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一種適合寬占空比傳輸?shù)腗OS隔離驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

文檔序號(hào):11554479閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種適合寬占空比傳輸?shù)腗OS隔離驅(qū)動(dòng)電路,包括第一電容(1)、第一電阻(2)、第二電阻(3)、PWM信號(hào)源(4)、變壓器(5)、該第一電容(1)串聯(lián)在該變壓器(5)初級(jí)與該P(yáng)WM信號(hào)源(4)之間,該第一電阻(2)設(shè)置在該變壓器(5)次級(jí)與輸出正端之間,其特征在于,還包括第二電容(6)、三極管、二極管(8)、第三電容(9)、穩(wěn)壓管(10),該第二電容(6)串聯(lián)在該變壓器(5)次級(jí)與該第一電阻(2)之間;該穩(wěn)壓管(10)陽極接該三極管的集電極,該穩(wěn)壓管(10)陰極接輸出負(fù)端;該第三電容(9)并聯(lián)在該穩(wěn)壓管(10)兩端;該三極管的發(fā)射極接輸出正端,該二極管(8)跨接該三極管的集電極和基極,其中,該二極管(8)陰極接三極管基極;該第二電阻(3)跨接該三極管的基極與所述第二電容(6)、所述第一電阻(2)串聯(lián)組合的中點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS隔離驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第一電容(1)為起隔直作用的電容。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS隔離驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述三極管為PNP晶體管(7),用于快速釋放MOS柵源寄生電荷。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS隔離驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述穩(wěn)壓管(10)的穩(wěn)壓范圍在1-3V之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS隔離驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述第三電容(9)為無極性。

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