專(zhuān)利名稱(chēng)：聲表面波裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種其壓電基片上具有幾種類(lèi)型的IDT的聲表面波裝置，以及這種聲表面波裝置的制造方法。
近年來(lái)，為了增加移動(dòng)通信裝置的效用，已對(duì)具有至少兩個(gè)通信系統(tǒng)的多波段呼應(yīng)便攜式電話進(jìn)行了研究。另外，對(duì)于便攜式電話，越來(lái)越多地使用更高的傳輸頻率。
相應(yīng)地，對(duì)于可以使用800MHz波段蜂窩電話和至少1.5GHz波段蜂窩電話的通信系統(tǒng)的終端，必須對(duì)這兩個(gè)不同頻率各自提供一RF帶通濾波器。
為了減小尺寸和重量，對(duì)這種終端所需的元件數(shù)量的減小有一個(gè)限制。相應(yīng)地，具有兩個(gè)濾波功能的一個(gè)部件是理想的。
為此，已經(jīng)提出，將幾個(gè)濾波功能設(shè)置在一個(gè)壓電基片上。已經(jīng)研制了一種聲表面波裝置，它在一個(gè)壓電基片上形成有具有不同薄膜厚度的，諸如IDT之類(lèi)的兩種類(lèi)型的電極或其它適當(dāng)?shù)碾姌O，從而裝置可以以?xún)煞N不同的頻率工作。
例如，第10-190390號(hào)日本未審查專(zhuān)利公告中已經(jīng)提出了這種聲表面波裝置的制造方法。下面，參照?qǐng)D6A到6E，描述聲表面波裝置的制造方法。
首先，在壓電基片101上形成具有預(yù)定薄膜厚度的導(dǎo)電薄膜104a。在具有導(dǎo)電薄膜104a的壓電基片101上設(shè)置保護(hù)層。接著，使用對(duì)應(yīng)于第一聲表面波元件的IDT部分具有屏蔽部分的掩模使保護(hù)層暴露，然后使保護(hù)層顯現(xiàn)。相應(yīng)地，去掉保護(hù)層所暴露的部分。結(jié)果，保留了對(duì)應(yīng)于第一聲表面波元件的IDT圖案的保護(hù)層的未暴露部分102a。
通過(guò)蝕刻，去掉導(dǎo)電薄膜104a除對(duì)應(yīng)于保護(hù)層102a的部分。相應(yīng)地，如圖6B所示，產(chǎn)生第一聲表面波元件110的IDT111。
接著，在具有第一聲表面波元件的IDT111的壓電基片101上設(shè)置保護(hù)層，并使用具有對(duì)應(yīng)于第二聲表面波元件的IDT的開(kāi)口部分的掩模使其暴露，然后，使保護(hù)層顯現(xiàn)，由此，去掉保護(hù)層的暴露部分。結(jié)果，如圖6C所示，產(chǎn)生具有對(duì)應(yīng)于第二聲表面波元件的開(kāi)口部分的保護(hù)層102b。
接著，如圖6D所示，將薄膜厚度小于第一聲表面波元件110的IDT111的導(dǎo)電薄膜104b設(shè)置在具有保護(hù)層104b的壓電基片101上。
最后，同時(shí)去掉保護(hù)層102b以及設(shè)置在保護(hù)層102b上的導(dǎo)電薄膜104b。如圖6E所示，產(chǎn)生厚度小于第一聲表面波元件110的IDT111的第二聲表面波元件120的IDT121。
根據(jù)上述制造方法，在同一壓電基片上制造具有不同頻率特性的聲表面波元件。
上述聲表面波裝置具有與其制造方法有關(guān)的問(wèn)題。具體地說(shuō)，每當(dāng)IDT的薄膜厚度和/或電極指寬度從它們預(yù)定的范圍偏離時(shí)，從而在構(gòu)成第二聲表面波元件的IDT之后無(wú)法得到理想的頻率特性時(shí)，即使已經(jīng)得到前面已經(jīng)產(chǎn)生的第一聲表面波元件的頻率特性，聲表面波裝置仍然是不合格的。
即，在同一壓電基片上形成第一和第二聲表面波元件，以確定一個(gè)復(fù)合裝置。相應(yīng)地，如果聲表面波元件中只有一個(gè)具有偏離理想值的頻率特性，則裝置也是不合格的。由此，和將第一和第二聲表面波元件形成在不同壓電基片上的聲表面波裝置相比，所產(chǎn)生的不合格率高出許多。
另外，當(dāng)將保護(hù)層圖案用于制造IDT時(shí)，保護(hù)層圖案通常被加熱，以增強(qiáng)其對(duì)于壓電基片的黏著，以及等離子阻抗。當(dāng)將這種處理提供給包含多個(gè)具有不同頻率特性的聲表面波元件的聲表面波裝置的制造方法時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)問(wèn)題。
更具體地說(shuō)，當(dāng)在形成第一聲表面波元件后，將用于制造第二聲表面波元件的IDT的保護(hù)層圖案加熱時(shí)，由于壓電基片的熱電性質(zhì)，在第一聲表面波元件中的IDT的電極指之間產(chǎn)生電位差。電位差可能放電，并且可能熱電損壞。即使放電還不足以產(chǎn)生熱電損壞，但是，放電能夠破壞或扭曲保護(hù)層圖案，導(dǎo)致在第二聲表面波元件的IDT構(gòu)成過(guò)程中，使第一聲表面波元件的IDT短路。
為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明的較佳實(shí)施例獨(dú)立提供了一種聲表面波裝置，其中將具有不同頻率特性的聲表面波元件設(shè)置在一個(gè)壓電基片上，它具有大大減小的廢品率和大大增加的可靠性，本發(fā)明還提供了這種聲表面波裝置制造方法。
本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置包含壓電基片，包含至少一個(gè)設(shè)置在壓電基片上的叉指式換能器的第一聲表面波元件，包含至少一個(gè)設(shè)置在壓電基片上的叉指式換能器的第二聲表面波元件，所述叉指式換能器的厚度不同于第一聲表面波元件的叉指式換能器。第二聲表面波元件的頻率特性不同于第一聲表面波元件。在第一和第二聲表面波元件上設(shè)置絕緣薄膜，并且第一聲表面波元件區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度不同于第二聲表面波元件的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度。
通過(guò)這種獨(dú)特的結(jié)構(gòu)和安排，有效地調(diào)節(jié)了兩個(gè)不同的聲表面波元件的頻率特性。
本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例獨(dú)立提供了一種在一壓電基片上設(shè)置第一和第二聲表面波元件的聲表面波裝置的制造方法，所述方法包含步驟在壓電基片上形成第一聲表面波元件的叉指式換能器，所述叉指式換能器具有通過(guò)短路電極電氣連接的輸入輸出端，在第一聲表面波元件的叉指式換能器和短路電極所在的基片的整個(gè)表面上設(shè)置保護(hù)層，并加熱保護(hù)層，僅去掉第二聲表面波元件所在區(qū)域上的保護(hù)層，在壓電基片上形成導(dǎo)電薄膜，導(dǎo)電薄膜的不同于第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度，使導(dǎo)電薄膜形成圖案，以通過(guò)提升法形成第二聲表面波元件的叉指式換能器，切去短路電極，以使第一聲表面波元件的叉指式換能器的輸入輸出端與第二聲表面波元件不電氣連接，在第一和第二聲表面波元件的叉指式換能器上形成絕緣薄膜，并減小絕緣薄膜的厚度，以調(diào)節(jié)第一和的二聲表面波元件的頻率特性。
相應(yīng)地，防止第一聲表面波元件的IDT電極在提升了第二聲表面波元件后短路。另外，可以通過(guò)在第一和第二聲表面波元件上形成SiO2薄膜減少?gòu)?fù)合元件的不合格率。
本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例獨(dú)立的方法還可以包含步驟在調(diào)節(jié)頻率之前，通過(guò)晶片探測(cè)測(cè)量第一和第二聲表面波元件的頻率特性，其中進(jìn)行減小絕緣薄膜厚度的步驟，從而第一聲表面波元件的叉指式換能器的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度不同于第二聲表面波元件的叉指式換能器上的區(qū)域的厚度。
另外，通過(guò)絕緣薄膜形成步驟產(chǎn)生的絕緣薄膜可以具有預(yù)定的厚度，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，并且通過(guò)僅蝕刻第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的區(qū)域，進(jìn)行減小絕緣薄膜厚度的步驟。
或者，減小絕緣薄膜的厚度的步驟可以包含步驟減小整個(gè)絕緣薄膜的厚度，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，測(cè)量第一和第二聲表面波元件的另一個(gè)的頻率特性，以確定第一和第二聲表面波元件的另一個(gè)的絕緣薄膜的理想厚度，以產(chǎn)生理想的頻率特性，并根據(jù)由測(cè)量步驟確定的厚度，僅減小第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度，以產(chǎn)生理想的頻率特性。
相應(yīng)地，可以有效地調(diào)節(jié)第一和第二聲表面波元件的頻率特性。
從下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例獨(dú)立的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特點(diǎn)、元件、特征以及優(yōu)點(diǎn)是顯然的。


圖1A到1D是示出根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的平面概圖。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的平面概圖。
圖3A到3C是示出根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的處理的截面圖。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的較佳實(shí)施例獨(dú)立的絕緣薄膜引起的頻率中的變化的特性曲線。
圖5A到5D是示出根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的處理的截面圖。
圖6A到6E是示出傳統(tǒng)的聲表面波裝置的處理的截面圖。
通過(guò)下面參照附圖，對(duì)較佳實(shí)施例獨(dú)立的描述，將理解本發(fā)明。
下面，將參照附圖，描述根據(jù)本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的制造方法。
首先，在壓電基片的整個(gè)上表面上形成導(dǎo)電薄膜。導(dǎo)電薄膜的厚度最好大致上等于第一聲表面波元件的IDT、反射器或其它適當(dāng)元件的厚度。導(dǎo)電薄膜由使用諸如汽相沉淀、濺射、電鍍或其它適當(dāng)?shù)姆椒ǎ恋碇T如Al或其它類(lèi)似的材料而制成導(dǎo)電薄膜。
接著，在導(dǎo)電薄膜的整個(gè)表面上形成正的保護(hù)層。保護(hù)層通過(guò)具有對(duì)應(yīng)于第一聲表面波元件的IDT、反射器或其它適當(dāng)?shù)脑难谏w部分的掩模。然后，去掉了暴露部分，由此形成保護(hù)層。
此后，使用可以去掉導(dǎo)電薄膜的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，而不腐蝕保護(hù)層。由此，產(chǎn)生一個(gè)端子對(duì)的諧振器的IDT11，它確定了第一聲表面波元件10、反射器12、輸入輸出端13和14，以及短路電路15。如圖1A所示，短路電路15位于輸入輸出端13和13以及反射器12之間。蝕刻可以是使用等離子或其它類(lèi)似物質(zhì)的濕潤(rùn)型或干燥型的。還有，可以通過(guò)提升法或其它適當(dāng)?shù)姆椒ㄐ纬呻姌O。
注意，第一聲表面波元件10可以構(gòu)成得不含有反射器12。在這種這種情況下，短路電極僅位于輸入輸出端15之間。
接著，在壓電基片1的整個(gè)表面上形成正的保護(hù)層。此后，在具有第二聲表面波元件20的壓電基片的部分上將一掩模層疊到保護(hù)層上，并曝光，其中該掩模具有對(duì)應(yīng)于IDT、反射器、和其它適當(dāng)?shù)脑拈_(kāi)口的圖案部分。去掉暴露保護(hù)層部分，由此，產(chǎn)生具有開(kāi)口2X，具有圖案的形狀的保護(hù)層2，如圖1B所示。如圖1B所示，在第一聲表面波元件10部分上，通過(guò)保護(hù)層2保護(hù)IDT11、反射器12、輸入輸出端13和14以及短路電路15。
在這個(gè)階段，保護(hù)層2被加熱，以增強(qiáng)保護(hù)層的粘度，并改進(jìn)其等離子阻抗。在這個(gè)熱處理過(guò)程中，由于輸入輸出端13和14以及12分別由短路電極15短路，故失去了各個(gè)部分中的電位差，從而各個(gè)部分處于相同的電位。由此，除非IDT和保護(hù)層損壞，不會(huì)發(fā)生放電。
導(dǎo)電薄膜的薄膜厚度最好大致上等于第二聲表面波元件的IDT的厚度。第二聲表面波元件的IDT厚度不同于第一聲表面波元件的IDT的厚度。此后，保護(hù)層2上形成的導(dǎo)電薄膜與保護(hù)層2一起被去掉。由此，產(chǎn)生了第二聲表面波元件20的IDT21、反射器22、和輸入輸出端23和24。
如圖1C所示，切去短路電極的一部分。例如，可以通過(guò)使用保護(hù)層的光刻或蝕刻，或其它適當(dāng)?shù)姆椒?，切去短路電極。
如圖1D所示，絕緣薄膜3位于壓電基片1上。絕緣薄膜3最好由SiO2制成，但也可用其它適當(dāng)物質(zhì)制成并使用RF磁控濺射或通過(guò)另外適當(dāng)?shù)氖┘颖∧さ姆椒ㄊ┘印榱诉B接外部電路，去掉第一聲表面波元件10的輸入輸出端13和14上的絕緣薄膜3，以及第二聲表面波元件20的絕緣薄膜3和輸入輸出端23和24。
如上所述，在該較佳實(shí)施例獨(dú)立中，在壓電基片上形成通過(guò)使電極的薄膜厚度不同而形成的，具有不同特性的第一和第二聲表面波元件。更具體地說(shuō)，形成第一聲表面波元件的IDT，同時(shí)，通過(guò)短路電極連接IDT的輸入輸出端和反射器。
在形成第一聲表面波元件的IDT后，切去短路電線。由此，防止第一聲表面波元件的IDT在形成第二聲表面波元件的過(guò)程中短路。另外，可以通過(guò)將絕緣的SiO2薄膜施加到第一和第二聲表面波元件上而調(diào)節(jié)頻率。相應(yīng)地，使不合格的復(fù)合聲表面波裝置的數(shù)量最小化。
下面，將參照附圖，描述根據(jù)本發(fā)明的第二較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置。用相同的標(biāo)號(hào)表示那些和第一較佳實(shí)施例獨(dú)立中的類(lèi)似的部分，并省略了對(duì)其的詳細(xì)描述以避免重復(fù)。
圖2示出了第一和第二聲表面波元件30和40與晶片探測(cè)部分的配置。第一聲表面波元件30是梯形濾波器，它包括串聯(lián)臂諧振器31和32，以及并聯(lián)臂諧振器33、34和35。類(lèi)似地，第二聲表面波元件40是梯形濾波器，它包括串聯(lián)臂諧振器41和42，以及并聯(lián)臂諧振器43、44和45。
將最好是由SiO2制成的絕緣薄膜3提供給第一聲表面波元件30和第二聲表面波元件40，第一聲表面波元件30的輸入輸出端36到38，以及第二聲表面波元件40的輸入輸出端46到48的區(qū)域除外。另外，第一聲表面波元件30和第二聲表面波元件40上的絕緣薄膜3的薄膜厚度不同，導(dǎo)致形成了階級(jí)3X。
如圖2所示，探針50連接到第一聲表面波元件30的輸入輸出端36到38，以及第二聲表面波元件40的輸入輸出端46到48，以進(jìn)行晶片探測(cè)。
圖3A是示出均勻地形成絕緣薄膜3的狀態(tài)的截面圖。調(diào)節(jié)第一聲表面波元件30的頻率特性，以達(dá)到理想值。另外，在提供絕緣薄膜3之前，第二聲表面波元件40的頻率特性高于理想頻率，并低于圖3A的狀態(tài)中的理想頻率。
通過(guò)晶片探測(cè)，測(cè)量第二聲表面波元件的頻率特性。根據(jù)探針的測(cè)量，確定頻率特性的調(diào)節(jié)量。在下面的處理中，調(diào)節(jié)第二聲表面波元件的頻率特性，并形成如圖2所示的絕緣薄膜的階級(jí)3X。
下面，將參照?qǐng)D3，描述調(diào)節(jié)第二聲表面波元件的頻率特性的處理。
首先在絕緣薄膜3的整個(gè)表面上形成正的保護(hù)層。該保護(hù)層通過(guò)一個(gè)掩模暴露，所述掩模具有對(duì)應(yīng)于第一聲表面波元件30的掩蓋部分。此后，去掉暴露的保護(hù)層。結(jié)果，產(chǎn)生如圖3B所示的有圖案的保護(hù)層2a。
此后，使用能夠去掉絕緣薄膜3的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，而不腐蝕保護(hù)層2a。由此，在絕緣薄膜3上產(chǎn)生階級(jí)3X，如圖3C所示。蝕刻可以是使用等離子或其它適當(dāng)?shù)姆椒ǖ臐駶?rùn)型或干燥型。
圖4示出第二聲表面波元件40的頻率特性中的變化。在圖4中，實(shí)線表示沒(méi)有絕緣薄膜的元件40的特性，虛線表示施加了大致上29nm的絕緣薄膜的元件40的特性，而一點(diǎn)連線表示進(jìn)行等離子蝕刻，以將絕緣薄膜的厚度減小到大約13nm的元件40的特性。如圖4所示，通過(guò)蝕刻由SiO2制成的絕緣薄膜的厚度特級(jí)頻率特性。
如上所述，根據(jù)這個(gè)較佳實(shí)施例獨(dú)立，通過(guò)在第一和第二聲表面波元件上形成SiO2薄膜，使不合格復(fù)合元件的數(shù)量最小化。尤其地，可以通過(guò)形成在第一和第二聲表面波元件上形成不同厚度SiO2薄膜調(diào)節(jié)兩個(gè)聲表面波元件的不同頻率。由此，可以大大減小不合格的復(fù)合元件的數(shù)量。
下面將描述根據(jù)本發(fā)明的第三較佳實(shí)施例獨(dú)立的聲表面波裝置的制造方法。與上述第一和第二較佳實(shí)施例獨(dú)立類(lèi)似于的那些部分由相同的標(biāo)號(hào)指出，并省略了對(duì)它們的詳細(xì)描述以避免重復(fù)。
本較佳實(shí)施例獨(dú)立提供了一種方法，其中第一和第二聲表面波元件上的絕緣薄膜的薄膜厚度相互不同。
圖5A示出了類(lèi)似于圖3A的絕緣薄膜3，不同的是第一聲表面波元件的頻率低于理想值。即，圖5A的絕緣薄膜的薄膜厚度比圖3A所示的絕緣薄膜3的更厚。
在施加了上述絕緣薄膜3后，通過(guò)晶片探測(cè)測(cè)量第一聲表面波元件30的頻率特性。根據(jù)測(cè)量的結(jié)果確定頻率特性的調(diào)節(jié)量。
另外，如圖5B所示，絕緣薄膜3的表面用等離子蝕刻，從而第一聲表面波元件30的頻率具有理想值。將絕緣薄膜3的厚度設(shè)置在預(yù)定值，從而第一聲表面波元件30的頻率特性具有這個(gè)理想值。
此后，通過(guò)晶片探測(cè)測(cè)量第二聲表面波元件40的頻率特性，并且根據(jù)測(cè)量結(jié)果確定頻率特性的調(diào)節(jié)量。
如圖5B所示，將正的保護(hù)層提供給絕緣薄膜3的整個(gè)表面。通過(guò)具有對(duì)應(yīng)于第一聲表面波元件30的掩蓋部分的掩模使保護(hù)層暴露。然后，去掉暴露的保護(hù)層，以得到有圖案的保護(hù)層2a，如圖5C所示。
接著，使用能夠能夠去掉絕緣薄膜3但是不去掉保護(hù)層2a的蝕刻劑進(jìn)行蝕刻，隨后在絕緣薄膜3上產(chǎn)生階級(jí)3x，如圖5D所示。蝕刻可以是使用等離子或其它適當(dāng)?shù)姆椒ǖ臐駶?rùn)型或干燥型。
在該較佳實(shí)施例獨(dú)立中，通過(guò)在第一和第二聲表面波元件上提供SiO2薄膜使不合格復(fù)合元件的數(shù)量最小化。由于在調(diào)節(jié)了形成在第一聲表面波元件上的SiO2薄膜后，調(diào)節(jié)形成在第二聲表面波元件上的SiO2薄膜，故有效地調(diào)節(jié)了兩個(gè)聲表面波元件的頻率。不合格復(fù)合元件的數(shù)量最小化。
可以將第二和第三較佳實(shí)施例獨(dú)立中的技術(shù)，即使形成在第一和第二聲表面波元件上的絕緣薄膜不同，從而有效調(diào)節(jié)兩個(gè)不同的聲表面波元件的頻率，用于第一較佳實(shí)施例獨(dú)立中所述的一個(gè)端子對(duì)諧振器。特別地，可以將本發(fā)明的第一到第三較佳實(shí)施例獨(dú)立中描述的技術(shù)應(yīng)用于諸如諧振器、濾波器、雙工器或其它電子元件之類(lèi)的任何適當(dāng)?shù)难b置。該技術(shù)還可以應(yīng)用于沒(méi)有反射器的聲表面波元件。
在上述各個(gè)實(shí)施例中，第二聲表面波元件的導(dǎo)電薄膜的厚度最好小于第一聲表面波元件的導(dǎo)電薄膜的厚度。相反，第二聲表面波元件的導(dǎo)電薄膜的厚度可以大于第一聲表面波元件的導(dǎo)電薄膜的厚度。
各個(gè)較佳實(shí)施例獨(dú)立中的壓電基片可以是任何適當(dāng)?shù)膲弘妴尉?，諸如石英，四硼酸鋰和蘭加塞特(langasite)，以及任何適當(dāng)?shù)膲弘娞沾?，諸如鋯鈦酸鉛型壓電陶瓷。另外，可以使用形成在由鋁土制成的絕緣基片上，或其它適當(dāng)?shù)慕^緣基片上的，具有由ZnO或其它適當(dāng)?shù)谋∧ぶ瞥傻膲弘姳∧さ膲弘娀?。作為IDT的電極材料、反射器和其它元件，可以將Al、Al合金和其它導(dǎo)電材料用于本發(fā)明。另外，用于調(diào)節(jié)頻率特性的絕緣薄膜不限于SiO2。
雖然已經(jīng)揭示了本發(fā)明的較佳實(shí)施例獨(dú)立，但是，在不背離這里所揭示的原理?xiàng)l件下實(shí)施本發(fā)明的其它各種模式都在下面的權(quán)利要求的范圍內(nèi)。由此知道，本發(fā)明的范圍僅由所附權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種聲表面波裝置，其特征在于包含壓電基片；含有設(shè)置在所述壓電基片上的至少一個(gè)叉指式換能器的第一聲表面波元件；和含有設(shè)置在所述壓電基片上的至少一個(gè)叉指式換能器的第二聲表面波元件，該叉指式換能器的厚度不同于所述第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度。
2.如權(quán)利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于第二聲表面波元件的頻率特性不同于第一聲表面波元件。
3.如權(quán)利要求1所述的聲表面波裝置，其特征在于絕緣薄膜設(shè)置在第一和第二聲表面波元件上，所述第一聲表面波元件的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度不同于所述第二聲表面波元件的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的聲表面波裝置，其特征在于絕緣薄膜設(shè)置在第一和第二聲表面波元件上，所述第一聲表面波元件的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度不同于所述第二聲表面波元件的區(qū)域中的絕緣薄膜的厚度。
5.一種在壓電基片上設(shè)置有第一和第二聲表面波元件的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于包含以下步驟在所述壓電基片上形成第一聲表面波元件的叉指式換能器，所述叉指式換能器具有通過(guò)短路電極電氣連接的輸入輸出端；在形成第一聲表面波元件的叉指式換能器和短路電極的基片的整個(gè)表面上提供保護(hù)層；加熱保護(hù)層；僅從將形成第二聲表面波元件的區(qū)域去掉所述保護(hù)層；將導(dǎo)電薄膜提供給所述壓電基片，所述導(dǎo)電薄膜的厚度不同于第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度；使導(dǎo)電薄膜形成圖案，以形成第二聲表面波元件的叉指式換能器；切割短路電極，使第一聲表面波元件的叉指式換能器的輸入輸出端不連接；在第一和第二聲表面波元件的叉指式換能器上形成絕緣薄膜；及減小絕緣薄膜的厚度，以調(diào)節(jié)第一和第二聲表面波元件中至少一個(gè)的頻率特性。
6.如權(quán)利要求5所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于包含通過(guò)提升法完成使導(dǎo)電薄膜形成圖案的步驟。
7.如權(quán)利要求5所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于還包含在調(diào)節(jié)頻率的步驟之前，通過(guò)晶片探測(cè)測(cè)量第一和第二聲表面波元件的頻率特性的步驟。
8.如權(quán)利要求5所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于進(jìn)行減小絕緣薄膜的厚度的步驟，從而在第一聲表面波元件的叉指式換能器上的區(qū)域的絕緣薄膜的厚度不同于在第二聲表面波元件的叉指式換能器上的區(qū)域的絕緣薄膜的厚度。
9.如權(quán)利要求5所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于通過(guò)絕緣薄膜形成步驟形成的絕緣薄膜具有預(yù)定的厚度，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，并且進(jìn)行減小絕緣薄膜的厚度的步驟，以只蝕刻所述第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的叉指式換能器的區(qū)域。
10.如權(quán)利要求8所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于減小絕緣薄膜的厚度的步驟包含步驟減小整個(gè)絕緣薄膜的厚度，從而第一和第二表面聲波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，測(cè)量第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的頻率特性，以確定所述第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的絕緣薄膜的理想厚度，以達(dá)到理想的頻率特性，并根據(jù)由測(cè)量步驟確定的理想厚度，只減小所述第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的區(qū)域上的絕緣薄膜的厚度，以具有理想的頻率特性。
11.一種在壓電基片上形成有第一和第二聲表面波元件的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于包含以下步驟在所述壓電基片上形成第一聲表面波元件的叉指式換能器；在壓電基片上形成第二聲表面波元件的叉指式換能器；用絕緣薄膜覆蓋所述第一和第二聲表面波元件的叉指式換能器；和減小所述絕緣薄膜的厚度，以調(diào)節(jié)所述第一和第二聲表面波元件中至少一個(gè)的頻率特性。
12.如權(quán)利要求11所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于通過(guò)絕緣薄膜覆蓋步驟形成的絕緣薄膜具有預(yù)定厚度，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，并且進(jìn)行減小絕緣薄膜的厚度的步驟，以只蝕刻第一和第二聲表面波元件的另一個(gè)的叉指式換能器的區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于減小絕緣薄膜的厚度的步驟包括減小整個(gè)絕緣薄膜的厚度的步驟，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，測(cè)量第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的頻率特性，以確定所述第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的絕緣薄膜的理想厚度，以達(dá)到理想的頻率特性，并根據(jù)由測(cè)量步驟確定的理想厚度，只減小在所述第一和第二聲表面波元件的另一個(gè)的區(qū)域上的絕緣薄膜的厚度，以具有理想的頻率特性。
14.如權(quán)利要求11所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于第一聲表面波元件的叉指式換能器具有通過(guò)短路電極電氣連接的輸入輸出端；形成第一聲表面波元件的叉指式換能器的步驟包含下述步驟在形成所述第一聲表面波元件的叉指式換能器和短路電極的基片的整個(gè)表面上形成保護(hù)層、加熱所述保護(hù)層、僅從要形成第二聲表面波元件的區(qū)域去掉保護(hù)層，并將導(dǎo)電薄膜提供給壓電基片；其中，所述導(dǎo)電薄膜的厚度不同于所述第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度。
15.如權(quán)利要求14所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于還包含步驟在壓電基片上提供導(dǎo)電薄膜，所述導(dǎo)電薄膜的厚度不同于第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度，使導(dǎo)電薄膜形成圖案，以形成第二聲表面波元件的叉指式換能器，切去短路電極，以使第一聲表面波元件的叉指式換能器的輸入輸出端不電氣連接，在第一和第二聲表面波元件的叉指式換能器上形成絕緣薄膜，以及減小絕緣薄膜的厚度，以調(diào)節(jié)第一和第二聲表面波元件中的至少一個(gè)的頻率特性。
16.如權(quán)利要求10所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于使導(dǎo)電薄膜形成圖案的步驟通過(guò)提升法完成。
17.如權(quán)利要求10所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于還包含步驟通過(guò)在調(diào)節(jié)頻率步驟前的晶片探測(cè)，測(cè)量第一和第二聲表面波元件的頻率特性。
18.如權(quán)利要求10所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于進(jìn)行減小絕緣薄膜的厚度的步驟，從而第一聲表面波元件的叉指式換能器上的區(qū)域的絕緣薄膜的厚度不同于第二聲表面波元件的叉指式換能器上的區(qū)域的絕緣薄膜的厚度。
19.如權(quán)利要求10所述的聲表面波裝置的制造方法，其特征在于通過(guò)絕緣薄膜形成步驟形成的絕緣薄膜具有預(yù)定的厚度，從而第一和第二聲表面波元件中的一個(gè)具有理想的頻率特性，并且進(jìn)行減小絕緣薄膜的厚度的步驟，以?xún)H蝕刻第一和第二聲表面波元件中的另一個(gè)的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供了一個(gè)聲表面波裝置,其特征在于包含壓電基片,具有設(shè)置在所述壓電基片上的至少一個(gè)叉指式換能器的第一聲表面波元件,具有設(shè)置在所述壓電基片上的至少一個(gè)叉指式換能器的第二聲表面波元件。第二聲表面波元件的至少一個(gè)叉指式換能器的厚度不同于第一聲表面波元件的叉指式換能器的厚度,并且第二聲表面波元件的頻率特性不同于第一聲表面波元件。將絕緣薄膜提供給第一和第二聲表面波元件。在第一聲表面波元件上的區(qū)域的絕緣薄膜的厚度不同于第二聲表面波元件上的區(qū)域的厚度。
文檔編號(hào)H03H9/145GK1278123SQ00108998
公開(kāi)日2000年12月27日 申請(qǐng)日期2000年5月26日 優(yōu)先權(quán)日1999年5月26日
發(fā)明者筏克弘, 坂口健二 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所