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一種過壓保護(hù)電路的制作方法

文檔序號(hào):8300856閱讀:264來源:國知局
一種過壓保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電壓保護(hù)電路,尤其是涉及一種集成電路的過壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]便攜式通信設(shè)備如手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDAs)、WiFi及其他的通信設(shè)備的正常工作均離不開一個(gè)便攜式的電源。在某些情況下,由便攜式電源提供的電壓會(huì)超過該設(shè)備的正常工作電壓從而導(dǎo)致設(shè)備不能正常工作。
[0003]對(duì)于芯片內(nèi)部的電路模塊而言,當(dāng)電源電壓超過該模塊的正常工作電壓時(shí),會(huì)導(dǎo)致該模塊內(nèi)部電路的工作電流增加,從而使模塊內(nèi)部的元器件處于過壓以及過熱的不良環(huán)境下,極易引起芯片內(nèi)部元器件的損壞。因此有必要設(shè)計(jì)一種過壓保護(hù)電路,當(dāng)芯片的電源電壓為額定工作電壓時(shí),過壓保護(hù)電路不影響芯片的正常功能,而當(dāng)芯片的電源電壓超過額定工作電壓時(shí),觸發(fā)過壓保護(hù)電路開始工作,從而對(duì)芯片使能關(guān)斷,防止因?yàn)檫^壓引起芯片的不正常工作及毀壞。
[0004]現(xiàn)有的過壓保護(hù)方法通常是在集成電路內(nèi)部的電源端和地之間接一個(gè)齊納二極管Dz到地,利用齊納二極管Dz的齊納電壓將電源電壓箝位在一個(gè)固定值,這種方法能簡單的保證電源電壓不超過預(yù)定的值,但缺點(diǎn)是功耗太大,并且隨著電源電壓的升高,其功耗也越來越大,不能滿足當(dāng)前設(shè)計(jì)集成電路低功耗的要求;同時(shí)該方法還需要使用額外的電路來監(jiān)控電源電壓的過壓情況,這樣增加了系統(tǒng)的復(fù)雜程度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供了一種能夠?qū)崿F(xiàn)集成電路的電源的過壓保護(hù)及恢復(fù)的過壓保護(hù)電路,本發(fā)明電路響應(yīng)速度快,同時(shí)電路結(jié)構(gòu)簡單,性能穩(wěn)定,成本低廉,適用范圍廣,靈活性較高。
[0006]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:一種過壓保護(hù)電路,包括電源電壓檢測電路和電壓比較電路,所述電壓檢測電路接電壓比較電路的負(fù)輸入端,基準(zhǔn)電壓VREF接所述電壓比較電路的正輸入端,所述電壓比較電路的輸出即為過壓保護(hù)電路輸出端0VP。
[0007]進(jìn)一步,所述的電壓比較電路為兩級(jí)開環(huán)比較器。
[0008]進(jìn)一步,且所述的兩級(jí)開環(huán)比較器為具有滯回功能的兩級(jí)開環(huán)比較器。
[0009]進(jìn)一步,所述的電壓檢測電路包括第一電阻和第二電阻,所述的第一電阻一端與電源VBAT相連,第一電阻的另一端經(jīng)第二電阻與地相連。
[0010]進(jìn)一步,所述的具有滯回功能的兩級(jí)開環(huán)比較器包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四P型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源;
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連,所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連;所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓VREF相連,所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的源極分別于第一 N型場效應(yīng)晶體管的源極相連并經(jīng)第一電流源到地;
所述第四P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第三N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述第四P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與第二N型場效應(yīng)晶體管的漏極和第六P型場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極相連,所述第四P型場效應(yīng)晶體管的柵極與輸出端OVP相連;
所述第五P型場效應(yīng)晶體管的源極和第六P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與電源電壓VBAT相連;
所述第七P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連,所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極與輸出端OVP相連,所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)第二電流源與地相連;
[0011]本發(fā)明的一種過壓保護(hù)電路,包括電源電壓檢測電路、電壓比較電路和推挽反向電路,所述電壓檢測電路接電壓比較電路的負(fù)輸入端,基準(zhǔn)電壓VREF接所述電壓比較電路的正輸入端,所述電壓比較電路的輸出端接推挽反向電路的輸入端,推挽反向電路的輸出端即為過壓保護(hù)電路的輸出端0VP。
[0012]進(jìn)一步,所述的電壓比較電路為兩級(jí)開環(huán)比較器。
[0013]進(jìn)一步,所述的兩級(jí)開環(huán)比較器為具有滯回功能的兩級(jí)開環(huán)比較器。
[0014]進(jìn)一步,所述的電壓檢測電路包括第一電阻和第二電阻,所述的第一電阻一端與電源VBAT相連,第一電阻的另一端經(jīng)第二電阻與地相連。
[0015]進(jìn)一步,所述的具有滯回功能的兩級(jí)開環(huán)比較器包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四P型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源;
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連,所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連;所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓VREF相連,所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的源極分別于第一 N型場效應(yīng)晶體管的源極相連并經(jīng)第一電流源到地;
所述第四P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第三N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述第四P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與第二N型場效應(yīng)晶體管的漏極和第六P型場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極相連;
所述第五P型場效應(yīng)晶體管的源極和第六P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與電源電壓VBAT相連;
所述第七P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓相連,所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第四P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連,所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)第二電流源與地相連;
[0016]進(jìn)一步,所述的推挽反向電路包括第八P型場效應(yīng)晶體管、第九N型場效應(yīng)晶體管、第十P型場效應(yīng)晶體管、第十一 N型場效應(yīng)晶體管;
所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述的第八P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連,第九N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連; 所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于輸出端OVP相連,所述的第十P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連,第十一 N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連;
[0017]進(jìn)一步,所述的具有滯回功能的兩級(jí)開環(huán)比較器,包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四N型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源;
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連,所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連;所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓相連,所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的源極分別于第一 N型場效應(yīng)晶體管的源極相連并經(jīng)第一電流源到地;
所述第四N型場效應(yīng)晶體管源極與第三N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連,所述第四N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別與第二N型場效應(yīng)晶體管的漏極和第六P型場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極相連;
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