化特性。
此外，在另外的實(shí)施例中，配線圖形14具有配置在基板7的第二區(qū)域7b中的水晶振動(dòng)片專用的測(cè)試端子。通過(guò)設(shè)置這種單獨(dú)的測(cè)試用端子，在把IC芯片3安裝到第二區(qū)域7b中的狀態(tài)下，可以測(cè)定水晶振動(dòng)片2的振動(dòng)特性。
在另外一個(gè)實(shí)施例中，可以省略從基板7的上表面圍繞第二區(qū)域7b的第二側(cè)壁部11。在這種情況下，安裝到第二區(qū)域7b上的IC芯片3及配線圖形14優(yōu)選地使用比在圖1的實(shí)施例中所使用的澆注封裝材料粘度更高的成型樹(shù)脂。
上面，對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，但如從事本領(lǐng)域的人員所能夠理解的，在本發(fā)明及其技術(shù)范圍內(nèi)，可以對(duì)上述各實(shí)施例進(jìn)行變更或變形加以實(shí)施。此外，本發(fā)明同樣也適用于由除水晶之外的各種壓電材料制成的振動(dòng)片的情況。
權(quán)利要求
1.一種壓電器件，其特征為，配備有具有以下部分的組件，所述部分為，在具有第一區(qū)域和第二區(qū)域的一個(gè)主面上形成配線圖形的基板，以圍繞前述第一區(qū)域且在其內(nèi)部劃分出第一空腔的方式設(shè)置在前述基板上的第一側(cè)壁部，接合在前述第一側(cè)壁部的上端、氣密地封裝前述第一空腔的蓋，連接到前述配線圖形上，安裝到前述第一空腔內(nèi)的壓電振動(dòng)片，連接到前述配線圖形上、安裝到前述第二區(qū)域的電子部件；前述第二區(qū)域的前述電子部件及配線圖形是由樹(shù)脂封裝的。
2.如權(quán)利要求1所述的壓電器件，其特征為，前述電子部件構(gòu)成前述壓電振動(dòng)片的振蕩回路。
3.如權(quán)利要求1所述的壓電器件，其特征為，前述電子部件還包括可變電容器。
4.如權(quán)利要求1至3中任何一個(gè)所述的壓電器件，其特征為，前述組件還具有比形成于前述基板上的前述第一側(cè)壁部的高度低的第二側(cè)壁部，以便劃分出包圍前述第二區(qū)域并在其內(nèi)部容納電子部件的第二空腔。
5.如權(quán)利要求4所述的壓電器件，其特征為，通過(guò)向前述第二側(cè)壁部的內(nèi)側(cè)注入的澆注封裝材料，用樹(shù)脂將前述第二區(qū)域的前述電子部件及配線圖形封裝起來(lái)。
6.如權(quán)利要求1至5中任何一個(gè)所述的壓電器件，其特征為，前述配線圖形具有配置在前述第二區(qū)域上，且用樹(shù)脂封裝的前述壓電振動(dòng)片用的測(cè)試端子。
7.如權(quán)利要求1至6中任何一個(gè)所述壓電器件，其特征為，前述蓋由金屬板制成，通過(guò)縫焊接結(jié)合到前述第一側(cè)壁部上。
8.如權(quán)利要求1至7中任何一個(gè)所述的壓電器件，其特征為，前述第一側(cè)壁部通過(guò)把前述第一空腔的具有開(kāi)口部的陶瓷板材疊層在前述基板上形成。
全文摘要
組件(1)具有由陶瓷基板(7)構(gòu)成的基底,該基板在一個(gè)主面上具有第一區(qū)域(7a)和第二區(qū)域(7b),且形成有連接水晶振動(dòng)片(2)及驅(qū)動(dòng)用IC芯片(3)的配線圖形(14)?；自诨宓纳媳砻嫔显O(shè)置第一側(cè)壁部(9),水晶振動(dòng)片安裝到在其內(nèi)部劃分的第一空腔(8)內(nèi),IC芯片安裝到由第二側(cè)壁部(11)劃分的第二空腔(10)內(nèi)。第一側(cè)壁部高于第二側(cè)壁部,金屬制的蓋(13)縫焊在其上端,第一空腔封裝在真空或氮?dú)夥諊?。第二區(qū)域的IC芯片用樹(shù)脂封裝。除小型化、薄型化以及高精度地進(jìn)行頻率調(diào)整之外,可消除寄生電容,防止頻率可變量的降低,發(fā)揮高的頻率穩(wěn)定性及老化特性、特別適用于頻率可變量大的高頻振蕩器。
文檔編號(hào)H03B5/32GK1384601SQ02119058
公開(kāi)日2002年12月11日 申請(qǐng)日期2002年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月9日
發(fā)明者田中雅子, 遠(yuǎn)藤高志 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社