檢測和母線電壓檢測等，其還可以用于數(shù)字量的輸入，包括漏電檢測、缺陷反饋、過流檢測、IGBT直通、整流器故障等；
[0036]所述變頻器功率板2用于輸入防浪涌，AC整流濾波成直流母線，直流母線檢測，各種功能電路的控制，如風(fēng)扇驅(qū)動，上電緩沖繼電器驅(qū)動，上電緩沖監(jiān)視，缺相檢測等，通過SPS開關(guān)電源輸出各種電子元件工作電壓如，三路IGBT驅(qū)動電源，兩路運放/比較器工作電源，驅(qū)動器輸出電流檢測等。
[0037]所述變頻器控制板低壓供電電路及功率板低壓開關(guān)電源還包括24V電源3，所述24V電源3與所述變頻器控制板I和變頻器功率板2電連接，并通過供電電路4分別為所述變頻器控制板I上的DSP芯片5的提供1.8V (內(nèi)核供電)和3.3V (3.3VA模擬量/3.3VD數(shù)字量)工作電壓，以及為所述變頻器功率板2上的IGBT驅(qū)動光耦6原邊提供5V工作電壓。
[0038]具體的，所述供電電路4包括設(shè)置在所述變頻器控制板2上的24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9，所述24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9與所述24V電源電連接，并將所述24V電源3的電壓轉(zhuǎn)到5V-GND輸出，所述24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9的輸出的5V電源被輸送到IGBT驅(qū)動光耦6，為其原邊供電，本實施例中所述IGBT驅(qū)動光耦6優(yōu)選為HCPL316J IGBT驅(qū)動光耦。
[0039]同時，所述24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9輸出的5V電壓又通過控制板端子轉(zhuǎn)接到所述功率板2上的功能電路11，并為其供電。
[0040]更進一步，所述24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9還與一設(shè)置在所述變頻器控制板I上的LD010電連接，所述LD010與所述DSP芯片5電連接，本實施例中，所述DSP芯片5優(yōu)選是TI公司生產(chǎn)的2812數(shù)字信號處理控制芯片，所述LD010將所述24V轉(zhuǎn)5V模塊電源9輸出的5V電壓降低輸出3.3V電壓供所述DSP芯片5的I/O以及A/D工作，同時輸出1.8V電壓供所述DSP芯片5的內(nèi)核工作；當然，除了使用LDO外，也可以通過其他可行的技術(shù)給所述DSP芯片提供3.3V和1.8V，例如通過5V轉(zhuǎn)3.3V電源模塊實現(xiàn)等。
[0041]此時，由于變頻器控制板I由低壓24V電壓3供電，這樣就避免了傳統(tǒng)工藝中，所述變頻器控制板I (尤其是其上的DSP芯片5)的工作狀態(tài)受直流母線電網(wǎng)側(cè)電壓影響的問題，即使直流母線電網(wǎng)側(cè)電壓出現(xiàn)異常，所述DSP芯片5仍能正常工作。
[0042]所述IGBT驅(qū)動光耦6與所述DSP芯片5的I/O 口及IGBT模塊7連接，所述IGBT驅(qū)動光耦6根據(jù)所述DSP芯片5發(fā)出的高低電平信號從而控制導(dǎo)入所述IGBT模塊7的柵極驅(qū)動電壓為+18V還是-9V，進而控制所述IGBT模塊7的開通和關(guān)閉。
[0043]具體的，所述DSP芯片5的I/O 口發(fā)出的高低電平(數(shù)字信號)經(jīng)電平轉(zhuǎn)換芯片回到所述功率板2并使所述IGBT驅(qū)動光耦6工作，此時所述IGBT驅(qū)動光耦6根據(jù)接收的電平信號控制不同電壓(即+18V或-9V)的IGBT驅(qū)動電源通入所述IGBT模塊7，從而控制所述IGBT模塊7的導(dǎo)通和關(guān)斷。
[0044]進一步，當所述DSP芯片5的I/O 口發(fā)出低電平時，所述IGBT驅(qū)動光耦6將高電平(+18V)的IGBT驅(qū)動電源通入所述IGBT模塊7，此時，所述IGBT模塊7的柵極電壓為高，從而使所述IGBT模塊7的漏/源極導(dǎo)通；當所述DSP芯片5的I/O 口發(fā)出高電平，所述IGBT驅(qū)動光耦6將低電平(-9V)的IGBT驅(qū)動電源通入所述IGBT模塊7，此時，所述IGBT模塊7的柵極電壓為低，從而使所述IGBT模塊7的漏/源極關(guān)斷。
[0045]所述DSP芯片5通過調(diào)整占空比和頻率，控制所述IGBT模塊7的開通和關(guān)斷時間，即可以將直流母線電壓逆變成不同電壓有效值的PWM波輸出給電機。
[0046]如附圖3所示，所述24V電源3進一步通過控制板端子轉(zhuǎn)接到所述功率板2上的開關(guān)電源8連接并為所述開關(guān)電源8供電。
[0047]具體的，如附圖4所示，所述24V電源3通過分壓限流穩(wěn)壓電路連接到所述開關(guān)電源8的PffM芯片U23的3腳，并為所述PffM芯片U23提供18V工作電壓；所述分壓限流電路包括電阻R236、R235、穩(wěn)壓管D74、第一極性電容162、第一電容Cl、第二電容C183、第二極性電容C184以及第三電容C213，所述電阻R236與電阻R235串聯(lián)，所述穩(wěn)壓管D74、第一極性電容162、第一電容Cl、第二電容C183、第二極性電容C184以及第三電容C213均與所述第一電阻R236及R235并聯(lián)，所述電阻R235的輸出端及穩(wěn)壓管的陰極均連接到所述PffM芯片U23的7腳。
[0048]所述PffM芯片U23的I腳，即PffM比較器補償信號輸入端接受外部的采樣信號，且其與一上拉電阻R240連接，所述上拉電阻R240的另一端連接所述PffM芯片U23的8腳及電容C216的一端，所述PffM芯片U23的8腳通過電容C216接地。
[0049]所述PffM芯片U23的2腳接地，即本方案中未使用所述PWM芯片U2的內(nèi)部誤差放大器反向輸入端。
[0050]所述PffM芯片U23的3腳連接有電容C218，所述電容C218用于對所述PffM芯片U23的3腳波形進行調(diào)整，使得noise能落在更低的準位，避免與I腳比較時出現(xiàn)誤動作。
[0051]所述電容C218與電容C217連接，所述電容C217的一端還連接到所述PffM芯片U23的4腳，并與所述PffM芯片U23的4腳上連接的電阻R195形成RC振蕩頻率調(diào)整電路，所述R195與C217調(diào)整所述PffM芯片U23的振蕩頻率；所述電容C217的另一端接地。
[0052]所述PffM芯片U23的5腳接地。
[0053]所述PffM芯片U23的6腳通過PffM調(diào)整電路連接MOSFET Ql的柵極并控制所述M0SFETQI的開閉，所述PffM調(diào)整電路包括用于控制所述M0SFETQ1開通和關(guān)斷快慢的開通關(guān)斷電阻R197 ;所述PffM芯片U23通過所述PffM調(diào)整電路向所述MOSFET Ql的柵極輸出PffM波信號，通過調(diào)整占空比，從而控制所述MOSFET Ql導(dǎo)通或關(guān)閉的時間，進而輸出不同的脈沖電壓。
[0054]所述開關(guān)電源8為反激式開關(guān)電源，工作時，當開關(guān)管(MOSFET Ql)導(dǎo)通時，變壓器把電能轉(zhuǎn)換成磁場能儲存起來，當開關(guān)管截止時則釋放出來，具體的，當輸入的PWM波信號使所述MOSFET Ql的柵極電位高于門極闕值電壓時，所述MOSFET Ql導(dǎo)通，變壓器原邊繞組的感應(yīng)電壓為上正下負，在原邊繞組中儲存能量；當輸入的PWM波信號使所述MOSFET Ql的柵極電位低于門極闕值電壓，則所述MOSFET Ql關(guān)斷，所述變壓器原邊繞組中存儲的能量，通過副邊繞組輸出，給各路提供工作電壓。
[0055]所述變壓器的副邊繞組連接所述IGBT模塊7、霍爾電流傳感器元件、運放器、比較器，并為所述IGBT模塊7提供三路+18V~-9V的IGBT驅(qū)動電壓，為所述運放器、比較器提供一路+15V的工作電壓以及為所述運放器、比較器提供一路-15V工作電壓，同時為所述霍爾電流傳感器元件提供土 15V的工作電壓，當然還可以為其他用電電器提供工作電壓，這樣可以實現(xiàn)低壓DC-DC控制理念，從而避免高壓(直流母線)DC-DC產(chǎn)生控制電源的方案。
[0056]此時，由于所述IGBT驅(qū)動電源由低壓24V供電的反激式開關(guān)電源產(chǎn)生，而不是由直流母線經(jīng)過DC-DC轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生，這就避免了直流母線跟隨電網(wǎng)側(cè)電壓波動而波動，從而造成IGBT驅(qū)動電源不穩(wěn)定的問題。
[0057]所述MOSFET Ql的柵極還與一門極電阻R239的一端連接，所述門極電阻R239的另一端接地，其用于消噪以及在MOSFET Ql關(guān)斷時對門極放電。
[0058]所述MOSFET Ql的源極通過電流采樣電路及RC吸收電路連接到所述PffM芯片U23的3腳；具體的，所述MOSFET Ql的源極分別連接到一吸收電阻R242及四個并聯(lián)的采樣電阻R244、R245、R246、R247的一端；所述吸收電阻R242與第一吸收電容C219形成RC吸收電路，所述吸收電阻R242還連接到所述MOSFET Ql的3腳及電容C218的輸入端，所述第一吸收電容C219接地；所述采樣電阻R