本實(shí)用新型涉及物聯(lián)網(wǎng)、光伏照明技術(shù)領(lǐng)域，具體地是涉及一種超容太陽能控制器。

背景技術(shù)：

隨著社會(huì)的發(fā)展，可再生能源的應(yīng)用越來越受青睞。其中太陽能作為一種清潔、安全、綠色的可再生能源，被認(rèn)為是世界上最有發(fā)展前景的新能源技術(shù)之一。傳統(tǒng)的路燈采用高壓市電供電，必須鋪設(shè)大量的電纜，并挖掘大量的電纜溝。這勢必增加整個(gè)系統(tǒng)的安裝成本與維護(hù)成本。而太陽能路燈不用鋪設(shè)復(fù)雜的線路，只需要一個(gè)安裝基座即可，節(jié)省了安裝成本，并且太陽能路燈以免費(fèi)的太陽能作為能源，綠色環(huán)保，無需支付電費(fèi)。因此太陽能路燈在城市道路、工業(yè)園區(qū)、綠化帶、廣場等場所的照明中將帶來明顯的可利用優(yōu)勢。

由于太陽能光伏(Photovol taic，簡稱PV)面板轉(zhuǎn)換效率較低，一般為18％左右。因?yàn)樘柲苁且环N寶貴的資源，為了充分利用太陽能，需要使用一種高轉(zhuǎn)換效率的太陽能控制器來對(duì)太陽能進(jìn)行跟蹤，以最大限度地將太陽能轉(zhuǎn)換為電能。利用控制方法實(shí)現(xiàn)光伏面板的最大功率輸出運(yùn)行的技術(shù)被稱為最大功率點(diǎn)跟蹤(Maximum Power Point Tracking，MPPT)技術(shù)。目前使用的太陽能路燈控制器大多采用串聯(lián)式PWM脈寬調(diào)制方式，對(duì)太陽能的利用率為60％左右，大大浪費(fèi)了寶貴的太陽能。而采用MPPT技術(shù)能夠顯著提高太陽能的利用率，因此采用MPPT技術(shù)實(shí)現(xiàn)的太陽能路燈控制器具有廣泛的市場前景。

由于太陽能轉(zhuǎn)換成電能的成本是比較昂貴的，1W光伏面板的成本為12元左右，因此PV面板轉(zhuǎn)換出來的電能是寶貴的。采用傳統(tǒng)方式對(duì)其利用率不高，浪費(fèi)了大量的能量。

因此，本實(shí)用新型的實(shí)用新型人亟需構(gòu)思一種新技術(shù)以改善其問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型旨在提供一種超容太陽能控制器，其可以降低器件損耗，提升充電效率。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：

一種超容太陽能控制器，包括：太陽能電池板、輸入防反接電路、同步整流BUCK降壓電路、輸出防反接防電流倒灌電路、蓄能模組、半橋驅(qū)動(dòng)電路、MCU電路、BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路和LED模組，其中所述太陽能電池板的輸出端與所述輸入防反接電路連接，所述輸入防反接電路與所述同步整流BUCK降壓電路連接，所述同步整流BUCK降壓電路分別與所述輸出防反接防電流倒灌電路和所述半橋驅(qū)動(dòng)電路連接，所述輸出防反接防電流倒灌電路與所述蓄能模組連接；所述半橋驅(qū)動(dòng)電路與所述MCU電路連接，所述MCU電路與所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路連接，所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路與所述LED模組連接。

優(yōu)選地，所述輸出防反接防電流倒灌電路包括穩(wěn)壓二極管DZ2、穩(wěn)壓二極管DZ10、穩(wěn)壓二極管DZ3、二極管D7、二極管D8、MOS管Q6、MOS管Q7、放大器U5B、電阻R44、電阻R45、電阻R46、電阻R47，其中穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極端與所述同步整流BUCK降壓電路連接，其正極端與二極管D7的正極連接，二極管D7的負(fù)極與二極管D8的負(fù)極連接；MOS管Q6的源極與穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極端連接，其漏級(jí)與MOS管Q7連接；穩(wěn)壓二極管DZ10一端設(shè)置在MOS管Q6和MOS管Q7之間，另一端設(shè)置在二極管D7和二極管D8之間；穩(wěn)壓二極管DZ3的一端與MOS管Q7連接，另一端與二極管D8連接；MOS管Q6的柵極通過電阻R44后與放大器U5B連接；電阻R45一端與MOS管Q7連接，另一端依次串聯(lián)電阻R46、電阻R47后與放大器U5B連接。

優(yōu)選地，所述同步整流BUCK降壓電路包括MOS管Q4、MOS管Q5、鐵芯電感L1、電阻R37、電阻R39，其中MOS管Q4的漏極與所述輸入防反接電路連接，其源極分別與鐵芯電感L1和MOS管Q5的漏級(jí)連接；電阻R37設(shè)置在MOS管Q4的源極和柵極之間，電阻R39設(shè)置在MOS管Q5的源極和柵極之間。

優(yōu)選地，所述輸入防反接電路包括二極管D5、穩(wěn)壓二極管DZ1、電阻R33、電阻R105、MOS管Q3，其中二極管D5的正極端通過一接插件與所述太陽能電池板連接，二極管D5的負(fù)極端通過電阻R33后與MOS管Q3的柵極連接；穩(wěn)壓二極管DZ1和電阻R105并聯(lián)設(shè)置在MOS管Q3的柵極和源極之間。

優(yōu)選地，所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路包括芯片U7、芯片U8、MOS管Q12、MOS管Q13、穩(wěn)壓二極管D13、穩(wěn)壓二極管D14、穩(wěn)壓二極管D16、穩(wěn)壓二極管DZ8、二極管D12、電感L6、電阻R103，其中芯片U7的第三腳與所述MCU電路連接，其第四腳經(jīng)二極管D12后與MOS管Q13連接，MOS管Q13的柵極與所述MCU電路連接，其第七腳依次經(jīng)過穩(wěn)壓二極管DZ8、穩(wěn)壓二極管D16后與電感L6連接，其第八腳經(jīng)過電阻R103后與芯片U8的第六腳連接，芯片U8與MOS管Q12連接；穩(wěn)壓二極管D13和穩(wěn)壓二極管D14并聯(lián)，其一端與MOS管Q12的漏級(jí)連接，另一端經(jīng)過穩(wěn)壓二極管D16后與電感L6連接，電感L6通過一接插件與所述LED模組連接。

優(yōu)選地，還包括一輸入過壓保護(hù)器件，其設(shè)置在所述太陽能電池板和所述輸入防反接電路之間。

優(yōu)選地，還包括一通訊模塊和電源模塊，所述通訊模塊與所述MCU電路連接，所述電源模塊為所述通訊模塊、所述MCU電路、所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路提供電能。

優(yōu)選地，所述通訊模塊為ZigBee通訊模塊。

優(yōu)選地，MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q12的型號(hào)為SUD50N06-09L，MOS管Q6和MOS管Q7的型號(hào)均為SUD50P06-15L。

優(yōu)選地，所述蓄能模組為超級(jí)電容。

采用上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型至少包括如下有益效果：

本實(shí)用新型所述的超容太陽能控制器，在產(chǎn)品軟件算法上采用新穎的電流擾動(dòng)MPPT算法以獲取PV面板的最大輸出功率，在硬件設(shè)計(jì)上采用大量MOS管替代傳統(tǒng)的肖特基二極管進(jìn)行電流整流和續(xù)流極大的降低了器件損耗，相對(duì)于傳統(tǒng)太陽能充電器充電效率得到極大的提升。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型所述的超容太陽能控制器的原理圖；

圖2為本實(shí)用新型所述的MCU電路的電路圖；

圖3為本實(shí)用新型所述的超容太陽能控制器的部分電路圖；

圖4為本實(shí)用新型所述的超容太陽能控制器的部分電路圖；

圖5a為本實(shí)用新型所述的電源模塊的電路圖；

圖5b為本實(shí)用新型所述的電源模塊的電路圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1至圖5所示，為符合本實(shí)用新型的一種超容太陽能控制器，包括：太陽能電池板、輸入防反接電路、同步整流BUCK降壓電路、輸出防反接防電流倒灌電路、蓄能模組、半橋驅(qū)動(dòng)電路、MCU電路、BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路和LED模組，其中所述太陽能電池板的輸出端與所述輸入防反接電路連接，所述輸入防反接電路與所述同步整流BUCK降壓電路連接，所述同步整流BUCK降壓電路分別與所述輸出防反接防電流倒灌電路和所述半橋驅(qū)動(dòng)電路連接，所述輸出防反接防電流倒灌電路與所述蓄能模組連接；所述半橋驅(qū)動(dòng)電路與所述MCU電路連接，所述MCU電路與所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路連接，所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路與所述LED模組連接。

其中圖2為MCU電路的電路圖，圖3包含輸入防反接電路、同步整流BUCK降壓電路、輸出防反接防電流倒灌電路和半橋驅(qū)動(dòng)電路。

優(yōu)選地，所述輸出防反接防電流倒灌電路包括穩(wěn)壓二極管DZ2、穩(wěn)壓二極管DZ10、穩(wěn)壓二極管DZ3、二極管D7、二極管D8、MOS管Q6、MOS管Q7、放大器U5B、電阻R44、電阻R45、電阻R46、電阻R47，其中穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極端與所述同步整流BUCK降壓電路連接，其正極端與二極管D7的正極連接，二極管D7的負(fù)極與二極管D8的負(fù)極連接；MOS管Q6的源極與穩(wěn)壓二極管DZ2的負(fù)極端連接，其漏級(jí)與MOS管Q7連接；穩(wěn)壓二極管DZ10一端設(shè)置在MOS管Q6和MOS管Q7之間，另一端設(shè)置在二極管D7和二極管D8之間；穩(wěn)壓二極管DZ3的一端與MOS管Q7連接，另一端與二極管D8連接；MOS管Q6的柵極通過電阻R44后與放大器U5B連接；電阻R45一端與MOS管Q7連接，另一端依次串聯(lián)電阻R46、電阻R47后與放大器U5B連接。優(yōu)選地，MOS管Q7的源極通過一接插件J2與所述蓄能模組連接。其中電阻R45和電阻R46之間為一電壓采集點(diǎn)CV，其與MCU電路中的芯片U3的第五腳連接。電阻R47為一電流采樣電阻，經(jīng)過放大器后輸出端與MCU電路中的芯片U3的第二腳連接，其為一電流采集點(diǎn)CCI。半橋驅(qū)動(dòng)電路如圖3所示，其包括驅(qū)動(dòng)信號(hào)互鎖電路和芯片U4、芯片U10、芯片U11等，半橋驅(qū)動(dòng)電路的PH和PL端與MCU電路中的芯片U3的第23腳和第20腳連接。其他具體連接關(guān)系如圖所示，此處不再贅述。

優(yōu)選地，所述同步整流BUCK降壓電路包括MOS管Q4、MOS管Q5、鐵芯電感L1、電阻R37、電阻R39，其中MOS管Q4的漏極與所述輸入防反接電路連接，其源極分別與鐵芯電感L1和MOS管Q5的漏級(jí)連接；電阻R37設(shè)置在MOS管Q4的源極和柵極之間，電阻R39設(shè)置在MOS管Q5的源極和柵極之間。

優(yōu)選地，所述輸入防反接電路包括二極管D5、穩(wěn)壓二極管DZ1、電阻R33、電阻R105、MOS管Q3，其中二極管D5的正極端通過一接插件J1與所述太陽能電池板連接，二極管D5的負(fù)極端通過電阻R33后與MOS管Q3的柵極連接；穩(wěn)壓二極管DZ1和電阻R105并聯(lián)設(shè)置在MOS管Q3的柵極和源極之間。

優(yōu)選地，如圖4所示，所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路包括芯片U7、芯片U8、MOS管Q12、MOS管Q13、穩(wěn)壓二極管D13、穩(wěn)壓二極管D14、穩(wěn)壓二極管D16、穩(wěn)壓二極管DZ8、二極管D12、電感L6、電阻R103，其中芯片U7的第三腳與所述MCU電路(LED EN)連接，其第四腳經(jīng)二極管D12后與MOS管Q13連接，MOS管Q13的柵極與所述MCU電路(PWM)連接，其第七腳依次經(jīng)過穩(wěn)壓二極管DZ8、穩(wěn)壓二極管D16后與電感L6連接，其第八腳經(jīng)過電阻R103后與芯片U8的第六腳連接，芯片U8與MOS管Q12連接；穩(wěn)壓二極管D13和穩(wěn)壓二極管D14并聯(lián)，其一端與MOS管Q12的漏級(jí)連接，另一端經(jīng)過穩(wěn)壓二極管D16后與電感L6連接，電感L6通過一接插件J3與所述LED模組連接。所述LED模組為實(shí)際的用電單元，如多個(gè)LED燈管等，由于本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)知曉，故此次不再贅述。圖4中標(biāo)注為A、B、C的三個(gè)模塊均為輔助電路，其用于輸出防反接、防短路等。其中CDI端用于采集輸出電流，其與MCU電路中的芯片U3的第六腳連接。

優(yōu)選地，還包括一輸入過壓保護(hù)器件R85，其設(shè)置在所述太陽能電池板和所述輸入防反接電路之間，用于實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)，進(jìn)一步提高整個(gè)系統(tǒng)的安全性能。

優(yōu)選地，還包括一通訊模塊和電源模塊，所述通訊模塊與所述MCU電路連接，所述電源模塊為所述通訊模塊、所述MCU電路、所述BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路提供電能。由于電源模塊是現(xiàn)有技術(shù)中比較常規(guī)的手段，其體電路結(jié)構(gòu)可以根據(jù)實(shí)際的使用情況進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整和設(shè)計(jì)，圖5a-5b提供了2種不同的電源模塊的電路圖，當(dāng)然還有其他多種形式的電路結(jié)構(gòu)可供使用，本實(shí)施例對(duì)此不作限定。

優(yōu)選地，所述通訊模塊為ZigBee通訊模塊，其通過接插件J4與MCU電路實(shí)現(xiàn)連接。

優(yōu)選地，MOS管Q3、MOS管Q4、MOS管Q5、MOS管Q12的型號(hào)為SUD50N06-09L，MOS管Q6和MOS管Q7的型號(hào)均為SUD50P06-15L。

優(yōu)選地，所述蓄能模組為超級(jí)電容。

本實(shí)用新型主要是針對(duì)超級(jí)電容模組特性進(jìn)行的研發(fā)，在產(chǎn)品軟件算法上采用新穎的電流擾動(dòng)MPPT算法以獲取PV面板的最大輸出功率，在硬件設(shè)計(jì)上采用大量MOS管替代傳統(tǒng)的肖特基二極管進(jìn)行電流整流和續(xù)流極大的降低了器件損耗，相對(duì)于傳統(tǒng)太陽能充電器充電效率得到極大的提升；電源和LED驅(qū)動(dòng)部分特別針對(duì)低壓超級(jí)電容組設(shè)計(jì)了電路組件，能夠在最低4.5V電壓狀況下輸出20W的驅(qū)動(dòng)功率。眾所周知，太陽能轉(zhuǎn)換成電能的成本是比較昂貴的，1W光伏面板的成本為12元左右，因此PV面板轉(zhuǎn)換出來的電能是寶貴的。采用傳統(tǒng)方式對(duì)其利用率不高，浪費(fèi)了大量的能量。采用MPPT算法實(shí)現(xiàn)的太陽能控制器能夠?qū)⑻柲芾寐曙@著提高，而其增加的硬件成本卻遠(yuǎn)低于浪費(fèi)的PV面板成本，因此MPPT控制的意義是很明顯的。

為了提高太陽能轉(zhuǎn)化效率，就必須使系統(tǒng)保持運(yùn)行在PV面板最大功率點(diǎn)附近。最大功率點(diǎn)的跟蹤控制本質(zhì)上是一個(gè)自尋優(yōu)過程，即通過測量電流、電壓和功率，判定出當(dāng)前工作點(diǎn)與峰值點(diǎn)的位置關(guān)系，并調(diào)節(jié)工作點(diǎn)電壓(或電流)，使其向峰值功率點(diǎn)靠攏，從而使光伏系統(tǒng)運(yùn)作在峰值功率點(diǎn)附近。常用的MPPT算法有恒壓法、擾動(dòng)觀察法、電導(dǎo)增量法等。它們的工作原理及優(yōu)缺點(diǎn)如下表1所示。

表1

由于恒壓法精度低，而電導(dǎo)增量法硬件要求高，因此本實(shí)用新型采用了擾動(dòng)觀察法。傳統(tǒng)的擾動(dòng)觀察法容易產(chǎn)生振蕩與誤判，在傳統(tǒng)的擾動(dòng)觀察法上改變擾動(dòng)觀察機(jī)制，從輸入電流電壓采集轉(zhuǎn)換為充電電流擾動(dòng)、采集；該方法是基于短時(shí)間內(nèi)超級(jí)電容模組電壓幾乎不變?yōu)榍疤幔潆婋娏髯畲髸r(shí)，PV模組輸出功率也最大。因?yàn)橹恍枰杉粋€(gè)電流參數(shù)，軟件采集速度得到提升，可以快速的在一個(gè)快速擾動(dòng)周期采集當(dāng)前值、低一階占空比電流值和高一階占空比電流值三個(gè)數(shù)值進(jìn)行比對(duì)，快速找到最大功率點(diǎn)；并能有效的應(yīng)對(duì)PV模組輸出功率突變。

本實(shí)用新型的改進(jìn)點(diǎn)在于：

1.用獨(dú)特的最大功率追蹤(MPPT)方法，在同等光照條件下可從光伏板獲取更多的電能輸出功率。

傳統(tǒng)的太陽能路燈控制器采用串聯(lián)式PWM脈寬調(diào)制方式。該方式的原理是通過調(diào)整電路中MOS管的占空比來調(diào)節(jié)充電電流的大小。該方式的優(yōu)點(diǎn)是電路簡單，成本低，但是它存在一些無法克服的缺點(diǎn)：

由于采用串聯(lián)PWM控制方式，PV面板通過雙MOS管直接連接到電池，因此充電紋波電流很大，電池壽命受到影響；

當(dāng)太陽輻照變化劇烈時(shí)，太陽能利用率很低。

另外傳統(tǒng)太陽能路燈控制器大多采用電壓擾動(dòng)法MPPT算法，監(jiān)控控制器輸入功率，進(jìn)而尋找PV面板的MPP，優(yōu)點(diǎn)是能找到PV面板的MPP；缺點(diǎn)是但需要采集輸入電壓和電流兩個(gè)參數(shù)，硬件電路和算法相對(duì)復(fù)雜，容易產(chǎn)生電流震蕩。

本實(shí)用新型經(jīng)過大量的實(shí)驗(yàn)論證，基于在極短時(shí)間內(nèi)電池電壓基本不變化的原則，采用獨(dú)特的快速擾動(dòng)充電電流的方式尋找PV板的MPP。優(yōu)點(diǎn)為：硬件電路簡單，算法簡單，可以使用普通8位單片機(jī)實(shí)現(xiàn)MPPT算法，降低了硬件成本和算法復(fù)雜程度，響應(yīng)迅速，充電電流、電壓十分穩(wěn)定。

2.充電回路采用MOS同步整流技術(shù)，相對(duì)于傳統(tǒng)肖特基二極管整流技術(shù)，顯著降低器件損耗，實(shí)現(xiàn)了電能的高效率轉(zhuǎn)換。

例如在電流為10A時(shí)，使用低VF肖特基二極管功率損耗大約為10(A)*0.5(V)＝4W；而采用MOS同步整理時(shí)損耗則低于10(A)*0.1(V)＝1W；極大降低了器件損耗。

3.輸入防反接采用MOS管替代傳統(tǒng)大電流肖特基二極管，降低了器件功率損耗。

例如在電流為5A時(shí)，使用低VF肖特基二極管功率損耗高達(dá)5(A)*0.5(V)＝2.5W；而采用MOS管功率損耗僅為5(A)*0.1(V)＝0.5W；極大降低了器件損耗。

4.輸出防反接/防倒流電路采用兩顆低RDSON PMOS和若干模擬器件實(shí)現(xiàn)，相對(duì)于從傳統(tǒng)大電流肖特基二極管，極大降低了器件功率損耗。

例如在電流為10A時(shí)，使用低VF肖特基二極管功率損耗高達(dá)10(A)*0.5(V)＝5W，而且還不能防蓄電池電流倒灌；而采用MOS管功率損耗僅為10(A)*0.2(V)＝2W，切能夠做到防止蓄電池電流倒灌。

5.產(chǎn)品整合有BOOST升壓驅(qū)動(dòng)電路，可支援常見的10-20串80W以內(nèi)LED燈具夜間工作需要。

6.產(chǎn)品電源部分，采用4.5V-75V寬壓電源電路，可以在極寬電壓范圍內(nèi)工作，相對(duì)于傳統(tǒng)太陽能充電器，可以支援低壓蓄能模組夜間驅(qū)動(dòng)LED模組工作。

7.產(chǎn)品整合有Zigbee物聯(lián)網(wǎng)通訊模組，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的大范圍組網(wǎng)監(jiān)控、參數(shù)修改。

8.產(chǎn)品軟件開放性高，即可實(shí)時(shí)采集充放電工作參數(shù)，也可以對(duì)工作參數(shù)進(jìn)行讀取和再配置，使用非常靈活。

本實(shí)用新型可以取得的有益效果在于：

1.充電效率相較傳統(tǒng)太陽能充電器提升30％以上。

2.轉(zhuǎn)換效率高達(dá)97％以上。

3.支持所有類型的PV面板，如單晶硅、多晶硅、非晶硅等。

4.PV面板輸入電壓范圍廣：9～25V或18～50V。

5.除了支持超級(jí)電容模組外，還可編程支持所有類型的蓄電池，如鉛酸電池、磷酸鐵鋰電池、鎳氫電池等。

6.支持各種電壓型號(hào)的電池，如5.4V、8.1V、10.8V、12V、24V、36V、48V等。

7.科學(xué)的電池充電管理方式，可依據(jù)蓄能模組類型，配置為最大功率法、兩階段充電法、三階段充電法、四階段充電法、恒壓、恒流等充電方式。

8.豐富的負(fù)載工作模式：如時(shí)控、純光控、光控+時(shí)控、手動(dòng)、調(diào)試模式、長開模式、遠(yuǎn)程實(shí)時(shí)調(diào)控等。

9.良好的電路保護(hù)功能，包括PV反接保護(hù)、PV過流保護(hù)、電池反接保護(hù)、電池過壓保護(hù)、電池過放保護(hù)、負(fù)載過流保護(hù)、負(fù)載短路保護(hù)等。

10.支持ZigBee物聯(lián)網(wǎng)監(jiān)測、控制功能，可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的遠(yuǎn)程工作狀態(tài)監(jiān)控和參數(shù)配置，使用及其方便。

對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。