第四電容的第二端連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源負端；
[0022]輸出電路，所述輸出電路的供電電源正極和負極分別作為所述自檢電路的高壓區(qū)供電電源正極和負極，所述輸出電路的第一輸入端連接至所述第一 DMOS管的漏極，所述輸出電路的第二輸入端連接至所述第二 DMOS管的漏極，所述輸出電路的輸出端作為所述自檢電路的輸出端，所述輸出電路用于將所述輸出電路第一輸入端的脈沖信號和第二輸入端的脈沖信號處理為以所述智能功率模塊的U相高壓區(qū)供電電源負端為基準的且與所述智能功率模塊的U相上橋臂信號輸入端的輸入信號相位一致的連續(xù)信號。
[0023]根據(jù)本實用新型的一個實施例，還包括自舉電路，所述自舉電路包括:第一自舉二極管，所述第一自舉二極管的陽極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第一自舉二極管的陰極連接至所述U相高壓區(qū)供電電源正端；第二自舉二極管，所述第二自舉二極管的陽極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第二自舉二極管的陰極連接至所述智能功率模塊的V相高壓區(qū)供電電源正端；第三自舉二極管，所述第三自舉二極管的陽極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第三自舉二極管的陰極連接至所述智能功率模塊的W相高壓區(qū)供電電源正端。
[0024]根據(jù)本實用新型的一個實施例，還包括:三相上橋臂電路，所述三相上橋臂電路中的每一相上橋臂電路的輸入端連接至所述HVIC管的三相高壓區(qū)中對應(yīng)相的信號輸出端；三相下橋臂電路，所述三相下橋臂電路中的每一相下橋臂電路的輸入端連接至所述HVIC管的三相低壓區(qū)中對應(yīng)相的信號輸出端。
[0025]其中，三相上橋臂電路包括:U相上橋臂電路、V相上橋臂電路、W相上橋臂電路；三相下橋臂電路包括:U相下橋臂電路、V相下橋臂電路、W相下橋臂電路。
[0026]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述每一相上橋臂電路包括:第一功率開關(guān)管和第一二極管，所述第一二極管的陽極連接至所述第一功率開關(guān)管的發(fā)射極，所述第一二極管的陰極連接至所述第一功率開關(guān)管的集電極，所述第一功率開關(guān)管的集電極連接至所述智能功率模塊的高電壓輸入端，所述第一功率開關(guān)管的基極作為所述每一相上橋臂電路的輸入端，所述第一功率開關(guān)管的發(fā)射極連接至所述智能功率模塊對應(yīng)相的高壓區(qū)供電電源負端。
[0027]其中，第一功率開關(guān)管可以是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。
[0028]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述每一相下橋臂電路包括:第二功率開關(guān)管和第二二極管，所述第二二極管的陽極連接至所述第二功率開關(guān)管的發(fā)射極，所述第二二極管的陰極連接至所述第二功率開關(guān)管的集電極，所述第二功率開關(guān)管的集電極連接至對應(yīng)的上橋臂電路中的所述第一二極管的陽極，所述第二功率開關(guān)管的基極作為所述每一相下橋臂電路的輸入端。
[0029]其中，第二功率開關(guān)管可以是IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。
[0030]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述每一相下橋臂電路中的所述第二功率開關(guān)管的發(fā)射極作為所述智能功率模塊的對應(yīng)相的低電壓參考端。
[0031]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述智能功率模塊的高電壓輸入端的電壓為300Vo
[0032]根據(jù)本實用新型的一個實施例，所述HVIC管中每一相的高壓區(qū)供電電源正端和高壓區(qū)供電電源負端之間連接有濾波電容。
[0033]根據(jù)本實用新型第二方面的實施例，還提出了一種空調(diào)器，包括:如上述任一項實施例中所述的智能功率模塊。
[0034]本實用新型的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。
【附圖說明】
[0035]本實用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0036]圖1示出了相關(guān)技術(shù)中的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖2不出了 MCU與智能功率t旲塊的連接關(guān)系不意圖；
[0038]圖3示出了根據(jù)本實用新型的實施例的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4示出了根據(jù)本實用新型的實施例的自檢電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0040]為了能夠更清楚地理解本實用新型的上述目的、特征和優(yōu)點，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型進行進一步的詳細描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
[0041]在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本實用新型，但是，本實用新型還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實施，因此，本實用新型的保護范圍并不受下面公開的具體實施例的限制。
[0042]圖3示出了根據(jù)本實用新型的實施例的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]如圖3所示，根據(jù)本實用新型的實施例的智能功率模塊，包括:HVIC管1101和自檢電路1105。
[0044]其中，在HVIC管1101內(nèi)部:
[0045]HINl端連接自檢電路1105的第一輸入端；ITRIP端連接自檢電路1105的第二輸入端；VCC端連接自檢電路1105的低壓區(qū)供電電源正端；GND端連接自檢電路1105的低壓區(qū)供電電源負端；VB1端連接自檢電路1105的高壓區(qū)供電電源正端；VS1端連接自檢電路1105的高壓區(qū)供電電源負端；自檢電路1105的輸出端與HOl相連。
[0046]HVIC管1101內(nèi)部還有自舉電路結(jié)構(gòu)如下:
[0047]VCC端與自舉二極管1102、自舉二極管1103、自舉二極管1104的陽極相連；自舉二極管1102的陰極與HVIC管1101的VBl相連；自舉二極管1103的陰極與HVIC管1101的VB2相連；自舉二極管1104的陰極與HVIC管1101的VB3相連。
[0048]HVIC管1101的HINl端為智能功率模塊1100的U相上橋臂信號輸入端UHIN ；HVIC管1101的HIN2端為智能功率模塊1100的V相上橋臂信號輸入端VHIN ;HVIC管1101的HIN3端為智能功率模塊1100的W相上橋臂信號輸入端WHIN ;HVIC管1101的LINl端為智能功率模塊1100的U相下橋臂信號輸入端ULIN ;HVIC管1101的LIN2端為智能功率模塊1100的V相下橋臂信號輸入端VLIN ;HVIC管1101的LIN3端為智能功率模塊1100的W相下橋臂信號輸入端WLIN ；HVIC管1101的ITRIP端為智能功率模塊1100的MTRIP端；HVIC管1101的GND端作為智能功率模塊1100的低壓區(qū)供電電源負端COM。其中，智能功率模塊1100的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN、WLIN六路輸入接收OV或5V的輸入信號。
[0049]HVIC管1101的VBl端連接電容1131的一端，并作為智能功率模塊1100的U相高壓區(qū)供電電源正端UVB ;HVIC管1101的HOl端與U相上橋臂IGBT管1121的柵極相連；HVIC管1101的VSl端與IGBT管1121的射極、FRD管1111的陽極、U相下橋臂IGBT管1124的集電極、FRD管1114的陰極、電容1131的另一端相連，并作為智能功率模塊1100的U相高壓區(qū)供電電源負端UVS。
[0050]HVIC管1101的VB2端連接電容1132的一端，并作為智能功率模塊1100的V相高壓區(qū)供電電源正端VVB ;HVIC管1101的H02端與V相上橋臂IGBT管1123的柵極相連；HVIC管1101的VS2端與IGBT管1122的射極、FRD管1112的陽極、V相下橋臂IGBT管1125的集電極、FRD管1115的陰極、電容1132的另一端相連，并作為智能功率模塊1100的V相高壓區(qū)供電電源負端VVS。
[0051]HVIC管1101的VB3端連接電容1133的一端，作為智能功率模塊1100的W相高壓區(qū)供電電源正端WVB ；HVIC管1101的H03端與W相上橋臂IGBT管1123的柵極相連；HVIC管1101的VS3端與IGBT管1123的射極、FRD管1113的陽極、W相下橋臂IGBT管1126的集電極、FRD管1116的陰極、電容1133的另一端相連，并作為智能功率模塊1100的W相高壓區(qū)供電電源負端WVS。
[0052]HVIC管1101的LOl端與IGBT管1124的柵極相連；HVIC管1101的L02端與IGBT管1125的柵極相連；HVIC管1101的L03端與IGBT管1126的柵極相連；IGBT管1