本發(fā)明涉及電開關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種斷路器的控制電路。

背景技術(shù)：

斷路器用于切斷或連通電路，它與開關(guān)相比，內(nèi)部設(shè)置了防短路和限流裝置，安全性較高，因此在樓宇電路和各種電氣設(shè)備中應(yīng)用廣泛。斷路器在電路中除了起通斷控制作用外，還具有一定的保護(hù)功能，如過負(fù)荷、短路、欠壓和漏電保護(hù)等?，F(xiàn)有的斷路器跳閘時(shí)間長，不能及時(shí)控制相關(guān)電路從而保護(hù)相關(guān)設(shè)備。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：提供一種斷路器的控制電路，實(shí)現(xiàn)有效縮短控制電路控制斷路器斷電的時(shí)間。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

一種斷路器的控制電路，包括：第一芯片、第二芯片、光耦模塊、可控硅模塊、整流模塊、跳閘線圈模塊和斷路器模塊；

所述第一芯片和可控硅模塊分別與所述光耦模塊連接；

所述第二芯片和整流模塊分別與可控硅模塊連接；

所述跳閘線圈模塊與整流模塊連接；

所述斷路器模塊包括電磁鐵；所述電磁鐵用于控制斷路器的通斷；

所述跳閘線圈模塊包括跳閘線圈，用于控制所述電磁鐵吸合。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供的控制電路通過第一芯片發(fā)送低電平，使光耦模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；第二芯片的供電電壓加到可控硅模塊上，使可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)；由于光耦模塊和可控硅模塊皆處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得跳匝線圈模塊中的跳閘線圈上有電流流通，從而產(chǎn)生磁場(chǎng)吸合斷路器中的電磁鐵，使斷路器跳閘斷開電路，實(shí)現(xiàn)有效縮短控制電路控制斷路器斷電的時(shí)間。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一種斷路器的控制電路的模塊示意圖；

圖2為本發(fā)明一種斷路器的控制電路的第一芯片的電路示意圖；

圖3為本發(fā)明一種斷路器的控制電路的電路示意圖；

標(biāo)號(hào)說明：

100、第一芯片；200、第二芯片；300、光耦模塊；400、可控硅模塊；500、整流模塊；600、跳閘線圈模塊；700、斷路器模塊。

具體實(shí)施方式

為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說明。

本發(fā)明最關(guān)鍵的構(gòu)思在于：通過第一芯片發(fā)送低電平，使光耦模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；第二芯片的供電電壓加到可控硅模塊上，使可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)；由于光耦模塊和可控硅模塊皆處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得跳匝線圈模塊中的跳閘線圈上有電流流通，從而產(chǎn)生磁場(chǎng)吸合斷路器中的電磁鐵，使斷路器跳閘斷開電路，有效縮短了控制電路控制斷路器斷電的時(shí)間。

請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖3，本發(fā)明提供的一種斷路器的控制電路，包括：第一芯片100、第二芯片200、光耦模塊300、可控硅模塊400、整流模塊500、跳閘線圈模塊600和斷路器模塊700；

所述第一芯片100和可控硅模塊400分別與所述光耦模塊300連接；

所述第二芯片200和整流模塊500分別與可控硅模塊400連接；

所述跳閘線圈模塊600與整流模塊500連接；

所述斷路器模塊700包括電磁鐵；所述電磁鐵用于控制斷路器的通斷；

所述跳閘線圈模塊600包括跳閘線圈，用于控制所述電磁鐵吸合。

進(jìn)一步地，所述光耦模塊300包括發(fā)光二極管、光敏半導(dǎo)體管、第一電阻和第二電阻；

所述發(fā)光二極管的正極與第一電阻的一端連接；所述發(fā)光二極管的負(fù)極與所述第一芯片100的發(fā)射端連接；所述第一電阻的另一端與第一電源連接；

所述光敏半導(dǎo)體管的一端與可控硅模塊400的連接；所述光敏半導(dǎo)體管的另一端與第二電阻的一端連接；所述第二電阻的另一端與第二電源連接。

由上述描述可知，第一芯片的低電壓通過光耦控制可控硅模塊的高電壓，并且光耦可使第一芯片和可控硅模塊之間電氣隔離。

進(jìn)一步地，所述可控硅模塊400包括晶閘管、第一電容和第三電阻；

所述第二芯片200和所述第三電阻的另一端分別與所述晶閘管的陽極連接；所述晶閘管的陰極與所述第一電容的一端連接；所述晶閘管的門極與所述第二芯片200連接；所述第一電容的另一端與所述第三電阻的一端連接。

由上述描述可知，在可控硅的觸發(fā)極上施加脈沖信號(hào)可控硅會(huì)導(dǎo)通，導(dǎo)致流過跳閘線圈的電流增大，電磁鐵吸合使斷路器斷開。

進(jìn)一步地，所述第二芯片200包括第一引腳、第一二極管、第四電阻、第十二電阻、第十三電阻、第十八電容、第十九電容、第二十電容、第二十一電容、第二十二電容、第二十三電容、第二十三引腳、第二十四引腳、第二十五引腳、第二十六引腳、第二十七引腳、第二十八引腳、第一零序電流互感器和第二零序電流互感器；

所述第一引腳與第一二極管的正極連接；所述第一二極管的負(fù)極與所述第四電阻的一端連接；

所述第四電阻的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第一零序電流互感器和第十八電容的一端分別與所述第十二電阻的一端連接；

所述第二零序電流互感器和第十八電容的另一端分別與所述第十二電阻的另一端連接；

所述第十八電容的一端通過所述第十三電阻與所述第二十四引腳連接；

所述第十八電容的另一端與所述第二十三引腳連接；

所述第二十三引腳通過所述第二十三電容接地；

所述第二十五引腳接地；

所述第二十六引腳通過第十九電容接地；

所述第二十六引腳連接所述第二十七引腳；

所述第二十八引腳通過所述第二十電容與第一引腳連接；

所述第一引腳通過所述第二十二電容接地。

進(jìn)一步地，所述第二芯片200還包括第二引腳和第五電阻；

所述第二引腳與所述第五電阻的一端連接；

所述第五電阻的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第二引腳通過所述第二十一電容接地。

由上述描述可知，第二芯片包括一個(gè)差分放大器，一個(gè)鎖存器和一個(gè)電壓調(diào)整器組成。差分放大器的2個(gè)輸入端連接到用于檢測(cè)漏電流的零序電流互感器次級(jí)。信號(hào)被差分放大器放大并且被外接電容積分，連接到鎖存器輸入端。它的輸出是個(gè)快速的漏電保護(hù)特性，在輸入電壓低于規(guī)定值之前，鎖存器一直保持為低，當(dāng)漏電流超過規(guī)定值，輸出變高。鎖存器的輸出連接到可控硅，使它驅(qū)動(dòng)。

進(jìn)一步地，所述整流模塊500包括第二二極管、第三二極管、第四二極管和第五二極管；

所述第二二極管的負(fù)極與第四二極管的負(fù)極連接；所述第二二極管的正極與第三二極管的負(fù)極連接；所述第三二極管的正極與所述第五二極管的正極連接；所述第五二極管的負(fù)極與所述第四二極管的正極連接。

由上述描述可知，通過整流模塊可將交流電轉(zhuǎn)換成直流電，從而向跳閘線圈提供直流電。

進(jìn)一步地，還包括：

開關(guān)和第六電阻；

所述開關(guān)的一端與所述第六電阻的一端連接。

由上述描述可知，可實(shí)現(xiàn)模擬當(dāng)發(fā)生漏電時(shí)，控制電路是否能夠及時(shí)控制斷路器斷電。

進(jìn)一步地，還包括保護(hù)模塊；

所述保護(hù)模塊包括壓敏電阻；

零線通過所述壓敏電阻與火線連接。

由上述描述可知，通過壓敏電阻可有效保護(hù)電路。

進(jìn)一步地，還包括：

第六二極管、第七電阻和第二電容；

所述第六二極管的正極與光耦模塊300連接；所述第六二極管的負(fù)極與所述第七電阻的一端連接；所述第七電阻的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第二電容與可控硅模塊400連接。

進(jìn)一步地，所述第一芯片100包括：第三引腳、第四引腳、第五引腳、第六引腳、第七引腳、第八引腳、第九引腳、第十引腳、第十一引腳、第十二引腳、第十三引腳、第十四引腳、第十五引腳、第十六引腳、第十七引腳、第十八引腳、第十九引腳、第二十引腳、第二十一引腳、第二十二引腳、第八電阻、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第三電容、第四電容、第五電容、第六電容、第七電容、第八電容、第九電容、第十電容、第十一電容、第十二電容、第十三電容、第十四電容、第十五電容、第十六電容、晶體振蕩器和排針；

所述第三引腳與所述光耦模塊300連接；

所述第四引腳通過所述第八電阻與所述第十五引腳連接；所述第四引腳通過所述第三電容接地；

所述排針包括第十九引腳和第二十引腳；所述第十九引腳與所述第五引腳連接；所述第二十引腳接地；所述第五引腳通過所述第九電阻與所述第十五引腳連接；

所述第四電容的一端和所述第五電容的一端分別與第六引腳連接；所述第四電容的另一端和所述第五電容的另一端連接后接地；

所述第七引腳通過第六電容接地；

所述第七電容的一端和所述第八電容的一端分別與所述第八引腳連接；所述第七電容的另一端和所述第八電容的另一端連接后接地；

所述第九引腳與所述第十六引腳連接；

所述第十引腳與第一電源連接；所述第九電容的一端和所述第十電容的一端分別與第一電源連接；所述第九電容的另一端和所述第十電容的另一端分別與地連接；

所述第十一引腳通過第十電阻與所述第二十二引腳連接；

所述晶體振蕩器包括所述第十七引腳和所述第十八引腳；所述第十七引腳與所述第十二引腳連接；所述第十八引腳與所述第十三引腳連接；所述第十七引腳與所述第十六電容的一端連接；所述第十八引腳與所述第十五電容的一端連接；所述第十六電容的另一端和所述第十五電容的另一端連接后接地；

所述第十四引腳通過第十一電阻與第一電源連接；所述第十三電容的一端和所述第十四電容的一端分別與所述第十四引腳連接；所述第十三電容的另一端和所述第十四電容的另一端連接后接地；

所述第十二電容的一端和所述第十一電容的一端分別與所述第十五引腳連接；所述第十二電容的另一端和所述第十一電容的另一端連接后接地；

所述第二十一引腳接地。

由上述描述可知，通過第一芯片可發(fā)送低電平命令，從而實(shí)現(xiàn)觸發(fā)控制電路工作。

請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖3，本發(fā)明的實(shí)施例一為：

本發(fā)明提供的一種斷路器的控制電路，包括：第一芯片100、第二芯片200、光耦模塊300、可控硅模塊400、整流模塊500、跳閘線圈模塊600和斷路器模塊700；

所述第一芯片100和可控硅模塊400分別與所述光耦模塊300連接；

所述第二芯片200和整流模塊500分別與可控硅模塊400連接；

所述跳閘線圈模塊600與整流模塊500連接；

所述斷路器模塊700包括電磁鐵；所述電磁鐵用于控制斷路器的通斷；

所述跳閘線圈模塊600包括跳閘線圈L15，用于控制所述電磁鐵吸合。

在本實(shí)施例中標(biāo)注如圖2，所述光耦模塊300包括發(fā)光二極管D12、光敏半導(dǎo)體管D13、第一電阻R17和第二電阻R16；

所述發(fā)光二極管D12的正極與第一電阻R17的一端連接；所述發(fā)光二極管D12的負(fù)極與所述第一芯片100的發(fā)射端連接；所述第一電阻R17的另一端與第一電源連接；

所述光敏半導(dǎo)體管D13的一端與可控硅模塊400的連接；所述光敏半導(dǎo)體管D13的另一端與第二電阻R16的一端連接；所述第二電阻R16的另一端與第二電源連接，所述第二電源采用12V的電壓進(jìn)行供電。

所述可控硅模塊400包括晶閘管SCR、第一電容C58和第三電阻R46；

所述第二芯片200和所述第三電阻R46的另一端分別與所述晶閘管SCR的陽極連接；所述晶閘管SCR的陰極與所述第一電容C58的一端連接；所述晶閘管SCR的門極與所述第二芯片200連接；所述第一電容C58的另一端與所述第三電阻R46的一端連接。

所述第二芯片200包括第一引腳75、第一二極管D5、第四電阻R41、第十二電阻R49、第十三電阻R43、第十八電容C59、第十九電容C60、第二十電容C55、第二十一電容C57、第二十二電容C56、第二十三電容C41、第二十三引腳69、第二十四引腳70、第二十五引腳71、第二十六引腳72、第二十七引腳73、第二十八引腳74、第一零序電流互感器ZCT1和第二零序電流互感器ZCT2；

所述第一引腳75與第一二極管D5的正極連接；所述第一二極管D5的負(fù)極與所述第四電阻R41的一端連接；

所述第四電阻R41的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第一零序電流互感器ZCT1和第十八電容C59的一端分別與所述第十二電阻R49的一端連接；

所述第二零序電流互感器ZCT2和第十八電容C59的另一端分別與所述第十二電阻R49的另一端連接；

所述第十八電容C59的一端通過所述第十三電阻R43與所述第二十四引腳70連接；

所述第十八電容C59的另一端與所述第二十三引腳69連接；

所述第二十三引腳59通過所述第二十三電容C41接地；

所述第二十五引腳71接地；

所述第二十六引腳72通過第十九電容C60接地；

所述第二十六引腳72連接所述第二十七引腳73；

所述第二十八引74腳通過所述第二十電容C55與第一引腳75連接；

所述第一引腳75通過所述第二十二電容C56接地。

所述第二芯片200還包括第二引腳76和第五電阻R48；

所述第二引腳76與所述第五電阻R48的一端連接；

所述第五電阻R48的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第二引腳76通過所述第二十一電容C57接地。

所述整流模塊500包括第二二極管D8、第三二極管D9、第四二極管D10和第五二極管D11；

所述第二二極管D8的負(fù)極與第四二極管D10的負(fù)極連接；所述第二二極管D8的正極與第三二極管D9的負(fù)極連接；所述第三二極管D9的正極與所述第五二極管D11的正極連接；所述第五二極管D11的負(fù)極與所述第四二極管D10的正極連接。

開關(guān)K的一端與第六電阻R50的一端連接。

保護(hù)模塊包括壓敏電阻RU；

零線AC220-N通過所述壓敏電阻RU與火線AC220-L連接。

第六二極管D7的正極與光耦模塊300連接；第六二極管D7的負(fù)極與第七電阻R42的一端連接；第七電阻R42的另一端與可控硅模塊400連接；

所述第二電容C34與可控硅模塊400連接。

所述第一芯片100包括：第三引腳51、第四引腳49、第五引腳44、第六引腳33、第七引腳20、第八引腳12、第九引腳11、第十引腳4、第十一引腳3、第十二引腳64、第十三引腳63、第十四引腳61、第十五引腳60、第十六引腳59、第十七引腳65、第十八引腳66、第十九引腳67、第二十引腳68、第二十一引腳32、第二十二引腳21、第八電阻R45、第九電阻R12、第十電阻R47、第十一電阻R44、第三電容C43、第四電容C33、第五電容C49、第六電容C42、第七電容C52、第八電容C53、第九電容C51、第十電容C54、第十一電容C46、第十二電容C50、第十三電容C54、第十四電容C48、第十五電容C44、第十六電容C47、晶體振蕩器Y2和排針JP2；

所述第三引腳51與所述光耦模塊300連接；

所述第四引腳49通過所述第八電阻R45與所述第十五引腳60連接；所述第四引腳49通過所述第三電容C43接地；

所述排針JP2包括第十九引腳67和第二十引腳68；所述第十九引腳67與所述第五引腳44連接；所述第二十引腳68接地；所述第五引腳44通過所述第九電阻R12與所述第十五引腳60連接；

所述第四電容C33的一端和所述第五電容C49的一端分別與第六引腳33連接；所述第四電容C33的另一端和所述第五電容C49的另一端連接后接地；

所述第七引腳20通過第六電容C42接地；

所述第七電容C52的一端和所述第八電容C53的一端分別與所述第八引腳12連接；所述第七電容C52的另一端和所述第八電容C53的另一端連接后接地；

所述第九引腳11與所述第十六引腳59連接；

所述第十引腳4與第一電源連接，所述第一電源提供3.3V電壓；所述第九電容C51的一端和所述第十電容C54的一端分別與第一電源連接；所述第九電容C51的另一端和所述第十電容C54的另一端分別與地連接；

所述第十一引腳3通過第十電阻R47與所述第二十二引腳21連接；

所述晶體振蕩器Y2包括所述第十七引腳65和所述第十八引腳66；所述第十七引腳65與所述第十二引腳64連接；所述第十八引腳66與所述第十三引腳63連接；所述第十七引腳65與所述第十六電容C47的一端連接；所述第十八引腳66與所述第十五電容C44的一端連接；所述第十六電容C47的另一端和所述第十五電容C44的另一端連接后接地；

所述第十四引腳61通過第十一電阻R44與第一電源連接；所述第十三電容C54的一端和所述第十四電容C48的一端分別與所述第十四引腳61連接；所述第十三電容C54的另一端和所述第十四電容C48的另一端連接后接地；

所述第十二電容C50的一端和所述第十一電容C46的一端分別與所述第十五引腳60連接；所述第十二電容C50的另一端和所述第十一電容C46的另一端連接后接地；

所述第二十一引腳32接地。

本實(shí)施例提供的控制電路通過第一芯片發(fā)送低電平，使光耦模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；第二芯片的供電電壓加到可控硅模塊上，使可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)；由于光耦模塊和可控硅模塊皆處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得跳匝線圈模塊中的跳閘線圈上有電流流通，從而產(chǎn)生磁場(chǎng)吸合斷路器中的電磁鐵，使斷路器跳閘斷開電路，跳閘時(shí)間小于100ms，實(shí)現(xiàn)有效縮短控制電路控制斷路器斷電的時(shí)間。

綜上所述，本發(fā)明提供的一種斷路器的控制電路通過第一芯片發(fā)送低電平，使光耦模塊處于導(dǎo)通狀態(tài)；第二芯片的供電電壓加到可控硅模塊上，使可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)；由于光耦模塊和可控硅模塊皆處于導(dǎo)通狀態(tài)，使得跳匝線圈模塊中的跳閘線圈上有電流流通，從而產(chǎn)生磁場(chǎng)吸合斷路器中的電磁鐵，使斷路器跳閘斷開電路，有效縮短了控制電路控制斷路器斷電的時(shí)間。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換，或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。