一種t型三電平三相儲能逆變器系統(tǒng)的制作方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型設及分布式發(fā)電技術領域,尤其設及一種T型=電平=相儲能逆變器 系統(tǒng)。
【背景技術】
[0002] 近年來,隨著能源消耗逐年增加,常規(guī)能源日益枯竭,可再生能源發(fā)電(風力發(fā) 電、光伏發(fā)電等)越來越受得人們的關注。儲能逆變器系統(tǒng)作為電網不可缺少部分,需通過 儲能逆變器與電網系統(tǒng)連接,起到平衡和緩沖電網內部能量的作用。因此,如何通過儲能逆 變器實現能量的雙向流動,同時降低應用成本是一項亟待解決的問題。 【實用新型內容】
[0003] 本實用新型提供了一種T型S電平S相儲能逆變器系統(tǒng),能夠降低系統(tǒng)的成本, 同時實現能量的雙向流動。
[0004] 本實用新型提供了一種T型=電平=相儲能逆變器系統(tǒng),包括:裡電池組、能量雙 向流動直流-直流變換器、直流-直流變換器控制器、能量雙向流動直流-交流變換器和直 流-交流變換器控制器;其中: 陽0化]所述裡電池組與所述能量雙向流動直流-直流變換器相連;
[0006] 所述直流-直流變換器與所述能量雙向流動直流-交流變換器相連; 陽007] 所述能量雙向流動直流-交流變換器與電網相連;
[0008] 所述直流-直流變換器控制器與所述能量雙向流動直流-直流變換器相連;
[0009] 所述直流-交流變換器控制器與所述能量雙向流動直流-交流變換器相連。
[0010] 優(yōu)選地,所述能量雙向流動直流-直流變換器包括:高頻低壓MOS陽T開關管S1、 高頻低壓MOSFET開關管S2、高頻低壓MOSFET開關管S3、高頻低壓MOSFET開關管S4、高頻 升壓變壓器Tl、濾波電感LU高壓IGBT開關管SdU高壓IGBT開關管Sd2、高壓IGBT開關 管Sd3、高壓IGBT開關管Sd4、直流母線電壓電容C2和直流母線電壓電容C4 ;其中: W11] 所述高頻低壓MOS陽T開關管Sl、高頻低壓MOS陽T開關管S2、高頻低壓MOS陽T開 關管S3、高頻低壓MOSFET開關管S4構成H4橋;
[0012] 所述高壓IGBT開關管SdU高壓IGBT開關管Sd2、高壓IGBT開關管Sd3和高壓 IGBT開關管Sd4構成T型S電平作為能量雙向流動直流-直流變換器中變換壓副邊的一個 橋臂,另一個橋臂為母線電壓電容C2和直流母線電壓電容C4中性點。
[0013] 優(yōu)選地,所述能量雙向流動直流-交流變換器包括:T型=電平=相=橋臂逆變 器、濾波電感L2和濾波電容C3 ;其中:
[0014] 所述T型S電平S相S橋臂逆變器由S個橋臂構成,第一個橋臂由功率高壓IGBT 開關管Sal、功率高壓IGBT開關管Sa2、功率高壓IGBT開關管Sa3和功率高壓IGBT開關 管Sa4構成,第二個橋臂由功率高壓IGBT開關管SbU功率高壓IGBT開關管Sb2、功率高壓 IGBT開關管訊3和功率高壓IGBT開關管訊4構成,第S個橋臂由功率高壓IGBT開關管Scl 和功率高壓IGBT開關管Sc4構成。
[0015] 優(yōu)選地,所述功率高壓IGBT開關管Sal的驅動信號和功率高壓IGBT開關管SaS 的驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間,功率高壓IGBT開關管Sa2的驅動信號和功率高 壓IGBT開關管Sa4的驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間;功率高壓IGBT開關管Sbl的 驅動信號和功率高壓IGBT開關管訊3的驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間,功率高壓 IGBT開關管訊2的驅動信號和功率高壓IGBT開關管訊4的驅動信號互補,同時設置2US死 區(qū)時間;功率高壓IGBT開關管Scl的驅動信號和功率高壓IGBT開關管Sc4的驅動信號互 補,同時設置2us死區(qū)時間。
[0016] 優(yōu)選地,所述直流-交流變換器控制器包括:有限開關狀態(tài)預測模型和比例積分 控制器。
[0017] 優(yōu)選地,所述有限開關狀態(tài)預測模型的目標函數為:
[0019]其中,i?;?、ip化)為S電平逆變器輸出電流在a 0靜止坐標系下a、0分量, 入V是目標函數的權重系數,Vp化+1)為直流正母線電壓,Vw(k+1)為直流負母線電壓,C化) 為靜止坐標系下a軸給定電流,z;(A)為靜止坐標系下0軸給定電流。
[0020] 優(yōu)選地,所述直流-直流變換器控制器包括PI控制器。
[0021] 由上述方案可知,本實用新型提供的一種T型=電平=相儲能逆變器系統(tǒng),通過 直流-直流變換器控制器對能量雙向流動直流-直流變換器的控制,W及通過直流-交流 變換器控制器對能量雙向流動直流-交流變換器的控制,能夠實現能量的雙向流動,同時 降低系統(tǒng)的成本。
【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例 或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅 是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提 下,還可W根據運些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1為本實用新型實施例公開的一種T型S電平S相儲能逆變器系統(tǒng)的結構示意 圖;
[0024] 圖2為本實用新型實施例公開的一種T型S電平S相儲能逆變器系統(tǒng)的拓撲電路 圖;
[00巧]圖3為本實用新型實施例公開的T型S電平S相儲能逆變器的電壓矢量圖; [00%] 圖4為本實用新型實施例公開的一種能量雙向流動直流-交流變換器的有限開關 狀態(tài)模型預測控制策略圖;
[0027]圖5為本實用新型實施例公開的一種能量雙向流動直流-直流變換器控制策略 圖。
【具體實施方式】
[0028] 下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行 清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的 實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下 所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
[0029] 如圖1所示,為本實用新型實施例公開的一種T型立電平立相儲能逆變器系統(tǒng),包 括:裡電池組11、能量雙向流動直流-直流變換器12、直流-直流變換器控制器13、能量雙 向流動直流-交流變換器14和直流-交流變換器控制器15 ;其中:
[0030] 裡電池組11與能量雙向流動直流-直流變換器12相連;
[0031] 直流-直流變換器12與能量雙向流動直流-交流變換器14相連;
[0032] 能量雙向流動直流-交流變換器14與電網10相連;
[0033] 直流-直流變換器控制器13與能量雙向流動直流-直流變換器12相連;
[0034] 直流-交流變換器控制器15與能量雙向流動直流-交流變換器14相連。
[0035] 具體的,如圖2所示,能量雙向流動直流-直流變換器包括:高頻低壓MOS陽T開關 管Sl、高頻低壓MOSFET開關管S2、高頻低壓MOSFET開關管S3、高頻低壓MOSFET開關管S4、 高頻升壓變壓器Tl、濾波電感11、高壓IGBT開關管SdU高壓IGBT開關管Sd2、高壓IGBT 開關管Sd3、高壓IGBT開關管Sd4、直流母線電壓電容C2和直流母線電壓電容C4 ;其中:
[0036]高頻低壓MOS陽T開關管Sl、高頻低壓MOS陽T開關管S2、高頻低壓MOS陽T開關管 S3、高頻低壓MOSFET開關管S4構成H4橋;
[0037]高壓IGBT開關管Sdl、高壓IGBT開關管Sd2、高壓IGBT開關管Sd3和高壓IGBT開 關管Sd4構成T型=電平作為能量雙向流動直流-直流變換器中變換壓副邊的一個橋臂, 另一個橋臂為母線電壓電容C2和直流母線電壓電容C4中性點。 陽03引能量雙向流動直流-交流變換器包括:T型S電平S相S橋臂逆變器、濾波電感L2 和濾波電容C3 ;其中:
[0039]T型S電平S相S橋臂逆變器由S個橋臂構成,第一個橋臂由功率高壓IGBT開關 管Sal、功率高壓IGBT開關管Sa2、功率高壓IGBT開關管Sa3和功率高壓IGBT開關管Sa4 構成,第二個橋臂由功率高壓IGBT開關管SbU功率高壓IGBT開關管Sb2、功率高壓IGBT 開關管訊3和功率高壓IGBT開關管訊4構成,第=個橋臂由功率高壓IGBT開關管Scl和 功率高壓IGBT開關管Sc4構成。傳統(tǒng)T型S電平S相逆變器每一個橋臂由4個功率開關 管構成,總共由12個功率開關管構成。而所實用新型低成本T型=電平=相=橋臂逆變器 只有10個功率開關管,功率開關管減少了 1/6,降低了成本。
[0040] 具體的,在本實用新型中功率高壓IGBT開關管Sal的驅動信號和功率高壓IGBT 開關管Sa3的驅動信號互補,同時設置化S死區(qū)時間,功率高壓IGBT開關管Sa2的驅動信號 和功率高壓IGBT開關管Sa4的驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間;功率高壓IGBT開關 管訊1的驅動信號和功率高壓IGBT開關管訊3的驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間, 功率高壓IGBT開關管訊2的驅動信號和功率高壓IGBT開關管訊4的驅動信號互補,同時 設置2US死區(qū)時間;功率高壓IGBT開關管Scl的驅動信號和功率高壓IGBT開關管Sc4的 驅動信號互補,同時設置2US死區(qū)時間。
[0041] 具體的,在低成本T型S電平S相儲能逆變系統(tǒng)中直流-交流逆變電路中,每相橋 臂有=種輸出狀態(tài):"P"狀態(tài)、"0"狀態(tài)和"N"狀態(tài)。W=電平=相逆變器中性點電壓O為 參考電壓,則逆變器輸出相電壓分別為Vdy2、O和-Vd^2。為了方便建模,假設所有開關元器件都是理想器件,忽略死區(qū)時間,逆變器輸出端通過濾波電感L2與電網相連,=相電網的 中性點為n,則低成本T型=電平=相儲能逆變可W等效為相應的開關模型。假定變量S。, Sb, 5。{1,0, 代表每一相的開關狀態(tài),其中"1"代表輸出與母線電壓正極P點相連,"0" 代表輸出與母線電壓中性點0點相連,"-1"代表輸出與母線電壓負極N點相連。低成本T型=電平=相儲能逆變系統(tǒng)中直流-交流逆變器輸出的開關狀態(tài)可W表示為: 陽042] Sj=[SaSbSJT (1)
[0043] 其中j=0,...,17。
[0044] 則直流-交流逆變器輸出電壓在靜止a0坐標系下電壓表示為:
(2)
[0046] 其中T3/2為=相靜止坐標到二相靜止坐標系變換矩陣,可表示為:
(3) W48] 圖2中,e。、Gb、卸分別為立相電網相電壓;i。、ib、i。分別為S相并網逆變器輸出相 電流;11。、咕、11。分別為;相并網逆變器輸出相電壓似、〔4分別為直流母線電容;¥。、¥仇別 為