本發(fā)明涉及一種充電電路，具體涉及一種防反充防壓降的充電電路。

背景技術：

目前，在智能可穿戴設備中，充電管理IC一般使用單節(jié)鋰電池充電管理IC SGM4056進行管理，加上合適的充電線路，如附圖1所示，來進行充電，附圖1為5V的充電電路。該電路存在一個非常大的隱患，當充電接頭接反以后，充電IC SGM4056極易燒毀，且容易燒毀后級電路。

在設計上，申請人在充電輸入端接入一個二極管（如附圖2），以解決防反充的問題。但是，經過試驗，發(fā)現接入二極管以后，充電效率十分低下，甚至有時基本無法為可穿戴設備（如智能手表和智能手環(huán)）充電，究其原因，發(fā)現SGM4056的正常工作電壓值4.5~6.5V，如果使用二極管的防反充電路，由于二極管本身存在壓降（鍺管0.3-0.4V，硅管0.5-0.7V），這樣，或導致到達充電IC端的電壓小于4.5V，或者略大于4.5V，這樣就造成無法充電的情況。

技術實現要素：

本發(fā)明為解決上述的技術問題，提出一種防反充防壓降的充電電路，該電路可以很好地解決反充和壓降的問題，使得到達充電IC端的電壓基本維持在5V。

一種防反充充電電路，所述電路包括單節(jié)鋰電池充電管理IC，負極充電輸入線串接一電容C2后與所述正極充電輸入線并聯，一同接入到所述充電管理IC的電源輸入腳（VIN），其特征在于，在所述負極充電輸入線的輸入端與所述電容C2之間設置一NMOS管，所述NMOS管的漏極連接所述負極充電輸入線的輸入端，所述NMOS管的控制極連接電阻R5后，并接入所述正極充電輸入線，所述NMOS管的源極與所述電容連接，所述NMOS管的源極與所述電容之間的線路接地。

進一步地，所述單節(jié)鋰電池充電管理IC為SGM4056。

進一步地，所述SGM4056的GND腳接地，EN腳串接電阻R6后接地，IREF腳串接R7后接地，IMIN腳串接R8后接地，所述BAT腳接電池正極。

進一步地，所述電阻R6阻值為10kΩ，所述R7為【108,132】kΩ，所述R8為【675,825】kΩ。

進一步地，所述電容C2為4.7μF，所述電阻R5為10 kΩ。

進一步地，所述NMOS管未ME1702。

通過上述技術方案，實現了充電防反充，避免充電器接反燒毀手環(huán)設備，且基本不會降壓。

附圖說明

圖1是現有技術的充電電路。

圖2是加上二極管后的充電電路。

圖3是本發(fā)明的充電電路。

具體實施方式

現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能夠以多種形式實施，且不應被理解為限于在此闡述的范例；相反，提供這些實施方式使得本發(fā)明將更加全面和完整，并將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。附圖僅為本發(fā)明的示意性圖解，并非一定是按比例繪制。圖中相同的附圖標記表示相同或類似的部分，因而將省略對它們的重復描述。

此外，所描述的特征、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節(jié)從而給出對本發(fā)明的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本發(fā)明的技術方案而省略所述特定細節(jié)中的一個或更多，或者可以采用其它的方法、組元、裝置、步驟等。在其它情況下，不詳細示出或描述公知結構、方法、裝置、實現或者操作以避免喧賓奪主而使得本發(fā)明的各方面變得模糊。

如附圖1所述，單節(jié)鋰電池充電管理IC SGM4056當需要5V充電時，可以對充電電流進行設置，充電電流設置IREF=12200/R7（單位mA），R7為串接在IREF腳的電阻，串接后接地，電阻的阻值根據充電電流的設置，計算得出120kΩ，可以有1%的偏差，充電截止電流設置IMIN=11000/R8（單位mA），R8為串接在IMIN腳的電阻，串接后接地，電阻的阻值根據充電截止電流設置，計算得出750kΩ，可以有1%的偏差。SGM4056的引腳5（GND）接地，引腳4（EN）接入電阻R6后接地，R6的阻值為10kΩ，引腳8（BAT）接電池正極。在充電端，負極充電輸入線串接一電容C2后與所述正極充電輸入線并聯，一同接入到充電管理IC的電源輸入腳（VIN），負極充電輸入線與所述電容之間的線路接地。

由于目前的充電頭正負極區(qū)分不是特別明顯，因此，極大幾率存在正負極反接的情況，此時，當反接時，極易燒毀充電管理IC以及后級電路。

如附圖2所示，申請人針對防反充首先設計出采用二極管的方式，在負極充電輸入線和電容C2之間串接一二極管，有了二極管的存在，一旦出現反接的情況，整個電路不會通電，因此避免了電路燒毀的情況。但是，接上二極管后，隨之而來存在充不上電的情況。經過試驗，發(fā)現接入二極管以后，充電效率十分低下，甚至有時基本無法為可穿戴設備（如智能手表和智能手環(huán)）充電，究其原因，發(fā)現SGM4056的正常工作電壓值4.5~6.5V，如果使用二極管的防反充電路，由于二極管本身存在壓降（鍺管0.3-0.4V，硅管0.5-0.7V），這樣，或導致到達充電IC端的電壓小于4.5V，或者略大于4.5V，這樣就造成無法充電的情況。

如附圖3所示，為了既能防反充又保證輸入的電壓在充電IC的有效電壓區(qū)間，申請人設計了一個防反充低壓降的電路，所述電路包括單節(jié)鋰電池充電管理IC，負極充電輸入線串接一電容C2后與所述正極充電輸入線并聯，一同接入到所述充電管理IC的電源輸入腳（VIN），其特征在于，在所述負極充電輸入線的輸入端與所述電容C2之間設置一NMOS管，所述NMOS管的漏極連接所述負極充電輸入線的輸入端，所述NMOS管的控制極連接電阻R5后，并接入所述正極充電輸入線，所述NMOS管的源極與所述電容連接，所述NMOS管的源極與所述電容之間的線路接地。所述單節(jié)鋰電池充電管理IC為SGM4056。所述SGM4056的GND腳接地，EN腳串接電阻R6后接地，IREF腳串接R7后接地，IMIN腳串接R8后接地，所述BAT腳接電池正極。所述電容C2為4.7μF，所述電阻R5為10 kΩ。所述NMOS管未ME1702。

當外接電源正常接入時，5V_CHARGE+ 和 5V_CHARGE- 電壓為5V輸入，NMOS管正常導通， NMOS的Rds為35豪歐， 充電電流為100mA ， NMOS的Vds電壓差為 3.5mV，充電IC SGM4056的充電電壓為5-0.0035 = 4.9965V，壓降非常小，充電電壓在充電管理IC的有效范圍。

通過上述技術方案，實現了充電防反充，避免充電器接反燒毀手環(huán)設備，且基本不會降壓。

最后應說明的是：以上各實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的范圍。