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反激電路及電子裝置的制作方法

文檔序號:12488319閱讀:來源:國知局

技術特征:

1.一種反激電路,包括初級線圈端電路及次級線圈端電路,所述次級線圈端電路包括次級線圈,所述次級線圈與負載電路耦接,所述反激電路用于將接入的直流電源的直流電壓轉(zhuǎn)換為合適的輸出電壓為次級線圈端電路所耦接的負載電路供電,其特征在于,所述初級線圈端電路包括:

串聯(lián)于直流電源的正極及地之間的第一初級線圈、儲能元件及第二初級線圈;以及

開關元件,耦接于第一初級線圈與儲能元件的連接節(jié)點及地之間,用于接收一PWM信號而周期性的導通截止;

其中,所述儲能元件在所述開關元件截止時儲存反激電路的漏感能量,在所述開關元件導通時將所儲存的漏感能量釋放至次級線圈端電路所耦接的負載電路。

2.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述第一初級線圈的非同名端與所述直流電源的正極連接,同名端與所述儲能元件連接,所述第二初級線圈的同名端與所述儲能元件連接,非同名端接地。

3.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述反激電路還包括一第一二極管,所述第一二極管的負極與所述直流電源的正極連接,正極接地。

4.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述第一初級線圈與第二初級線圈的線圈匝數(shù)相同。

5.如權利要求4所述的反激電路,其特征在于,所述第一初級線圈與第二初級線圈采用雙線并繞的方式繞制形成。

6.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述儲能元件為第一電容。

7.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述開關元件為MOS管,所述MOS管的漏極與第一初級線圈與儲能元件的連接節(jié)點連接,源極接地,柵極與一PWM信號產(chǎn)生器連接,用于接收所述PWM信號產(chǎn)生器產(chǎn)生的PWM信號并相應地導通截止。

8.如權利要求7所述的反激電路,其特征在于,當所述MOS管截止時,所述直流電源與所述第一初級線圈、儲能元件及第二初級線圈形成回路,所述直流電源以及反激電路產(chǎn)生的漏感對所述儲能元件進行充能;當所述MOS管導通時,所述第一初級線圈和/或所述第二初級線圈與次級線圈之間感應形成的等效的輸出電感與所述儲能元件并聯(lián)而共同為負載電路供電。

9.如權利要求1所述的反激電路,其特征在于,所述次級線圈端電路還包括整流濾波電路,所述整流濾波電路包括第二二極管及第二電容,所述第二二極管的正極與次級線圈的同名端連接,所述第二電容連接于所述第二二極管的負極與所述次級線圈的非同名端之間,所述負載電路與所述第二電容的兩端連接。

10.一種電子裝置,包括直流電源、PWM信號產(chǎn)生器,所述直流電源用于輸出直流電壓,所述PWM信號產(chǎn)生器用于產(chǎn)生PWM信號,其特征在于,所述電子裝置還包括如權利要求1-9任一項所述的反激電路。

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