本實(shí)用新型涉及通信領(lǐng)域，尤其涉及一種直流供電(DC-DC)電路的保護(hù)電路。

背景技術(shù)：

BUCK電路中上管因?yàn)橥ㄟ^電感和負(fù)載直接相連，在輸入或輸出發(fā)生異常情況時(shí)很容易造成損壞擊穿，上管擊穿后會(huì)導(dǎo)致輸入通過電感后直接和負(fù)載相通，造成負(fù)載過流過壓損壞。

BOOST電路中因?yàn)檩斎腚娐方?jīng)過開關(guān)管后通過二極管直接與負(fù)載相連，當(dāng)開關(guān)管擊穿后輸入通過開關(guān)管和電感直接短路，造成輸入電源掉電。

現(xiàn)有的常用保護(hù)電路，通常是在電路輸入前增加保險(xiǎn)絲，在輸入過流或短路情況下，保險(xiǎn)絲斷開達(dá)到保護(hù)的目的。但是保險(xiǎn)絲的熔斷個(gè)體存在差異，有可能關(guān)斷不及時(shí)，造成BUCK上管擊穿或boost電路的輸入短路。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N直流供電電路的保護(hù)電路，以提高供電電路的可靠性。

本申請(qǐng)公開的一種直流供電電路的電路，包括：輸出電流檢測電路、輸出電壓檢測電路、輸入限流電路及開關(guān)電路，其中：

在直流供電電路的輸入主回路上串聯(lián)開關(guān)電路，在開關(guān)電路與待保護(hù)的直流供電電路之間分別并聯(lián)輸入限流電路、輸出電壓檢測電路、輸出電流檢測電路。

可選地，上述電路中，所述開關(guān)電路采用MOS管實(shí)現(xiàn)。

可選地，上述電路中，所述輸入限流電路采用電阻與控制芯片實(shí)現(xiàn)。

可選地，上述電路中，所述輸出電壓檢測電路采用控制芯片及其外圍電阻實(shí)現(xiàn)。

可選地，上述電路中，所述輸出電流檢測電路采用電阻、電容與控制芯片實(shí)現(xiàn)。

可選地，上述電路中，所述輸入限流電路、輸出電壓檢測電路、輸出電流檢測電路采用同一控制芯片實(shí)現(xiàn)。

可選地，上述電路中，所述控制芯片采用MP5021熱插拔芯片。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋Ｗo(hù)電路，在電路前增加了保護(hù)開關(guān)電路，通過同時(shí)檢測輸入沖擊電流以及負(fù)載電流，電壓來有效的切掉電路的輸入，從而極大地減小BUCK電路上管擊穿或BOOST電路短路的可能性，提高整個(gè)系統(tǒng)設(shè)備的可靠性。

附圖說明

圖1為本發(fā)明方案示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種電路原理示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的另一種電路原理示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本申請(qǐng)的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文將結(jié)合具體實(shí)施方式對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例和實(shí)施例中的特征可以任意相互組合。

實(shí)例1

為了提高供電電路的可靠性，本實(shí)施例提供一種DC-DC電路的保護(hù)電路，尤其適用于防止BUCK上管擊穿或BOOST電路的開關(guān)管擊穿的情況。

該電路的原理如圖1所示，包含輸出電流檢測電路、輸出電壓檢測電路、輸入限流電路及開關(guān)電路。其中主回路MOS管位于在開關(guān)電路中，異常情況通過主回路MOS管的切斷后級(jí)的電路的輸入達(dá)到保護(hù)目的。

即當(dāng)輸入限流電路檢測輸入電流達(dá)到或超過設(shè)定限值時(shí)，切斷開關(guān)電路；

當(dāng)輸出電壓檢測電路檢測輸出電壓達(dá)到或超過設(shè)定限值時(shí)，切斷開關(guān)電路；

當(dāng)輸出電流檢測電路檢測輸出電流達(dá)到或超過設(shè)定限值時(shí)，切斷開關(guān)電路

下面結(jié)合實(shí)際應(yīng)用，舉例說明上述電路的具體實(shí)施。

本實(shí)施例提供一種具體的保護(hù)電路如圖2所示：

除串接在輸入回路上的開關(guān)的MOS管VT2構(gòu)成開關(guān)電路外，還包括：

輸入限流電路，由設(shè)定電阻R1和控制芯片D1構(gòu)成。

輸出電壓檢測電路：由電阻R5、R6，控制芯片D1構(gòu)成。

輸出電流檢測電路：由電阻R2、R8電容C4，控制芯片D1構(gòu)成。

電路輸入后，經(jīng)過電阻R1設(shè)定輸入電流的限值，當(dāng)輸入電流超過設(shè)定的限值時(shí)，控制芯片D1輸出信號(hào)關(guān)斷開關(guān)管VT2，達(dá)到輸入過流保護(hù)的作用；

通過電阻R5、R6，控制芯片D1，來監(jiān)控輸出的電壓值，超過設(shè)定電壓值，控制芯片D1輸出信號(hào)關(guān)斷開關(guān)管VT2，達(dá)到輸出過壓保護(hù)的作用；

由電阻R2、電容C4，R8控制芯片D1，來監(jiān)控輸出的電流值，輸出的電壓通過電阻R2的阻值轉(zhuǎn)換成電壓，超過設(shè)定電壓值，控制芯片D1輸出信號(hào)關(guān)斷開關(guān)管VT2，達(dá)到輸出過流保護(hù)的作用。

其中，連接在正線上的控制芯片D1可以采用MP5021熱插拔芯片，這樣，當(dāng)電流達(dá)到設(shè)定值，即可控制端口關(guān)閉VT2，同理，當(dāng)電壓達(dá)到設(shè)定值，即可控制端口關(guān)閉VT2。

還要說明的是，本實(shí)施例的輸出電流檢測電路、輸出電壓檢測電路、輸入限流電路采用了同一控制芯片D1，但本申請(qǐng)并不限于此種實(shí)施方式。即在 其他實(shí)施場景中，輸出電流檢測電路、輸出電壓檢測電路、輸入限流電路可以分別采用不同的控制芯片或邏輯電路以實(shí)現(xiàn)對(duì)開關(guān)電路的斷開或閉合。

另有一種具體的保護(hù)電路如圖3所示，其與圖2所示電路基本相同，不同之處在于選用的MOS管種類不同，故MOS部分的連接方式有所區(qū)別。例如，如圖2采用的是NMOS管，其連接在正線上，圖3采用的PMOS管，其連接在負(fù)線上，但圖2和圖3所示的兩種實(shí)施電路的工作方式是一致的。在此不再贅述。

從上述實(shí)施例可以看出，本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋Ｗo(hù)電路，采用MOS管做主回路開關(guān)，電路簡單、成本低、可靠性高，比現(xiàn)有帶過流控制IC的MOS緩啟動(dòng)(或熱插拔電路)電路保護(hù)全面，通過同時(shí)檢測輸出的電壓、電流以及輸入電流三重防護(hù)來達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路的目的，與現(xiàn)有保護(hù)電路相比可靠性高，大大減少了BUCK電路上管的擊穿及BOOST電路中開關(guān)管擊穿的可能，防止后級(jí)負(fù)載因過壓過流損壞，有應(yīng)用前景和價(jià)值，有創(chuàng)新性。

以上所述，僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)例而已，并非用于限定本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。凡在本申請(qǐng)的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍之內(nèi)。