本實(shí)用新型涉及DC插電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種新型DC插防反接電路。

背景技術(shù)：

市面上存在不少產(chǎn)品可提供外部DC輸入，通過DC插為產(chǎn)品內(nèi)部供電，雖有不少外置開關(guān)電源或外置變壓器已固定DC插的正負(fù)極連接，但也有存在DC插頭與夾頭線組成的連接線，供外部電池為產(chǎn)品供電工作，因此存在把正負(fù)極接反的可能性，而該接反DC插的正負(fù)極將可能會把產(chǎn)品內(nèi)部線路燒壞，因此會存在一定的隱患。

常用的DC插防反接電路為在DC插的正極輸入或者負(fù)極輸入上增加一個二極管，當(dāng)外部DC插正負(fù)極接反時，由于二極管的單方向?qū)ㄐ裕虼瞬粫o產(chǎn)品內(nèi)部線路供電，如附圖1和下圖2所示。

針對以上2種DC插防反接方法，要考慮產(chǎn)品的DC插最大供電電流來選擇二極管D1的規(guī)格，同時由于二極管D1串聯(lián)在工作支路上，二極管D1存在一定的壓降，而該壓降直接體現(xiàn)在產(chǎn)品的供電上，也就是說VCC與GND之間的電壓差無法達(dá)到DC插外部輸入的電壓。

同時由于二極管D1通過供電電流和存在一定電壓差，因此二極管D1將產(chǎn)生一定的發(fā)熱量，對產(chǎn)品造成一定的功耗。而隨著所需電流越大，對二極管D1的要求越高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的主要目的是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、使用穩(wěn)定性好的新型DC插防反接電路，旨在解決傳統(tǒng)技術(shù)DC插中因使用單向二極管而容易發(fā)熱并造成一定功耗的技術(shù)不足。

本實(shí)用新型提出一種新型DC插防反接電路，包括DC插、所DC插的正極引腳相連接的正極導(dǎo)線和與DC插的負(fù)極引腳相連接的負(fù)極導(dǎo)線，還設(shè)有防反接電路，所述防反接電路包括第一電阻、第二電阻和MOS管，所述MOS管的漏極與DC插的正極引腳相連接，所述MOS管的源極與正極導(dǎo)線相連接，所述MOS管的柵極通過第二電阻連接在DC插的負(fù)極引腳上，所述第一電阻連接在MOS管的漏極與柵極之間。

所述MOS管為P型MOS管。

本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡單，采用MOS管替換了傳統(tǒng)的單向二極管，解決了傳統(tǒng)技術(shù)DC插中因使用單向二極管而容易發(fā)熱并造成一定功耗的技術(shù)不足，使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng)。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的DC插的第一種電路圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)的DC插的第二種電路圖；

圖3為本實(shí)用新型的實(shí)施例示意圖。

本實(shí)用新型目的的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說明。

具體實(shí)施方式

應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。

參照圖3，提出本實(shí)用新型的一實(shí)施例，

一種新型DC插防反接電路，包括DC插1、所DC插1的正極引腳相連接的正極導(dǎo)線VCC和與DC插1的負(fù)極引腳相連接的負(fù)極導(dǎo)線GND，還設(shè)有防反接電路2，所述防反接電路2包括第一電阻R1、第二電阻R2和MOS管Q1，所述MOS管Q1的漏極與DC插1的正極引腳相連接，所述MOS管Q1的源極與正極導(dǎo)線VCC相連接，所述MOS管Q1的柵極通過第二電阻R2連接在DC插1的負(fù)極引腳上，所述第一電阻R1連接在MOS管Q1的漏極與柵極之間。

所述MOS管為P型MOS管。

具體工作原理為:當(dāng)外部DC插接線正確時，電阻R1與電阻R2的分壓支路令到P型MOS管的柵極G極比源極D極的電壓低，即VGD為負(fù)，漏極D極與源極S極之間導(dǎo)通，由于電阻R1與R2分壓配置，令VSG電壓較大，因此VSD電壓差非常小，VCC與GND之間電壓差接近外部輸入電壓。

當(dāng)外部DC插接線錯誤時，即DC插接反時，由于電阻R1與電阻R2的分壓支路令到P型MOS管的柵極G極比源極D極的電壓高，即VGD為正，漏極D極與源極S極之間截止。

本電路中，由于P型MOS管導(dǎo)通后VSD電壓差非常小，因此VCC與GND之間電壓差接近外部輸入電壓。

本電路中，由于P型MOS管導(dǎo)通后VSD電壓差非常小，因此該電路所消耗的功耗非常低。

本電路中，P型MOS管所產(chǎn)生的熱量會相對常用電路的較低。

本電路中，隨著所需電流越高，對整體電路要求不高，而且可節(jié)約成本和電路所占用的面積。

本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡單，采用MOS管替換了傳統(tǒng)的單向二極管，解決了傳統(tǒng)技術(shù)DC插中因使用單向二極管而容易發(fā)熱并造成一定功耗的技術(shù)不足，使用穩(wěn)定性好且適用性強(qiáng)。

以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。