節(jié)該 電壓。
[0119] 根據(jù)等式(3)，跟隨輸出電壓的變化，可W增大或減小乘數(shù)變量a的值。
[0120] -個(gè)示例為:如果a = 2,那么基于等式(5)中所示的關(guān)系，實(shí)現(xiàn)了輸出電流的兩倍。 運(yùn)允許我們補(bǔ)償輸入電壓變化、輸出負(fù)載，并且允許我們具有調(diào)光能力。
[0121] 應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，在升壓結(jié)構(gòu)的情況下，等式(3)可W被修改為：
(3 a)
[0123] 在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，控制器30可W用于實(shí)施基于電壓的控制而非基于電流 的控制。具體地，等式(3)和等式(3a)可W用于電壓控制。
[0124] 所描述的實(shí)施例的非窮盡性的示例性應(yīng)用中的一些應(yīng)用可W如下：
[0125] i.用于電壓調(diào)節(jié)的隔離的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)。例如，用于被連接到輸電干線的 標(biāo)準(zhǔn)的隔離的5V電源；
[0126] ii.隔離的電池充電器。由于電壓和電流是已知值，所W驅(qū)動(dòng)器在隔離的構(gòu)造中并 且在沒(méi)有光禪合器的情況下可W被用作好的電池充電器；
[0127] iii.模擬信號(hào)傳輸;W及
[0128] iv.用于功率放大器的音頻信號(hào)傳輸。
[0129] 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，W上發(fā)明不限于所描述的實(shí)施例。更具體而言，在 不背離本發(fā)明的范圍的情況下可W做出W下修改和改進(jìn)：
[0130] ?盡管參考L抓負(fù)載90、L抓負(fù)載900對(duì)實(shí)施例進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，該 設(shè)備可W用于向其它類(lèi)型的電氣負(fù)載(包括膝上型計(jì)算機(jī)、計(jì)算機(jī)設(shè)備等)提供調(diào)節(jié)電流。
[0131] ? ASIC控制器電路30、ASIC控制器電路300可W被實(shí)施為具有12位的分辨率。
[0132] 本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)進(jìn)一步理解的是，可W組合如W上每個(gè)實(shí)施例所論述的特征 和修改(而非變更或替換，除非另作說(shuō)明），W形成落入所描述的發(fā)明的范圍內(nèi)的其它實(shí)施 例。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種用于向電氣負(fù)載提供調(diào)節(jié)電流的設(shè)備，包括： 電流控制器，所述電流控制器能夠W預(yù)先確定的間隔(時(shí)鐘周期)進(jìn)行操作，W接收：1. 期望的輸入?yún)⒖茧妷?；W及 ii.從電子開(kāi)關(guān)獲得的反饋電壓； 其中，所述電流控制器能夠操作用于將所述反饋電壓與所述期望的輸入?yún)⒖茧妷哼M(jìn)行 比較，并且在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)基于所述電子開(kāi)關(guān)的關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算結(jié)果來(lái)向所述電氣負(fù)載 提供調(diào)節(jié)電流;所述關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算結(jié)果在正常操作條件下能夠操作用于實(shí)現(xiàn)所述設(shè)備的 連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述電子開(kāi)關(guān)是MOSFET。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述MOSFET 的源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與最大工作電壓Vrefh進(jìn)行比較。4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的設(shè)備，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述 MOSFET的所述源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與最小工作電壓Vrefl進(jìn) 行比較。5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi) 在所述MOSFET的所述源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與安全電壓值 Vocp進(jìn)行比較。6. 根據(jù)權(quán)利要求1至4所述的設(shè)備，其中，對(duì)于單級(jí)回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造，所述電流控制器基 于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述調(diào)節(jié)電流Iled:其中，T是每個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)段;Toff是每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)的關(guān)斷時(shí)段;Ri是MOSFET源極電 阻器;Vfbh是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述MOSFET的所述源極處所測(cè)量的最高反饋電壓;并且基 于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定Vf bm:其中，Ton是每個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)段內(nèi)的MOSFET接通時(shí)間，Tw是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)從MOSFET接通 信號(hào)到在所述MOSFET的所述源極處所測(cè)量的最低反饋電壓Vfbi的時(shí)間；并且Tw是從所述 MOSFET接通信號(hào)到電壓Vfbi觸發(fā)點(diǎn)的時(shí)間。7. 根據(jù)權(quán)利要求1至4所述的設(shè)備，其中，對(duì)于單級(jí)正向結(jié)構(gòu)、推挽式構(gòu)造或DC到DC滯后 控制器，所述電流控制器基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述調(diào)節(jié)電流Iled:其中，Ri是MOSFET源極電阻器;Vf化是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述MOSFET的所述源極處所 測(cè)量的最高反饋電壓;并且基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定Vfbm:其中，Ton是每個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)段內(nèi)的MOSFET接通時(shí)間，Tw是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)從MOSFET接通 信號(hào)到所述M0SFET的所述源極處所測(cè)量的最低反饋電壓Vfbi的時(shí)間；并且Tw是預(yù)先確定的 時(shí)間參數(shù)。8. -種根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中，基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述電氣負(fù)載兩 端的電壓化0AD:其中，Np是所述回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造中的變換電感器(或變壓器）的初級(jí)繞組數(shù)，并且化是所 述回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造中的所述變換電感器(或變壓器)的次級(jí)繞組數(shù)。9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述電氣負(fù)載兩端的 電壓化0AD:其中，T是所述時(shí)鐘周期的時(shí)段。10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，輸入電壓ViN用于基于W下數(shù)學(xué)表 達(dá)式來(lái)塑造輸入電流IlN的形狀： IlN = 口 ViN 其中，α是乘數(shù)。11. 根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中，所述輸入電壓ViN用于基于W下數(shù)學(xué) 表達(dá)式來(lái)塑造所述輸入電流IlN的形狀： IlN = 口 ViN 其中，α是乘數(shù)。12. -種用于向電氣負(fù)載提供調(diào)節(jié)電流的方法，包括W下步驟： 從電流控制器接收期望的輸入?yún)⒖茧妷篧及反饋電壓，所述反饋電壓是W預(yù)先確定的 時(shí)間間隔從電子開(kāi)關(guān)獲得的； 其中，所述電流控制器能夠操作用于將所述反饋電壓與所述期望的輸入?yún)⒖茧妷哼M(jìn)行 比較，并且在所述預(yù)先確定的時(shí)間間隔中的每個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)基于所述電子開(kāi)關(guān)的關(guān)斷時(shí)間 的計(jì)算結(jié)果來(lái)向所述電氣負(fù)載提供調(diào)節(jié)電流;所述關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算結(jié)果在正常操作條件下 能夠操作用于實(shí)現(xiàn)所述設(shè)備的連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述電子開(kāi)關(guān)是M0SFET。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述 M0SFET的源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與最大工作電壓Vrrfh進(jìn)行比 較。15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的方法，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述 M0SFET的所述源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與最小工作電壓Vrefl進(jìn) 行比較。16. 根據(jù)權(quán)利要求12至15中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述反饋電壓是在每個(gè)時(shí)鐘周期 內(nèi)在所述MOSFET的所述源極處測(cè)量的，并且經(jīng)由電壓比較器將所述反饋電壓與安全電壓值 Vocp進(jìn)行比較。17. 根據(jù)權(quán)利要求12至15所述的方法，其中，對(duì)于單級(jí)回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造，所述電流控制 器基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述調(diào)節(jié)電流Iled:其中，T是每個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)段;Toff是每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)的關(guān)斷時(shí)段;Ri是MOSFET源極電 阻器;Vfbh是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述MOSFET的所述源極處測(cè)量的最高反饋電壓;并且基于 W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定Vf bm:其中，Ton是每個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)段內(nèi)的MOSFET接通時(shí)間，Tw是每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)從MOSFET接通信 號(hào)到所述MOSFET的所述源極處所測(cè)量的最低反饋電壓Vfbi的時(shí)間；并且IV是從所述MOSFET 接通信號(hào)到電壓Vfbi觸發(fā)點(diǎn)的時(shí)間。18. 根據(jù)權(quán)利要求12至15所述的方法，其中，對(duì)于單級(jí)正向結(jié)構(gòu)、推挽式構(gòu)造或DC到DC 滯后控制器，所述電流控制器基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述調(diào)節(jié)電流Iled:其中，扣是MOSFET源極電阻器;V扎h是在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)在所述MOSFET的所述源極處測(cè) 量的最高反饋電壓;并且基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定Vfbm:其中，Ton是每個(gè)開(kāi)關(guān)時(shí)段內(nèi)的MOSFET接通時(shí)間，Tw是每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)從MOSFET接通信 號(hào)到所述MOSFET的所述源極處所測(cè)量的最低反饋電壓Vfbi的時(shí)間；并且Tw是預(yù)先確定的時(shí) 間參數(shù)。19. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述電氣負(fù)載兩端 的電壓化0AD:其中，Np是所述回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造中的變換電感器(或變壓器）的初級(jí)繞組數(shù)，并且化是所 述回掃轉(zhuǎn)換器構(gòu)造中的所述變換電感器(或變壓器)的次級(jí)繞組數(shù)。20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中，基于W下數(shù)學(xué)表達(dá)式來(lái)確定所述電氣負(fù)載兩端 的電壓化0AD:其中，τ是所述時(shí)鐘周期的時(shí)段。21. 根據(jù)權(quán)利要求12至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，輸入電壓ViN用于基于W下數(shù)學(xué)表 達(dá)式來(lái)塑造輸入電流IlN的形狀： IiN=aViN 其中，α是乘數(shù)。22. 根據(jù)權(quán)利要求12至20中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述輸入電壓ViN用于基于W下數(shù) 學(xué)表達(dá)式來(lái)塑造所述輸入電流IlN的形狀： IiN=aViN 其中，α是乘數(shù)。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種用于向電氣負(fù)載提供調(diào)節(jié)電流的設(shè)備，包括電流控制器，所述電流控制器能夠以預(yù)先確定的間隔(時(shí)鐘周期)進(jìn)行操作以接收：i.期望的輸入?yún)⒖茧妷?；以及ii.從電子開(kāi)關(guān)獲得的反饋電壓；其中，所述電流控制器可操作用于將反饋電壓與期望的輸入?yún)⒖茧妷哼M(jìn)行比較，并且在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)基于電子開(kāi)關(guān)的關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算結(jié)果向電氣負(fù)載提供調(diào)節(jié)電流；該關(guān)斷時(shí)間的計(jì)算結(jié)果在正常操作條件下可操作用于實(shí)現(xiàn)所述設(shè)備的連續(xù)導(dǎo)電模式(CCM)。
【IPC分類(lèi)】H05B33/08, G05F1/565, H02M3/158, H02M1/15
【公開(kāi)號(hào)】CN105706349
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201580001453
【發(fā)明人】K·F·F·黃, L·格羅皮, A·斯托納
【申請(qǐng)人】豐裕國(guó)際電子私人有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2015年2月9日
【公告號(hào)】CA2918257A1, EP3014752A1, WO2015122848A1