專利名稱：射頻可變增益放大器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻可變增益放大器件，特別涉及增益切換用開關(guān)元件截止時的隔離又高又穩(wěn)定的射頻可變增益放大器件。
日本國公開專利公報特開平10-173453號中所敘述的射頻可變增益放大器件，就是具有這樣的增益控制功能的放大電路之一例。
圖9示出的是上述公報中所公開的射頻可變增益放大器件中的多級放大電路中的某一級放大電路。
如圖9所示，射頻可變增益放大器件300由放大電路310和進行該放大電路310的信號旁路電路之開、關(guān)的場效應晶體管(FET)構(gòu)成的射頻開關(guān)元件320Q組成。
在放大電路310與輸入節(jié)點Ti及輸出節(jié)點間To之間，分別串聯(lián)著隔直流用電容器Ci和Co。
放大電路310中有一由源極接地的FET構(gòu)成的放大元件311，來自輸入節(jié)點Ti的射頻信號通過輸入匹配電路312供到該源極上，某一定的柵極偏壓Vgg通過電阻器313也供到該源極上。放大元件311的漏極通過輸出匹配電路315將放大信號輸出給輸出節(jié)點To，與此同時還通過漏極偏壓供給電路316與切換電路305相連。
切換電路305中有一與電源電壓Vdd的供給線相連的第一輸入節(jié)點a和接地的第二輸入節(jié)點g。節(jié)點a及g之切換由根據(jù)輸出功率控制信息或者接收信號的信號電平工作的供電控制電路307來控制。
使用耗盡型FET作射頻開關(guān)元件320Q，它的漏極通過隔直流用電容器303c和輸入節(jié)點Ti相連，它的源極和放大元件311的漏極相連，它的柵極則通過電阻器306接地。
這樣構(gòu)成的已往的射頻可變增益放大器件300在下述情況下為高增益工作模式，即在通過供電控制電路307的控制而使切換電路305和第一輸入節(jié)點a相連的那一段時間里，電源電壓Vdd通過該切換電路305被供到放大電路310，該放大電路310進入工作狀態(tài)。此時，通過切換電路305施來的電源電壓Vdd被作為控制信號供到射頻開關(guān)元件320Q，該射頻開關(guān)元件320Q的柵、源極間電壓就變低，該射頻開關(guān)元件320Q就處于截止(OFF)狀態(tài)。結(jié)果信號旁路電路的連接處于開放狀態(tài)。在該開放狀態(tài)下，輸出節(jié)點To的輸出射頻信號的信號電平比輸入節(jié)點Ti的輸入射頻信號的信號電平高出放大電路310的增益這一部分，這就是高增益工作模式。
而這樣構(gòu)成的射頻可變增益放大器件在以下情況下為低增益工作模式。即當切換電路305被切換到第二輸入節(jié)點g時，供到放大電路310的電源電壓Vdd就被切斷，因此該放大電路310就停止工作。與此同時，接地電位作為控制信號通過切換電路305供來。結(jié)果，該射頻開關(guān)元件320Q就處于接通(ON)狀態(tài)，信號旁路電路就為連接狀態(tài)。在該信號旁路電路的連接狀態(tài)下，輸出節(jié)點To的輸出射頻信號的信號電平就比輸入節(jié)點Ti的輸入射頻信號的信號電平低，低了由于插入射頻開關(guān)元件320Q而造成的損失和由于輸入節(jié)點Ti的阻抗不匹配而造成的損失之和，這就是低增益工作模式。
因此，通過在輸入給輸入節(jié)點Ti的射頻信號的信號電平比某規(guī)定的電平低的情況下將它切換到高增益工作模式，在輸入給輸入節(jié)點Ti的射頻信號的信號電平比某規(guī)定的電平高的情況下將它切換到低增益工作模式，射頻可變增益放大器件就能處理動態(tài)范圍很大的射頻信號。
要解決的問題然而，上述已往的射頻可變增益放大器件存在以下問題，即在切換電路305被切換到第一輸入節(jié)點a而進入高增益工作模式時，射頻開關(guān)元件320Q的漏極就處于懸浮狀態(tài)(floating state)，漏極電位就由于該懸浮狀態(tài)的殘留電荷值而有變動，射頻開關(guān)元件320Q處于截止狀態(tài)時的隔離也就由于該漏極電流的變動而有變動。
技術(shù)方案為達成上述目的，本發(fā)明為一不使射頻可變增益放大器件中的信號旁路電路用開關(guān)元件的電極處于懸浮狀態(tài)的結(jié)構(gòu)。
具體而言，本發(fā)明所涉及的第一種射頻可變增益放大器件，包括放大電路、和放大電路并聯(lián)的開關(guān)元件以及和放大電路及開關(guān)元件并聯(lián)的電阻器。放大電路在開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時它才工作，因此開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時，它的輸入端的電位及輸出端的電位比它處于截止狀態(tài)時的低。
根據(jù)第一種射頻可變增益放大器件，因含有與放大電路及開關(guān)元件并聯(lián)的電阻器，故就是在開關(guān)元件處于截止狀態(tài)且放大電路為工作狀態(tài)即增益高的狀態(tài)(高增益工作模式)下，開關(guān)元件的電極也不會處于懸浮狀態(tài)，因此，隔離不會有變動，而且由開關(guān)元件帶來的隔離會增大。另一方面，在開關(guān)元件處于接通狀態(tài)且放大電路為非工作狀態(tài)即增益低的狀態(tài)(低增益工作模式)下，開關(guān)元件接通時的插入損失變小。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好是放大電路中包括雙極型晶體管，放大電路的輸入信號被輸入到雙極型晶體管的基極，放大電路的輸出信號被從雙極型晶體管的集電極輸出。在這樣的結(jié)構(gòu)下，若為使放大電路截止時集電極電流約為0而讓基極電位約為0，就確能使開關(guān)元件的輸入端的電位及輸出端的電位，在放大電路為非工作狀態(tài)(開關(guān)元件為接通狀態(tài))時比放大電路為工作狀態(tài)(開關(guān)元件為截止狀態(tài))時的低。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好是放大電路中有第一雙極型晶體管和其發(fā)射極和第一雙極型晶體管的集電極相連的第二雙極型晶體管，且放大電路的輸入信號被輸入到第一雙極型晶體管的基極，放大電路的輸出信號從第二雙極型晶體管的集電極輸出。這樣做以后，第一和第二雙極型晶體管就成為射地—基地連接，而可對頻率更高的輸入信號進行放大。而且，若使第二雙極型晶體管的基極的電位約為0，就是將強電場信號輸入給第一雙極型晶體管，第二雙極型晶體管也不會工作。
因此，在這種情況下，最好是開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時，第二雙極型晶體管的基極的電位比開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時的低。這樣就因第一雙極型晶體管的集電極的電位就比電源電壓低，而可降低低增益工作模式下輸出信號的失真程度。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸入端和開關(guān)元件之間設上帶狀線(strip line)。這樣做的話，通過給帶狀線中的特性阻抗或者線長等設定一適當?shù)闹?，就能改變放大電路的輸入阻抗的值。因而能使高增益工作模式下和低增益工作模式下的輸出、入阻抗值接近。結(jié)果就可降低由于在高增益和低增益這兩個工作模式下輸出入端的阻抗不匹配而造成的損失。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸出端和開關(guān)元件之間設上帶狀線。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸入端和開關(guān)元件之間設上共面線。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸出端和開關(guān)元件之間設上共面線。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸入端和開關(guān)元件之間設上感應元件。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在放大電路的輸出端和開關(guān)元件之間設上感應元件。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好在開關(guān)元件的后級設上其它電阻器。因這樣做可降低由于開關(guān)元件的插入而造成的損失的偏差，故可擴大所輸入的射頻信號的動態(tài)范圍。
在第一種射頻可變增益放大器件中，最好是開關(guān)元件由擁有形成在半導體襯底上的柵極和第一導電型的源、漏極層的場效應晶體管構(gòu)成，且源、漏極層形成在半導體襯底中為第二導電型的第一阱里，該第一阱又形成在半導體襯底中為第一導電型的第二阱里。這樣做，就能通過將逆向偏壓分別加在第一阱和第二阱之間、以及第二阱和半導體襯底之間，而產(chǎn)生pn結(jié)耗盡層，將每一個阱及半導體襯底絕緣分離。故在開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時能降低由于被輸入的射頻信號漏到半導體襯底而引起的輸入信號的損失。
在這種情況下，最好是分別在柵電極和電壓控制節(jié)點之間、第一阱和接地節(jié)點之間以及第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上電阻器。這樣做就能降低由于所輸入的射頻信號從柵電極、第一阱和第二阱漏到射頻虛地而導致的輸入信號的損失。
在這種情況下，最好是分別在柵電極和電壓控制節(jié)點之間、第一阱和接地節(jié)點之間以及第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上感應元件。
本發(fā)明所涉及的第二種射頻可變增益放大器件，包括分別接收第一輸入信號和第二輸入信號的第一放大電路及第二放大電路、分別和第一放大電路及第二放大電路并聯(lián)的第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件、和第一放大電路及第一開關(guān)元件并聯(lián)的第一電阻器、和第二放大電路及第二開關(guān)元件并聯(lián)的第二電阻器。第一放大電路在第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在第一開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時它才工作；第二放大電路在第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在第二開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時它才工作。因此，第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時，它的輸入端的電位及輸出端的電位比它處于截止狀態(tài)時的低；第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時，它的輸入端的電位及輸出端的電位比它處于截止狀態(tài)時的低。
本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件，因采用了差動放大型電路結(jié)構(gòu)，故在第一放大電路及第二放大電路為工作狀態(tài)且第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件處于截止狀態(tài)即高增益工作模式下，第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件截止時的隔離會增大；在第一放大電路及第二放大電路為非工作狀態(tài)且第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)即低增益工作模式下，第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件接通時的插入損失減小。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是在第一放大電路的輸出端和第一開關(guān)元件之間設上第三電阻器，在第二放大電路的輸出端和第二開關(guān)元件之間設上第四電阻器，在第三電阻器和第四電阻器的輸入端之間設上第五電阻器，在第三電阻器和第四電阻器的輸出端之間設上第六電阻器。這樣做的話，第三電阻器、第四電阻器、第五電阻器及第六電阻器就構(gòu)成了π型衰減器，而可使低增益工作模式下所輸入的射頻信號衰減。而且低增益工作的偏差也減小。不僅如此，因π型衰減器還能調(diào)整輸出、入阻抗值，而使高增益工作模式下和低增益工作模式下的輸出、入阻抗值接近。因此，就可降低由于在這兩個工作模式下輸出入端的阻抗不匹配而造成的損失。
本發(fā)明的第二種射頻可變增益放大器件，最好是第一放大電路及第二放大電路中都有雙極型晶體管，且該第一放大電路的輸入信號被輸入到第一放大電路中的雙極型晶體管的基極，第一放大電路的輸出信號從它的集電極輸出；該第二放大電路的輸入信號被輸入到第二放大電路中的雙極型晶體管的基極，第二放大電路的輸出信號從它的集電極輸出。這樣做，就能使第一放大電路及第二放大電路為非工作狀態(tài)(第一及第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài))時，第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件的輸入端的電位及輸出端的電位一定比第一放大電路及第二放大電路為工作狀態(tài)(第一及第二開關(guān)元件處于截止狀態(tài))時的低。
在本發(fā)明的第二種射頻可變增益放大器件中，最好是第一放大電路中包括第一雙極型晶體管和其發(fā)射極和第一雙極型晶體管的集電極相連的第二雙極型晶體管，且第一放大電路的輸入信號被輸入到第一雙極型晶體管的基極，第一放大電路的輸出信號從第二雙極型晶體管的集電極輸出；第二放大電路中包括第三雙極型晶體管和其發(fā)射極和第三雙極型晶體管的集電極相連的第四雙極型晶體管，且第二放大電路的輸入信號被輸入到第三雙極型晶體管的基極，第二放大電路的輸出信號從第四雙極型晶體管的集電極輸出。
在這種情況下，最好是第二雙極型晶體管的基極的電位，在第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低；第四雙極型晶體管的基極的電位，在第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸入端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸入端和第二開關(guān)元件之間設上帶狀線。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸出端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸出端和第二開關(guān)元件之間設上帶狀線。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸入端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸入端和第二開關(guān)元件之間設上共面線。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸出端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸出端和第二開關(guān)元件之間設上共面線。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸入端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸入端和第二開關(guān)元件之間設上感應元件。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是分別在第一放大電路的輸出端和第一開關(guān)元件之間、第二放大電路的輸出端和第二開關(guān)元件之間設上感應元件。
在本發(fā)明的第二射頻可變增益放大器件中，最好是第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件，分別由擁有形成在半導體襯底上的柵極和第一導電型的源、漏極層的場效應晶體管構(gòu)成，且源、漏極層形成在半導體襯底中為第二導電型的第一阱里，該第一阱形成在半導體襯底中為第一導電型的第二阱里。
在這種情況下，最好是分別在柵電極和電壓控制節(jié)點之間、第一阱和接地節(jié)點之間以及第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上電阻器。
在這種情況下，最好是分別在柵電極和電壓控制節(jié)點之間、第一阱和接地節(jié)點之間以及第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上感應元件。
附圖之說明

圖1為本發(fā)明的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路圖。
圖2為一電路圖，是本發(fā)明的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件中之放大電路之一例。
圖3為一示意結(jié)構(gòu)剖面圖，是本發(fā)明的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件中所用的射頻開關(guān)元件之一例。
圖4為一電路圖，是本發(fā)明的第一個實施例的第一個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件中的放大電路之一例。
圖5為本發(fā)明的第一個實施例的第二個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路圖。
圖6為本發(fā)明的第一個實施例的第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路圖。
圖7為本發(fā)明的第二個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路圖。
圖8為已往的π型衰減器的電路圖。
圖9為已往的射頻可變增益放大器件的電路圖。
圖1示出了本發(fā)明的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路結(jié)構(gòu)。
如圖1所示，第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1A包括通過隔直流用輸入側(cè)電容器11與輸入端P1相連，且通過隔直流用輸出側(cè)電容器12與輸出端P2相連的放大電路10；在輸入側(cè)電容器11和輸出側(cè)電容器12之間與放大電路10并聯(lián)的信號旁路電路20；其一端與供給約3V的電源電壓Vcc的電源端13相連，另一端接在放大電路10的輸出端與輸出側(cè)電容器12之間的扼流圈14。再就是，電源端13上接著被接地的旁路電容器15。
信號旁路電路20由由n型FET構(gòu)成的射頻開關(guān)元件22和隔離變動防止用電阻器23構(gòu)成。該n型FET的源極接在電壓控制端P8上，漏極接在輸入側(cè)電容器11和放大電路10的輸入端之間，源極通過隔直流用旁路電路用電容器21接在放大電路10的輸出端和輸出側(cè)電容器12之間。該隔離變動防止用電阻器23在射頻開關(guān)元件22的漏極和源極之間和射頻開關(guān)元件22并聯(lián)著。
需提一下，在本說明書中，電壓控制端P3等端子包括象墊(pad)電極那樣的端子及節(jié)點即布線內(nèi)的元件的連接點。
圖2示出了第一個實施例所涉及的放大電路10A的電路結(jié)構(gòu)之一例。
如圖2所示，放大電路10A中有第一雙極型晶體管101，該第一雙極型晶體管101的發(fā)射極接地，基極接在接收來自輸入側(cè)電容器11的輸入信號的輸入節(jié)點P4上，集電極接在將輸出信號送到輸出側(cè)電容器12的輸出節(jié)點P5上。該第一雙極型晶體管101將輸入給射頻可變增益放大器件1A的射頻信號放大。
第一雙極型晶體管101的基極通過相互串聯(lián)的第一電阻器102、第二電阻器103與第二雙極型晶體管104的基極相連。
第二雙極型晶體管104的發(fā)射極接地，集電極和發(fā)射極之間分別并聯(lián)著旁路電容器105和例如由n溝道型FET構(gòu)成的第一DC開關(guān)106。再就是，第二雙極型晶體管104的集電極和第三雙極型晶體管107的基極相連，并通過相互串聯(lián)的第三電阻器108及由例如p溝道型FET構(gòu)成的第二DC開關(guān)109與電源端P6相連。
第三雙極型晶體管107的集電極與電源端P6相連，它的發(fā)射極與第一電阻器102和第二電阻器103的共同連接處相連。
下面，參考圖1及圖2，對按上述構(gòu)成的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1A的工作情況進行說明。
(高增益工作模式)首先，當被輸入的射頻信號的接收電平比某規(guī)定值低時，即進入高增益工作模式。亦即圖1所示的電壓控制端P3的電壓值約為0V。而且，在圖2所示的放大電路10A中，因第一DC開關(guān)106處于截止狀態(tài)且第二DC開關(guān)109處于接通狀態(tài)，故第一雙極型晶體管101的基極偏壓約為0.7V。
于是，圖1所示的射頻開關(guān)元件22的漏極的電位就和圖2所示的輸入節(jié)點P4的電位相同，約為0.7V。而且還因該射頻開關(guān)元件22的源極通過電阻器23與它的漏極相連，故它的源極的電位也約為0.7V。因此，第一雙極型晶體管101的基極電壓約為0.7V而使放大電路10A進入工作狀態(tài)。另一方面，射頻開關(guān)元件22的柵極和被固定在0V的背柵極(backgate)之間的電壓約為0V而使射頻開關(guān)元件22處于截止狀態(tài)。
(低增益工作模式)其次，當被輸入的射頻信號的接收電平比某規(guī)定值高時，為抑制例如放大電路10A進入飽和狀態(tài)而進入低增益工作模式。換句話說，即圖1所示的電壓控制端P3的電壓值為電源電壓Vcc。而且，因在圖2所示的放大電路10A中，第一DC開關(guān)106成為接通狀態(tài)且第二DC開關(guān)109成為截止狀態(tài)，故第一雙極型晶體管101的柵極偏壓約為0V。
于是，射頻開關(guān)元件22的漏極的電位也和圖2所示的輸入節(jié)點P4的電位相同，約為0V。而且還因該射頻開關(guān)元件22的源極也通過電阻器23與它的漏極相連，故該源極的電位也約為0V。因此，第一雙極型晶體管101的基極電壓約為0V而使放大電路10A進入非工作狀態(tài)。另一方面，因射頻開關(guān)元件22的柵極和背柵極之間的電壓約為Vcc而使射頻開關(guān)元件22處于接通狀態(tài)。
根據(jù)第一個實施例，因射頻可變增益放大器件1A中的射頻開關(guān)元件22的漏極和源極通過電阻器23相連，故射頻開關(guān)元件22的漏極和源極中的哪一個電極都不會成為懸浮狀態(tài)(floating state)。因此，即使在高增益工作模式下，源極或者漏極的電位也不會變動，射頻開關(guān)元件22截止時的隔離就很穩(wěn)定。
還有，在高增益工作模式下，因由n溝道型FET構(gòu)成的射頻開關(guān)元件22的漏極和源極的電位約為0.7V，故和電位為0V時相比，射頻開關(guān)元件22截止時的隔離變大。
還有，在射頻開關(guān)元件22形成在由硅(Si)制成的半導體襯底上的情況下，若它的漏極和源極的電位約為0.7V，則和0V時相比，漏極及源極與半導體襯底間的寄生電容就減少，故射頻可變增益放大器件1A的噪音特性得以改善。
另一方面，在低增益工作模式下，因射頻開關(guān)元件22的漏極和源極的電位約為0V，故和為0.7V時相比，射頻開關(guān)元件22接通時的串聯(lián)寄生電阻值變小，該射頻開關(guān)元件22的插入損失也就變小。
若給電阻器23設定一適當?shù)碾娮柚?，則不用增加電路的元件個數(shù)，就能防止高增益工作模式下的振蕩。
還有，第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1A的特征為采用了圖1所示那樣的不將電源電壓Vcc切換到接地電位的結(jié)構(gòu)。一般情況下，是通過在電源電壓Vcc的供給線和地面之間插入一用以防止出噪音等的旁路電容器15，將Vcc切換到接地電位而讓放大器10的輸出電位發(fā)生變化，這樣來從高增益切換到低增益工作模式的。但此時存在的問題是由于旁路電容器105的影響，工作模式之切換不迅速。然而，第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1A，卻不將電源端13的電源電壓Vcc切換到接地電位，故工作模式之切換時間能夠被縮短。
如上所述，根據(jù)第一個實施例，因信號旁路電路20中的射頻開關(guān)元件22的漏極和源極通過隔離變動防止用電阻器23相連，故射頻開關(guān)元件22的漏極及源極的電位在高增益工作模式下約為0.7V，而在低增益工作模式下約為0V。結(jié)果是，射頻開關(guān)元件22的漏極或者源極不會成為懸浮狀態(tài)。
就這樣，因高增益工作模式下射頻開關(guān)元件22截止時的隔離變大，故射頻可變增益放大器件在高增益工作模式下的噪音特性就得以改善。還有，在低增益工作模式下，不僅射頻開關(guān)元件22的插入損失會變小，而且不用增加電路的元件個數(shù)就能防止高增益工作模式下的振蕩。
射頻開關(guān)元件22的理想結(jié)構(gòu)示于圖3中。
圖3示意地示出了本發(fā)明的第一個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1A中所用的理想的射頻開關(guān)元件22的剖面結(jié)構(gòu)。
如圖3所示，射頻開關(guān)元件22形成在由選擇性地設在由例如p型硅制成的半導體襯底201上的渠溝分離部分(trench isolation portions)202劃分出的元件形成區(qū)上。
在半導體襯底201的元件形成區(qū)，形成了n型阱203和被該n型阱203包圍起來的p型阱204。
在p型阱204上形成了相互隔開一定距離的漏極層205和源極層206，在p型阱204上漏極層205和源極層206間的那一區(qū)域，形成了由多晶硅制成的柵電極208，中間隔著由氧化硅制成的柵極絕緣膜207。
漏極層205與接收來自圖1所示的輸入側(cè)電容器11的輸入信號的輸入節(jié)點P7相連，源極層206與將輸出信號輸出給圖1所示的輸出側(cè)電容器12的輸出節(jié)點P8相連。
柵電極208通過第一電阻器209和電壓控制端P3相連，n型阱203通過第二電阻器210和電源電壓端相連。
還有，不僅半導體襯底201接地，p型阱204也通過第三電阻器211接地。
在按上述構(gòu)成的射頻開關(guān)元件22中，因n型阱層203和p型阱層204之間被施加了逆偏壓，而會由由n型阱層203和p型阱層204的界面形成的pn結(jié)產(chǎn)生耗盡層。結(jié)果是，n型阱層203和p型阱層204在它們和襯底面垂直的方向上被相互絕緣分離。還有，因半導體襯底201和n型阱層203之間也被施加了逆偏壓而會由由半導體襯底201和n型阱層203的界面形成的pn結(jié)而產(chǎn)生耗盡層，結(jié)果半導體襯底201和n型阱層203就被相互絕緣分離。
因此，在射頻開關(guān)元件22處于接通狀態(tài)的情況下，能夠減少因被輸入到輸入節(jié)點P7的射頻信號從漏極層205、源極層206及形成在漏極層205與源極層206間的溝道區(qū)漏到半導體襯底201而產(chǎn)生的輸入信號的損失。結(jié)果是，能夠減少低增益工作模式下射頻開關(guān)元件22的插入損失。
而且，若采用上述所謂的三層阱結(jié)構(gòu)，就是在射頻開關(guān)元件22處于截止狀態(tài)的情況下，也能減少被輸入到輸入節(jié)點P7的射頻信號通過漏極層205而漏到半導體襯底201，即輸入信號的遺漏。結(jié)果是，在高增益工作模式下，能夠減少在被輸入到圖1所示的輸入端P1的射頻信號的一部分成為射頻開關(guān)元件22的插入損失而造成的噪音特性的惡化。
需提一下，第一電阻器209、第二電阻器210以及第三電阻器211都可用感應元件來代替。
(第一個實施例的第一個變形例)下面，參考附圖，說明本發(fā)明的第一個實施例的第一個變形例。
圖4示出了本發(fā)明的第一個實施例的第一個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件所用的放大電路的電路結(jié)構(gòu)之一例。圖4中和圖2相同的構(gòu)成元件用相同的符號來表示，說明就省略不提了。
第一個變形例所涉及的放大電路10B的特征為所輸入的射頻信號的放大元件是射地—基地連接。亦即，發(fā)射極接地的第一雙極型晶體管101與其發(fā)射極和第一雙極型晶體管101的集電極相連、基極接地、集電極和輸出節(jié)點P5相連的第四雙極型晶體管151串聯(lián)。
第四雙極型晶體管151的基極和第五雙極型晶體管152的發(fā)射極相連，且通過第二旁路電容器153接地。
第五雙極型晶體管152的集電極和電源端P6相連，它的基極與相互串聯(lián)的第四電阻器154及第五電阻器155的共同連接處相連。
第四電阻器154的與共同連接處相反那一側(cè)的端子通過第三DC開關(guān)156和電源端P6相連。第五電阻器155的與共同連接處相反那一側(cè)的端子和第六雙極型晶體管158A相連。
第六雙極型晶體管158A的集電極和它的基極相連，且它的基極又和第七雙極型晶體管158B的基極相連，它的發(fā)射極通過第六電阻器157接地。
第七雙極型晶體管158B與第六雙極型晶體管158A構(gòu)成電流鏡電路。其集電極和第四雙極型晶體管151的基極及第五雙極型晶體管152的發(fā)射極相連，其發(fā)射極通過第七電阻器159接地。
還有，第六雙極型晶體管158A的集電極通過相互并聯(lián)的第三旁路電容器160及第四DC開關(guān)161接地。
下面，對按上述構(gòu)成的放大電路10B的工作情況進行說明。
(高增益工作模式)圖1所示的電壓控制端P3的電位約為0V，在圖4所示的放大電路10B中，第一DC開關(guān)106和第四DC開關(guān)161處于截止狀態(tài)且第二DC開關(guān)109和第三DC開關(guān)156處于接通狀態(tài)。
若設第四電阻器154、第五電阻器155及第六電阻器157的電阻值分別為R4、R5及R6，則第四雙極型晶體管151的基極偏壓Vb4可由下式(1)給出。
Vb4＝(Vcc-0.7)(R5+R6)/(R4+R5+R6) …(1)這樣，就和第一個實施例一樣，圖1所示的放大電路10進入工作狀態(tài)，信號旁路電路20中的射頻開關(guān)元件22進入截止狀態(tài)。
(低增益工作模式)
其次，在低增益工作模式下，圖1所示的電壓控制端P3的電壓值為電源電壓Vcc。而且，在圖4所示的放大電路10B中，第一DC開關(guān)106及第四DC開關(guān)161處于接通狀態(tài)且第二DC開關(guān)109及第三DC開關(guān)156處于截止狀態(tài)。因此，第四雙極型晶體管151的基極偏壓Vb4就約為0V。
還有，和第一個實施例一樣，第一DC開關(guān)106關(guān)閉以后第一雙極型晶體管101的基極電壓就約為0V，故放大電路10B進入非工作狀態(tài)。另一方面，射頻開關(guān)元件22其柵極和背柵極間的電壓約為Vcc而成為接通狀態(tài)。
在上述第一個實施例中，在低增益工作模式下也能從圖1所示的電源端13將電源電壓Vcc供到第一雙極型晶體管101的集電極。因此，若強電場信號被輸入到輸入端P1，DC電流從第一雙極型晶體管101的基極流到它的發(fā)射極，那么，電流也就從該第一雙極型晶體管101的集電極流到它的發(fā)射極。結(jié)果失真信號就從第一雙極型晶體管101輸出到輸出端P2。
然而，若在第一個變形例所涉及的放大電路10B中，采用由第一雙極型晶體管101和第四雙極型晶體管151構(gòu)成的射地—基地放大器，并設低增益工作模式下第四雙極型晶體管151的基極偏壓Vb4約為0V，那么，就能減少強電場信號被輸入到輸入端P1時流過第一雙極型晶體管101及第四雙極型晶體管151的電流，而可降低輸出到輸出端P2的失真信號的輸出電平。
需提一下，最好用圖3所示的MOSFET作射頻開關(guān)元件22。
(第一個實施例的第二個變形例)下面，參考附圖，說明本發(fā)明的第一個實施例的第二個變形例。
圖5示出了本發(fā)明的第一個實施例的第二個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路結(jié)構(gòu)。圖5中和圖1相同的構(gòu)成元件用相同的符號來表示，說明省略不提了。
如圖5所示，第二個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件1B的特征是在信號旁路電路20中射頻開關(guān)元件22的漏極和輸入側(cè)電容器11之間設了第一帶狀線24，在它的源極和旁路電路用電容器21之間設了第二帶狀線25。
需提一下，可用圖2所示的放大電路10A或者圖4所示的放大電路10B作放大電路10。
已往的射頻可變增益放大器件，有時候，高增益工作模式下和低增益工作模式下的輸入阻抗值和輸出阻抗值大有不同。而對本發(fā)明的第二個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件1B來說，可通過改變第一帶狀線24和第二帶狀線25的特性阻抗值、線長或者旁路電路用電容器21的電容值，來改變射頻開關(guān)元件22的輸入阻抗值。
因這樣能使高增益工作模式下和低增益工作模式下的輸入阻抗值和輸出阻抗值接近，故可以減少在這兩個工作模式下，由于輸入端P1和輸出端P2的阻抗不匹配而造成的損失。
因此，根據(jù)第二個變形例，通過給設在信號旁路電路20中的第一帶狀線24和第二帶狀線25的特性阻抗、線長或者旁路電路用電容器21的電容設定一適當值，就能在一簡單的結(jié)構(gòu)下減少在高增益工作模式和低增益工作模式下由于阻抗不匹配而造成的損失。
需提一下，最好用圖3所示的MOSFET作射頻開關(guān)元件22。
還有，可僅用第一帶狀線24及第二帶狀線25中之一；還可用共面線代替帶狀線；也可用感應元件代替射頻線。
(第一個實施例的第三個變形例)下面，參考附圖，說明本發(fā)明的第一個實施例的第三個變形例。
圖6示出了本發(fā)明的第一個實施例的第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路結(jié)構(gòu)。圖6中和圖1相同的構(gòu)成元件用相同的符號來表示，說明省略不提了。
如圖6所示，第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件1C的特征是在信號旁路電路20中射頻開關(guān)元件22的源極和旁路電路用電容器21之間，設了例如由多晶硅制成且電阻值在22Ω～50Ω左右的偏差防止用電阻器26。
需提一下，在第三個變形例中，也可用圖2所示的放大電路10A或者圖4所示的放大電路10B作放大電路10。
已往的射頻可變增益放大器件，一般為擴大所輸入的射頻信號的動態(tài)范圍，是通過縮小構(gòu)成射頻開關(guān)元件22的FET的尺寸而增大插入損失，從而使低增益工作模式下的衰減量增大的。然而，F(xiàn)ET的通態(tài)電阻值在制造過程中出現(xiàn)的偏差很大，因此插入損失的偏差也就很大。
本發(fā)明的第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件1C，是通過把由制造偏差較小的多晶硅制成的電阻器等串聯(lián)在射頻開關(guān)元件22上，來減小該射頻開關(guān)元件22的插入損失的偏差的。故該裝置將能接收的射頻信號的動態(tài)范圍進一步地擴寬了。
就這樣，按照第三個變形例，通過給串聯(lián)在信號旁路電路20上的偏差防止用電阻器26設定一適當?shù)碾娮柚担湍茉谝缓唵谓Y(jié)構(gòu)下進一步地擴寬能接收的射頻信號的動態(tài)范圍。
需提一下，最好用圖3所示的MOSFET作射頻開關(guān)元件22。
還有，第一雙極型晶體管101、第二雙極型晶體管104、第三雙極型晶體管107、第四雙極型晶體管151及第五雙極型晶體管152中的哪一個都可用FET來替換。
還可將偏差防止用電阻器26設在射頻開關(guān)元件22和輸入側(cè)電容器11之間。
(第二個實施例)下面，參考附圖，說明本發(fā)明的第二個實施例。
圖7示出了本發(fā)明的第二個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件的電路結(jié)構(gòu)。圖7中和圖6相同的構(gòu)成元件用相同的符號來表示，說明省略了。
第二個實施例所涉及的射頻可變增益放大器件1D的特征為它是一包含一對第一個實施例的第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件1C的差動放大電路結(jié)構(gòu)，而且第一信號旁路電路20a和第二信號旁路電路20b也很有特點。
如圖7所示，第一放大器10a通過第一輸入側(cè)電容器11a與第一輸入端P1a相連，通過第一輸出側(cè)電容器12a和第一輸出端P2a相連。
同樣，第二放大器10b通過第二輸入側(cè)電容器11b和第二輸入端P1b相連，通過第二輸出側(cè)電容器12b和第二輸出端P2b相連。
這里，振幅相等、相位相差180°的射頻信號被輸入到第一輸入端P1a和第二輸入端P1b。同樣，振幅相等、相位相差180°的射頻信號從第一輸出端P2a和第二輸出端P2b輸出來。
第一信號旁路電路20a中，第一射頻開關(guān)元件22a及第一電阻器23a通過設在第一放大電路10a的輸出側(cè)的第一旁路電路用電容器21a并聯(lián)在第一放大電路10a上；第一偏差防止用電阻器26a串聯(lián)在第一射頻開關(guān)元件22a的源極和第一旁路電路用電容器21a之間。
第二信號旁路電路20b中，第二射頻開關(guān)元件22b及第二電阻器23b通過設在第二放大電路10b的輸出側(cè)的第二旁路電路用電容器21b并聯(lián)在第二放大電路10b上；第二偏差防止用電阻器26b串聯(lián)在第二射頻開關(guān)元件22b的源極和第二旁路電路用電容器21b之間。
電源端13通過第一扼流圈14a接在第一放大電路10a的輸出側(cè)，并同時通過第二扼流圈14b接在第二放大電路10b的輸出側(cè)。
再就是，第一偏差防止用電阻器26a及第二偏差防止用電阻器26b中靠近射頻開關(guān)元件22a、22b的漏極那一側(cè)的端子借助第一衰減用電阻器27相連在一起，和漏極相反那一側(cè)的端子則借助第二衰減用電阻器28相連在一起，而構(gòu)成了由這些電阻器26a、26b、27、28組成的π型衰減器30。該π型衰減器30使低增益工作模式下所輸入的射頻信號衰減。
需提一下，可用圖2所示的放大電路10A或者圖4所示的放大電路10B作第一放大電路10a及第二放大電路10b。
下面，對按上述構(gòu)成的射頻可變增益放大器件1D的工作情況進行說明。
就象在第一個實施例中所做的說明那樣，高增益工作模式下，第一放大電路10a及第二放大電路10b進入工作狀態(tài)，電壓控制端P3的電位約為0V，信號旁路電路20A中的第一射頻開關(guān)元件22a及第二射頻開關(guān)元件22b成為截止狀態(tài)。
在低增益工作模式下，第一放大電路10a及第二放大電路10b進入非工作狀態(tài)，電壓控制端P3的電位約為Vcc，第一信號旁路電路20a中的第一射頻開關(guān)元件22a及第二信號旁路電路20b中的第二射頻開關(guān)元件22b皆成為接通狀態(tài)。而且，在低增益工作模式下，所輸入的射頻信號能進一步地通過差動式π型衰減器30衰減。
這里，如圖8所示，非差動式π型衰減器31由第一電阻器R1、第二電阻器R2、第三電阻器R3組成。第二電阻器R2的一端和第一電阻器R1的一端相連、另一端接地，第三電阻器R3的一端和第一電阻器R1的另一端相連、另一端也接地。
圖8所示的π型衰減器31，一般是可同時調(diào)節(jié)衰減量和輸出、入阻抗值的優(yōu)秀的衰減器。而當將π型衰減器31串聯(lián)到非差動式可變增益放大器件中的射頻開關(guān)元件22上時，信號電流在高增益工作模式下會通過π型衰減器31中的電阻器R2、R3流到地面而使消費電流增大。
而在第二個實施例中，為防止由于π型衰減器30引起的信號電流的遺漏，而讓電路結(jié)構(gòu)為差動式并讓π型衰減器30的地面為一假想接地點。
就這樣，第二個實施例不僅和第一個實施例的第三個變形例所涉及的射頻可變增益放大器件一樣，能擴寬可接收的射頻信號的動態(tài)范圍，還能通過差動π型衰減器30調(diào)節(jié)輸出、入阻抗值而使高增益工作模式和低增益工作模式下的輸出入阻抗接近同一個值。這樣，就能減少在這兩個工作模式下，由于每一個輸入端P1a、P1b及每一個輸出端P2a、P2b的阻抗不匹配而造成的損失。
如上所述，根據(jù)第二個實施例，通過讓第一放大電路10a及第二放大電路10b構(gòu)成為差動式，且設上將第一信號旁路電路20a及第二信號旁路電路20b連接起來的π型衰減器30，就能在一簡單的結(jié)構(gòu)下，進一步地擴寬能接收的射頻信號的動態(tài)范圍，并能減少由于在高增益工作模式和低增益工作模式下的阻抗不匹配而造成的損失。
需提一下，最好用圖3所示的MOSFET作射頻開關(guān)元件22。
和第一個實施例的第二個變形例一樣，可插入和每一個射頻開關(guān)元件22a、22b串聯(lián)的帶狀線或者共面線；還可用感應元件代替射頻線。
發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明所涉及的射頻可變增益放大器件，因即使在開關(guān)元件為截止狀態(tài)的高增益工作模式下，開關(guān)元件的電極也不會處于懸浮狀態(tài)，故隔離不會有變動，而且由開關(guān)元件帶來的隔離也變大。還有，在開關(guān)元件為接通狀態(tài)的低增益工作模式下，可使開關(guān)元件接通時的插入損失變小。
權(quán)利要求
1.一種射頻可變增益放大器件，其中它包括放大電路、和上述放大電路并聯(lián)的開關(guān)元件以及和上述放大電路及開關(guān)元件并聯(lián)的電阻器，上述放大電路在上述開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在上述開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時才工作，上述開關(guān)元件的輸入端的電位及輸出端的電位在上述開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低。
2.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述放大電路中包括雙極型晶體管，上述放大電路的輸入信號被輸入到上述雙極型晶體管的基極，上述放大電路的輸出信號被從上述雙極型晶體管的集電極輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求第1項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述放大電路中有第一雙極型晶體管和其發(fā)射極和上述第一雙極型晶體管的集電極相連的第二雙極型晶體管，上述放大電路的輸入信號被輸入到上述第一雙極型晶體管的基極，上述放大電路的輸出信號被從上述第二雙極型晶體管的集電極輸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求第3項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述第二雙極型晶體管的基極的電位在上述開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低。
5.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸入端和上述開關(guān)元件之間設上帶狀線。
6.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸出端和上述開關(guān)元件之間設上帶狀線。
7.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸入端和上述開關(guān)元件之間設上共面線。
8.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸出端和上述開關(guān)元件之間設上共面線。
9.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸入端和上述開關(guān)元件之間設上感應元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述放大電路的輸出端和上述開關(guān)元件之間設上感應元件。
11.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述開關(guān)元件的后級設上其它電阻器。
12.根據(jù)權(quán)利要求第1項到第4項中任一項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述開關(guān)元件由擁有形成在半導體襯底上的柵極和第一導電型的源、漏極層的場效應晶體管構(gòu)成，上述源、漏極層形成在上述半導體襯底中為第二導電型的第一阱里，該第一阱又形成在上述半導體襯底中為第一導電型的第二阱里。
13.根據(jù)權(quán)利要求第12項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述柵電極和電壓控制節(jié)點之間、上述第一阱和接地節(jié)點之間以及上述第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上電阻器。
14.根據(jù)權(quán)利要求第12項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述柵電極和電壓控制節(jié)點之間、上述第一阱和接地節(jié)點之間以及上述第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上感應元件。
15.一種射頻可變增益放大器件，其中它包括分別接收第一輸入信號和第二輸入信號的第一放大電路及第二放大電路、分別和上述第一放大電路及第二放大電路并聯(lián)的第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件、和上述第一放大電路及第一開關(guān)元件并聯(lián)的第一電阻器和上述第二放大電路及第二開關(guān)元件并聯(lián)的第二電阻器，上述第一放大電路在上述第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在上述第一開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時它才工作；上述第二放大電路在上述第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時不工作，在上述第二開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時它才工作；上述第一開關(guān)元件的輸入端的電位及輸出端的電位在上述第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低；上述第二開關(guān)元件的輸入端的電位及輸出端的電位在上述第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低。
16.根據(jù)權(quán)利要求第15項所述的射頻可變增益放大器件，其中在上述第一放大電路的輸出端和上述第一開關(guān)元件之間設上第三電阻器，在上述第二放大電路的輸出端和上述第二開關(guān)元件之間設上第四電阻器，在上述第三電阻器和第四電阻器的輸入端之間設上第五電阻器，在上述第三電阻器和第四電阻器的輸出端之間設上第六電阻器。
17.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述第一放大電路及第二放大電路中都包括雙極型晶體管，該第一放大電路的輸入信號被輸入到上述第一放大電路中的雙極型晶體管的基極，同時上述第一放大電路的輸出信號從它的集電極輸出；該第二放大電路的輸入信號被輸入到上述第二放大電路中的雙極型晶體管的基極，同時上述第二放大電路的輸出信號從它的集電極輸出。
18.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述第一放大電路中包括第一雙極型晶體管和其發(fā)射極和第一雙極型晶體管的集電極相連的第二雙極型晶體管，上述第一放大電路的輸入信號被輸入到上述第一雙極型晶體管的基極，上述第一放大電路的輸出信號被從上述第二雙極型晶體管的集電極輸出；上述第二放大電路中包括第三雙極型晶體管和其發(fā)射極和上述第三雙極型晶體管的集電極相連的第四雙極型晶體管，上述第二放大電路的輸入信號被輸入到上述第三雙極型晶體管的基極，上述第二放大電路的輸出信號被從上述第四雙極型晶體管的集電極輸出。
19.根據(jù)權(quán)利要求第18項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述第二雙極型晶體管的基極的電位在上述第一開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低，上述第四雙極型晶體管的基極的電位在上述第二開關(guān)元件處于接通狀態(tài)時比它處于截止狀態(tài)時的低。
20.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸入端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸入端和上述第二開關(guān)元件之間設上帶狀線。
21.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸出端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸出端和上述第二開關(guān)元件之間設上帶狀線。
22.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸入端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸入端和上述第二開關(guān)元件之間設上共面線。
23.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸出端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸出端和上述第二開關(guān)元件之間設上共面線。
24.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸入端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸入端和上述第二開關(guān)元件之間設上感應元件。
25.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述第一放大電路的輸出端和上述第一開關(guān)元件之間、上述第二放大電路的輸出端和上述第二開關(guān)元件之間設上感應元件。
26.根據(jù)權(quán)利要求第15項或者第16項所述的射頻可變增益放大器件，其中上述第一開關(guān)元件及第二開關(guān)元件，分別由擁有形成在半導體襯底上的柵極和第一導電型的源、漏極層的場效應晶體管構(gòu)成，上述源、漏極層形成在上述半導體襯底中為第二導電型的第一阱里，該第一阱形成在上述半導體襯底中為第一導電型的第二阱里。
27.根據(jù)權(quán)利要求第26項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述柵電極和電壓控制節(jié)點之間、上述第一阱和接地節(jié)點之間以及上述第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上電阻器。
28.根據(jù)權(quán)利要求第26項所述的射頻可變增益放大器件，其中分別在上述柵電極和電壓控制節(jié)點之間、上述第一阱和接地節(jié)點之間以及上述第二阱和電源電壓節(jié)點之間設上感應元件。
全文摘要
本發(fā)明的目的,在于:防止當射頻可變增益放大器件中的信號旁路電路所設的射頻開關(guān)元件處于截止狀態(tài)時,隔離變動。一種射頻可變增益放大器件1A,其中的信號旁路電路20包括射頻開關(guān)元件22,其柵極和電壓控制端P3相連;其漏極連接在放大電路10的輸入端P1和輸入側(cè)電容器11之間;其源極通過旁路電路用電容器21與放大電路10的輸出端相連。在射頻開關(guān)元件22的漏極和源極之間設了和射頻開關(guān)元件22串聯(lián)的隔離變動防止用電阻器23。
文檔編號H03G3/30GK1377132SQ02107778
公開日2002年10月30日 申請日期2002年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月27日
發(fā)明者中谷俊文, 伊藤順治, 今西郁夫 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社