本發(fā)明屬于三相電機(jī)的控制裝置技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于可控硅的可靠觸發(fā)電路。

背景技術(shù)：

傳統(tǒng)的相控技術(shù)的可控硅觸發(fā)是采用電壓同步的寬脈沖或者雙窄脈沖。這兩種觸發(fā)方法應(yīng)用于電動(dòng)機(jī)電路時(shí)，因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)是阻感負(fù)載，會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)移相角α小于負(fù)載功率因數(shù)角φ的情況，另外電動(dòng)機(jī)工作的狀態(tài)是屬于高電壓，大電流，存在許多很強(qiáng)的干擾信號(hào)。在這種情況下，寬脈沖和雙窄脈沖觸發(fā)信號(hào)常常無法可靠的觸發(fā)可控硅，造成電機(jī)瞬時(shí)缺相，使電機(jī)電壓產(chǎn)生嚴(yán)重波動(dòng)，電機(jī)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的發(fā)熱，振動(dòng)，噪音增大，甚至過流，導(dǎo)致電機(jī)無法正常運(yùn)行。

傳統(tǒng)的相控技術(shù)觸發(fā)可控硅觸發(fā)是采用電壓同步的寬脈沖或者雙窄脈沖。這兩種觸發(fā)方法應(yīng)用于實(shí)際電路中時(shí)，存在如下缺點(diǎn)：因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)工作的狀態(tài)是屬于高電壓，大電流，存在許多很強(qiáng)的干擾，寬脈沖和雙窄脈沖觸發(fā)信號(hào)常常受到干擾，有些時(shí)候就無法可靠的觸發(fā)可控硅，造成電機(jī)瞬時(shí)缺相，使電機(jī)電壓產(chǎn)生嚴(yán)重波動(dòng)，電機(jī)會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的發(fā)熱，振動(dòng)，噪音增大，甚至過流，導(dǎo)致電機(jī)無法正常運(yùn)行。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于可控硅的可靠觸發(fā)電路。

為實(shí)現(xiàn)以上目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

基于可控硅的可靠觸發(fā)電路，包括門電路、高頻振蕩器、變壓器和可控硅；

所述門電路包括一個(gè)用于接收控制信號(hào)的輸入端，控制信號(hào)能夠控制所述門電路的輸出端的通/斷；

所述高頻振蕩器與所述門電路電連接，將產(chǎn)生的高頻震蕩信號(hào)輸入所述門電路；

所述變壓器的初級(jí)線圈與所述門電路的輸出端電連接，所述變壓器的次級(jí)線圈的兩端分別與所述可控硅的門極和陰極電連接；

所述可控硅的陽極與三相電源中的一相連接，陰極為所述可靠觸發(fā)電路的輸出端。

所述可控硅的陰極向三相電機(jī)中的任意一相供電。

所述門電路包括三極管q1、電阻r1、電阻r3和二極管d1；

所述電阻r1的一端與所述三極管q1的基極電連接，另一端為接收控制信號(hào)的輸入端；

所述三極管q1的基極與所述高頻振蕩器電連接，發(fā)射極接地；

所述二極管d1的陽極與所述三極管q1的集電極電連接，陰極與所述電阻r3的一端電連接；所述電阻r3的另一端與直流電壓源連接；

所述電阻r3的另一端和所述二極管d1的陽極為所述門電路的輸出端。

所述門電路還包括電阻r2；所述三極管q1的基極通過所述電阻r2與所述高頻振蕩器電連接。

所述高頻振蕩器包括運(yùn)放u1、電阻r5、電阻r6、電阻r7和電容c1；

所述電阻r5與所述電阻r7串聯(lián)，該串聯(lián)電路的r5一端與所述運(yùn)放u1的輸出端電連接，所述電阻r7一端接地，所述電阻r5與所述電阻r7的連接點(diǎn)與所述運(yùn)放u1的同相輸入端電連接；

所述電阻r6與所述電容c1串聯(lián)，該串聯(lián)電路的r6一端與所述運(yùn)放u1的輸出端電連接，所述電容c1一端接地，所述電阻r6與所述電容c1的連接點(diǎn)與所述運(yùn)放u1的反相輸入端電連接；

所述運(yùn)放u1的輸出端為所述高頻振蕩器的輸出端，與所述門電路電連接。

還包括電阻r4和二極管d2；所述變壓器的次級(jí)線圈的一端通過所述電阻r4和二極管d2與所述可控硅的門極電連接。

所述可控硅的門極與所述二極管d2的陰極電連接，所述所述二極管d2的陽極與所述電阻r4的一端電連接，所述電阻r4的另一端與所述變壓器的次級(jí)線圈的一端電連接。

所述運(yùn)放u1采用型號(hào)為lm741cn的芯片。

所述電阻r5的阻值為51kω，所述電阻r6的阻值為8.2kω，所述電阻r7的阻值為6.8kω。

所述電容c1的電容值為2.2nf。

本發(fā)明采用以上技術(shù)方案，使用高頻正弦脈沖發(fā)生器生正弦脈沖，并通過放大電路對(duì)脈沖進(jìn)行放大，通過脈沖變壓器和整流二極管將單極性的正弦脈沖通過門電路加載到可控硅的控制極，加載脈沖的時(shí)刻可以通過控制電路進(jìn)行控制。這樣因?yàn)橛|發(fā)脈沖是一系脈沖串，只要合理調(diào)整脈沖的周期和幅度以及驅(qū)動(dòng)電路的功率，那么，即使存在干擾，其中的一些脈沖無法觸發(fā)可控硅，但因?yàn)槊}沖的數(shù)量眾多，在這些脈沖中就一定有一個(gè)脈沖使可控硅在每半個(gè)周期內(nèi)打開，也就是能夠可靠地觸發(fā)感性負(fù)載。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明基于可控硅的可靠觸發(fā)電路結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明基于可控硅的可靠觸發(fā)電路的高頻振蕩器電路圖。

圖中：1-門電路；2-高頻振蕩器。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所得到的所有其它實(shí)施方式，都屬于本發(fā)明所保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本發(fā)明提供一種基于可控硅的可靠觸發(fā)電路，包括門電路1、高頻振蕩器2、變壓器和可控硅；

所述門電路1包括一個(gè)用于接收控制信號(hào)的輸入端，控制信號(hào)能夠控制所述門電路1的輸出端的通/斷；

所述高頻振蕩器2與所述門電路1電連接，將產(chǎn)生的高頻震蕩信號(hào)輸入所述門電路1；

所述變壓器的初級(jí)線圈與所述門電路1的輸出端電連接，所述變壓器的次級(jí)線圈的兩端分別與所述可控硅的門極和陰極電連接；

所述可控硅的陽極與三相電源中的一相連接，陰極為所述可靠觸發(fā)電路的輸出端。

所述可控硅的陰極向三相電機(jī)中的任意一相供電。

基于可控硅的可靠觸發(fā)電路還包括電阻r4和二極管d2；所述變壓器的次級(jí)線圈的一端通過所述電阻r4和二極管d2與所述可控硅的門極電連接。

所述可控硅的門極與所述二極管d2的陰極電連接，所述所述二極管d2的陽極與所述電阻r4的一端電連接，所述電阻r4的另一端與所述變壓器的次級(jí)線圈的一端電連接。

所述門電路1包括三極管q1、電阻r1、電阻r3和二極管d1；

所述電阻r1的一端與所述三極管q1的基極電連接，另一端為接收控制信號(hào)的輸入端；

所述三極管q1的基極與所述高頻振蕩器2電連接，發(fā)射極接地；

所述二極管d1的陽極與所述三極管q1的集電極電連接，陰極與所述電阻r3的一端電連接；所述電阻r3的另一端與直流電壓源連接；

所述電阻r3的另一端和所述二極管d1的陽極為所述門電路1的輸出端。

所述門電路1還包括電阻r2；所述三極管q1的基極通過所述電阻r2與所述高頻振蕩器2電連接。

如圖2所示，所述高頻振蕩器2包括運(yùn)放u1、電阻r5、電阻r6、電阻r7和電容c1；

所述電阻r5與所述電阻r7串聯(lián)，該串聯(lián)電路的r5一端與所述運(yùn)放u1的輸出端電連接，所述電阻r7一端接地，所述電阻r5與所述電阻r7的連接點(diǎn)與所述運(yùn)放u1的同相輸入端電連接；

所述電阻r6與所述電容c1串聯(lián)，該串聯(lián)電路的r6一端與所述運(yùn)放u1的輸出端電連接，所述電容c1一端接地，所述電阻r6與所述電容c1的連接點(diǎn)與所述運(yùn)放u1的反相輸入端電連接；

所述運(yùn)放u1的輸出端為所述高頻振蕩器2的輸出端，與所述門電路1電連接。

所述運(yùn)放u1采用型號(hào)為lm741cn的芯片。

所述電阻r5的阻值為51kω，所述電阻r6的阻值為8.2kω，所述電阻r7的阻值為6.8kω。

所述電容c1的電容值為2.2nf。

在交流電的電壓零點(diǎn)附近有一個(gè)短暫的判斷期出現(xiàn)，但由于其在交流電壓過零點(diǎn)附近的截止?fàn)顟B(tài)十分短暫(小于整個(gè)交流電一個(gè)正弦周期的百分之一)，所以可以忽略不計(jì)，從可控硅對(duì)外輸出電壓的整體效果而言，則雙向可控硅對(duì)于交流電壓近似處于完全導(dǎo)通(和一般可控硅的具有一定導(dǎo)通角的應(yīng)用電路相比較而言，近似未關(guān)斷)?？煽毓柙谡麄€(gè)交流電周期中近似沒有工作在關(guān)斷狀態(tài)。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。