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一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路的制作方法

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一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路的制作方法與工藝

本發(fā)明涉及一種變換器控制電路,具體是一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路。



背景技術(shù):

DC/DC變換器作為實(shí)現(xiàn)不同直流電壓的轉(zhuǎn)換,一般傳統(tǒng)的DC/DC變換器為單向轉(zhuǎn)換以及非隔離的BUCK-BOOST拓?fù)涞腄C/DC變換?,F(xiàn)為滿足儲(chǔ)能,能源的充分利用。在車載以及,電池化成方面,DC/DC雙向變換已經(jīng)迫切需要,傳統(tǒng)的非隔離型DC/DC變換器,由于不具備電氣隔離在安全方面存在隱患,故隔離型DC/DC雙向變換器成為主要研究對(duì)象。

DC/DC變換器中以LLC拓?fù)渥顬閮?yōu)先,LLC拓?fù)溆兄鴰缀跞秶鷥?nèi)能實(shí)現(xiàn)ZVS,并在f<fr(諧振頻率)副邊整流管能實(shí)現(xiàn)ZCS,其控制方式為PFM,作為天生的抖頻模式,可改善電路的EMC。如圖1為傳統(tǒng)全橋LLC DC/DC變換器,為單向的二極管整流方式。

如圖2所示,為L(zhǎng)LC DC/DC變換器同步整流。傳統(tǒng)的二極管整流,在低壓大電流輸出情況下,二極管的導(dǎo)通損耗占的比例大,使得電路效率難以調(diào)整,損耗的增加又帶來(lái)了散熱難度,需要增加相應(yīng)的散熱措施,增加了散熱成本,模塊化體積也難以做小,并降低了電路可靠性,同時(shí)實(shí)現(xiàn)不了DC/DC雙向變換的功能。

DC/DC變換器若采用同步整流,則可減少整流管帶來(lái)的導(dǎo)通損耗,提高了電路效率,散熱成本降低,電路功率密度也可做高,同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)DC/DC雙向變換功能。

LLC DC/DC變換器同步整流,其帶來(lái)了一些問(wèn)題如在f<fr,以及P<Po(額定功率)條件下,同步整流技術(shù)會(huì)帶來(lái)電流反灌問(wèn)題。電流反灌問(wèn)題會(huì)使得,副邊管子關(guān)斷時(shí)出現(xiàn)Vds尖峰應(yīng)力以及副邊關(guān)斷損耗增加,同時(shí)耦合至原邊使得原邊通過(guò)體二極管電流回饋,原邊管子體二極管的反向恢復(fù)可能會(huì)造成原邊管子互通瞬間短路,這可能造成原邊管子損壞。這大大降低了電路可靠性,防反灌技術(shù)必須實(shí)現(xiàn)。圖2為一般的LLC DC/DC同步整流簡(jiǎn)構(gòu)圖。

圖2,是LLC DC/DC變換器同步整流框圖,包含了采用同步整流IC方案以及利用采集副邊電流,對(duì)電流進(jìn)行采樣,檢測(cè)電流過(guò)零點(diǎn),來(lái)實(shí)現(xiàn)同步整流技術(shù)。

對(duì)于傳統(tǒng)的LLC DC/DC變換同步整流在低壓態(tài)下,大都使用同步整流IC技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn),其簡(jiǎn)單可靠。如果在DC/DC變換中兩邊都存在高壓情況時(shí),傳統(tǒng)的同步整流IC技術(shù)已經(jīng)不適合應(yīng)用到這上面,故采用檢測(cè)電流的方式,進(jìn)行同步整流控制,使用DSP軟件邏輯控制,控制靈活。

對(duì)于雙向DC/DC變換同步整流,利用電流采樣進(jìn)行電流過(guò)零檢測(cè),其需要有相應(yīng)的控制信號(hào)進(jìn)行雙向工作的判別,同時(shí)需要添加相應(yīng)的邏輯控制。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本發(fā)明的目的在于提供一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路,以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:

一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路,包括左右對(duì)稱的Va側(cè)電路和Vb側(cè)電路,所述Va側(cè)電路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4,Vb側(cè)電路包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7和MOS管Q8,MOS管Q1的漏極連接MOS管Q2的漏極、電容Ca和電壓Va,MOS管Q1的漏極連接電容Cr和MOS管Q3的漏極,MOS管Q2的源極連接變壓器T1的繞組LM和MOS管Q4的漏極,MOS管Q1的柵極連接MOS管Q4的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg11/Vg110,MOS管Q2的柵極連接MOS管Q3的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg22/Vg220,電容Cr的另一端連接電感Lr,MOS管Q1的漏極連接MOS管Q2的漏極、電容Ca和電壓Va,MOS管Q5的漏極連接電容Cb和MOS管Q6的漏極,MOS管Q6的源極連接變壓器T1,MOS管Q5的柵極連接MOS管Q8的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg33/Vg331,MOS管Q6的柵極連接MOS管Q7的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg44/Vg441,MOS管Q3的源極連接電容Ca的另一端、MOS管Q4的源極和電阻R1,電阻R1的另一端連接比較器U1D的同相輸入端,比較器U1D的反相輸入端通過(guò)電阻R2接地,比較器U1D的輸出端連接二極管D11、電阻R18和電阻R4,電阻R18的另一端連接三極管Q1的發(fā)射極和比較器U4的反相輸入端,比較器U4的輸出端連接電阻R14和DSP,二極管D11的陰極連接信號(hào)Vs11,DSP輸出的Vs22信號(hào)連接比較器U1的反相輸入端和二極管D13的陰極,比較器U1的同相輸入端連接電阻R6,比較器U1的輸出端連接與門A3的一個(gè)輸入端和與門A5的一個(gè)輸入端,與門A3的另一個(gè)輸入端連接DSP,與門A3的輸出端連接與門A4的一個(gè)輸入端,與門A4的另一個(gè)輸入端連接與門A6的一個(gè)輸入端和三極管Q1的基極,與門A4的輸出端連接二極管D66的陽(yáng)極,二極管D66的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg33,與門A6的輸出端連接二極管D122的陽(yáng)極,二極管D122的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg44,與門A6的另一個(gè)輸入端連接與門A5的輸出端,與門A5的另一個(gè)輸入端連接DSP,二極管D13的陽(yáng)極連接電容C1、電容C2、電阻R5和二極管D12的陰極,電容C1的另一端連接二極管D18的陰極和二極管D19的陰極,二極管D18的陽(yáng)極連接二極管D118的陽(yáng)極和DSP,二極管D118的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg110。

作為本發(fā)明再進(jìn)一步的方案:所述三極管Q1均為P型三極管。

與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:

1、本發(fā)明在雙向DC/DC變換,采用LLC拓?fù)溥M(jìn)行雙向變換下,能夠雙向變換情況下都能對(duì)電流過(guò)零點(diǎn)判斷,增加濾除第一個(gè)過(guò)零點(diǎn)的誤判,同時(shí)利用PWM控制,改善整流副邊側(cè)在處于感性區(qū)域容性區(qū)整流管的開關(guān)特性以及,MOS體二極管反向恢復(fù)造成的影響,與傳統(tǒng)的同步整流IC來(lái)控制而言,更適合應(yīng)用于高低壓場(chǎng)合,其應(yīng)用范圍更廣。在實(shí)現(xiàn)雙向DC/DC防反灌的同時(shí),又可利用其電流檢測(cè)實(shí)現(xiàn)死區(qū)時(shí)間的調(diào)節(jié),這解決LLC極限條件下可能實(shí)現(xiàn)不了ZVS軟開關(guān)問(wèn)題,提高了電路效率,改善了電路EMC,電路可靠性也大大提高了。

2、針對(duì)同樣通過(guò)檢測(cè)電流實(shí)現(xiàn)同步整流反灌問(wèn)題,著增加了PWM消隱電路濾除第一個(gè)零點(diǎn)帶來(lái)的誤判,同時(shí)發(fā)明一種原副邊驅(qū)動(dòng)時(shí)間上錯(cuò)開一小段時(shí)間t,用來(lái)防止消隱時(shí)間內(nèi)帶來(lái)的電流反灌。其能在電流檢測(cè)防反灌技術(shù)上做到更好的保護(hù)管子不受損壞,大大提高了電路的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)1的電路圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)2的電路圖。

圖3為本發(fā)明的電路圖。

圖4為本發(fā)明Va-Vb工作模式的DSP波形圖。

圖5為本發(fā)明Vb-Va工作模式的DSP波形圖。

圖6為本發(fā)明一種實(shí)施例的電路圖。

圖7為本發(fā)明實(shí)施例Va-Vb工作模式的DSP波形圖。

圖8為本發(fā)明實(shí)施例Vb-Va工作模式的DSP波形圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

請(qǐng)參閱圖1~8,本發(fā)明實(shí)施例中,本發(fā)明提出一種具有雙向同步整流和死區(qū)自調(diào)節(jié)的變換器控制電路,包括左右對(duì)稱的Va側(cè)電路和Vb側(cè)電路,所述Va側(cè)電路包括MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3和MOS管Q4,Vb側(cè)電路包括MOS管Q5、MOS管Q6、MOS管Q7和MOS管Q8,MOS管Q1的漏極連接MOS管Q2的漏極、電容Ca和電壓Va,MOS管Q1的漏極連接電容Cr和MOS管Q3的漏極,MOS管Q2的源極連接變壓器T1的繞組LM和MOS管Q4的漏極,MOS管Q1的柵極連接MOS管Q4的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg11/Vg110,MOS管Q2的柵極連接MOS管Q3的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg22/Vg220,電容Cr的另一端連接電感Lr,MOS管Q1的漏極連接MOS管Q2的漏極、電容Ca和電壓Va,MOS管Q5的漏極連接電容Cb和MOS管Q6的漏極,MOS管Q6的源極連接變壓器T1,MOS管Q5的柵極連接MOS管Q8的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg33/Vg331,MOS管Q6的柵極連接MOS管Q7的柵極和驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg44/Vg441,MOS管Q3的源極連接電容Ca的另一端、MOS管Q4的源極和電阻R1,電阻R1的另一端連接比較器U1D的同相輸入端,比較器U1D的反相輸入端通過(guò)電阻R2接地,比較器U1D的輸出端連接二極管D11、電阻R18和電阻R4,電阻R18的另一端連接三極管Q1的發(fā)射極和比較器U4的反相輸入端,比較器U4的輸出端連接電阻R14和DSP,二極管D11的陰極連接信號(hào)Vs11,DSP輸出的Vs22信號(hào)連接比較器U1的反相輸入端和二極管D13的陰極,比較器U1的同相輸入端連接電阻R6,比較器U1的輸出端連接與門A3的一個(gè)輸入端和與門A5的一個(gè)輸入端,與門A3的另一個(gè)輸入端連接DSP,與門A3的輸出端連接與門A4的一個(gè)輸入端,與門A4的另一個(gè)輸入端連接與門A6的一個(gè)輸入端和三極管Q1的基極,與門A4的輸出端連接二極管D66的陽(yáng)極,二極管D66的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg33,與門A6的輸出端連接二極管D122的陽(yáng)極,二極管D122的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg44,與門A6的另一個(gè)輸入端連接與門A5的輸出端,與門A5的另一個(gè)輸入端連接DSP,二極管D13的陽(yáng)極連接電容C1、電容C2、電阻R5和二極管D12的陰極,電容C1的另一端連接二極管D18的陰極和二極管D19的陰極,二極管D18的陽(yáng)極連接二極管D118的陽(yáng)極和DSP,二極管D118的陰極連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)Vg110。

三極管Q1均為P型三極管。

本發(fā)明的工作原理是:由于是DC/DC雙向變換器,所以針對(duì)雙向,設(shè)置一個(gè)標(biāo)志位信號(hào)Fg,通過(guò)工作不同的工作模式對(duì)標(biāo)志位信號(hào)Fg幅值不一樣,以高低電平為例,1表示高電平,0表示低電平。

如電路工作在Va→Vb時(shí),F(xiàn)g=1;工作在Vb→Va時(shí),F(xiàn)g=0;原邊驅(qū)動(dòng)與副邊驅(qū)動(dòng)是同時(shí)刻且驅(qū)動(dòng)時(shí)間長(zhǎng)度是一樣的。對(duì)于LLC而言,由于副邊電流波形近似正弦,故其電流波形存在2個(gè)過(guò)零點(diǎn),利用原邊PWM對(duì)副邊采樣的電流波形進(jìn)行消隱處理,可屏蔽第一個(gè)零點(diǎn)帶來(lái)的誤判斷。DSP有8個(gè)PWM驅(qū)動(dòng)口,分別應(yīng)用于雙向變換之中。

1:工作在Va→Vb條件下,DSP判斷,給出Fg=1。其DSP發(fā)出的驅(qū)動(dòng)波形如圖3所示,A2,A8與門輸出為低電平,Q1與Q4驅(qū)動(dòng)直接接Vg110,Q2與Q3驅(qū)動(dòng)直接接Vg220。Q5,Q8的驅(qū)動(dòng)連接Vg33,Q6,Q7的驅(qū)動(dòng)連接Vg44。Vb側(cè)作為副邊,通過(guò)Vb側(cè)精密采樣電阻Rs2對(duì)副邊電流進(jìn)行采樣,由于Rs2上電流波形是正弦波,在第一個(gè)零點(diǎn)時(shí),Vg1與Vg2對(duì)電容充電,使得Vs22>(Vref-VF),比較器U1輸出為高電平,F(xiàn)g=1,Vg33與Vg44分別跟隨Vg333與Vg444。

當(dāng)在某一時(shí)刻,Vb側(cè)Rs2上采樣電壓為零時(shí),Vs22<(Vref-VF),U1比較器輸出低電平,Vg33與Vg44驅(qū)動(dòng)關(guān)斷,這樣在電流開始反灌的時(shí)刻,電流過(guò)零檢測(cè),直接關(guān)斷Vb側(cè)同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào),實(shí)現(xiàn)了防反灌功能,

在Va側(cè)Rs1電阻采樣,在某一時(shí)刻,Q1,Q4關(guān)斷,原邊電流經(jīng)過(guò)Q2,Q3體二極管續(xù)流,在續(xù)流時(shí)刻開始,Rs1上電壓采樣信號(hào)變成負(fù)值;當(dāng)Rs1采樣的電壓小于Vth1時(shí),U4比較器輸出低電平,發(fā)送給DSP,DSP檢測(cè)到低電平,則立刻發(fā)出Q2,Q3驅(qū)動(dòng),Vth1設(shè)置的值,能夠要保證管子已經(jīng)抽調(diào)其本身的Coss結(jié)電容。這樣對(duì)于傳統(tǒng)的定死區(qū)時(shí)間設(shè)置,可提高效率,實(shí)現(xiàn)LLC全范圍內(nèi)的ZVS。實(shí)現(xiàn)了Va→Vb工作狀態(tài)下,Va側(cè)的死區(qū)調(diào)節(jié),Vb側(cè)的同步整流防反灌控制。

2:工作在Vb→Va條件下,DSP判斷,給出Fg=0。其DSP發(fā)出驅(qū)動(dòng)波形如圖4所示:A4,A6與門輸出為低電平,Q5與Q8驅(qū)動(dòng)直接接Vg331,Q6與Q7驅(qū)動(dòng)直接接Vg441。Q1,Q4的驅(qū)動(dòng)連接Vg11,Q2,Q3的驅(qū)動(dòng)連接Vg22.Va側(cè)作為副邊,通過(guò)Va側(cè)精密采樣電阻Rs1對(duì)副邊電流進(jìn)行采樣,由于Rs1上電流波形是正弦波,在第一個(gè)零點(diǎn)時(shí),Vg3與Vg4對(duì)電容充電,使得Vs11>(Vref-VF),比較器U2輸出為高電平,F(xiàn)g=1,Vg11與Vg22分別跟隨Vg111與Vg222。

當(dāng)在某一時(shí)刻,Va側(cè)Rs1上采樣電壓為零時(shí),Vs11<(Vref-VF),U2比較器輸出低電平,Vg11或Vg22驅(qū)動(dòng)關(guān)斷,這樣在電流開始反灌的時(shí)刻,電流過(guò)零檢測(cè),直接關(guān)斷Va側(cè)同步整流驅(qū)動(dòng)信號(hào),實(shí)現(xiàn)了防反灌功能。

在Vb側(cè)Rs1電阻采樣,在某一時(shí)刻,Q5,Q8關(guān)斷,原邊電流經(jīng)過(guò)Q6,Q7體二極管續(xù)流,在續(xù)流時(shí)刻開始,Rs2上電壓采樣信號(hào)變成負(fù)值;當(dāng)Rs2采樣的電壓小于Vth1時(shí),U3比較器輸出低電平,發(fā)送給DSP,DSP檢測(cè)到低電平,則立刻發(fā)出Q6,Q7驅(qū)動(dòng),Vth1設(shè)置的值,能夠要保證管子已經(jīng)抽調(diào)其本身的Coss結(jié)電容。這樣對(duì)于傳統(tǒng)的定死區(qū)時(shí)間設(shè)置,可提高效率,實(shí)現(xiàn)LLC全范圍內(nèi)的ZVS。實(shí)現(xiàn)了Vb→Va工作狀態(tài)下,Vb側(cè)的死區(qū)調(diào)節(jié),Va側(cè)的同步整流防反灌控制。

作為本發(fā)明的一種實(shí)施例:如圖6所示:在PWM消隱,濾除電流第一個(gè)零點(diǎn)的誤判,但同時(shí)也可能存在電流倒灌,若在消隱時(shí)間內(nèi),出現(xiàn)電流的反灌,一樣會(huì)造成管子Vds尖峰應(yīng)力,以及加大了開通損耗,同時(shí)在DC/DC變換器啟動(dòng)至正常輸出期間,存在不可控的局面,以及在開關(guān)頻率f受限的情況下,輸出存在一個(gè)電壓,而主電路無(wú)法調(diào)節(jié)輸出到達(dá)那個(gè)電壓時(shí),即過(guò)壓狀態(tài)下可能存在的電流反灌。

針對(duì)消隱時(shí)間內(nèi)的可能存在的電流反灌,以及過(guò)壓開關(guān)頻率f受限,以及緩啟動(dòng)時(shí)間內(nèi)不好控制的局面,增加一些控制單元。

本實(shí)施例是濾除消隱電路的驅(qū)動(dòng)方案:其對(duì)消隱時(shí)間內(nèi)起到可控制住電流存在的反灌問(wèn)題,同時(shí)也起到在重載情況下,電流經(jīng)過(guò)管子體二極管,體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間問(wèn)題,有可能造成在另一組驅(qū)動(dòng)到來(lái)之后依然沒(méi)結(jié)束,從而造成互通現(xiàn)象,這就可能損壞管子,通過(guò)利用二極管整流,延遲一小段時(shí)間,避免二極管反向恢復(fù)以及MOS管開通造成的互通,可以避免這一情況的發(fā)生。

如圖6所示:在DSP中將原副邊的驅(qū)動(dòng)時(shí)間錯(cuò)開一個(gè)小時(shí)間段t,t占導(dǎo)通時(shí)間很小,在PWM消隱時(shí)間內(nèi),副邊驅(qū)動(dòng)不開,使其進(jìn)入二極管整流。這可以防止PWM消隱時(shí)間內(nèi)電流的反灌,也起到防止二極管反向恢復(fù)時(shí)間造成的互通現(xiàn)象。但也帶來(lái)了二極管整流帶來(lái)的多余損耗,同時(shí)也防止了在驅(qū)動(dòng)關(guān)斷時(shí),由于電路本身的延時(shí),可能造成的反灌問(wèn)題,二極管也帶來(lái)了反向恢復(fù)損耗,這可以通過(guò)找體二極管反向恢復(fù)時(shí)間短的。副邊驅(qū)動(dòng)錯(cuò)開一段時(shí)間,這可省去PWM消隱電路,減輕了電路的復(fù)雜性,增加了可靠性。

對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本發(fā)明不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié),而且在不背離本發(fā)明的精神或基本特征的情況下,能夠以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。因此,無(wú)論從哪一點(diǎn)來(lái)看,均應(yīng)將實(shí)施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而不是上述說(shuō)明限定,因此旨在將落在權(quán)利要求的等同要件的含義和范圍內(nèi)的所有變化囊括在本發(fā)明內(nèi)。不應(yīng)將權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記視為限制所涉及的權(quán)利要求。

此外,應(yīng)當(dāng)理解,雖然本說(shuō)明書按照實(shí)施方式加以描述,但并非每個(gè)實(shí)施方式僅包含一個(gè)獨(dú)立的技術(shù)方案,說(shuō)明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)將說(shuō)明書作為一個(gè)整體,各實(shí)施例中的技術(shù)方案也可以經(jīng)適當(dāng)組合,形成本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的其他實(shí)施方式。

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