專利名稱：一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電子吸著盤，尤其有關(guān)一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤。
背景技術(shù)：
在芯片制造時(shí)，高密度等離子體化學(xué)氣象沉淀(HDP-CVD)是一種經(jīng)常用到的制造方法，而電子吸著盤可以固定硅片，所以電子吸著盤的結(jié)構(gòu)對(duì)硅片的化學(xué)氣象沉淀具有至關(guān)重要的作用。傳統(tǒng)的電子吸著盤的結(jié)構(gòu)如圖1所示，其顯示AMAT(應(yīng)用材料美國(guó)公司)的一款電子吸著盤結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行鋁線絕緣膜工藝時(shí)需要利用偏壓產(chǎn)生靜電吸附，所以在電子吸著盤1上設(shè)置有偏壓加載點(diǎn)13。另外，電子吸著盤1上具有兩圈冷卻氦氣噴氣孔，即外圈冷卻氦氣噴氣孔11及內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔12，用以對(duì)硅片表面進(jìn)行一定程序的冷卻。
然而，由于傳統(tǒng)電子吸著盤上的兩路氦氣的分布位置距離電子吸著盤的邊緣有10~15mm，所以根據(jù)濕法刻蝕速率的數(shù)據(jù)來(lái)看去邊(Edge Cut)15mm以外的邊緣部分要比去邊(Edge Cut)15mm以內(nèi)部分的溫度高20~30度，這樣就造成了硅片本身的溫度不均衡，其邊緣部分具有較差的溫度效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其能夠改善硅片邊緣部分的溫度效應(yīng)。
為完成以上技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案，一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其上具有外圈冷卻氦氣噴氣孔及內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔，且在上述電子吸著盤的背面具有多個(gè)偏壓加載點(diǎn)。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是由于具有多個(gè)偏壓加載點(diǎn)，所以通過(guò)偏壓的分布均勻性改善硅片與電子吸著盤表面的接觸效果，從而最終減小硅片周圈與中心部分的溫度差。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤的一個(gè)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步描述。
請(qǐng)參閱圖2所示，本發(fā)明一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤2，其上具有外圈冷卻氦氣噴氣孔21及內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔22，且外圈冷卻氦氣噴氣孔21距離電子吸著盤2的外邊緣距離為5mm。在內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔22之內(nèi)還具有多個(gè)設(shè)置于電子吸著盤2背面的偏壓加載點(diǎn)，該偏壓加載點(diǎn)為環(huán)狀線圈23。上述多個(gè)環(huán)狀線圈23呈環(huán)狀分布，且在其所形成的圓環(huán)上具有多個(gè)冷卻氦氣噴氣孔24。實(shí)驗(yàn)表明，使用上述設(shè)置的用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤2可將硅片上的中心和周圍的溫差由20~30度下降到5~10度左右，保證硅片上的溫度效果均衡。
綜上所述，本發(fā)明完成了發(fā)明人的發(fā)明目的，由于偏壓加載方式由一點(diǎn)式改成環(huán)狀線圈式并且向外擴(kuò)大面積，通過(guò)偏壓分布的均勻性改善硅片表面與電子吸著盤表面的接觸效果，另外，將內(nèi)圈與外圈冷卻氦氣噴氣孔再向外推至最佳分布半徑，以最終改善去邊15mm以外的溫度，從而改善硅片外圈芯片的可靠性性能。
權(quán)利要求
1.一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其上具有外圈冷卻氦氣噴氣孔及內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔，其特征在于在上述電子吸著盤的背面具有多個(gè)偏壓加載點(diǎn)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其特征在于所述偏壓加載點(diǎn)為環(huán)狀線圈。
3.如權(quán)利要求2所述的用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其特征在于所述多個(gè)環(huán)狀線圈呈環(huán)狀分布。
4.如權(quán)利要求3所述的用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其特征在于所述環(huán)狀線圈形成的環(huán)狀上也具有冷卻氦氣噴氣孔。
5.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其特征在于所述外圈冷卻氦氣噴氣孔距離電子吸著盤邊緣距離小于5mm。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)一種用于化學(xué)氣象沉淀裝置的電子吸著盤，其上具有外圈冷卻氦氣噴氣孔及內(nèi)圈冷卻氦氣噴氣孔，在上述電子吸著盤的背面具有多個(gè)偏壓加載點(diǎn)，且上述多個(gè)偏壓加載點(diǎn)為環(huán)狀線圈。由于具有多個(gè)偏壓加載線圈，向外擴(kuò)大面積，所以通過(guò)偏壓的分布均勻性改善硅片與電子吸著盤表面的接觸效果，從而最終減小硅片周圈與中心部分的溫度差。
文檔編號(hào)C23C16/458GK1778987SQ20041008437
公開日2006年5月31日 申請(qǐng)日期2004年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月19日
發(fā)明者李菲, 倪立華 申請(qǐng)人:上海華虹Nec電子有限公司