1.一種基于過充保護(hù)的可移動充電系統(tǒng)，其特征在于，主要由主控芯片，均與主控芯片相連接的三端穩(wěn)壓電路、顯示屏、蜂鳴器、固體繼電器、蓄電池和電壓采樣器，與三端穩(wěn)壓電路相連接的USB輸入接口，分別與過充保護(hù)電路和電壓采樣器相連接的USB輸出接口，以及與固體繼電器相連接的過充保護(hù)電路組成。所述過充保護(hù)電路與USB輸出接口的輸出端相連接；所述電壓采樣器與USB輸出接口的反饋端相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于過充保護(hù)的可移動充電系統(tǒng)，其特征在于，所述三端穩(wěn)壓電路由穩(wěn)壓芯片U1，三極管VT1，三極管VT2，三極管VT3，正極級電阻R1后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、負(fù)極經(jīng)電阻R3后與三極管VT1的集電極相連接的極性電容C1，P極經(jīng)電阻R2后與三極管VT1的發(fā)射極相連接、N極與三極管VT1的基極相連接的二極管D1，一端與極性電容C1的負(fù)極相連接后接地、另一端與穩(wěn)壓芯片U1的IN管腳相連接的電感L，一端與三極管VT3的基極相連接、另一端與穩(wěn)壓芯片U1的IN管腳相連接的電阻R4，正極與三極管VT2的基極相連接、負(fù)極與三極管VT3的發(fā)射極相連接的極性電容C2，P極與三極管VT2的集電極相連接、N極與三極管VT3的集電極相連接的二極管D2，正極與穩(wěn)壓芯片U1的IN管腳相連接、負(fù)極經(jīng)可調(diào)電阻R5后與穩(wěn)壓芯片U1的COM管腳相連接的極性電容C3，N極經(jīng)電阻R6后與三極管VT2的集電極相連接、P極經(jīng)電阻R7后與穩(wěn)壓芯片U1的OUT管腳相連接的穩(wěn)壓二極管D3，以及正極與穩(wěn)壓芯片U1的OUT管腳相連接、負(fù)極接地的極性電容C4組成；所述二極管D1的P極與三極管VT2的發(fā)射極相連接；所述三極管VT1的發(fā)射極在作為三端穩(wěn)壓電路的輸入端并與USB輸入接口相連接；所述穩(wěn)壓二極管D3的N極作為三端穩(wěn)壓電路的輸出端并與主控芯片相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于過充保護(hù)的可移動充電系統(tǒng)，其特征在于，所述過充保護(hù)電路由控制芯片U2，三極管VT4，三極管VT5，場效應(yīng)管MOS1，場效應(yīng)管MOS2，P極順次經(jīng)電阻R9和電阻R8后與控制芯片U2的VSS管腳相連接、N極經(jīng)電阻R14后與三極管VT5的集電極相連接的穩(wěn)壓二極管D4，正極與三極管VT4的基極相連接、負(fù)極與控制芯片U2的VCC管腳相連接的極性電容C5，正極經(jīng)電阻R10后與三極管VT4的發(fā)射極相連接、負(fù)極與控制芯片U2的GND管腳相連接的極性電容C6，一端與控制芯片U2的CR管腳相連接、另一端與控制芯片U2的GND管腳相連接的電阻R11，一端與控制芯片U2的DO管腳相連接、另一端與場效應(yīng)管MOS1的柵極相連接的電阻R12，一端與控制芯片U2的OUT管腳相連接、另一端與三極管VT5的基極相連接的電阻R13，P極與控制芯片U2的CO管腳相連接、N極與場效應(yīng)管MOS2的柵極相連接的二極管D5，P極與場效應(yīng)管MOS1的源極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS1的漏極相連接的二極管D6，P極與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接、N極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接的二極管D7，以及正極與三極管VT5的發(fā)射極相連接、負(fù)極與場效應(yīng)管MOS2的源極相連接的極性電容C7組成；所述三極管VT4的集電極接地；所述極性電容C6的正極還分別與控制芯片U2的CR管腳和VSS管腳相連接；所述場效應(yīng)管MOS1的源極還與控制芯片U2的GND管腳相連接，該場效應(yīng)管MOS1的漏極與場效應(yīng)管MOS2的漏極相連接；所述電阻R9與電阻R8的連接點和極性電容C6的正極共同形成過充保護(hù)電路的輸入端并與固體繼電器相連接；所述穩(wěn)壓二極管D4的N極與場效應(yīng)管MOS2的源極共同形成過充保護(hù)電路的輸出端并與USB輸出接口的輸出端相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于過充保護(hù)的可移動充電系統(tǒng)，其特征在于，所述穩(wěn)壓芯片U1為TA78L005AP集成芯片。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種基于過充保護(hù)的可移動充電系統(tǒng)，其特征在于，所述控制芯片U2為NIR5421集成芯片。