本發(fā)明涉及電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電源裝置及其電容加熱控制方法。

背景技術(shù)：

在各類開關(guān)電源中，作為輸出濾波電容的電解電容在低溫下會(huì)出現(xiàn)明顯的容量減小，部分型號(hào)的電解電容在低溫下的容量下降幅度超過50％。輸出濾波電容容量的大幅減小會(huì)導(dǎo)致開關(guān)電源出現(xiàn)各類故障，例如，帶大負(fù)載啟動(dòng)電源可能會(huì)導(dǎo)致輸出濾波電容的電壓不穩(wěn)，從而超過開關(guān)電源的開關(guān)管的電壓規(guī)格。目前，在開關(guān)電源的應(yīng)用中，為防止因溫度過低而產(chǎn)生上述問題，通常的做法是給開關(guān)電源一定的熱機(jī)時(shí)間，一般需要幾分鐘到半小時(shí)左右。等待電解電容的容量達(dá)到需要的值時(shí)，再接入負(fù)載。此外，也有在電解電容的底端設(shè)置加熱器，并在開關(guān)電源開啟時(shí)首先通過加熱控制電路控制加熱器為電解電容加熱，以使得電解電容的容量恢復(fù)到正常值。然而，如果不設(shè)置加熱器，開關(guān)電源熱機(jī)通常需要較長(zhǎng)的時(shí)間，無法保證開關(guān)電源在低溫條件下的工作效率；如果設(shè)置加熱器，則會(huì)導(dǎo)致開關(guān)電源的生產(chǎn)成本增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種電源裝置及其電容加熱控制方法，以較低的成本在低溫條件下實(shí)現(xiàn)電源裝置的電容加熱，從而保證電源裝置的低溫條件下的工作效率。

本發(fā)明實(shí)施例第一方面提供一種電源裝置，其特征在于，包括：電壓轉(zhuǎn)換電路及加熱控制電路；

所述電壓轉(zhuǎn)換電路包括開關(guān)電源電路、第一電容及第二電容，所述開關(guān)電源電路包括電壓輸入端和電壓輸出端，所述第一電容的第一端與所述電壓輸入端電連接，所述第二電容的第一端與所述電壓輸出端連接，所述第一電容的第二端與所述第二電容的第二端電連接；

所述加熱控制電路包括可控開關(guān)，所述可控開關(guān)電連接于所述電壓輸入端與所述電壓輸出端之間，所述可控開關(guān)用于在預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通，并在所述第一電容與所述第二電容之間形成充放電回路；

所述充放電回路用于在所述第一電容和所述第二電容之間傳導(dǎo)充放電電流，并通過所述充放電電流為所述第二電容加熱。

其中，通過所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)控制所述加熱控制電路中的可控開關(guān)導(dǎo)通，從而在所述第一電容與所述第二電容之間形成充放電回路，由于充放電回路在電流的作用下會(huì)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而可以通過所述第一電容和所述第二電容之間的充放電電流來對(duì)所述第二電容加熱，可以有效防止因所述第二電容的容量在低溫條件下出現(xiàn)大幅下降而影響所述電源裝置的正常使用，從而保證電源裝置在低溫條件下的工作效率。

在一種實(shí)施方式中，所述加熱控制電路還包括限流電阻，所述限流電阻與所述可控開關(guān)串聯(lián)，用于限制所述充放電回路上的充放電電流的大小。

其中，所述限流電阻可以防止所述充放電回路上的充放電電流過大而損壞所述可控開關(guān)。

在一種實(shí)施方式中，所述電源裝置還包括開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路與所述可控開關(guān)的控制端電連接，用于輸出所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)，并根據(jù)所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述可控開關(guān)導(dǎo)通或截止。

在一種實(shí)施方式中，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路為隔離式驅(qū)動(dòng)電路。

在一種實(shí)施方式中，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路包括光耦合器和驅(qū)動(dòng)器，所述光耦合器一端與所述驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)輸出端電連接，另一端與所述可控開關(guān)的控制端電連接，用于將所述驅(qū)動(dòng)器的信號(hào)輸出端輸出的預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)耦合至所述可控開關(guān)的控制端。

其中，通過所述光耦合器將所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路設(shè)置為隔離式驅(qū)動(dòng)電路，從而可以有效防止所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路對(duì)所述電源裝置的開關(guān)電源電路產(chǎn)生干擾，從而保證所述開關(guān)電源電路的穩(wěn)定性。

在一種實(shí)施方式中，所述開關(guān)電源電路包括儲(chǔ)能電感、第一開關(guān)管及第二開關(guān)管，所述儲(chǔ)能電感的第一端與所述電壓輸入端電連接，所述儲(chǔ)能電感的第二端與所述第一開關(guān)管的第一端及所述第二開關(guān)管的第一端電連接，所述第一開關(guān)管的第二端與所述第一電容的第二端及所述第二電容的第二端電連接，所述第二開關(guān)管的第二端與所述電壓輸出端電連接。

在一種實(shí)施方式中，所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)與所述第一開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)相同。

其中，通過將所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)設(shè)置為與所述第一開關(guān)管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)相同，可以使得所述第一開關(guān)管在導(dǎo)通并為所述儲(chǔ)能電感充電的同時(shí)，控制所述可控開關(guān)導(dǎo)通來形成所述充放電回路，進(jìn)而對(duì)所述第二電容加熱，無需單獨(dú)為所述可控開關(guān)設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路，從而可以防止單獨(dú)設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路對(duì)所述開關(guān)電源電路的干擾，并降低所述電源裝置的生產(chǎn)成本。

在一種實(shí)施方式中，所述電源裝置還包括與所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路電連接的電容容量檢測(cè)電路，所述電容容量檢測(cè)電路還與所述第一電容和所述第二電容電連接，用于檢測(cè)所述第二電容的容量，并在所述第二電容的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路停止工作，所述電源裝置進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

在一種實(shí)施方式中，所述電容容量檢測(cè)電路包括電壓檢測(cè)電路和容量計(jì)算電路，所述電壓檢測(cè)電路與所述第一電容和所述第二電容電連接，用于在所述可控開關(guān)導(dǎo)通期間檢測(cè)所述第一電容的電壓，并至少兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓，其中，相鄰兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓的時(shí)間間隔為預(yù)設(shè)時(shí)間間隔，并分別得到所述第二電容的第一電壓和所述第二電容的第二電壓，所述容量計(jì)算電路用于根據(jù)所述第一電容的電壓、所述第二電容的第一電壓和第二電壓及所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔，計(jì)算所述第二電容的容量。

其中，在對(duì)所述第二電容進(jìn)行加熱的過程中，通過檢測(cè)所述第二電容的容量，從而可以在所述第二電容的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述可控開關(guān)截止，即當(dāng)所述第二電容的容量可以滿足所述電源裝置的負(fù)載驅(qū)動(dòng)需求時(shí)，停止對(duì)所述第二電容加熱，從而可以在使得所述第二電容的容量恢復(fù)到所需要的容量的同時(shí)，有效控制所述電源裝置的功耗。

本發(fā)明實(shí)施例第二方面提供一種電容加熱控制方法，包括：

在電壓轉(zhuǎn)換電路的電壓輸入端與電壓輸出端之間設(shè)置加熱控制電路，所述加熱控制電路包括可控開關(guān)；

根據(jù)預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述可控開關(guān)導(dǎo)通，并在所述電壓轉(zhuǎn)換電路的第一電容與第二電容之間形成充放電回路；

通過所述充放電回路在所述第一電容和所述第二電容之間傳導(dǎo)充放電電流，并通過所述充放電電流為所述第二電容加熱。

其中，通過所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)控制所述加熱控制電路中的可控開關(guān)導(dǎo)通，從而在所述第一電容與所述第二電容之間形成充放電回路，由于充放電回路在電流的作用下會(huì)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而可以通過所述第一電容和所述第二電容之間的充放電電流來對(duì)所述第二電容加熱，可以有效防止因所述第二電容的容量在低溫條件下出現(xiàn)大幅下降而影響所述電源裝置的正常使用，從而保證電源裝置在低溫條件下的工作效率。

在一種實(shí)施方式中，所述方法還包括：檢測(cè)所述第二電容的容量，并在所述第二電容的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路停止工作，所述電源裝置進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

在一種實(shí)施方式中，所述檢測(cè)所述第二電容的容量，包括：

在所述可控開關(guān)導(dǎo)通期間檢測(cè)所述第一電容的電壓；

在所述可控開關(guān)導(dǎo)通期間至少兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓，分別得到所述第二電容的第一電壓和所述第二電容的第二電壓，其中，相鄰兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓的時(shí)間間隔為預(yù)設(shè)時(shí)間間隔；

根據(jù)所述第一電容的電壓、所述第二電容的第一電壓和第二電壓及所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔，計(jì)算所述第二電容的容量。

其中，在對(duì)所述第二電容進(jìn)行加熱的過程中，通過檢測(cè)所述第二電容的容量，從而可以在所述第二電容的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述可控開關(guān)截止，即當(dāng)所述第二電容的容量可以滿足所述電源裝置的負(fù)載驅(qū)動(dòng)需求時(shí)，停止對(duì)所述第二電容加熱，從而可以在使得所述第二電容的容量恢復(fù)到所需要的容量的同時(shí)，有效控制所述電源裝置的功耗。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中以及本發(fā)明實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的電源裝置的第一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的電源裝置的第二結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的電源裝置的第三結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的電容加熱控制方法的第一流程示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的電容加熱控制方法的第二流程示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例提供的電容加熱控制方法的第三流程示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述。

請(qǐng)參閱圖1，在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，提供一種電源裝置100，包括：電壓轉(zhuǎn)換電路110、加熱控制電路130及開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150。

所述電壓轉(zhuǎn)換電路110包括開關(guān)電源電路111、第一電容c1及第二電容c2，所述開關(guān)電源電路111包括電壓輸入端in和電壓輸出端out，所述第一電容c1的第一端與所述電壓輸入端in電連接，所述第二電容c2的第一端與所述電壓輸出端out連接，所述第一電容c1的第二端與所述第二電容c2的第二端電連接。

所述加熱控制電路130包括可控開關(guān)k，所述可控開關(guān)k電連接于所述電壓輸入端in與所述電壓輸出端out之間，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150與所述可控開關(guān)k的控制端電連接，用于輸出預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)，所述可控開關(guān)k用于在所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)的驅(qū)動(dòng)下導(dǎo)通，并在所述第一電容c1與所述第二電容c2之間形成充放電回路。

所述充放電回路用于在所述第一電容c1和所述第二電容c2之間傳導(dǎo)充放電電流，并通過所述充放電電流為所述第二電容c2加熱。

在本實(shí)施例中，所述電壓轉(zhuǎn)換電路110為boost電路，所述第一電容c1為所述boost電路的輸入濾波電容，所述第二電容c2為所述boost電路的輸出濾波電容。所述第二電容c2為電解電容。所述開關(guān)電源電路111包括儲(chǔ)能電感l(wèi)1、第一開關(guān)管q1及第二開關(guān)管q2，所述儲(chǔ)能電感l(wèi)1的第一端與所述電壓輸入端in電連接，所述儲(chǔ)能電感l(wèi)1的第二端與所述第一開關(guān)管q1的第一端及所述第二開關(guān)管q2的第一端電連接，所述第一開關(guān)管q1的第二端與所述第一電容c1的第二端及所述第二電容c2的第二端電連接，所述第二開關(guān)管q2的第二端與所述電壓輸出端out電連接。其中，所述第一開關(guān)管q1可以為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,mosfet)，所述第二開關(guān)管q2可以為二極管或mosfet，若所述第二開關(guān)管q2為二極管，則該二極管的正極與所述儲(chǔ)能電感l(wèi)1的第二端電連接，負(fù)極與所述電壓輸出端out電連接。

可以理解，由于在低溫條件下，電解電容的容量會(huì)大幅度降低，從而可能影響所述電源裝置100的穩(wěn)定性。因此，通過在所述開關(guān)電源電路111的電壓輸入端in和電壓輸出端out之間設(shè)置包括所述可控開關(guān)k的加熱控制電路130，并通過所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)控制所述可控開關(guān)k導(dǎo)通，從而在所述第一電容c1與所述第二電容c2之間形成充放電回路，由于充放電回路存在的回路阻抗在電流的作用下會(huì)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而可以通過所述充放電電流來對(duì)所述第二電容c2加熱，防止因所述第二電容c2的容量在低溫條件下出現(xiàn)大幅下降而影響所述電源裝置100的正常使用，從而保證電源裝置100在低溫條件下的工作效率。

可以理解，隨著所述可控開關(guān)k導(dǎo)通時(shí)間的增加，所述第二電容c2的溫度逐漸升高，相應(yīng)地，所述第二電容c2的容量也逐漸升高，當(dāng)所述第二電容c2的容量達(dá)到預(yù)設(shè)閾值時(shí)，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150還用于根據(jù)所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述可控開關(guān)k截止。進(jìn)一步地，由于所述第二電容c2的容量已經(jīng)能夠滿足需求，從而可以控制所述開關(guān)電源電路111進(jìn)入正常工作模式。其中，所述可控開關(guān)k可以為mosfet或雙極結(jié)型晶體管(bipolarjunctiontransistor，bjt)。

請(qǐng)參閱圖2，在一種實(shí)施方式中，所述加熱控制電路130還包括限流電阻r1，所述限流電阻r1與所述可控開關(guān)k串聯(lián)，用于限制所述充放電回路上的充放電電流的大小?？梢岳斫?，所述限流電阻r1的大小可以根據(jù)所述可控開關(guān)k的電流規(guī)格來選擇。

可以理解，為防止所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150對(duì)所述開關(guān)電源電路111產(chǎn)生干擾，可以將所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150設(shè)置為隔離式驅(qū)動(dòng)電路。

如圖2所示，在一種實(shí)施方式中，所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150可以包括光耦合器151和驅(qū)動(dòng)器153，所述光耦合器151一端與所述驅(qū)動(dòng)器153的信號(hào)輸出端電連接，另一端與所述可控開關(guān)k的控制端電連接，用于將所述驅(qū)動(dòng)器153的信號(hào)輸出端輸出的預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)耦合至所述可控開關(guān)k的控制端?？梢岳斫?，通過所述光耦合器151將所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150設(shè)置為隔離式驅(qū)動(dòng)電路，從而可以有效防止所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150對(duì)所述電源裝置100的開關(guān)電源電路111產(chǎn)生干擾，從而保證所述開關(guān)電源電路111的穩(wěn)定性。

在一種實(shí)施方式中，還可以將所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)設(shè)置為與所述第一開關(guān)管q1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)相同，從而可以在所述儲(chǔ)能電感l(wèi)1存儲(chǔ)電能的同時(shí)導(dǎo)通所述充放電回路，即在所述儲(chǔ)能電感l(wèi)1存儲(chǔ)電能的過程中完成對(duì)所述第二電容c2的加熱?？梢岳斫猓ㄟ^復(fù)用所述第一開關(guān)管q1的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來對(duì)所述可控開關(guān)k進(jìn)行控制，無需單獨(dú)為所述可控開關(guān)k設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路，從而可以防止單獨(dú)設(shè)置驅(qū)動(dòng)電路對(duì)所述開關(guān)電源電路111的干擾，并降低所述電源裝置100的生產(chǎn)成本。

請(qǐng)參閱圖3，在一種實(shí)施方式中，所述電源裝置100還包括與所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150電連接的電容容量檢測(cè)電路170，所述電容容量檢測(cè)電路170還與所述第一電容c1和所述第二電容c2電連接，用于檢測(cè)所述第二電容c2的容量，并在所述第二電容c2的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150驅(qū)動(dòng)所述可控開關(guān)k截止。

在一種實(shí)施方式中，所述電容容量檢測(cè)電路170包括電壓檢測(cè)電路171和容量計(jì)算電路173，所述電壓檢測(cè)電路171與所述第一電容c1和所述第二電容c2電連接，用于在所述可控開關(guān)k導(dǎo)通期間檢測(cè)所述第一電容c1的電壓vc1，并至少兩次檢測(cè)所述第二電容c2的電壓，其中，相鄰兩次檢測(cè)所述第二電容c2的電壓的時(shí)間間隔為預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx，并分別得到所述第二電容c2的第一電壓vbus1和所述第二電容c2的第二電壓vbus2，所述容量計(jì)算電路173用于根據(jù)所述第一電容c1的電壓vc1、所述第二電容c2的第一電壓vbus1和第二電壓vbus2及所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx，計(jì)算所述第二電容c2的容量。

可以理解，在一種實(shí)施方式中，所述容量計(jì)算電路173可以包括處理器(圖未示)，所述處理器觸發(fā)所述電壓檢測(cè)電路171檢測(cè)所述第一電容c1和第二電容c2的電壓，并記錄檢測(cè)所述第二電容c1的第一電壓vbus1和第二電壓vbus2之間的預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx，進(jìn)而根據(jù)所述第一電容c1的電壓vc1、所述第二電容c2的第一電壓vbus1和第二電壓vbus2及所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx，計(jì)算所述第二電容c2的容量，并將所述第二電容c2的容量與預(yù)設(shè)閾值進(jìn)行比較，在所述第二電容c2的容量大于或等于所述預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150輸出關(guān)斷所述可控開關(guān)k的控制信號(hào)。可以理解，所述處理器還可以與所述第一開關(guān)管q1及所述第二開關(guān)管q2的驅(qū)動(dòng)電路(圖未示)電連接，從而可以在觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路150輸出關(guān)斷所述可控開關(guān)k的控制信號(hào)之后，控制所述開關(guān)電源電路111進(jìn)入正常工作模式。

具體地，當(dāng)所述加熱控制電路130包括所述限流電阻r1時(shí)，在所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx內(nèi)，通過所述限流電阻r1的電流i1＝(vbus-vc1)/r1，其中，vbus為所述第一電壓vbus1和所述第二電壓vbus2的均值，或者，vbus也可以近似等于所述第一電壓vbus1或所述第二電壓vbus2。相應(yīng)地，在所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔tx內(nèi)，所述第二電容c2的放電電荷量為q＝i1*tx＝(vbus-vc1)*tx/r1，所述第二電容c2的電壓變化量u＝vbus1-vbus2。根據(jù)上述條件，可以計(jì)算得到所述第二電容c2的當(dāng)前電容容量c＝(vbus-vc1)*tx/[r1*(vbus1-vbus2)]。可以理解，若所述加熱控制電路130不包括所述限流電阻r1，則可以用所述加熱控制電路130上的等效阻抗來代替。

可以理解，由于電容中會(huì)存在等效串聯(lián)電阻(equivalentseriesresistance，esr)，應(yīng)盡量避免在所述可控開關(guān)k剛導(dǎo)通時(shí)檢測(cè)所述第二電容c2的第一電壓vbus1。若要在所述可控開關(guān)k剛導(dǎo)通時(shí)檢測(cè)所述第二電容c2的第一電壓vbus1，則需要將所述第一電壓vbus1減去esr*(vbus-vc1)/r1。若避開所述可控開關(guān)k剛導(dǎo)通時(shí)的任意時(shí)間檢測(cè)所述第二電容c2的電壓，則無需考慮esr的影響。

可以理解，在一種實(shí)施方式中，由于所述第二電容c2通過所述加熱控制電路130對(duì)所述第一電容c1放電，因此還可以通過對(duì)所述第一電容c1的容量檢測(cè)來判斷所述第二電容c1的電容容量變化。可以理解，對(duì)于第一電容c1的容量檢測(cè)，可以采用與第二電容c2的容量檢測(cè)相同的方法，具體可以參照?qǐng)D3所示實(shí)施例中的相關(guān)描述，此處不再贅述。

請(qǐng)參閱圖4，在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，提供一種電容加熱控制方法，其可以應(yīng)用于如圖1至圖3所示實(shí)施例中提供的所述電源裝置100中，用于對(duì)所述電源裝置100的電容進(jìn)行加熱控制，所述電容加熱控制方法至少包括如下步驟：

步驟401：在電壓轉(zhuǎn)換電路的電壓輸入端與電壓輸出端之間設(shè)置加熱控制電路，所述加熱控制電路包括可控開關(guān)；

步驟402：根據(jù)預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)所述可控開關(guān)導(dǎo)通，并在所述電壓轉(zhuǎn)換電路的第一電容與第二電容之間形成充放電回路；

步驟403：通過所述充放電回路在所述第一電容和所述第二電容之間傳導(dǎo)充放電電流，并通過所述充放電電流為所述第二電容加熱。

請(qǐng)參閱圖5，在一種實(shí)施方式中，所述方法還包括：

步驟404：檢測(cè)所述第二電容的容量，并在所述第二電容的容量超過預(yù)設(shè)閾值時(shí)，觸發(fā)所述開關(guān)驅(qū)動(dòng)電路停止工作，所述電源裝置進(jìn)入正常工作狀態(tài)。

請(qǐng)參閱圖6，在一種實(shí)施方式中，所述檢測(cè)所述第二電容的容量，包括：

步驟601：在所述可控開關(guān)導(dǎo)通期間檢測(cè)所述第一電容的電壓；

步驟602：在所述可控開關(guān)導(dǎo)通期間至少兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓，分別得到所述第二電容的第一電壓和所述第二電容的第二電壓，其中，相鄰兩次檢測(cè)所述第二電容的電壓的時(shí)間間隔為預(yù)設(shè)時(shí)間間隔；

步驟603：根據(jù)所述第一電容的電壓、所述第二電容的第一電壓和第二電壓及所述預(yù)設(shè)時(shí)間間隔，計(jì)算所述第二電容的容量。

可以理解，所述電容加熱控制方法中各步驟的具體實(shí)現(xiàn)還可以參照?qǐng)D1至圖3所示實(shí)施例中的相關(guān)描述，此處不再贅述。

在本發(fā)明實(shí)施例中，所述電源裝置及其電容加熱控制方法通過所述預(yù)設(shè)開關(guān)控制信號(hào)控制所述加熱控制電路中的可控開關(guān)導(dǎo)通，從而在所述第一電容與所述第二電容之間形成充放電回路，由于充放電回路在電流的作用下會(huì)產(chǎn)生熱量，進(jìn)而可以通過所述第一電容和所述第二電容之間的充放電電流來對(duì)所述第二電容加熱，可以有效防止因所述第二電容的容量在低溫條件下出現(xiàn)大幅下降而影響所述電源裝置的正常使用，從而保證電源裝置在低溫條件下的工作效率。