本實用新型涉及開關(guān)驅(qū)動的技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路。

背景技術(shù)：

目前，現(xiàn)有的開關(guān)電源上官驅(qū)動線路的隔離傳統(tǒng)方法多數(shù)為使用自帶隔離的驅(qū)動芯片，其內(nèi)部自帶隔離關(guān)電耦合器及電源隔離的處理；或使用驅(qū)動芯片內(nèi)部自帶有隔離關(guān)電耦合器但未做電源上的隔離處理，還需要在外部增加隔離電源，即直接使用隔離變壓器；但以上方法使用成本較高昂。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的問題提供一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，利用變壓器繞組之間的耦合方式實現(xiàn)開關(guān)電源的驅(qū)動，成本低、效率高、可靠性強。

為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案：

本實用新型提供的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，包括變壓器T、第一開關(guān)電路以及第二開關(guān)電路，所述變壓器T包括有第一繞組、第二繞組、第三繞組和第四繞組；所述第一繞組的同名端與第一開關(guān)電路連接，所述第一繞組的異名端與第二開關(guān)電路連接；所述第二開關(guān)電路分別與第二繞組、第三繞組和第四繞組的同名端連接；所述第四繞組的異名端與輸入信號端連接。

其中，所述第一開關(guān)電路包括MOS管Q1、電阻R1、三極管Q4和二極管D3，所述MOS管Q1的源極與第一繞組的同名端連接；所述MOS管Q1的柵極與電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端與第二開關(guān)電路連接；所述MOS管Q的柵極與三極管Q4的發(fā)射極連接，所述三極管Q4的集電極與二極管D3的正極連接，所述二極管D3的負極、三極管Q4的基極分別與電阻R1的另一端連接。

其中，所述第二開關(guān)電路包括MOS管Q2、電阻R3、三極管Q5和電容C2，所述MOS管Q2的漏極與第一繞組的異名端連接；所述MOS管Q2的源極分別與第二繞組、第三繞組的同名端連接；所述MOS管Q2的柵極與電阻R3的一端連接，所述電阻R3的另一端與第四繞組的同名端連接；所述三極管Q5的基極與第四繞組的同名端連接，所述三極管Q5的發(fā)射極與MOS管Q2的柵極連接，所述三極管Q5的集電極與MOS管Q2的源極連接；所述電阻R1的另一端與電容C2的一端連接，所述電容C2的另一端與第四繞組的同名端連接。

其中，所述第二繞組的異名端接地。

其中，還包括電阻R4，所述第三繞組的異名端與電阻R4的一端連接，所述電阻R4的另一端接地。

其中，所述第一繞組、第二繞組、第三繞組和第四繞組的匝數(shù)比相等。

本實用新型的有益效果：

本實用新型提供的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，利用第一繞組、第二繞組、第三繞組、第四繞組與第一開關(guān)電路和第二開關(guān)電路之間的耦合方式實現(xiàn)開關(guān)電源的驅(qū)動，成本低、效率高、可靠性強。

附圖說明

圖1為本實用新型的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路的電路圖。

在圖1中的附圖標記包括：

1—變壓器T 2—第一開關(guān)電路 3—第二開關(guān)電路

4—第一繞組 5—第二繞組 6—第三繞組

7—第四繞組 8—輸入信號端。

具體實施方式

為了便于本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解，下面結(jié)合實施例與附圖對本實用新型作進一步的說明，實施方式提及的內(nèi)容并非對本實用新型的限定。以下結(jié)合附圖1對本實用新型進行詳細的描述。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，包括變壓器T1、第一開關(guān)電路2以及第二開關(guān)電路3，所述變壓器T1包括有第一繞組4、第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7；所述第一繞組4的同名端與第一開關(guān)電路2連接，所述第一繞組4的異名端與第二開關(guān)電路3連接；所述第二開關(guān)電路3分別與第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7的同名端連接；所述第四繞組7的異名端與輸入信號端8連接。

具體地，當輸入信號端8無信號輸入時，變壓器T1的第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7上的電壓等于第一繞組4的電壓；變壓器T1的第四繞組7的異名端與輸入信號端8連接，當輸入信號端8的驅(qū)動信號為高電平時，第四繞組7的同名端的電壓也相應(yīng)地被抬高到輸入信號端8的高電平電壓值，此時第四繞組7的同名端與第一繞組4、第二繞組5和第三繞組6的同名端的電壓產(chǎn)生電壓差，此電壓差為驅(qū)動信號電壓，驅(qū)動第二開關(guān)電路3工作；進而驅(qū)動第一開關(guān)電路2。

具體地，當輸入信號端8的驅(qū)動信號從高電平轉(zhuǎn)為低電平時，所述變壓器T1的第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7的電壓等于第一繞組4的電壓，此時第四繞組7的同名端與第一繞組4、第二繞組5、第三繞組6的同名端上的電壓差為零，關(guān)斷第二開關(guān)電路3；進而關(guān)斷第一開關(guān)電路2。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，所述第一開關(guān)電路2包括MOS管Q1、電阻R1、三極管Q4和二極管D3，所述MOS管Q1的源極與第一繞組4的同名端連接；所述MOS管Q1的柵極與電阻R1的一端連接，所述電阻R1的另一端與第二開關(guān)電路3連接；所述MOS管Q的柵極與三極管Q4的發(fā)射極連接，所述三極管Q4的集電極與二極管D3的正極連接，所述二極管D3的負極、三極管Q4的基極分別與電阻R1的另一端連接。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，所述第二開關(guān)電路3包括MOS管Q2、電阻R3、三極管Q5和電容C2，所述MOS管Q2的漏極與第一繞組4的異名端連接；所述MOS管Q2的源極分別與第二繞組5、第三繞組6的同名端連接；所述MOS管Q2的柵極與電阻R3的一端連接，所述電阻R3的另一端與第四繞組7的同名端連接；所述三極管Q5的基極與第四繞組7的同名端連接，所述三極管Q5的發(fā)射極與MOS管Q2的柵極連接，所述三極管Q5的集電極與MOS管Q2的源極連接；所述電阻R1的另一端與電容C2的一端連接，所述電容C2的另一端與第四繞組7的同名端連接。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，所述第二繞組5的異名端接地。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，還包括電阻R4，所述第三繞組6的異名端與電阻R4的一端連接，所述電阻R4的另一端接地。

本實施例所述的一種改進的開關(guān)電源驅(qū)動電路，所述第一繞組4、第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7的匝數(shù)比相等。

具體地，在MOS管Q1、MOS管Q2未導(dǎo)通時，變壓器T1的第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7上的電壓等于第一繞組4的電壓；變壓器T1的第四繞組7的異名端與輸入信號端8連接，當輸入信號端8的驅(qū)動信號為高電平時，第四繞組7的同名端的電壓也相應(yīng)地被抬高到輸入信號端8的高電平電壓值，此時第四繞組7的同名端與第一繞組4、第二繞組5和第三繞組6的同名端的電壓產(chǎn)生電壓差，此電壓差為驅(qū)動信號電壓；此時，電阻R3為驅(qū)動電阻，因為MOS管Q2的源極分別與第二繞組5和第三繞組6的同名端連接，MOS管Q2的柵極與電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端與第四繞組7的同名端連接，從而直接實現(xiàn)MOS管Q2的導(dǎo)通；此時，電阻R1也為驅(qū)動電阻，也因為MOS管Q1的源極與第一繞組4的同名端連接，MOS管Q1的柵極與電阻R1的一端連接，電阻R1的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與第四繞組7的同名端連接，從而實現(xiàn)MOS管Q1的導(dǎo)通。

具體地，當輸入信號端8的驅(qū)動信號從高電平轉(zhuǎn)為低電平時，所述變壓器T1的第二繞組5、第三繞組6和第四繞組7的電壓等于第一繞組4的電壓，此時第四繞組7的同名端與第一繞組4、第二繞組5、第三繞組6的同名端上的電壓差為零，即MOS管Q2之間的能量通過電阻R3、第四繞組7釋放，當電阻R3兩端的電壓差打到0.7V時，達到三極管Q5的導(dǎo)通壓降，三極管Q5導(dǎo)通繼續(xù)釋放MOS管Q2之間的能量，從而關(guān)斷MOS管Q2；所述MOS管Q1之間的能量通過電阻R1、電容C2以及第四繞組7釋放，當電阻R1兩端的電壓差打到0.7V時，達到三極管Q4的導(dǎo)通壓降，三極管Q4導(dǎo)通繼續(xù)釋放MOS管Q1之間的能量，當二極管D3的負極的電壓被拉低于二極管D3的正極的電壓0.7時，D3導(dǎo)通，從而使得MOS管Q1的之間的能量繼續(xù)釋放，從而關(guān)斷MOS管Q1。

以上所述，僅是本實用新型較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型以較佳實施例公開如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)，當利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許變更或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本實用新型技術(shù)是指對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均屬于本實用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。