本發(fā)明涉及電源驅(qū)動電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及到偏壓電源瞬態(tài)保護電路。
背景技術(shù)：
真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，mbe分子束外延，pld激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。
需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材?；c靶材同在真空腔中。
蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，最終形成薄膜。
偏壓電源(biaspowersupply)是真空電弧離子鍍及其它真空物理氣相沉積設(shè)備中一個重要組件，在鍍膜工藝流程中為工件提供負(或正)偏壓。
偏壓電源是真空鍍膜中有著重要的作用，關(guān)系到鍍膜的附著力，光潔度，色差等參數(shù)，特別是大功率電源在抑制打火的現(xiàn)象尤為重要，即要保證正常使用，又不能出現(xiàn)打火。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明的目的是提供一種結(jié)構(gòu)合理，使用方便的偏壓電源瞬態(tài)保護電路，它解決了上述的這些問題。
采用以下的技術(shù)方案：
偏壓電源瞬態(tài)保護電路，包括pwm驅(qū)動器，所述pwm驅(qū)動器連接至少一個pwm電路，所述pwm驅(qū)動器同時電連接時間調(diào)節(jié)電路，所述時間調(diào)節(jié)電路連接電壓比較器芯片，所述電壓比較器芯片連接霍爾電路。
優(yōu)選地，所述電壓比較器芯片為lm319、lm339、lm393、lm319d、lm311其中的一種。
優(yōu)選地，所述電壓比較器芯片為靈敏度25-50毫伏。
優(yōu)選地，所述電壓比較器芯片的建立時間為70-90ns。
優(yōu)選地，電壓比較器芯片的反相輸入端加一個固定的參考電壓，它的值取決于r1于r2，ur＝r2/(r1+r2)*ucc，同相端的電壓就等于熱敏元件rt的電壓降，當(dāng)機內(nèi)溫度為設(shè)定值以下時，“+”端電壓大于“-”端電壓，uo為高電位，當(dāng)溫度上升為設(shè)定值以上時，“-”端電壓大于“+”端，比較器反轉(zhuǎn)，uo輸出為零電位。
本發(fā)明的有益效果包括：
使用本發(fā)明的保護電路，即不出現(xiàn)打火，又能保證電源的穩(wěn)定工作，從而大大的提高了膜層的穩(wěn)定性。本發(fā)明的保護電路特別適用于真空鍍膜機，壽命長，成本低，使用方便。
附圖說明
圖1為本發(fā)明偏壓電源瞬態(tài)保護電路電路圖。
具體實施方式
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明內(nèi)容作進一步說明。
偏壓電源瞬態(tài)保護電路，包括pwm驅(qū)動器，所述pwm驅(qū)動器連接至少一個pwm電路，所述pwm驅(qū)動器同時電連接時間調(diào)節(jié)電路，所述時間調(diào)節(jié)電路連接電壓比較器芯片，所述電壓比較器芯片連接霍爾電路。
所述電壓比較器芯片為lm319、lm339、lm393、lm319d、lm311其中的一種。
所述電壓比較器芯片為靈敏度25-50毫伏。
所述電壓比較器芯片的建立時間為70-90ns。
電壓比較器芯片的反相輸入端加一個固定的參考電壓，它的值取決于r1于r2，ur＝r2/(r1+r2)*ucc，同相端的電壓就等于熱敏元件rt的電壓降，當(dāng)機內(nèi)溫度為設(shè)定值以下時，“+”端電壓大于“-”端電壓，uo為高電位，當(dāng)溫度上升為設(shè)定值以上時，“-”端電壓大于“+”端，比較器反轉(zhuǎn)，uo輸出為零電位，使保護電路動作，調(diào)節(jié)r1的值可以改變門限電壓，既設(shè)定溫度值的大小。
原理如下：
電壓比較器它可用作模擬電路和數(shù)字電路的接口，還可以用作波形產(chǎn)生和變換電路等。利用簡單電壓比較器可將正弦波變?yōu)橥l率的方波或矩形波。
電壓比較器是對輸入信號進行鑒別與比較的電路，是組成非正弦波發(fā)生電路的基本單元電路。
常用的電壓比較器有單限比較器、滯回比較器、窗口比較器、三態(tài)電壓比較器等。
電壓比較器可以看作是放大倍數(shù)接近“無窮大”的運算放大器。
電壓比較器的功能：比較兩個電壓的大小(用輸出電壓的高或低電平，表示兩個輸入電壓的大小關(guān)系)：
當(dāng)”+”輸入端電壓高于”－”輸入端時，電壓比較器輸出為高電平；
當(dāng)”+”輸入端電壓低于”－”輸入端時，電壓比較器輸出為低電平；
可工作在線性工作區(qū)和非線性工作區(qū)。
工作在線性工作區(qū)時特點是虛短，虛斷；
工作在非線性工作區(qū)時特點是跳變，虛斷；
由于比較器的輸出只有低電平和高電平兩種狀態(tài)，所以其中的集成運放常工作在非線性區(qū)。從電路結(jié)構(gòu)上看，運放常處于開環(huán)狀態(tài)，又是為了使比較器輸出狀態(tài)的轉(zhuǎn)換更加快速，以提高響應(yīng)速度，一般在電路中接入正反饋。
簡單的電壓比較器結(jié)構(gòu)簡單，靈敏度高，但是抗干擾能力差，因此我們就要對它進行改進。改進后的電壓比較器有：滯回比較器和窗口比較器。
是通過反饋回路和輸入回路的確定“運算參數(shù)”，比如放大倍數(shù)，反饋量可以是輸出的電流或電壓的部分或全部。而比較器則不需要反饋，直接比較兩個輸入端的量，如果同相輸入大于反相，則輸出高電平，否則輸出低電平。電壓比較器輸入是線性量，而輸出是開關(guān)(高低電平)量。一般應(yīng)用中，有時也可以用線性運算放大器，在不加負反饋的情況下，構(gòu)成電壓比較器來使用。
本發(fā)明針對真空覆膜機高頻的特點，使用電壓比較器芯片，所述電壓比較器芯片為靈敏度25-50毫伏。所述電壓比較器芯片的建立時間為70-90ns。最大限度的保護了pwm驅(qū)動器的安全。
本說明書列舉的僅為本發(fā)明的較佳實施方式，凡在本發(fā)明的工作原理和思路下所做的等同技術(shù)變換，均視為本發(fā)明的保護范圍。