本發(fā)明涉及電路技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及高壓輸出級集成電路。

背景技術(shù)：

目前，集成電路在工廠以及日常生活中應(yīng)用非常廣泛，可是高壓集成電路的電壓不穩(wěn)，利用穩(wěn)壓器能夠?qū)㈦妷悍€(wěn)定，卻不能有效地濾除雜波，以及異常電壓的調(diào)控，高壓集成電路的輸出電壓一旦不穩(wěn)或雜波不能濾除，都會對整個集成電路芯片的功能效果帶來很大的影響，甚至?xí)p壞集成電路芯片。

所以本發(fā)明提供一種新的方案來解決此問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述情況，為克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，本發(fā)明之目的在于提供高壓輸出級集成電路，具有構(gòu)思巧妙、人性化設(shè)計的特性，有效地解決了高壓集成電路的輸出電壓的穩(wěn)定和濾波且能有效的調(diào)控異常電壓的問題。

其解決的技術(shù)方案是，高壓輸出級集成電路，包括濾波電路和調(diào)幅電路，所述濾波電路串聯(lián)rc電路濾去中高頻雜波，同時利用運放器穩(wěn)壓和比例放大后輸入調(diào)幅電路，調(diào)幅電路利用晶閘管和三端可控硅調(diào)幅輸出穩(wěn)定的電壓；

所述調(diào)幅電路采用晶閘管d4和d6的負極分兩路接收濾波電路的電壓，分別串聯(lián)電容c4和c5，通過控制三端可控硅q1和q2截止和導(dǎo)通，實現(xiàn)電壓的調(diào)幅。

優(yōu)選地，所述調(diào)幅電路包括晶閘管d4和d6，晶閘管d4的正極接電容c4的一端，電容c4的另一端接晶閘管d5的負極和三端可控硅q1的控制極，三端可控硅q1的陰極接晶閘管d8的正極，晶閘管d6的正極接電容c5的一端，電容c5的另一端接晶閘管d7的負極和三端可控硅q2的控制極，三端可控硅q2的陰極接晶閘管d8的負極和晶閘管d9的正極，三端可控硅q1和q2的陽極以及晶閘管d5和d7的正極接地，晶閘管d9的負極接電壓輸出端口。

由于以上技術(shù)方案的采用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點；

1,采用晶閘管d4和d6的負極分兩路接收接收濾波電路的電壓，一路串聯(lián)電容c4，利用電容c4通交隔直的特性濾去交流電壓中的直流電壓，電容c4的另一端接晶閘管d5的負極和三端可控硅q1的控制極，晶閘管d5起到保護電路的作用，三端可控硅q1的控制極電位過高(異常過高電壓)則會反相導(dǎo)通接地，電位過低(異常過低電壓)不會使三端可控硅q1觸發(fā)導(dǎo)通，同理并聯(lián)了同樣的電路由晶閘管d6、d7和電容c5以及三端可控硅q2，達到調(diào)幅的效果，有效地解決了高壓集成電路的輸出電壓的穩(wěn)定和濾波且能有效的調(diào)控異常電壓。

2，利用電阻r1、r2和r3分壓，由于電壓輸入端口接收的是高壓信號，經(jīng)過分壓處理后才能經(jīng)過rc電路濾波，達到濾除中高頻諧波的效果，為了保護電路又設(shè)計了二極管d1～d3保護電路，為了保證電壓的頻率和幅值不變，又設(shè)計了運放器ar1和ar2比例放大，保持電壓的頻率和幅值不變，達到濾波的效果，具有很大的實用價值和推廣價值。

附圖說明

圖1為本發(fā)明高壓輸出級集成電路的電路原理圖。

圖2為本發(fā)明高壓輸出級集成電路的調(diào)幅電路原理圖。

具體實施方式

有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點與功效，在以下配合參考附圖1至附圖2對實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現(xiàn)。以下實施例中所提到的結(jié)構(gòu)內(nèi)容，均是以說明書附圖為參考。

下面將參照附圖描述本發(fā)明的各示例性的實施例。

實施例一，高壓輸出級集成電路，包括濾波電路和調(diào)幅電路，所述濾波電路串聯(lián)rc電路濾去中高頻雜波，同時利用運放器穩(wěn)壓和比例放大后輸入調(diào)幅電路，調(diào)幅電路利用晶閘管和三端可控硅調(diào)幅輸出穩(wěn)定的電壓；

所述調(diào)幅電路采用晶閘管d4和d6的負極分兩路接收接收濾波電路的電壓，一路串聯(lián)電容c4，利用電容c4通交隔直的特性濾去交流電壓中的直流電壓，電容c4的另一端接晶閘管d5的負極和三端可控硅q1的控制極，晶閘管d5起到保護電路的作用，三端可控硅q1的控制極電位過高則會反相導(dǎo)通接地，電位過低不會使三端可控硅q1觸發(fā)導(dǎo)通，同理并聯(lián)了同樣的電路由晶閘管d6、d7和電容c5以及三端可控硅q2，達到調(diào)幅的效果；所述調(diào)幅電路包括晶閘管d4和d6，晶閘管d4的正極接電容c4的一端，電容c4的另一端接晶閘管d5的負極和三端可控硅q1的控制極，三端可控硅q1的陰極接晶閘管d8的正極，晶閘管d6的正極接電容c5的一端，電容c5的另一端接晶閘管d7的負極和三端可控硅q2的控制極，三端可控硅q2的陰極接晶閘管d8的負極和晶閘管d9的正極，三端可控硅q1和q2的陽極以及晶閘管d5和d7的正極接地，晶閘管d9的負極接電壓輸出端口。

實施例二，在實施例一的基礎(chǔ)上，所述濾波電路利用電阻r1、r2和r3分壓，由于電壓輸入端口接收的是高壓信號，經(jīng)過分壓處理后才能經(jīng)過rc電路濾波，達到濾除中高頻諧波的效果，為了保護電路又設(shè)計了二極管d1～d3保護電路，為了保證電壓的頻率和幅值不變，又設(shè)計了運放器ar1和ar2比例放大，保持電壓的頻率和幅值不變；電阻r1的一端接電阻r3的一端和電壓輸入端口，電阻r1的另一端接電阻r2和電容c1的一端以及二極管d1的負極，二極管d1的正極接二極管d2的正極，二極管d2的負極接運放器ar1的正相輸入端，運放器ar1的反相輸入端接電阻r5的一端，運放器ar1的輸出端接電阻r4的一端和二極管d3的負極，電阻r4的另一端接電阻r3的另一端和電容c2、c3的一端以及電阻r6的一端，二極管d3的正極接電容c2和電阻r6的另一端以及電阻r7的一端以及運放器ar2的正相輸入端，運放器ar2的反相輸入端接電阻r8的一端，運放器ar2的輸出端接電阻r7和電容c3的另一端以及電阻r9的一端，電阻r9的另一端接晶閘管d4的負極，電阻r8、r5、r2的另一端和電容c1的另一端共端點接地。

本發(fā)明具體使用時，高壓輸出級集成電路，包括濾波電路和調(diào)幅電路，所述濾波電路串聯(lián)rc電路濾去中高頻雜波，同時利用運放器穩(wěn)壓和比例放大后輸入調(diào)幅電路，調(diào)幅電路利用晶閘管和三端可控硅調(diào)幅輸出穩(wěn)定的電壓；所述濾波電路利用電阻r1、r2和r3分壓，由于電壓輸入端口接收的是高壓信號，經(jīng)過分壓處理后才能經(jīng)過rc電路濾波，達到濾除中高頻諧波的效果，為了保護電路又設(shè)計了二極管d1～d3保護電路，為了保證電壓的頻率和幅值不變，又設(shè)計了運放器ar1和ar2比例放大，保持電壓的頻率和幅值不變；所述調(diào)幅電路采用晶閘管d4和d6的負極分兩路接收接收濾波電路的電壓，一路串聯(lián)電容c4，利用電容c4通交隔直的特性濾去交流電壓中的直流電壓，電容c4的另一端接晶閘管d5的負極和三端可控硅q1的控制極，晶閘管d5起到保護電路的作用，三端可控硅q1的控制極電位過高(異常過高電壓)則會反相導(dǎo)通接地，電位過低(異常過低電壓)不會使三端可控硅q1觸發(fā)導(dǎo)通，同理并聯(lián)了同樣的電路由晶閘管d6、d7和電容c5以及三端可控硅q2，達到調(diào)幅的效果，有效地解決了高壓集成電路的輸出電壓的穩(wěn)定和濾波且能有效的調(diào)控異常電壓。

以上所述是結(jié)合具體實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明具體實施僅局限于此；對于本發(fā)明所屬及相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在基于本發(fā)明技術(shù)方案思路前提下，所作的拓展以及操作方法、數(shù)據(jù)的替換，都應(yīng)當(dāng)落在本發(fā)明保護范圍之內(nèi)。

技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了高壓輸出級集成電路，包括濾波電路和調(diào)幅電路，濾波電路串聯(lián)RC電路濾去中高頻雜波，同時利用運放器穩(wěn)壓和比例放大后輸入調(diào)幅電路，調(diào)幅電路利用晶閘管和三端穩(wěn)壓管調(diào)幅輸出穩(wěn)定的電壓；采用晶閘管D4和D6的負極分兩路接收接收濾波電路的電壓，一路串聯(lián)電容C4，利用電容C4通交隔直的特性濾去交流電壓中的直流電壓，電容C4的另一端接晶閘管D5的負極和三端可控硅Q1的控制極，晶閘管D5起到保護電路的作用，三端可控硅Q1的控制極電位過高則會反相導(dǎo)通接地，電位過低不會使三端可控硅Q1觸發(fā)導(dǎo)通，同理并聯(lián)了同樣的電路由晶閘管D6、D7和電容C5以及三端可控硅Q2，有效地解決了高壓集成電路的輸出電壓的穩(wěn)定和濾波且能有效的調(diào)控異常電壓。

技術(shù)研發(fā)人員：李迪;費春龍;楊銀堂;周歧發(fā);柴常春;李婭妮
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.07.25
技術(shù)公布日：2017.09.22