一種非正常失電應(yīng)急處理電路的制作方法
【專利說明】
[0001 ] 技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及電學(xué)領(lǐng)域，尤其涉及電子電路，特別是一種非正常失電應(yīng)急處理電路。
[0002]【背景技術(shù)】:
電子系統(tǒng)經(jīng)常發(fā)生非預(yù)期的非正常失電，在汽車系統(tǒng)中，非正常失電影響電子設(shè)備的安全性。現(xiàn)有技術(shù)中，利用微處理來判斷正常掉電或失電狀態(tài)，能夠處理復(fù)雜的邏輯判斷，可區(qū)別是突然失電情況還是正常掉電，但是其AD采樣時(shí)間過長，依賴于軟件處理速度，不能滿足快速響應(yīng)要求；比如AD采樣時(shí)間一般在80ms到100ms，不然很一般掉電過程會(huì)在1m內(nèi)完成;容易觸發(fā)誤動(dòng)作，微處理器耗電較大，從另一方面減少了失電時(shí)的處理時(shí)間。另外，還在主電源上用大電容來維持失電后的電量供應(yīng)，其優(yōu)點(diǎn)是能夠在短時(shí)間內(nèi)保持整個(gè)系統(tǒng)正常工作;但是，效果有限。在IA的負(fù)載電流下，從1V跌落倒5V，ImF的電容也只能維持5ms;成本過高。對(duì)于容量特別大的電容比如470uF以上的電容，價(jià)格是呈指數(shù)上升的，容量越大的電容的體積也越來越大。不適合當(dāng)前越來越小型化的設(shè)計(jì)。
[0003]在突然的非預(yù)期失電的情況下，電子可進(jìn)行比較簡(jiǎn)單的應(yīng)急處理動(dòng)作，這些應(yīng)急處理動(dòng)作仍需要失電前狀態(tài)的某些標(biāo)志位信息作為處理的依據(jù)，主動(dòng)元件的寄存器在失電后就失去了能量供應(yīng)，不能工作；讀取非易失存儲(chǔ)器，比如EEPROM等，耗電較大，達(dá)數(shù)mA，并且還需要支持I2C或SPI協(xié)議的芯片讀取，這個(gè)級(jí)別的芯片耗電大，價(jià)格也較貴。所以不適用于應(yīng)急處理的情況；突然失電時(shí)間很短，響應(yīng)速度不夠；因此，難以進(jìn)行可靠的應(yīng)急處理動(dòng)作。
[0004]
【發(fā)明內(nèi)容】
:
本發(fā)明的目的在于提供一種非正常失電應(yīng)急處理電路，所述的這種非正常失電應(yīng)急處理電路要解決現(xiàn)有技術(shù)中難以快速有效判斷汽車電子系統(tǒng)非正常失電的技術(shù)問題。
[0005]本發(fā)明的這種非正常失電應(yīng)急處理電路包括一個(gè)應(yīng)急電源供應(yīng)電路和一個(gè)掉電狀態(tài)檢測(cè)電路，其中，所述的應(yīng)急電源供應(yīng)電路包括一個(gè)電容器、一個(gè)二極管和一個(gè)三極管，所述的二極管的正極與一個(gè)電源的正極連接，所述的二極管的負(fù)極與所述的電容器的一端連接，所述的電容器的另一端接地，二極管的負(fù)極又與所述的三極管的集電極連接，所述的三極管的發(fā)射極接地，所述的三極管的基極與一個(gè)微處理器的信號(hào)端連接，二極管的負(fù)極又與一個(gè)后續(xù)處理電路的電源端連接，所述的掉電狀態(tài)檢測(cè)電路包括一個(gè)第一電壓檢測(cè)芯片、一個(gè)第二電壓檢測(cè)芯片和一個(gè)第三電壓檢測(cè)芯片，所述的第一電壓檢測(cè)芯片的一端與所述的電源的正極連接，所述的第一電壓檢測(cè)芯片另有一端接地，第一電壓檢測(cè)芯片包括有一個(gè)第一開關(guān)電路，所述的第一開關(guān)電路的一端串聯(lián)一個(gè)電阻器后與所述的后續(xù)處理電路的電源端連接、同時(shí)經(jīng)過一個(gè)二極管后與一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極串聯(lián)一個(gè)電阻器后接地，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極各自與所述的后續(xù)處理電路的兩個(gè)電源端連接，第一開關(guān)電路的另一端接地，所述的第二電壓檢測(cè)芯片的一端與一個(gè)第一電壓元件的正極連接，所述的第一電壓元件的負(fù)極接地，所述的第二電壓檢測(cè)芯片另有一端接地，第二電壓檢測(cè)芯片包括有一個(gè)第二開關(guān)電路，所述的第二開關(guān)電路的一端串聯(lián)一個(gè)電阻器后與所述的后續(xù)處理電路的電源端連接、同時(shí)經(jīng)過一個(gè)二極管后與所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，第二開關(guān)電路的另一端接地，所述的第三電壓檢測(cè)芯片的一端與一個(gè)第二電壓元件的正極連接，所述的第二電壓元件的負(fù)極接地，所述的第三電壓檢測(cè)芯片另有一端接地，第三電壓檢測(cè)芯片包括有一個(gè)第三開關(guān)電路，所述的第三開關(guān)電路的一端與所述的后續(xù)處理電路的電源端連接、同時(shí)經(jīng)過一個(gè)二極管后與所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極連接，第三開關(guān)電路的另一端接地。
[0006]進(jìn)一步的，所述的第三開關(guān)電路的一端串聯(lián)一個(gè)電阻器后與所述的后續(xù)處理電路的電源端連接。
[0007]進(jìn)一步的，所述的第三開關(guān)電路的一端與第二開關(guān)電路的一端連接。
[0008]本發(fā)明的工作原理是:應(yīng)急電源供應(yīng)電路為掉電后的應(yīng)急處理所需要的動(dòng)作提供電源，掉電狀態(tài)檢測(cè)電路判斷掉電狀態(tài)。由于發(fā)明針對(duì)失電狀態(tài)判斷，需要區(qū)別是非正常失電還是正常掉電，因此需要根據(jù)多個(gè)電壓信號(hào)的狀態(tài)的組合才能判斷。其次，在判斷電壓時(shí)，特別是對(duì)于低壓信號(hào)，比如5V，3V系統(tǒng)而言，普通齊納管動(dòng)輒數(shù)伏的精度無法滿足需求。三片電壓檢測(cè)芯片的組合，能夠得到一組電壓狀態(tài)信號(hào)，通過不同的電路組合方式可以組成“與”和“或”的邏輯結(jié)論。系統(tǒng)內(nèi)的穩(wěn)壓電源，通過二極管隔離后，專門為電容器充電。由于在失電后，微處理器以及整個(gè)原有電源都會(huì)關(guān)閉，僅有應(yīng)急部分的電路會(huì)啟動(dòng)工作，所以后續(xù)動(dòng)作的耗電會(huì)很小，用比較小電容即能支持足夠的時(shí)間。三極管是電容器的放電回路，在正常掉電的情況下，通過三極管給電容器放電。對(duì)三極管的控制還同時(shí)作為啟動(dòng)和關(guān)閉失電應(yīng)急處理功能的使能。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相對(duì)比，其效果是積極和明顯的。本發(fā)明利用一個(gè)電容器、一個(gè)二極管和一個(gè)三極管組成的應(yīng)急電源供應(yīng)電路為后續(xù)處理電路供電，利用三片電壓檢測(cè)芯片的組合準(zhǔn)確判斷掉電狀態(tài)，可快速有效判斷汽車電子系統(tǒng)非正常失電。
[0010]【附圖說明】:
圖1是本發(fā)明的非正常失電應(yīng)急處理電路的一個(gè)實(shí)施例的原理圖。
[0011]圖2是本發(fā)明的非正常失電應(yīng)急處理電路的另一個(gè)實(shí)施例的原理圖。
[0012]【具體實(shí)施方式】:
實(shí)施例1:
如圖1所示，本發(fā)明的非正常失電應(yīng)急處理電路包括一個(gè)應(yīng)急電源供應(yīng)電路和一個(gè)掉電狀態(tài)檢測(cè)電路，其中，所述的應(yīng)急電源供應(yīng)電路包括一個(gè)電容器Cl、一個(gè)二極管D4和一個(gè)三極管T2，所述的二極管D4的正極與一個(gè)電源Power supply的正極連接，所述的二極管D4的負(fù)極與所述的電容器Cl的一端連接，所述的電容器Cl的另一端接地，二極管D4的負(fù)極又與所述的三極管T2的集電極連接，所述的三極管T2的發(fā)射極接地，所述的三極管T2的基極經(jīng)過一個(gè)電阻器R6和一個(gè)開關(guān)SW后與一個(gè)微處理器M⑶的信號(hào)端連接，二極管D4的負(fù)極又與一個(gè)后續(xù)處理電路的電源VBU連接，所述的掉電狀態(tài)檢測(cè)電路包括一個(gè)第一電壓檢測(cè)芯片SW10、一個(gè)第二電壓檢測(cè)芯片SW20和一個(gè)第三電壓檢測(cè)芯片SW30，所述的第一電壓檢測(cè)芯片SWlO的一端與所述的電源Power supply的正極連接，所述的第一電壓檢測(cè)芯片SWlO另有一端接地，第一電壓檢測(cè)芯片SWlO包括有一個(gè)第一開關(guān)電路，所述的第一開關(guān)電路的一端串聯(lián)一個(gè)電阻器R7后與所述的