本實用新型涉及一種降壓電路。

背景技術：

目前家居照明正朝著智能化發(fā)展，在很多電源內部，引入MCU對電源進行智能化控制已經(jīng)成為常態(tài)。目前市面上主流的MCU的工作電壓是5V或者3.3V，但是交流輸入端是220Vac高壓。如何用最簡單的電路，最低的成本實現(xiàn)降壓就顯得很重要了。

傳統(tǒng)的做法，大致如圖3所示。這個做法，依次串接在一起的輸入整流濾波電路10ABUCK減壓電路20A、 LEO穩(wěn)壓電路30A、MCU供電電路40A，需要引入一個電源控制芯片50A，還需要BUCK電路必須的BUCK電感，MOS管作開關管，續(xù)流二極管，這些都是比較昂貴的電子器件。同時，由于MCU需要的功耗很低，BUCK電路會工作在跳頻模式，對電源的EMI處理帶來一定的困難。

技術實現(xiàn)要素：

本實用新型的主要目的在于提供一種降壓電路，相對目前技術省去了電源控制芯片和BUCK電感，能有效降低成本，在MCU需求的功耗不高的情況下，性能穩(wěn)定，無EMI干擾。同時，該電路實現(xiàn)起來簡單，易于推廣使用。

本實用新型采用的技術方案為：一種降壓電路，包括輸入整流濾波電路、分立器件控制模塊、LEO穩(wěn)壓電路以及MCU供電電路，其中，該輸入整流濾波電路、分立器件控制模塊、LEO穩(wěn)壓電路、MCU供電電路從左到右依次串接在一起，該分立器件控制模塊包括用于連接整流濾波電路的整流橋正極的接入端（VIN），輸出端（OUT）第一穩(wěn)壓二極管（ZD1）、第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）、第四電阻（R4）、第五電阻（R5）、第六電阻（R7）、三極管（Q1）、場效應管（Q2）、第一電容（C1 ）、第二電容（C2）。

第一穩(wěn)壓二極管（ZD1）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）分別與該接入端（VIN）并聯(lián)連接，該第一電阻（R1）與該第三電阻（R3）串接后與該穩(wěn)壓二極管（ZD1）串接，該第二電阻（R2）與該第一二極管（D1）串接，該第五電阻（R5）與該第二二極管（D2）串接，該三極管（Q1）分別與該第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第四電阻（R4）并聯(lián)連接，該場效應管（Q3）分別與第五電阻（R5）、第四電阻（R4）、第六電阻（R6）連接，該第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）并聯(lián)在該三極管(Q1)的集電極與發(fā)射極之間，該第一電容（C1）的一端并聯(lián)在該第四電阻（R4）與場效應管（Q3）之間，該第一電容（C1）的另一端與該第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）的發(fā)射極并聯(lián)，該第二電容（C2）并聯(lián)在該輸出端（OUT）之間。

本實用新型的有益效果為：本實用新型在結構上包括輸入整流濾波電路、分立器件控制模塊、LEO穩(wěn)壓電路以及MCU供電電路，其中，該輸入整流濾波電路、分立器件控制模塊、LEO穩(wěn)壓電路、MCU供電電路從左到右依次串接在一起，本實用新型相對目前技術省去了電源控制芯片和BUCK電感，能有效降低成本，在MCU需求的功耗不高的情況下，性能穩(wěn)定，無EMI干擾。同時，該電路實現(xiàn)起來簡單，易于推廣使用。

附圖說明

圖1為本實用新型的原理方框圖。

圖2為本實用新型的分立器件控制模塊的電路原理圖。

圖3為目前技術的原理方框圖。

具體實施方式

如圖1至圖2所示為本實用新型的一種較佳的具體實施例子，一種降壓電路，包括輸入整流濾波電路10、分立器件控制模塊20、LEO穩(wěn)壓電路30以及MCU供電電路40，其中，該輸入整流濾波電路10、分立器件控制模塊20、LEO穩(wěn)壓電路30、MCU供電電路40從左到右依次串接在一起，該分立器件控制模塊20包括用于連接整流濾波電路10的整流橋正極的接入端（VIN），輸出端（OUT）第一穩(wěn)壓二極管（ZD1）、第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）、第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第三電阻（R3）、第四電阻（R4）、第五電阻（R5）、第六電阻（R7）、三極管（Q1）、場效應管（Q2）、第一電容（C1）、第二電容（C2）。

進一步，第一穩(wěn)壓二極管（ZD1）、第一二極管（D1）、第二二極管（D2）分別與該接入端（VIN）并聯(lián)連接，該第一電阻（R1）與該第三電阻（R3）串接后與該穩(wěn)壓二極管（ZD1）串接，該第二電阻（R2）與該第一二極管（D1）串接，該第五電阻（R5）與該第二二極管（D2）串接，該三極管（Q1）分別與該第一電阻（R1）、第二電阻（R2）、第四電阻（R4）并聯(lián)連接，該場效應管（Q3）分別與第五電阻（R5）、第四電阻（R4）、第六電阻（R6）連接，該第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）并聯(lián)在該三極管(Q1)的集電極與發(fā)射極之間，該第一電容（C1）的一端并聯(lián)在該第四電阻（R4）與場效應管（Q3）之間，該第一電容（C1）的另一端與該第二穩(wěn)壓二極管（ZD2）的發(fā)射極并聯(lián)，該第二電容（C2）并聯(lián)在該輸出端（OUT）之間。

以上說明僅僅是針對圖示的原理圖進行闡述的，即上述的各種元器件是根據(jù)圖示所展示的原理圖進行連接的。

進一步，第一電阻（R1）的阻值為2M，該第二電阻（R2）的阻值為1M，該第三電阻（R3）的阻值為200K，該第四電阻（R4）的阻值為10K，該第五電阻（R5）、第六電阻（R6）的阻值為100R。

當接入端（VIN）處的電壓比第一穩(wěn)壓管ZD1的電壓低的時候，三極管Q1的基極為低電平，三極管Q1處于截止狀態(tài)。通過第一二極管D1、第二電阻R2、第四電阻R4，場效應管Q2的柵極獲得一個高電平開通信號，電流通過第二二極管D2、第五電阻R5，場效應管Q2、第六電阻R6給第二電容C2充電，同時給后級LDO供電。由于第二穩(wěn)壓管ZD2的嵌位作用，第二C2的最高電壓，不會超過18V，這個保證了后級的LDO不會以為高壓被損壞。

當接入端VIN的電壓超過了第一穩(wěn)壓管ZD1的電壓，電流經(jīng)過 第一穩(wěn)壓管ZD1和第一電阻R1，此時三極管Q1的基極正偏處于開通狀態(tài)。三極管Q1導通后，場效應管Q2的柵極電位會被拉低，場效應管Q2會被關斷。第二電容C2儲存的能量可以持續(xù)給后級的電路供電。

綜上可見，該電路實現(xiàn)了高壓輸入狀態(tài)場效應管Q2截止，低壓輸入狀態(tài)場效應管Q2導通充電的功能?？梢园炎罡呒s300V的電壓，降低到18V以下，再通過后級的LDO作穩(wěn)壓，就能滿足MCU供電需求。通過更改第一穩(wěn)壓管ZD1的參數(shù)，可以調整場效應管Q2的開通時間；通過更改第二穩(wěn)壓二極管ZD2的參數(shù)，可以調整輸出端OUT的最高輸出電壓。更改第五電阻R5和第六電阻R6的參數(shù)，可以調整開通器件，第二電容C2的充電電流大小。

本實用新型的實施例以及附圖只是為了展示本實用新型的設計構思，本實用新型的保護范圍不應當局限于這一實施例。

通過上面的敘述可以看出本實用新型的設計目的是可以有效實施的。實施例的部分展示了本實用新型的目的以及實施功能和結構主題，并且包括其他的等同替換。

因此，本實用新型的權利構成包括其他的等效實施，具體權利范圍參考權利要求。