本發(fā)明涉及對半導(dǎo)體元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置。

背景技術(shù)：

在三相逆變器等功率半導(dǎo)體裝置中，設(shè)置有用于分別驅(qū)動(dòng)多個(gè)半導(dǎo)體元件的多個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置。各驅(qū)動(dòng)裝置具有下述FO功能，即，在通過半導(dǎo)體元件的狀態(tài)監(jiān)視(SC、OC、OT、UV等)而檢測出錯(cuò)誤信號的情況下，在半導(dǎo)體元件的動(dòng)作的切斷(錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作)的同時(shí)，將異常狀態(tài)向控制裝置(MCU)側(cè)進(jìn)行通知(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

圖13是表示當(dāng)前的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。圖14是表示當(dāng)前的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。各驅(qū)動(dòng)裝置如果被從ERR端子輸入了錯(cuò)誤信號，則從FO端子向MCU輸出識別信號。由于識別信號具有根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而不同的脈沖寬度，因此能夠在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。另外，通過輸入來自其他驅(qū)動(dòng)裝置的識別信號，由此檢測到其他驅(qū)動(dòng)裝置進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作，自身也進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2012-10544號公報(bào)

在當(dāng)前的驅(qū)動(dòng)裝置中，通過相同的FO端子進(jìn)行識別信號的輸出和錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作的檢測。因此，如果根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而決定識別信號的脈沖寬度，則不能進(jìn)行與比該寬度長的錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。另一方面，如果使識別信號的脈沖寬度與錯(cuò)誤信號的長度相一致，則不能在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

另外，在連續(xù)地被輸入多個(gè)錯(cuò)誤信號的情況下，識別信號發(fā)生混雜。例如，在由于控制電源下降保護(hù)動(dòng)作(UV動(dòng)作)，因而半導(dǎo)體元件的結(jié)溫上升、進(jìn)行了溫度異常檢測動(dòng)作(OT動(dòng)作)的情況下，針對哪個(gè)錯(cuò)誤都進(jìn)行保護(hù)動(dòng)作。另一方面，作為識別信號，應(yīng)當(dāng)先行輸出與成為錯(cuò)誤的起因的UV動(dòng)作相對應(yīng)的識別信號。但是，由于與UV動(dòng)作相對應(yīng)的識別信號、與OT動(dòng)作相對應(yīng)的識別信號發(fā)生混雜，因此不能在MCU側(cè)識別是何種錯(cuò)誤。

另外，在3相逆變器系統(tǒng)等中，多個(gè)驅(qū)動(dòng)裝置的FO端子匯總為一個(gè)而與MCU連接。因此，如圖14所示，如果在本相和他相連續(xù)地發(fā)生錯(cuò)誤，則兩相的識別信號發(fā)生混雜而不能在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明就是為了解決上述課題而提出的，其目的在于得到一種半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置，該半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置能夠與識別信號獨(dú)立地進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作，能夠通過輸出的識別信號而對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置對半導(dǎo)體元件進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，所述半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的特征在于，具有：識別信號生成電路，其生成根據(jù)輸入來的錯(cuò)誤信號的種類而不同的識別信號；保護(hù)動(dòng)作信號生成電路，其生成具有所述錯(cuò)誤信號和所述識別信號之中較長一方的脈沖寬度的保護(hù)動(dòng)作信號；識別信號端子，其對所述識別信號進(jìn)行輸入輸出；保護(hù)動(dòng)作信號端子，其對所述保護(hù)動(dòng)作信號進(jìn)行輸入輸出；以及保護(hù)電路，其根據(jù)所述保護(hù)動(dòng)作信號生成電路所生成的本相的保護(hù)動(dòng)作信號以及從所述保護(hù)動(dòng)作信號端子輸入的他相的保護(hù)動(dòng)作信號而進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。

發(fā)明的效果

在本發(fā)明中，生成具有錯(cuò)誤信號和識別信號之中較長一方的脈沖寬度的保護(hù)動(dòng)作信號。而且，將對識別信號進(jìn)行輸入輸出的識別信號端子、和對保護(hù)動(dòng)作信號進(jìn)行輸入輸出的保護(hù)動(dòng)作信號端子分開而構(gòu)成。由此，能夠與識別信號獨(dú)立地進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。因此，還能夠進(jìn)行與比識別信號的脈沖寬度長的錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。另外，通過輸出根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而不同的識別信號，從而能夠在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的電力轉(zhuǎn)換裝置的圖。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的圖。

圖4是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖5是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖6是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第1例的圖。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第2例的圖。

圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第3例的圖。

圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的他相識別信號優(yōu)先電路的圖。

圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的他相識別信號優(yōu)先電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。

圖13是表示當(dāng)前的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。

圖14是表示當(dāng)前的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的動(dòng)作的時(shí)序圖。

標(biāo)號的說明

2a～2f半導(dǎo)體元件，3a～3f驅(qū)動(dòng)裝置，11識別信號生成電路，12他相識別信號優(yōu)先電路，14保護(hù)動(dòng)作信號生成電路，18保護(hù)電路，26定時(shí)器電路，30電容器

具體實(shí)施方式

圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的電力轉(zhuǎn)換裝置的圖。電力轉(zhuǎn)換裝置主要具有逆變器1和驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f，該驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f分別驅(qū)動(dòng)構(gòu)成逆變器1的6個(gè)半導(dǎo)體元件2a～2f。

半導(dǎo)體元件2a～2f是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)。在與直流電源連接而被供給直流電力的正極側(cè)線Lp與負(fù)極側(cè)線Ln之間分別并聯(lián)連接有半導(dǎo)體元件2a、2d的串聯(lián)電路、半導(dǎo)體元件2b、2e的串聯(lián)電路和半導(dǎo)體元件2c、2f的串聯(lián)電路。續(xù)流二極管4a～4f分別與半導(dǎo)體元件2a～2f反向并聯(lián)連接。

半導(dǎo)體元件2a、2b、2c分別設(shè)為U相、V相、W相而構(gòu)成上橋臂UA，半導(dǎo)體元件2d、2e、2f分別設(shè)為X相、Y相、Z相而構(gòu)成下橋臂LA。從半導(dǎo)體元件2a、2d的連接點(diǎn)、半導(dǎo)體元件2b、2e的連接點(diǎn)、半導(dǎo)體元件2c、2f的連接點(diǎn)輸出3相交流電力，該3相交流電力被供給至電動(dòng)機(jī)等交流負(fù)載。

在各半導(dǎo)體元件2a～2f設(shè)置有對在集電極-發(fā)射極之間流過的電流進(jìn)行檢測的電流感測用晶體管5、與各元件埋入至相同的芯片內(nèi)的溫度檢測用二極管6。電流感測用晶體管5的集電極以及柵極與相對應(yīng)的半導(dǎo)體元件的集電極以及柵極分別連接。

驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f的結(jié)構(gòu)彼此相同，具有：輸入端子IN，其從外部的控制裝置7(MCU)被輸入柵極驅(qū)動(dòng)用脈沖寬度調(diào)制信號；輸出端子OUT，其將柵極驅(qū)動(dòng)信號輸出至相對應(yīng)的半導(dǎo)體元件的柵極；錯(cuò)誤端子ERR1、ERR2、ERR3；FO端子(識別信號端子)，其對識別信號進(jìn)行輸入輸出；以及FO_T端子(保護(hù)動(dòng)作信號端子)，其對保護(hù)動(dòng)作信號進(jìn)行輸入輸出。驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f的FO端子匯總為一個(gè)而與控制裝置7連接。驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f的FO_T端子相互連接。

錯(cuò)誤端子ERR1被輸入向各驅(qū)動(dòng)裝置供給的驅(qū)動(dòng)電源電壓，錯(cuò)誤端子ERR2與電流感測用晶體管5的發(fā)射極連接，錯(cuò)誤端子ERR3與溫度檢測用二極管6的正極連接。

圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)裝置的圖。輸入電路8針對從輸入端子IN輸入的脈沖寬度調(diào)制信號進(jìn)行波形整形等信號處理。放大器9對輸入電路8的輸出進(jìn)行放大，作為柵極驅(qū)動(dòng)信號而從輸出端子OUT進(jìn)行輸出。

錯(cuò)誤信號生成部10a、10b、10c根據(jù)從錯(cuò)誤端子ERR1、ERR2、ERR3輸入的信號而生成錯(cuò)誤信號。具體而言，如果驅(qū)動(dòng)電源電壓下降至小于或等于規(guī)定電壓，則錯(cuò)誤信號生成部10a輸出與電源電壓下降保護(hù)(UV)相對應(yīng)的錯(cuò)誤信號。如果輸入來的流過電流感測用晶體管5的電流大于或等于過電流閾值，則錯(cuò)誤信號生成部10b輸出與過電流保護(hù)(OC)以及短路保護(hù)(SC)相對應(yīng)的錯(cuò)誤信號。錯(cuò)誤信號生成部10c基于溫度檢測用二極管6的端子間電壓而檢測芯片溫度，如果檢測出的芯片溫度大于或等于規(guī)定過熱閾值，則輸出與過熱保護(hù)(OT)相對應(yīng)的錯(cuò)誤信號。

識別信號生成電路11生成具有根據(jù)輸入的錯(cuò)誤信號的種類而不同的脈沖寬度(Duty)的識別信號。識別信號經(jīng)由他相識別信號優(yōu)先電路12以及晶體管13而從FO端子進(jìn)行輸出。

保護(hù)動(dòng)作信號生成電路14生成具有錯(cuò)誤信號和識別信號之中較長一方的脈沖寬度的保護(hù)動(dòng)作信號。保護(hù)動(dòng)作信號經(jīng)由晶體管15而從FO_T端子進(jìn)行輸出。

從保護(hù)動(dòng)作信號生成電路14輸出的保護(hù)動(dòng)作信號被輸入至AND電路16，從FO_T端子輸入的他相的保護(hù)動(dòng)作信號也經(jīng)由反相器17被輸入至AND電路16。AND電路16的輸出被輸入至保護(hù)電路18。保護(hù)電路18根據(jù)保護(hù)動(dòng)作信號生成電路14所生成的本相的保護(hù)動(dòng)作信號以及從FO_T端子輸入的他相的保護(hù)動(dòng)作信號而進(jìn)行半導(dǎo)體元件的動(dòng)作的切斷(錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作)。

圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的圖。錯(cuò)誤信號ERR1、ERR2、ERR3分別經(jīng)由AND電路19a、19b、19c以及反相器20a、20b、20c被輸入至D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的T端子。在D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的D端子施加有高電平的電壓。AND電路19a、19b、19c的輸出和D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的輸出被輸入至OR電路22a、22b、22c。

D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的輸出ff1d、ff2d、ff3d被輸入至OR電路23，OR電路23的輸出成為識別信號。OR電路22a、22b、22c的輸出ff1q、ff2q、ff3q被輸入至OR電路24，OR電路24的輸出成為保護(hù)動(dòng)作信號。

另外，ff1q被輸入至OR電路25b、25c，ff2q被輸入至OR電路25a、25c，ff3q被輸入至OR電路25a、25b。OR電路25a、25b、25c的輸出分別被反轉(zhuǎn)輸入至AND電路19a、19b、19c。定時(shí)器電路26在從輸入了ff1d、ff2d、ff3d起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，將重置信號輸出至D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的R端子。

上述結(jié)構(gòu)之中的OR電路22a、22b、22c、24與保護(hù)動(dòng)作信號生成電路14相對應(yīng)，其他結(jié)構(gòu)與識別信號生成電路11相對應(yīng)。在該識別信號生成電路11中，D觸發(fā)器電路21a、21b、21c分別將錯(cuò)誤信號ERR1、ERR2、ERR3作為邊沿觸發(fā)。定時(shí)器電路26根據(jù)D觸發(fā)器電路21a、21b、21c的輸出而開始動(dòng)作，在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間之后，定時(shí)器電路26將D觸發(fā)器電路21a、21b、21c重置。這樣，識別信號生成電路11根據(jù)定時(shí)器電路26的輸出而使識別信號的輸出期間、即脈沖寬度變化。由此，生成具有根據(jù)錯(cuò)誤信號ERR1、ERR2、ERR3的種類而不同的脈沖寬度的識別信號。

另外，在輸出有作為保護(hù)動(dòng)作信號的ff1q、ff2q、ff3q的任意者的情況下，通過由AND電路19a、19b、19c以及OR電路25a、25b、25c構(gòu)成的優(yōu)先電路，使得錯(cuò)誤信號不被輸入至與其他保護(hù)動(dòng)作信號相對應(yīng)的D觸發(fā)器電路。因此，在與先輸入的第1錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作信號的輸出過程中輸入了第2錯(cuò)誤信號的情況下，識別信號生成電路11不生成與第2錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的識別信號。

圖4～圖7是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的識別信號生成電路以及保護(hù)動(dòng)作信號生成電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。如圖4所示，如果輸入了錯(cuò)誤信號ERR1，則生成脈沖寬度t1的保護(hù)動(dòng)作信號ff1q。如果在輸出了保護(hù)動(dòng)作信號ff1q之后輸入了錯(cuò)誤信號ERR2，則生成脈沖寬度t2的保護(hù)動(dòng)作信號ff2q。

另一方面，如圖5所示，即使在保護(hù)動(dòng)作信號ff1q的輸出過程中輸入了錯(cuò)誤信號ERR2，該錯(cuò)誤信號ERR2也不被輸入至D觸發(fā)器電路21b，不生成與錯(cuò)誤信號ERR2相對應(yīng)的識別信號以及保護(hù)動(dòng)作信號。

另外，如圖6所示，在錯(cuò)誤信號ERR1的脈沖寬度terr比與其相對應(yīng)的識別信號ff1d的脈沖寬度t1短的情況下，生成與識別信號ff1d相同的脈沖寬度t1的保護(hù)動(dòng)作信號ff1q。

另一方面，如圖7所示，在錯(cuò)誤信號ERR1的脈沖寬度terr比與其相對應(yīng)的識別信號ff1d的脈沖寬度t1長的情況下，生成與錯(cuò)誤信號ERR1相同的脈沖寬度terr的保護(hù)動(dòng)作信號ff1q。因此，還能夠進(jìn)行與比識別信號的脈沖寬度長的錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。

圖8是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第1例的圖。與錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的ff1d、ff2d、ff3d被輸入至OR電路27，OR電路27的輸出被輸入至NOR電路28。根據(jù)NOR電路28的輸出，晶體管29將電容器30與接地點(diǎn)之間接通/斷開。如果輸入了ff1d、ff2d、ff3d的任意者，則晶體管29斷開，電流源31開始對電容器30進(jìn)行充電。比較器32輸出直至電容器30的電壓達(dá)到閾值電壓V為止的時(shí)間。

在第1例中，選擇器33根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而選擇對電容器30進(jìn)行充電的電流源31的電流值。由此，能夠生成具有根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而不同的脈沖寬度的識別信號。另外，能夠構(gòu)成為僅通過電流鏡部的變更即可實(shí)現(xiàn)電流值的選擇，因此能夠簡化電路。

圖9是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第2例的圖。在第2例的定時(shí)器電路26中，選擇器34根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而切換閾值電壓V1、V2、V3。由此，能夠生成具有根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而不同的脈沖寬度的識別信號。另外，在比較器32的情況下，由于能夠通過內(nèi)部電源和電阻分割而在內(nèi)部生成精度較高的閾值電壓，因此能夠提高識別信號的輸出期間的精度。

圖10是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的定時(shí)器電路的第3例的圖。ff1d、ff2d、ff3d被輸入至NOR電路35，根據(jù)NOR電路35的輸出，晶體管29將三角波生成電路36與接地點(diǎn)之間接通/斷開。如果輸入了與錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的ff1d、ff2d、ff3d的任意者，則晶體管29斷開，三角波生成電路36所生成的基波從比較器32進(jìn)行輸出。T觸發(fā)器電路37a、37b、37c將該基波進(jìn)行分頻。選擇器38根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而切換分頻比N，輸出分頻后的脈沖信號。由此，由于即使在基波發(fā)生了波動(dòng)的情況下也能夠生成N倍于基波的脈沖寬度，因此能夠得到對工藝波動(dòng)的抗性強(qiáng)且相對精度高的輸出。

圖11是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的他相識別信號優(yōu)先電路的圖。這里，將驅(qū)動(dòng)裝置3a～3f的任意2個(gè)作為A相和B相的驅(qū)動(dòng)裝置而進(jìn)行例示。另外，將驅(qū)動(dòng)裝置內(nèi)除了他相識別信號優(yōu)先電路12周邊的結(jié)構(gòu)以外的部分省略。

上升沿檢測部38對應(yīng)于本相的識別信號的上升沿而輸出單觸發(fā)脈沖。下降沿檢測部39對應(yīng)于本相的識別信號的下降沿而輸出單觸發(fā)脈沖。上升沿檢測部38的輸出被輸入至OR電路40，下降沿檢測部39的輸出也經(jīng)由AND電路41被輸入至OR電路40。經(jīng)由FO端子而輸入的他相的識別信號被輸入至D觸發(fā)器電路42的D端子，并且經(jīng)由反相器43被輸入至AND電路41。OR電路40的輸出被輸入至D觸發(fā)器電路42的T端子。通過D觸發(fā)器電路42的輸出而使晶體管13接通/斷開。

圖12是表示本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的他相識別信號優(yōu)先電路的動(dòng)作的時(shí)序圖。在從FO端子輸入有他相的識別信號的情況下，D端子輸入變?yōu)榈碗娖?，因此即使從上升沿檢測部38將單觸發(fā)脈沖輸入至T端子，也沒有來自D觸發(fā)器電路42的Q端子的輸出。因此，他相識別信號優(yōu)先電路12在從FO端子輸入有他相的識別信號的狀態(tài)下，不使本相的識別信號從FO端子進(jìn)行輸出。

如以上說明所示，在本實(shí)施方式中，生成具有錯(cuò)誤信號和識別信號之中較長一方的脈沖寬度的保護(hù)動(dòng)作信號。而且，將對識別信號進(jìn)行輸入輸出的FO端子、和對保護(hù)動(dòng)作信號進(jìn)行輸入輸出的FO_T端子分開而構(gòu)成。由此，能夠與識別信號獨(dú)立地進(jìn)行錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。因此，還能夠進(jìn)行與比識別信號的脈沖寬度長的錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的錯(cuò)誤保護(hù)動(dòng)作。另外，通過輸出具有根據(jù)錯(cuò)誤信號的種類而不同的脈沖寬度的識別信號，從而能夠在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

另外，在與先輸入的第1錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的保護(hù)動(dòng)作信號的輸出過程中輸入了第2錯(cuò)誤信號的情況下，識別信號生成電路11不生成與第2錯(cuò)誤信號相對應(yīng)的識別信號。由此，由于即使在本相內(nèi)連續(xù)地發(fā)生了多個(gè)錯(cuò)誤的情況下，與它們相對應(yīng)的識別信號也不會發(fā)生混雜，因此能夠在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

另外，他相識別信號優(yōu)先電路12在從FO端子輸入有他相的識別信號的狀態(tài)下，不使本相的識別信號從FO端子進(jìn)行輸出。即，如果處于從他相輸出有識別信號的狀態(tài)，則抑制來自本相的識別信號的輸出。由此，由于即使在本相和他相連續(xù)地發(fā)生錯(cuò)誤的情況下兩相的識別信號也不會發(fā)生混雜，因此能夠在MCU側(cè)對錯(cuò)誤模式進(jìn)行識別。

另外，由于在識別信號生成電路11中識別信號的脈沖寬度的變更能夠通過定時(shí)器電路而實(shí)現(xiàn)，因此能夠簡化電路。