42的陽極連接，二極管D42的陰極與場效應(yīng)管Q2的柵極連接，二極管D42的陰極還分別通過電阻Rl和電容Cl接地。
[0031]所述檢測信號電路包括比較器U1、電阻R42、電阻R43、電阻R5、二極管D41、三極管Q41、電阻R32、電阻R33和三極管Q31，電阻Rs的第一端與驅(qū)動器的負輸出端連接，電阻Rs的第二端通過場效應(yīng)管Q2與負載連接，電阻Rs的第一端通過電阻R43與比較器Ul的負輸入端連接，比較器Ul的負輸入端通過電阻R42與弱電電源連接，比較器Ul的正輸入端與電阻RS的第二端連接，比較器Ul的輸出端與三極管Q41的基極連接，三極管Q41的集電極與弱電電源連接，三極管Q41的發(fā)射極通過二極管D41與場效應(yīng)管Q2的柵極連接，三極管Q31的基極通過電阻R32與負載連接，三極管Q31的發(fā)射極與驅(qū)動器的負輸出端連接，三極管Q31的集電極通過電阻R33與弱電電源連接，三極管Q31的集電極與第一 NE555芯片的TR端連接，三極管Q31的集電極還與第二 NE555芯片的TR端連接。所述電阻Rll的電阻值與所述電容Cll的電容值的乘積小于所述電阻R21的電阻值與所述電容C21的電容值的乘積，所述比較器Ul的選型符合:
[0032]UccX(R43/(R43+R42))<RsXIRMS，其中，Ucc表示弱電電源輸出電壓，超過場效應(yīng)管的柵極閾值電壓，Rs表示比較器正輸入端的采樣電阻值，IRMS表示驅(qū)動器的額定輸出電流有效值，R42和R43均為對應(yīng)電阻的電阻值。
[0033]本實施例在驅(qū)動器電路的輸出位置加入過流保護環(huán)節(jié)。在負載一般是指額定LED負載或者輕LED負載，(但是也不限定與LED負載，也可以是其他小型電氣元件)接通的瞬間，旁路通道導(dǎo)通，將輸出電解電容的能量釋放掉，驅(qū)動器輸出處于短路保護狀態(tài)，延遲一段時間斷開旁路通道，負載能夠正常啟動，既克服了接通負載的大電流沖擊，又能保證驅(qū)動器的正常工作，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性得到提升。本實施例中的驅(qū)動器常用的是變壓器，驅(qū)動器的正輸出端一般是指主變壓器二次側(cè)高電壓節(jié)點，驅(qū)動器的負輸出端一般是指主變壓器二次側(cè)低電壓節(jié)點。本實施例中的弱電電源由驅(qū)動器輔助輸出端供給。本實施例采用場效應(yīng)管，主要是場效應(yīng)管比較適應(yīng)本電路，但是除了場效應(yīng)管外也可以選用其他的可控開關(guān)，包括三極管或者其他集成開關(guān)芯片等形式。要求即在正常負載接通后，保證MOS管Ql率先導(dǎo)通，將電解電容積攢的能量釋放，電路處于短路保護狀態(tài)，在MOS管Ql關(guān)斷前，將MOS管Q2導(dǎo)通，即可實現(xiàn)負載的正常啟動，不會對LED負載產(chǎn)生過大的沖擊電流。同時需保證負載接通后，再接通驅(qū)動器的輸入開關(guān)時，負載能夠正常工作。在本實施例中，第一NE555芯片，也可以選用其他類似定時器輸出點處于低電平時，場效應(yīng)管Q2已然導(dǎo)通，驅(qū)動器負載能夠正常啟動。在檢測到比較器的正輸入端電壓高于負輸入端電壓時，比較器輸出高電平，二極管D41導(dǎo)通。在第二 NE555芯片的輸出信號關(guān)斷后，MOS管Q2的柵極信號是一直存在，MOS管Q2—直導(dǎo)通，負載正常工作。在負載某時斷開之后，由于比較器的正輸入端電壓降低，迫使比較器輸出為低電平，MOS管Q2關(guān)斷。正常狀態(tài)下接通驅(qū)動器的輸入開關(guān)，驅(qū)動器亦正常工作，接通各種電壓等級的LED負載，負載不再承受過電流的沖擊，有效保護LED負載。該電路中，開關(guān)S閉合前，電解電容Cl處于高儲能狀態(tài)。在開關(guān)S閉合時，由于MOS管Q2未導(dǎo)通，在MOS管的漏極處呈現(xiàn)高壓，在三極管Q31的集電極呈現(xiàn)低電平，第一 NE555定時器的輸出信號呈現(xiàn)高電平，MOS管Ql和MOS管Q2依次導(dǎo)通。NE555定時器只是較佳選擇，選用程度較高，但是也可以選用其他類似的定時器或者采用556封裝形式，相應(yīng)的方案應(yīng)該被認為是等同替換。
[0034]實施例2:
[0035]本實施例(參見附圖5)與實施例1基本思路和原理相同，應(yīng)用范圍相似，不同之處在于:所述選通信號電路為單片機，所述弱電電源通過穩(wěn)壓芯片與單片機電源端連接，單片機分別與檢測信號電路的第一輸出端以及檢測信號電路的第二輸出端連接，單片機的一個輸出端通過電阻Rl與場效應(yīng)管Ql的柵極連接，場效應(yīng)管Ql的柵極通過電阻R2接地，單片機的另一個輸出端通過電阻R6與場效應(yīng)管Q2的柵極連接，場效應(yīng)管Q2的柵極通過電阻R7接地，所述單片機的輸出端均為PWM信號輸出端。所述檢測信號電路包括比較器U1A、電阻Rs、電阻R3、電阻R4、電阻R5、電阻R8、電阻R9和三極管Q3，電阻Rs的第一端與驅(qū)動器的負輸出端連接，電阻Rs的第二端通過場效應(yīng)管Q2與負載連接，電阻Rs的第一端通過電阻R4與比較器UlA的負輸入端連接，比較器UlA的負輸入端通過電阻R3與弱電電源連接，比較器UlA的輸出端通過電阻R5接地，比較器的輸出端作為檢測信號電路的第二輸出端與單片機連接，三極管Q3的基極通過電阻R8與負載連接，三極管Q3的集電極通過電阻R9與弱電電源連接，三極管Q3的發(fā)射極與驅(qū)動器的負輸出端連接，三極管Q3的集電極作為檢測信號電路的第一輸出端與單片機連接。利用單片機控制電路，只需檢測MOS管Q2的漏極電壓和采樣電阻Rs電壓即可檢測到開關(guān)S的閉合和斷開，模擬LED熱插拔過程。單片機初始化后，檢測到A點出現(xiàn)高電平，即代表開關(guān)S閉合，依次導(dǎo)通Ql、Q2，即PWMl和PWM2輸出電壓高于MOS管的閾值電壓即可，同時需滿足在Ql關(guān)斷前保證Q2已經(jīng)導(dǎo)通;A點一直未出現(xiàn)高電平，表示S—直未閉合，軟件一直循環(huán)檢測。電路正常工作后，采樣電阻E點電壓升高，表示LED負載正常工作，一旦檢測到E點出現(xiàn)低電平，代表開關(guān)S斷開，需降低Q2柵極電壓，即PWM2引腳輸出低電平，迫使Q2關(guān)斷，模擬LED熱插拔過程，有效保護LED負載。
[0036]—種驅(qū)動器輸出過流保護方法，適用于如實施例2所述的驅(qū)動器輸出過流保護電路，首先包括單片機在內(nèi)的設(shè)備初始化，然后執(zhí)行以下步驟:
[0037]步驟一:，單片機通過檢測信號電路獲取負載與場效應(yīng)管Q2之間的電壓，
[0038]步驟二:若檢測到負載與場效應(yīng)管Q2之間的電壓為高電壓則執(zhí)行步驟三，否則執(zhí)行步驟五，
[0039]步驟三，單片機發(fā)出控制信號至場效應(yīng)管Ql，場效應(yīng)管Ql導(dǎo)通，延遲設(shè)定時間后，單片機發(fā)出控制信號至場效應(yīng)管Q2，場效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，延遲設(shè)定時間后，單片機發(fā)出控制信號至場效應(yīng)管Ql，場效應(yīng)管Ql關(guān)斷，
[0040]步驟四:單片機通過檢測信號電路獲取比較器UlA正輸入端處的電壓，若比較器UlA正輸入端處輸入為高電平則重復(fù)執(zhí)行步驟四，若若比較器UlA正輸入端處輸入為低電平則執(zhí)行步驟五，
[0041 ]步驟五:單片機發(fā)出控制信號至場效應(yīng)管Q2，場效應(yīng)管Q2關(guān)斷，然后重新執(zhí)行步驟一 O作為優(yōu)選，所述延遲時間為0.8ms至1.2ms。
[0042]本申請中所述實施例在驅(qū)動器電路的輸出位置加入過流保護環(huán)節(jié)。在負載接通的瞬間，旁路通道導(dǎo)通，將輸出電解電容的能量釋放掉，驅(qū)動器輸出處于短路保護狀態(tài)，延遲一段時間斷開旁路通道，負載能夠正常啟動，既克服了接通負載的大電流沖擊，又能保證驅(qū)動器的正常工作，使系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性得到提升。
[0043]以上所述的實施例只是本發(fā)明的一種較佳的方案，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，在不超出權(quán)利要求所記載的技術(shù)方案的前提下還有其它的變體及改型。
【主權(quán)項】
1.一種驅(qū)動器