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一種數(shù)字化短波電臺(tái)高空核電磁脈沖防護(hù)裝置的制造方法

文檔序號(hào):9976826閱讀:1002來源:國知局
一種數(shù)字化短波電臺(tái)高空核電磁脈沖防護(hù)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于高空核電磁脈沖防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種數(shù)字化短波電臺(tái)高空核電磁脈沖防護(hù)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]由于高空核電磁脈沖(HEMP)環(huán)境對(duì)短波電臺(tái)引起的效應(yīng)要比常規(guī)的電子對(duì)抗更為嚴(yán)重、甚至造成裝備的永久毀傷,這對(duì)短波電臺(tái)的高空核電磁脈沖環(huán)境的生存能力提出了更高的要求。目前短波電臺(tái)主要是加裝有雷電防護(hù)裝置,主要是防護(hù)雷電。由于缺乏試驗(yàn)設(shè)備等研究平臺(tái)和條件,我們對(duì)短波電臺(tái)開展全系統(tǒng)的高空核電磁脈沖防護(hù)研究較少,導(dǎo)致短波通信裝備幾乎都沒有考慮高空核電磁脈沖干擾環(huán)境下的系統(tǒng)生存能力。
[0003]我們對(duì)短波電臺(tái)的過壓檢測電路進(jìn)行分析,當(dāng)天線上出現(xiàn)納秒級(jí)高壓脈沖,即使放電間隙擊穿,微處理器也可能來不及停止工作。另一方面,由于電容和大電阻的存在,使過壓檢測電路不可能實(shí)現(xiàn)對(duì)過壓脈沖能量的快速泄放,天線將在較長時(shí)間內(nèi)一直維持高電位。因此,該過壓檢測電路并不能實(shí)現(xiàn)對(duì)天調(diào)內(nèi)主要電路的保護(hù)。由此可以判定,在HEMP作用于天線引起的感應(yīng)脈沖作用下,天調(diào)內(nèi)部的器部件可能遭受損傷。我們通過外場實(shí)驗(yàn)已證實(shí),在外場威脅級(jí)輻照環(huán)境下,兩個(gè)被試樣品的天調(diào)內(nèi)部微處理器都出現(xiàn)損傷故障。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型就是針對(duì)上述問題,提供一種可增強(qiáng)數(shù)字化短波電臺(tái)在高空核電磁脈沖環(huán)境下生存能力的數(shù)字化短波電臺(tái)高空核電磁脈沖防護(hù)裝置。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案,本實(shí)用新型包括第一氣體放電管、第二氣體放電管、第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻,其結(jié)構(gòu)要點(diǎn)第一氣體放電管一端與第一壓敏電阻一端相連,第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連,第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端相連,第三壓敏電阻另一端與第二氣體放電管一端相連,第二氣體放電管另一端與所述第一氣體放電管另一端相連。
[0006]作為一種優(yōu)選方案,本實(shí)用新型所述第一氣體放電管采用5.5kV氣體放電管,第二氣體放電管采用IkV氣體放電管,第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻均采用1.8kV壓敏電阻。
[0007]作為另一種優(yōu)選方案,本實(shí)用新型所述第一氣體放電管的型號(hào)為EPC0S5500,第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻的型號(hào)為20D182K。
[0008]其次,本實(shí)用新型所述第二氣體放電管的兩只端電極分別設(shè)置在金屬化瓷管的兩端,并形成密閉腔體;在該密閉腔體內(nèi)設(shè)置一只棒狀內(nèi)電極及一只一端有底另一端敞開的筒狀內(nèi)電極,棒狀內(nèi)電極的一端與其中一只端電極電連接,棒狀內(nèi)電極的另一端伸進(jìn)筒狀內(nèi)電極內(nèi)且它們之間被空間隔斷,筒狀內(nèi)電極的有底的一端與其中另一只端電極電連接;在棒狀內(nèi)電極的另一端與筒狀內(nèi)電極的有底的一端之間的空間間隔中墊設(shè)絕緣的瓷片將棒狀內(nèi)電極的另一端定位。
[0009]另外,本實(shí)用新型所述第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻包括一絕緣殼體,所述絕緣殼體包含有一盒體及一蓋板,該盒體有一開口,在盒體內(nèi)形成一與開口連通的容置空間,其中,在盒體其中一面的內(nèi)壁形成朝向開口延伸的兩片突片,該蓋板密合在該盒體的開口 ;一壓敏電阻本體,所述壓敏電阻本體設(shè)置在絕緣殼體內(nèi)部并受該盒體的突片抵頂,該壓敏電阻本體連接有兩個(gè)接腳,兩個(gè)接腳向外延伸出該絕緣殼體;其中,在該絕緣殼體的容置空間內(nèi)部填充有高分子耐溫防火材料,該高分子耐溫防火材料完全包覆該壓敏電阻本體。
[0010]本實(shí)用新型有益效果。
[0011]在被短波電臺(tái)的天調(diào)饋入端和接地端子之間并聯(lián)接入本實(shí)用新型,當(dāng)HEMP輻照在天線上感應(yīng)出的電流增大到一定值時(shí),本實(shí)用新型浪涌防護(hù)動(dòng)作,將天線上收集的大部分電磁能量在天調(diào)前端就泄放掉,以防止其進(jìn)入設(shè)備內(nèi)部破壞關(guān)鍵器部件,從而起到保護(hù)作用。
[0012]使用本實(shí)用新型可提高數(shù)字化短波電臺(tái)在高空核電磁脈沖環(huán)境下的防護(hù)能力,增強(qiáng)數(shù)字化短波電臺(tái)在高空核電磁脈沖環(huán)境下的生存能力。
【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。本實(shí)用新型保護(hù)范圍不僅局限于以下內(nèi)容的表述。
[0014]圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖2是本實(shí)用新型使用狀態(tài)圖。
[0016]圖3是本實(shí)用新型第二氣體放電管結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖4是本實(shí)用新型第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖中,SH)為本實(shí)用新型防護(hù)裝置、⑶T為氣體放電管、MOV為壓敏電阻、I為端電極、2為金屬化瓷管、3為密閉腔體、4為棒狀內(nèi)電極、5為筒狀內(nèi)電極、6為瓷片、7為接腳、8為蓋板、9為高分子耐溫防火材料、10為容置空間、11為壓敏電阻本體、12為盒體、13為絕緣殼體、14為突片、15為開口。
【具體實(shí)施方式】
[0019]如圖所示,本實(shí)用新型包括第一氣體放電管、第二氣體放電管、第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻,其結(jié)構(gòu)要點(diǎn)第一氣體放電管一端與第一壓敏電阻一端相連,第一壓敏電阻另一端與第二壓敏電阻一端相連,第二壓敏電阻另一端與第三壓敏電阻一端相連,第三壓敏電阻另一端與第二氣體放電管一端相連,第二氣體放電管另一端與所述第一氣體放電管另一端相連。
[0020]所述第一氣體放電管采用5.5kV氣體放電管,第二氣體放電管采用IkV氣體放電管,第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻均采用1.SkV壓敏電阻。
[0021]所述第一氣體放電管的型號(hào)為EPC0S5500,第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻的型號(hào)為20D182K。
[0022]所述第二氣體放電管包括兩只端電極I分別設(shè)置在金屬化瓷管2的兩端,并形成密閉腔體3 ;在該密閉腔體3內(nèi)設(shè)置一只棒狀內(nèi)電極4及一只一端有底另一端敞開的筒狀內(nèi)電極5,棒狀內(nèi)電極4的一端與其中一只端電極I電連接,棒狀內(nèi)電極4的另一端伸進(jìn)筒狀內(nèi)電極5內(nèi)且它們之間被空間隔斷,筒狀內(nèi)電極5的有底的一端與其中另一只端電極I電連接;在棒狀內(nèi)電極4的另一端與筒狀內(nèi)電極5的有底的一端之間的空間間隔中墊設(shè)絕緣的瓷片6將棒狀內(nèi)電極4的另一端定位。在棒狀內(nèi)電極4的另一端與筒狀內(nèi)電極5的有底的一端之間的空間間隔中墊設(shè)絕緣的瓷片6將棒狀內(nèi)電極4的另一端定位,在制作加工本實(shí)用新型第二氣體放電管時(shí),只需一次高溫焊料燒結(jié),使生產(chǎn)工藝簡化。
[0023]所述第一壓敏電阻、第二壓敏電阻和第三壓敏電阻包括一絕緣殼體1
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