本實(shí)用新型涉及一種電子電路，尤其涉及一種新型同步整流電路。

背景技術(shù)：

隨著社會(huì)的發(fā)展和技術(shù)進(jìn)步，多種電子產(chǎn)品和多種電子消費(fèi)品大量出現(xiàn)，進(jìn)入到人們?nèi)粘Ｉ詈蜕a(chǎn)工作中。電子技術(shù)的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設(shè)計(jì)提出了新的難題。開關(guān)電源的損耗主要由3部分組成:功率開關(guān)管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導(dǎo)通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出，這就導(dǎo)致整流損耗增大，電源效率降低。因此，傳統(tǒng)的二極管整流電路已無法滿足實(shí)現(xiàn)低電壓、大電流開關(guān)電源高效率及小體積的需要，成為制約DC/DC變換器提高效率的瓶頸。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型目的在于提供一種新型同步整流電路。

本實(shí)用新型所述的一種新型同步整流電路，其特征在于，包括整流MOS管和續(xù)流MOS管；所述的整流MOS管串接在變壓器次級下端，柵極通過第一RC模塊連接變壓器次級上端；所述的續(xù)流MOS管反向串接變壓器次級上端，柵極通過第二RC模塊連接變壓器次級下端。

優(yōu)選的，所述的整流MOS管柵極與漏極之間串接第一負(fù)載電阻，所述第一負(fù)載電阻用于泄放整流MOS管截止時(shí)內(nèi)部結(jié)電容儲存的能量。

優(yōu)選的，所述的續(xù)流MOS管柵極與源極之間串接第二負(fù)載電阻，所述第二負(fù)載電阻用于泄放續(xù)流MOS管截止時(shí)內(nèi)部結(jié)電容儲存的能量。

優(yōu)選的，所述的第一RC模塊與地之間串接第一穩(wěn)壓管，所述第一穩(wěn)壓管用于防止整流MOS管柵極電壓過高。

優(yōu)選的，所述的第二RC模塊與地之間串接第二穩(wěn)壓管，所述第二穩(wěn)壓管用于防止續(xù)流MOS管柵極電壓過高。

優(yōu)選的，所述的所述的整流MOS管源極與漏極兩端并聯(lián)第一削尖峰電路。

優(yōu)選的，所述的所述的續(xù)流MOS管源極與漏極兩端并聯(lián)第二削尖峰電路。

本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于，同步整流的所有MOS管是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型所述電路的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型所述的新型同步整流電路，如圖1所示包括變壓器T1，電阻R1～R9、電容C1～C4、MOS管Q1、Q2、穩(wěn)壓二極管Z1、Z2。所述的變壓器T1次級上端4連接MOS管Q1漏極，MOS管Q1源極接地；上端4還依次通過電容C2、電阻R5、R7連接MOS管Q2柵極，電R6并聯(lián)在電容C2與電阻R5兩端。變壓器T1次級下端3連接MOS管Q2源極，MOS管Q2漏極接地；下端3還依次通過電阻R4、R2連接MOS管Q1柵極，電容C3與電阻R4并聯(lián)。

其工作原理是：當(dāng)變壓器T1次級上端4為正時(shí)，電流經(jīng)電容C2、電阻R5、R6、R7使MOS管Q2導(dǎo)通，電路構(gòu)成回路，其中MOS管Q2為整流MOS管；MOS管Q1柵極由于處于反偏而截止。當(dāng)變壓器T1次級下端3為正時(shí)，電流經(jīng)C3、電阻R4、R2使MOS管Q1導(dǎo)通，電路構(gòu)成回路，其中MOS管Q1為續(xù)流MOS管；Q2柵極由于處于反偏而截止。

為了泄放MOS管Q1、Q2截止時(shí)內(nèi)部結(jié)電容儲存的能量，分別設(shè)置兩個(gè)負(fù)載電阻R3和R8。所述的負(fù)載電阻R3一端連接MOS管Q1源極，另外一端連接電阻R2與R4的連接點(diǎn)。所述的負(fù)載電阻R8一端連接MOS管Q2漏極，另外一端連接電阻R5與R7的連接點(diǎn)。

為了防止MOS管Q1、Q2的柵極電壓過高而燒壞，分別設(shè)置兩個(gè)穩(wěn)壓二極管Z1和Z2。所述的穩(wěn)壓二極管Z1正極連接MOS管Q1源極，負(fù)極連接電阻R2與R4的連接點(diǎn)。所述的穩(wěn)壓二極管Z2正極連接MOS管Q2漏極，負(fù)極連接電阻R5與R7的連接點(diǎn)。

為了更好的獲得整流效果，分別在兩個(gè)MOS管Q1、Q2兩端并聯(lián)一個(gè)由電阻與電容串接而成的削尖峰電路。所述的MOS管Q1漏極通過電阻R1、電容C1連接MOS管Q1源極；所述的MOS管Q2源極通過電阻R9、電容C4連接MOS管Q2漏極。

對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，可根據(jù)以上描述的技術(shù)方案以及構(gòu)思，做出其它各種相應(yīng)的改變以及變形，而所有的這些改變以及變形都應(yīng)該屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。