專利名稱：互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體ab類放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于放大器電路的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器。
公知的AB類放大器如圖4所示，主要包括一由差動(dòng)放大器41構(gòu)成的輸入極，以及一由AB類放大器42構(gòu)成的輸出級，以將輸入信號經(jīng)差動(dòng)放大及驅(qū)動(dòng)后輸出。
前述AB類放大器42可以小信號分析如下以CL為負(fù)載電容的該AB類放大器42由A點(diǎn)至O點(diǎn)的開路電壓增益為AAO(s)=VO(s)VA(s)=(gm2+gm1gm6rBsCBrB+1)(rOsCLrO+1),-----(1)]]>其中，rB＝rDS4//rDS5為B點(diǎn)上的直流電阻(dcresistance)，rO＝rDS2//rDS6為輸出級的直流輸出電阻(dcoutput resistance)，gmj代表MOS晶體管(Mj，j＝1，2，3…)的移轉(zhuǎn)電場(transfreconductance)，晶體M4、M5所構(gòu)成的電流鏡放大器的寄生電容(parasitic capacitance)。
當(dāng)對前述AB類放大器42提供一補(bǔ)償電容CF以運(yùn)用于運(yùn)算放大器電路中時(shí)，其具有補(bǔ)償電容CF的輸出阻抗為yO(s)=1/zO(s)=sCFrA+1rA+sCFrAsCFrA+1(gm2+gm1gm6rBsCBrB+1)+1rO+sCL,-----(2)]]>其中，rA為A點(diǎn)的直流電阻，亦即為差動(dòng)放大器的輸出電阻，如果ω＞＞1/(rACF)，且gm2>>1rA+1rO]]>，則可導(dǎo)出yOH(s)=1/zOH(s)=gm2+gm1gm6rB1sCBrB+1+sCL,-----(3)]]>在此，gm1gm6rB1sCBrB+1]]>代表一回旋輸出的電感，其中，LOEQ≈CB/(gm1gm6)，(4)且其具有一等效的串聯(lián)電阻RSEQ≈1/(gm1gm6rB)， (5)因此可得zOH(s)=srBCB+1s2rBCLCB+sCL+sgm2rBCB+gm1gm6rB+gm2,-----(6)]]>而由于gm1gm6rB》gm2，zo(S)將共振于以下的條件ωR=gm1gm6rB+gm2rBCBCL≈1rBCBgm1rBgm6CL=gm1gm6CBCL=1LOEQCL,---(7)]]>QR=rBCL+gm2rBCBgm1gm6CBCL=gm2rBCBCLCL+gm2rBCBgm1rBgm6gm2,-----(8)]]>并具有以下的共振阻抗|zOH(jωR)|=(1CL+gm2rBCB)CBCLgm1gm6gm1gm6rB2CBCL+1,-----(9)]]>而如果gm1gm6rB2CBCL>>1]]>，則|zOH(jωR)|≈rBCBCL+gm2rBCB,-----(10)]]>且如果gm2rBCB＞＞CL，則|zOH(jωR)|≈1gm2.-----(11)]]>由以上分析可知，因?yàn)檫\(yùn)算放大器的補(bǔ)償電容CF會(huì)引發(fā)回旋(gyration)作用，而將內(nèi)部雜散電容CB＝CDB4+CDB5+CGD4+CGD5+gm6rOCGD6回旋成輸出阻抗中的電感，導(dǎo)致該共振輸出阻抗|zOH(jωR)|在數(shù)MHz至數(shù)十MHz的頻率處將感應(yīng)出一峰值增益，使得運(yùn)算放大器的增益邊際(gainmargin)不足甚至變成負(fù)的，進(jìn)而引發(fā)振蕩等嚴(yán)重的問題。一般的設(shè)計(jì)為避免此問題發(fā)生，必須將運(yùn)算放大器的輸入級的差動(dòng)放大器的增益邊際設(shè)計(jì)的很低，但如此卻會(huì)造成增益頻寬變得很低，且會(huì)引發(fā)直流偏移量(dcoffset)變大等問題。
在已知專利中文獻(xiàn)中，日本專利公開號09-018253提出一種運(yùn)算放大器電路，其雖然可以減少rB的等效值來減輕前述問題，但卻會(huì)造成輸出驅(qū)動(dòng)能力不足的問題，而使得改善的效果極其有限。因此，前述已知的運(yùn)算放大器電路實(shí)有予以改進(jìn)的必要。
本發(fā)明的目的在提供一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，以在不必要犧牲增益頻寬的情況下，達(dá)到省電及大驅(qū)動(dòng)能力的性能。
依據(jù)本發(fā)明的特色之一，其所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，具有一可適性位準(zhǔn)位移電路、一補(bǔ)償電容及一輸出晶體管對，以接收一差動(dòng)放大電路的輸出，而由該可適性位準(zhǔn)位移電路提供放大所需的直流偏壓及直流放大作用，并經(jīng)補(bǔ)償電容的相位補(bǔ)償后，由該輸出晶體管對驅(qū)動(dòng)輸出，其中，該可適性位準(zhǔn)位移電路包括一電流鏡電路，包括閘極相連的第一NMOS電晶體及第二NMOS電晶體；一NMOS晶體二極管，其閘極與汲極相連；一NMOS開關(guān)晶體管，其源極連接至該電流鏡電路的第二NMOS晶體管的汲極，其汲極連接該電流鏡電路的第一NMOS晶體管的汲極與該NMOS晶體二極管的源極，其閘極則連接該NMOS晶體二極管的閘汲極相連處；一PMOS輸入放大器晶體管，其汲極連接該NMOS晶體二極管的汲極；以及，一PMOS電流源晶體管，其汲極連接該NMOS開關(guān)晶體管的源極。
其中所述的該輸出晶體管對由汲極相連的PMOS晶體管及NMOS晶體管所構(gòu)成，該P(yáng)MOS晶體管的閘極連接該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極，其源極連接于電壓源，該NMOS晶體管的閘極連接該NMOS開關(guān)晶體管的源極，其源極連接于系統(tǒng)低電位；其中所述的該補(bǔ)償電容連接于該P(yáng)MOS晶體管的汲極與該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極之間；其中所述的該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極連接一差動(dòng)放大電路的輸出端，其源極則連接電壓源；其中所述的該P(yáng)MOS電流源晶體管的閘極連接一偏壓端，其源極則連接電壓源。
依據(jù)本發(fā)明的另一特色，其所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器具有一可適性位準(zhǔn)位移電路、一補(bǔ)償電容及一輸出晶體管對，以接收一差動(dòng)放大器的輸出，而由該可適性位準(zhǔn)位移電路提供放大所需的直流偏壓及直流放大作用，并經(jīng)補(bǔ)償電容的相位補(bǔ)償后，由該輸出晶體管對驅(qū)動(dòng)輸出，其中，該可適性位準(zhǔn)位移電路包括一電流鏡電路，包括閘極相連的第一PMOS電晶體及第二PMOS電晶體；一PMOS晶體二極管，其閘極與汲極相連；一PMOS開關(guān)晶體管，其源極連接至該電流鏡電路的第二PMOS晶體管的汲極，其汲極連接該電流鏡電路的第一PMOS晶體管的汲極與該P(yáng)MOS晶體二極管的源極，其閘極則連接該P(yáng)MOS晶體二極管的閘汲極相連處；一NMOS輸入放大器晶體管，其汲極連接該P(yáng)MOS晶體二極管的汲極；以及，一NMOS電流源晶體管，其汲極連接該P(yáng)MOS開關(guān)晶體管的源極。
其中所述的該輸出晶體管對由汲極相連的NMOS晶體管及PMOS晶體管所構(gòu)成，該NMOS晶體管的閘極連接該NMOS輸入放大器晶體管的閘極，該P(yáng)MOS晶體管的閘極連接該P(yáng)MOS開關(guān)晶體管的源極；其中所述的該補(bǔ)償電容連接于該NMOS晶體管的汲極與該NMOS輸入放大器晶體管的閘極之間；其中所述的該NMOS輸入放大器晶體管的閘極連接一差動(dòng)放大電路的輸出端，其源極則連接系統(tǒng)低電位；其中所述的該NMOS電流源晶體管的閘極連接一偏壓端，其源極則連接系統(tǒng)低電位。
下面以附圖和實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)說明，其中

圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的電路圖，圖2顯示在負(fù)載電容CL為100pF時(shí)本發(fā)明的相位曲線與知放大器的相位曲線的比較圖，圖3為本發(fā)明另一較佳實(shí)施例的電路圖，圖4顯示已知的AB類運(yùn)算放大器電路圖。
較佳實(shí)施例說明為求得本發(fā)明互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，首先，經(jīng)分析前述已知技術(shù)的問題，如令CB趨于零以壓抑共振現(xiàn)象，則可得一理想的輸出阻抗yOH_Ideal＝1/zOH_Ideal＝gm2+gm1gm6rB+sCL(12)因此，可導(dǎo)出阻抗變異如下zOH(s)/zOH_Ideal(s)=(sCL+gm2+gm1gm6rB)(srBCB+1)s2rBCLCB+sCL+sgm2rBCB+gm1gm6rB+gm2]]>=1+sgm1gm6rB2CBs2rBCLCB+sCL+sgm2rBCB+gm1gm6rB+gm2,(13)]]>則可導(dǎo)出zOH(jωR)zOH_Ideal(jωR)=1+gm1gm6rB2CBCL+gm2rBCB,-----(14)]]>且如果gm2rBCB＞＞CL，則可得到邊際增益的最大損失為zOH(jωR)zOH_Ideal(jωR)=1+gm1gm6rBgm2≈gm1gm6rBgm2.-----(15)]]>參考公式(14)及(15)可知，壓制共振增益的理想化方法乃將CB的值減為零，但在實(shí)際情況下，CB值不可能為零，因此，實(shí)際可行的最佳方法乃在減少rB的值。為達(dá)到此目的，請參照圖1所示本發(fā)明的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器電路圖，其由一可適性位準(zhǔn)位移(Level shift)電路11、一補(bǔ)償電容CF及一輸出晶體管對12所構(gòu)成，接收來自一差動(dòng)放大電路13的輸出，以由該可適性位準(zhǔn)位移電路11提供放大所需的直流偏壓及與差動(dòng)輸入I/P同軸的直流放大作用，經(jīng)補(bǔ)償電容CF的相位補(bǔ)償后，由該輸出晶體管對12驅(qū)動(dòng)輸出。
如圖1所示，該可適性位準(zhǔn)位移電路11包括一作為輸入放大器的PMOS晶體管M1及一作為電流源的PMOS晶體管M5、作為電流鏡的兩NMOS晶體管M3及M4、一作為切換開關(guān)的NMOS晶體管M8及一作為二極管的NMOS晶體管M7，其中，作為輸入放大器的晶體管M1的閘極連接差動(dòng)放大電路13的輸出端(A點(diǎn))，作為電流源的晶體管M5的閘極連接于一偏壓端VB1，而兩晶體管M1及M5的源極則連接電壓源VDD，其汲極則分別連接晶體管M7的汲極及開關(guān)晶體管M8的源極。作為電流鏡的晶體管M3及M4的閘極相連，并與M3的汲極相連，而此等晶體管M1、M3、M4及M5即用以提供一般所知的位準(zhǔn)位移電路的直流偏壓及直流放大作用。
該輸出晶體管對12由汲極相連的PMOS晶體管M2及NMOS晶體管M6所構(gòu)成，其中，晶體管M2的閘極連接晶體管M1的閘極，晶體管M6的閘極則連接晶體管M8的源極。該補(bǔ)償電容CF連接于晶體管M2的汲極與晶體管M1的閘極之間。
本發(fā)明由將晶體管M7設(shè)置于晶體管M1的輸出及電流鏡的晶體管M3之間，以提供直流偏壓來控制晶體管M8，如圖所示，晶體管M7的閘極與汲極相連而形成一個(gè)二極管，晶體管M8的源極連接至晶體管M4的汲極(B點(diǎn))，其汲極連接至晶體管M3的汲極與晶體管M7的源極(C點(diǎn))，其閘極則連接晶體管M7的閘汲極相連處(D點(diǎn))。
當(dāng)本發(fā)明的AB類放大器工作于小信號時(shí)，晶體管M8的汲源極電壓Vds相當(dāng)小，亦即晶體管M8工作于線性區(qū)(linear region，或稱為trioderegion)，故具有相當(dāng)小的汲源極電阻rDS7，因此可求得AB類放大器的輸出阻抗為yO(s)=1/zO(s)=sCFrA+1rA+sCFrAsCFrA+1(gm2+12gm1gm6rDS8sCBrDS8+1)+1rO+sCL,---(16)]]>其中，CB＝CGD8+CDB8+CDB4+CDB5+CGD4+CGD5+gm6rOCGD6，其將回旋出一輸出電感LOEQ≈2CB/(gm1gm6)， (17)此電感具有一等效串聯(lián)電阻RSEQ＝2/(gm1gm6rDS8)， (18)而如果ω＞＞1/(rACF)且gm2>>1rA+1rO]]>則可簡化為zO(s)=(sCBrDS8+1)/gm2s2CLCBrDS8/gm2+sCL/gm2+sCBrDS8+gm1gm6rDS8/2gm2+1,(19)]]>且如果gm1gm6rDS8/2＞＞gm2，則輸出阻抗具有一共振頻率ωR=gm1gm6rDS8/2+gm2rDS8CBCL≈1rDS8CBgm1rDS8gm6/2CL=gm1gm62CBCL=1LOEQCL,---(20)]]>QR=rDS8CL+gm2rDS8CBgm1gm6CBCL2,-----(21)]]>及一共振阻抗|zOH(jωR)|=(1CL+gm2rDS8CB)2CBCLgm1gm6gm1gm6rDS82CB2CL+1.-----(22)]]>相較于理想狀況(CB趨近于0以完全壓抑共振現(xiàn)象)時(shí)的輸出阻抗yOH_Ideal＝1/zOH_Ideal＝gm2+gm1gm6rB+sCL， (23)可導(dǎo)出如下的阻抗變異zOH(s)/zOH_Ideal(s)=1+sgm1gm6rDS82CB/2s2rDS8CLCB+sCL+sgm2rDS8CB+gm1gm6rDS8/2+gm2,(24)]]>因此，zOH(jωR)zOH_Ideal(jωR)=1+12gm1gm6rDS82CB2CL+gm2rDS8CB,-----(25)]]>而如果gm2rDS8CB＞＞CL，即可得到增益邊際(gain margin)的最大損失zOH(jωR)zOH_Ideal(jωR)=1+gm1gm6rDS82gm2≈gm1gm6rDS82gm2-----(26)]]>參考前述的公式(14)、(15)、(25)及(26)，可知本發(fā)明的AB類放大器的rDS8為操作于線性區(qū)域的電阻，其阻抗值約110KΩ ，而已知技術(shù)中AB類放大器的電阻rB為操作于飽和區(qū)，其阻值為1.2MΩ，由于rDS遠(yuǎn)小于rB，因此，于本發(fā)明的AB類放大器中的增益峰值將可有效地予以壓制。
當(dāng)本發(fā)明的AB類放大器工作于大信號下，且欲輸出大的源出電流(source current)時(shí)，輸入端的A點(diǎn)被拉低(pulled low)，所以晶體管M2會(huì)輸出大的源出電流，而晶體管M1會(huì)導(dǎo)通比靜態(tài)電流大的暫態(tài)電流通過晶體管M7及M3，且由于晶體管M4及M3是電流鏡，所以晶體管M4也可以導(dǎo)通如此大的暫態(tài)電流，而晶體管M4可以導(dǎo)通的暫態(tài)電流會(huì)大于晶體管M5所提供的穩(wěn)定偏壓電流，所以B點(diǎn)會(huì)被拉低，晶體管M6會(huì)接近關(guān)閉(turned off)，此時(shí)放大器以B類模式輸出大的源出電流，在此暫態(tài)中，晶體管M8與M7雖然也是電流鏡式的聯(lián)結(jié)，但因?yàn)樗脑鲆孢h(yuǎn)小于晶體管M4比M3的增益，所以晶體管M7僅會(huì)導(dǎo)通微量電流而不影響B(tài)點(diǎn)的下拉，因此不會(huì)限制AB類放大器的源出能力。
另當(dāng)本發(fā)明工作在大信號下，而欲導(dǎo)通大的汲入電流(sink current)時(shí)，A點(diǎn)被拉高(pulled high)，所以晶體管M1及M2的導(dǎo)通電流變得很小，因此晶體管M7、M8、M3與M4的導(dǎo)通電流也變得很小，且小于晶體管M5所提供的穩(wěn)定偏壓電流，所以B點(diǎn)會(huì)被拉高至接近電壓源VDD，晶體管M6可以導(dǎo)通大電流，因此，放大器將以B類模式自負(fù)載端導(dǎo)入大的汲入電流。
參考圖2所示，其顯示在負(fù)載電容CL為100pF時(shí)本發(fā)明的相位曲線(A)與已知放大器的相位曲線(B)，可以顯見本發(fā)明的AB類放大器對共振峰值的抑制非常有效。
圖3為本發(fā)明的另一較佳實(shí)施例，其由一可適性位準(zhǔn)位移電路31、一補(bǔ)償電容CL及一輸出晶體管對32所構(gòu)成，如圖所示，該可適性位準(zhǔn)位移電路31包括分別作為輸入放大器與電流源的兩NMOS晶體管M1及M5、作為電流鏡的兩PMOS晶體管M3及M4、一切換開關(guān)的PMOS晶體管M8及一作為二極管的PMOS晶體管M7，其中，作為輸入放大電路33的輸出端(A點(diǎn))及一偏壓端VB1，其源極則連接系統(tǒng)低電位VSS，其汲極則分別連接晶體管M7的汲極及晶體管M8的源極。作為電流鏡的晶體管M3及M4的閘極相連，并與M3的汲極相連。
該輸出晶體管對12由汲極相連的NMOS晶體管M2及PMOS晶體管M6所構(gòu)成，其中，晶體管M2的閘極連接晶體管M1的閘極，晶體管M6的閘極則連接晶體管M8的源極。該補(bǔ)償電容CF連接于晶體管M2的汲極與晶體管M1的閘極之間。晶體管M7設(shè)置于晶體管M1的輸出及電流鏡的晶體管M3之間，以提供直流偏壓來控制晶體管M8，如圖所示，晶體管M8的源極連接至晶體管M4的汲極(B點(diǎn))，其汲極連接至晶體管M3的汲極與晶體管M7的源極(C點(diǎn))，其閘極則連接晶體管M7的閘汲極相連處(D點(diǎn))。
前述實(shí)施例的電路其與前一實(shí)施例的不同僅在于將PMOS、NMOS晶體管分別以NMOS、PMOS晶體管予以取代，其電路的工作方式則與前一實(shí)施例完全相同，因此，不再重復(fù)詳述此實(shí)施例的工作流程。
由以上說明可知，本發(fā)明由串入晶體管M7作為偏壓以驅(qū)動(dòng)晶體管M8，而得以提供一夠低的線性區(qū)電阻rDS8作為反饋，因此有效地降低回旋電感的Q值，并有效地抑制峰值增益的發(fā)生，而維持所需的邊際增益，且此晶體管M7及M8的加入與連結(jié)方式在大信號時(shí)仍能使輸出晶體管M6的驅(qū)動(dòng)電壓不受箝制，仍能使放大器以AB類模式工作，達(dá)到省電及大驅(qū)動(dòng)能力的性能，且不必犧牲增益頻寬。
應(yīng)注意的是，上述諸多實(shí)施例僅為了便于說明本發(fā)明而舉例而已，而非限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其具有一可適性位準(zhǔn)位移電路、一補(bǔ)償電容及一輸出晶體管對，以接收一差動(dòng)放大電路的輸出，而由該可適性位準(zhǔn)位移電路提供放大所需的直流偏壓及直流放大作用，并經(jīng)補(bǔ)償電容的相位補(bǔ)償后，由該輸出晶體管對驅(qū)動(dòng)輸出，其中，該可適性位準(zhǔn)位移電路包括一電流鏡電路，包括閘極相連的第一NMOS電晶體及第二NMOS電晶體；一NMOS晶體二極管，其閘極與汲極相連；一NMOS開關(guān)晶體管，其源極連接至該電流鏡電路的第二NMOS晶體管的汲極，其汲極連接該電流鏡電路的第一NMOS晶體管的汲極與該NMOS晶體二極管的源極，其閘極則連接該NMOS晶體二極管的閘汲極相連處；一PMOS輸入放大器晶體管，其汲極連接該NMOS晶體二極管的汲極；以及一PMOS電流源晶體管，其汲極連接該NMOS開關(guān)晶體管的源極。
2.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該輸出晶體管對由汲極相連的PMOS晶體管及NMOS晶體管所構(gòu)成，該P(yáng)MOS晶體管的閘極連接該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極，其源極連接于電壓源，該NMOS晶體管的閘極連接該NMOS開關(guān)晶體管的源極，其源極連接于系統(tǒng)低電位。
3.如權(quán)利要求2所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該補(bǔ)償電容連接于該P(yáng)MOS晶體管的汲極與該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極之間。
4.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該P(yáng)MOS輸入放大器晶體管的閘極連接一差動(dòng)放大電路的輸出端，其源極則連接電壓源。
5.如權(quán)利要求1所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該P(yáng)MOS電流源晶體管的閘極連接一偏壓端，其源極則連接電壓源。
6.一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其具有一可適性位準(zhǔn)位移電路、一補(bǔ)償電容及一輸出晶體管對，以接收一差動(dòng)放大器的輸出，而由該可適性位準(zhǔn)位移電路提供放大所需的直流偏壓及直流放大作用，并經(jīng)補(bǔ)償電容的相位補(bǔ)償后，由該輸出晶體管對驅(qū)動(dòng)輸出，其中，該可適性位準(zhǔn)位移電路包括一電流鏡電路，包括閘極相連的第一PMOS電晶體及第二PMOS電晶體；一PMOS晶體二極管，其閘極與汲極相連；一PMOS開關(guān)晶體管，其源極連接至該電流鏡電路的第二PMOS晶體管的汲極，其汲極連接該電流鏡電路的第一PMOS晶體管的汲極與該P(yáng)MOS晶體二極管的源極，其閘極則連接該P(yáng)MOS晶體二極管的閘汲極相連處；一NMOS輸入放大器晶體管，其汲極連接該P(yáng)MOS晶體二極管的汲極；以及一NMOS電流源晶體管，其汲極連接該P(yáng)MOS開關(guān)晶體管的源極。
7.如權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該輸出晶體管對由汲極相連的NMOS晶體管及PMOS晶體管所構(gòu)成，該NMOS晶體管的閘極連接該NMOS輸入放大器晶體管的閘極，該P(yáng)MOS晶體管的閘極連接該P(yáng)MOS開關(guān)晶體管的源極。
8.如權(quán)利要求7所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該補(bǔ)償電容連接于該NMOS晶體管的汲極與該NMOS輸入放大器晶體管的閘極之間。
9.如權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該NMOS輸入放大器晶體管的閘極連接一差動(dòng)放大電路的輸出端，其源極則連接系統(tǒng)低電位。
10.如權(quán)利要求6所述的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器，其特征在于，其中該NMOS電流源晶體管的閘極連接一偏壓端，其源極則連接系統(tǒng)低電位。
全文摘要
本發(fā)明為一種互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體AB類放大器,其包括一可適性位準(zhǔn)位移電路、一補(bǔ)償電容及一輸出晶體管對,該可適性位準(zhǔn)位移電路則由電流鏡電路、晶體二極管、開關(guān)晶體管及電流源晶體管所構(gòu)成,其由串入該晶體二極管以作為偏壓來驅(qū)動(dòng)開關(guān)晶體管,而提供一夠低的線性區(qū)電阻作為反饋,故可降低回旋電感的Q值(品質(zhì)因素)并有效地抑制峰值增益的發(fā)生,維持所需的邊際增益。
文檔編號H03F3/45GK1383262SQ01115439
公開日2002年12月4日 申請日期2001年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2001年4月25日
發(fā)明者莊達(dá)昌 申請人:凌陽科技股份有限公司