、Tai」、Tbu」、Tbi」、Tcu」、Tel」常閉，其中i的取值為1~K，j的取值為K+1~N，A相上 橋臂第一個子模塊電容C-au-j旁路時，此時輔助IGBT模塊Ti斷開，子模塊電容C-u與輔助 電容&通過鉗位二極管并聯(lián);A相上橋臂第i個子模塊電容C-au-_i旁路時，其中i的取值為2~ N，子模塊電容C-au-_i與子模塊電容C-au-_i-i通過鉗位二極管并聯(lián);A相下橋臂第一個子模塊 電容C-aij旁路時，子模塊電容C_ai-_^過鉗位二極管、兩個橋臂電抗器Lo與子模塊電容 C-au-_N并聯(lián);A相下橋臂第i個子模塊電容C-ai_i旁路時，其中i的取值為2~N，子模塊電容 C-ai-_i與子模塊電容C-ai_i-:通過鉗位二極管并聯(lián);輔助IGBT模塊T2閉合時，輔助電容C3通過 鉗位二極管與子模塊電容C-al_N并聯(lián)。
[0018] 正常情況下，自均壓輔助回路中6N個輔助開關(guān)Kau_i2、Kal_i2、Kbu_i2、Kbl_i2、Kcu_i2、 Kcd_i2、Tau」、Tai」、Tbu」、Tbi」、T?」、Ted」常閉，其中i的取值為1~K，j的取值為K+1~N，輔助 IGBT模塊Ti閉合時，輔助電容C2與子模塊電容C-bu-j通過鉗位二極管并聯(lián);B相上橋臂第i個 子模塊電容C-bu-_i旁路時，其中i的取值為1~N-1，子模塊電容C-bu-_i與子模塊電容C-bu-_i+i 通過鉗位二極管并聯(lián);B相上橋臂第N個子模塊電容C-bu_N旁路時，子模塊電容C-bu-_N通過鉗 位二極管、兩個橋臂電抗器L〇與子模塊電容C_bi-_i并聯(lián);B相下橋臂第i個子模塊電容C_bi_i 旁路時，其中i的取值為1~N-1，子模塊電容C-bi-_i與子模塊電容C_bi_i+i通過鉗位二極管并 聯(lián);B相下橋臂第N個子模塊電容C_bl_N旁路時，子模塊電容C_bl-_N與輔助電容C_4通過鉗位二 極管并聯(lián)。上述輔助IGBT模塊Ti的觸發(fā)信號與A、C相上橋臂第一個子模塊觸發(fā)信號的"邏輯 和" 一致;輔助IGBT模塊T2的觸發(fā)信號與B相下橋臂第N個子模塊的觸發(fā)信號一致。
[0019] 在直交流能量轉(zhuǎn)換的過程中，各個子模塊交替投入、旁路，輔助IGBT模塊TLT2交替 閉合、關(guān)斷，Α、Β相上下橋臂間電容電壓在鉗位二極管的作用下，滿足下列約束：
輔助電容&、(：2電壓之間，輔助電容C3、C4電壓之間存在不等式約束條件：
由此可知，在半橋/單箝位混聯(lián)MMC在完成直交流能量轉(zhuǎn)換的動態(tài)過程中，滿足下面的 約束條件：
C、B相上下橋臂間電容電壓的約束條件與A、B相間的約束條件一致。
[0020] 由上述具體說明可知，該半橋/單箝位混聯(lián)MMC拓撲具備子模塊電容電壓自均衡能 力。
[0021]最后應(yīng)當(dāng)說明的是:所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實 施例?；诒旧暾堉械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得 的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
【主權(quán)項】
1. 基于不等式約束的輔助電容集中式半橋/單箝位混聯(lián)MMC自均壓拓撲，其特征在于： 包括由A、B、C三相構(gòu)成的半橋/單箝位混聯(lián)MMC模型，A、B、C三相每個橋臂分別由K個半橋子 模塊、N-K個單箝位子模塊及1個橋臂電抗器串聯(lián)而成;包括由6N個輔助開關(guān)(6K個機械開 關(guān)，6N-6K個IGBT模塊），6N+7個鉗位二極管，4個輔助電容C!、C2、C3、C4，2個輔助IGBT模塊T!、 T2構(gòu)成的自均壓輔助回路。2. 根據(jù)權(quán)利1所述的基于不等式約束的輔助電容集中式半橋/單箝位混聯(lián)MMC自均壓拓 撲，其特征在于:A相上下橋臂，單箝位子模塊中，二極管連接子模塊電容正極，IGBT模塊連 接子模塊電容負極;A相上橋臂的第1個子模塊，其子模塊電容C-u負極向下與A相上橋臂 的第2個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與直流母線正極相連接； A相上橋臂的第i個子模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-au-_i負極向下與A相上橋 臂的第i+Ι個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與A相上橋臂的第i-1個子模塊電容C-au-_i-i負極相連接;A相上橋臂的第K個半橋子模塊，其子模塊電容C-au-j(負 極向下與A相上橋臂的第K+1個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與 A相上橋臂的第K-1個子模塊電容C-m-jw負極相連接;A相上橋臂的第j個子模塊，其中j的 取值為K+2~N-1，其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點向下與A相上橋臂第j+Ι個子模塊IGBT 模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與第A相上橋臂第j-1個子模塊二極管與IGBT 模塊聯(lián)結(jié)點相連接;A相上橋臂第N個子模塊，其子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點向下經(jīng)兩 個橋臂電抗器Lo與A相下橋臂的第1個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點 向上與A相上橋臂的第N-1個子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點相連接;A相下橋臂的第i個子 模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-ai-_i負極向下與A相下橋臂第i+Ι個子模塊 IGBT模塊中點相連接，其IGBT模塊中點向上與A相下橋臂第i-Ι個子模塊電容C-u-i負極 相連接;A相下橋臂的第K個子模塊，其子模塊電容C-al_K負極向下與第A相下橋臂第K+1個子 模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與A相下橋臂第K-1個子模塊電容 C-ai-_K-i負極相連接;A相下橋臂第j個子模塊，其中j的取值為K+2~N-1，其子模塊二極管與 IGBT模塊聯(lián)結(jié)點向下與A相下橋臂第j+Ι個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊 中點向上與A相下橋臂第j-Ι個子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點相連接;A相下橋臂第N個子 模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點向下與直流母線負極相連接，其子模塊IGBT模塊中點向上與 A相下橋臂的第N-1個子模塊二極管與IGBT模塊聯(lián)結(jié)點相連接;B相上下橋臂，單箝位子模塊 中，IGBT模塊連接子模塊電容正極，二極管連接子模塊電容負極，上橋臂的第1個子模塊，其 子模塊電容C-bu-j正極向上與直流母線正極相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與B相上橋 臂的第2個子模塊電容C-bu-_2正極相連接;B相上橋臂的第i個子模塊，其中i的取值為2~Κ-?， 其子模塊電容C_bu-_i正極向上與B相上橋臂的第i-Ι個子模塊IGBT模塊中點相連接 ，其子 模塊IGBT模塊中點向下與B相上橋臂的第i+Ι個子模塊電容C-bu-_i+i正極相連接;B相上橋臂 的第K個子模塊，其子模塊電容C-bu-_K正極向上與B相上橋臂的第K-1個子模塊IGBT模塊中點 相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與B相上橋臂第K+1個子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點 相連接;B相上橋臂的第j個子模塊，其中j的取值為K+2~N-1，其子模塊IGBT模塊與二極管 聯(lián)結(jié)點向上與B相上橋臂第j-Ι個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下 與B相上橋臂第j+Ι個子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點相連接;B相上橋臂第N個子模塊，其 子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點向上與B相上橋臂第N-1個子模塊IGBT模塊中點相連接，其 子模塊IGBT模塊中點向下經(jīng)兩個橋臂電抗器Lo與B相下橋臂的第1個子模塊電容C-bi-_i正極 相連接;B相下橋臂的第i個子模塊，其中i的取值為2~K-1，其子模塊電容C-bi_i正極向上與B 相下橋臂的第i-Ι個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與B相下橋臂 的第i+Ι個子模塊電容C_bi-_i+i正極相連接;B相下橋臂的第K個子模塊，其子模塊電容C-bi_K 正極向上與B相下橋臂第K-1個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與 B相下橋臂第K+1個子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點相連接;B相下橋臂第j個子模塊，其中j 的取值為K+2~N-1，其子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點向上與B相下橋臂第j-1個子模塊 IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與B相下橋臂第j+Ι個子模塊IGBT模塊與 二極管聯(lián)結(jié)點相連接;B相下橋臂第N個子模塊，其子模塊IGBT模塊與二極管聯(lián)結(jié)點向上與B 相下橋臂第N-1個子模塊IGBT模塊中點相連接，其子模塊IGBT模塊中點向下與直流母線負 極相連接;C相上下橋臂子模塊的連接方式可以與A相一致，也可以與B相一致；由于單箝位 子模塊的存在，半橋子模塊上下輸出線之間不必要配置晶閘管;故A、B、C相上下橋臂子模塊 的上下輸出線之間并聯(lián)有機械開關(guān)Kau_il、Kal_il、Kbu_il、Kbl_il、Kc;u_il、Kc;l_il、Kau」、Kal」、Kbu」、 Kbi」、Kcu」、Kci」，其中i的取值為1~K，j的取值為K+1~N;上述連接關(guān)系構(gòu)成的A、B、C三相地 位一致，三相輪換對稱之后的其他拓撲在權(quán)利范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利1所述的基于不等式約束的輔助電容集中式半橋/單箝位混聯(lián)MMC自均壓拓 撲，其特征在于：自均壓輔助回路中，輔助電容&與輔助電容C2通過鉗位二極管并聯(lián)，輔助電 容&正極連接輔助IGBT模塊T!，輔助電容&負極連接鉗位二極管并入直流母線正極;輔助電 容C3與輔助電容C4通過鉗位二極管并聯(lián)，輔助電容C3負極連接輔助IGBT模塊T2,輔助電容C4 正極連接鉗