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一種同步整流電路裝置的制作方法

文檔序號:12541997閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種同步整流電路裝置,其特征在于,包括:第一同步整流驅(qū)動電路和第二同步整流驅(qū)動電路;

所述第一同步整流驅(qū)動電路包括:第一同步整流MOS管(Q11)、第一驅(qū)動電路(11)和受第二同步整流MOS管柵-源電壓控制的鎖定電路(12);

所述第二同步整流驅(qū)動電路包括:第二同步整流MOS管(Q21)、第二驅(qū)動電路(21)和受第一同步整流MOS管柵-源電壓控制的鎖定電路(22);

所述第一同步整流MOS管(Q11)的漏極接次級繞組(NS)的第一端,所述第一同步整流MOS管(Q11)的源極接次級公共電位參考點(GND);

所述第二同步整流MOS管(Q21)的漏極接次級繞組(NS)的第二端,所述第二同步整流MOS管(Q21)的源極接次級公共電位參考點(GND);

所述第一驅(qū)動電路和所述第二驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)相同,其中,所述第一驅(qū)動電路包括:第一耦合電容(C11)、第一反向充電二極管(D12)、第一同步整流MOS管輸入電容充電限流電阻(R11)、第一放電隔離二極管(D11)、第一放電速率控制三極管(Q12)、第一基極電阻(R12)、第一集電極電阻(R13)、第一同步整流MOS管柵-源泄放電阻(R14)和第一同步整流驅(qū)動繞組(NS1);

所述第一同步整流驅(qū)動繞組(NS1)的第一端依次通過第一耦合電容(C11)、第一同步整流MOS管輸入電容充電限流電阻(R11)與所述第一放電隔離二極管(D11)的正極相連,所述第一放電隔離二極管(D11)的負極與所述第一同步整流MOS管(Q11)的柵極相連;所述第一同步整流驅(qū)動繞組(NS1)的第二端與所述第一同步整流MOS管(Q11)的源極相連;所述第一同步整流MOS管輸入電容充電限流電阻(R11)與所述第一耦合電容(C11)之間的連接點通過所述第一基極電阻(R12)與所述第一放電速率控制三極管(Q12)的基極相連,所述第一放電速率控制三極管(Q12)的發(fā)射極與所述第一同步整流MOS管(Q11)的柵極相連,所述第一放電速率控制三極管(Q12)的集電極通過第一集電極電阻(R13)與所述第一同步整流MOS管(Q11)的源 極相連;所述第一同步整流MOS管柵-源泄放電阻(R14)的第一端與所述第一同步整流MOS管(Q11)柵極相連,所述第一同步整流MOS管柵-源泄放電阻(R14)的第二端與所述第一同步整流MOS管(Q11)的源極相連;所述第一同步整流MOS管輸入電容充電限流電阻(R11)與所述第一耦合電容(C11)之間的連接點與所述第一反向充電二極管(D12)的負極相連,所述第一反向充電二極管(D12)的正極與所述第一同步整流MOS管(Q11)的源極相連;所述第一同步整流驅(qū)動繞組(NS1)和所述第二驅(qū)動電路內(nèi)第二同步整流驅(qū)動繞組(NS2)與變壓器(T)次級繞組(NS)共同纏繞在同一磁芯骨架上;

所述受第二同步整流MOS管柵-源電壓控制的鎖定電路(12)包括:第一控制電阻(R15)和第一控制三極管(Q13);

所述第一控制電阻(R15)的第一端與所述第一控制三極管(Q13)的基極相連,所述第一控制電阻(R15)的第二端與所述第二同步整流MOS管(Q21)的柵極相連;所述第一控制三極管(Q13)的發(fā)射極接次級公共電位參考點(GND),所述第一控制三極管(Q13)的集電極與所述第一放電速率控制三極管(Q12)的基極相連;

所述受第一同步整流MOS管柵-源電壓控制的鎖定電路(22)包括:第二控制電阻(R25)和第二控制三極管(Q23);

所述第二控制電阻(R25)的第一端與所述第二控制三極管(Q23)的基極相連,所述第二控制電阻(R25)的第二端與所述第一同步整流MOS管(Q11)的柵極相連;所述第二控制三極管(Q23)的發(fā)射極接次級公共電位參考點(GND),所述第二控制三極管(Q23)的集電極與所述第二驅(qū)動電路(21)內(nèi)第二放電速率控制三極管(Q22)的基極相連。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,該裝置還包括:承擔輔助續(xù)流功能的肖特基功率整流二極管(D23);

所述承擔輔助續(xù)流功能的肖特基功率整流二極管(D23)的負極與所述第二同步整流MOS管(Q21)的漏極相連,所述承擔輔助續(xù)流功能的肖特基功率整流二極管(D23)的正極與第二同步整流MOS管(Q21)的源極相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,所述第一同步整流驅(qū)動電路和所述第二同步整流驅(qū)動電路的驅(qū)動脈沖通過PWM控制芯片輸出信號經(jīng)隔離變壓器Td次級繞組產(chǎn)生。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,應(yīng)用于正激變換器次級側(cè)同步整流驅(qū)動時,所述正激變換器為三繞組去磁正激變換器或者二極管去磁雙管正激變換器。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其特征在于,應(yīng)用于橋式變換器次級側(cè)同步整流驅(qū)動時,所述第一同步整流MOS管(Q11)和所述第二驅(qū)動電路(21)內(nèi)第二同步整流MOS管(Q21)的驅(qū)動方式為電壓自驅(qū)動方式或者繞組驅(qū)動方式。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的裝置,其特征在于,所述橋式變換器為傳統(tǒng)硬開關(guān)橋式變換器或者LLC橋式變換器。

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