本發(fā)明涉及醫(yī)療器械技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及到一種高升壓比的二級升壓電路。

背景技術(shù)：

高頻設(shè)備由于供電電壓不足難以啟動，因此需要進行升壓以滿足工作電壓，獲取最后的高壓信號。目前的升壓方法采取的是由直流信號變換為交流信號，再由交流信號進行升壓，這樣的升壓方式不僅僅存在著效率低的問題，還因元件使用過多，占用過多空間。為此我們發(fā)明了一種新的高升壓比的二級升壓電路，解決了以上技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是提供一種能夠在輸入端提供交流信號，以保證在輸出端輸出高壓交流信號的高升壓比的二級升壓電路。

本發(fā)明的目的可通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)：高升壓比的二級升壓電路，該高升壓比的二級升壓電路包括MOS管驅(qū)動模塊，第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一變壓器和第二變壓器，該第一MOS管的漏極連接于直流高電壓的正極，源極連接于該第二MOS管的漏極，柵極連接于該MOS管驅(qū)動模塊，該第二MOS管的柵極連接于該MOS管驅(qū)動模塊，源極連接于直流高電壓的負極，該第三MOS管的漏極連接于直流高電壓的正極，源極連接于該第四MOS管的漏極，柵極連接于該MOS管驅(qū)動模塊，該第四MOS管的柵極連接于該MOS管驅(qū)動模塊，源極連接于直流高電壓的負極，該第一變壓器的初級線圈的一端連接在該第三MOS管和該第四MOS管之間，另一端連接于該MOS管驅(qū)動模塊，該第二變壓器的初級線圈耦接于該第一變壓器的次級線圈，該第二變壓器的次級線圈為輸出端，該MOS管驅(qū)動模塊控制該第一MOS管、該第二MOS管、該第三MOS管和該第四MOS管的開啟，該第一MOS管、該第二MOS管、該第三MOS管和該第四MOS管輸出交流電給該第一變壓器，通過該第一變壓器和該第二變壓器的升壓，在輸出端輸出高壓交流電壓。

本發(fā)明的目的還可通過如下技術(shù)措施來實現(xiàn)：

該MOS管驅(qū)動模塊包括移相控制芯片、MOS管驅(qū)動器、第三變壓器和第四變壓器，該移相控制芯片的四個輸出端分別連接于該MOS管驅(qū)動器的四個輸入端，該MOS管驅(qū)動器的第一輸出端耦接于該第三變壓器的初級線圈的一端，該第三變壓器的初級線圈的另一端接地，該MOS管驅(qū)動器的第二輸出端耦接于該第二MOS管的柵極，該MOS管驅(qū)動器的第三輸出端耦接于該第四變壓器的初級線圈的一端，該第四變壓器的初級線圈的另一端接地，該MOS管驅(qū)動器的第四輸出端耦接于該第四MOS管的柵極，該第三變壓器的次級線圈的一端耦接于該第一MOS管的柵極，另一端連接于該第一變壓器的初級線圈的另一端，該第四變壓器的次級線圈的一端耦接于該第三MOS管的柵極，另一端連接在該第三MOS管和該第四MOS管之間。

該MOS管驅(qū)動模塊還包括第一電容和第二電容，該第一電容的一端連接于該MOS管驅(qū)動器的第一輸出端，另一端連接于該第三變壓器的初級線圈的一端，該第二電容的一端連接于該MOS管驅(qū)動器的第三輸出端，另一端連接于該第四變壓器的初級線圈的一端，該移相控制芯片通過該MOS管驅(qū)動器將輸出的驅(qū)動信號進行緩沖，通過該第一電容和該第二電容將輸出的驅(qū)動信號進行過濾，以控制該第一MOS管、該第二MOS管、該第三MOS管和該第四MOS管的開啟。

該高升壓比的二級升壓電路還包括第三電容，該第三電容的一端連接于該第一變壓器的次級線圈的一端，另一端連接于該第二變壓器的初級線圈的一端，以過濾雜亂信號，并使該第一變壓器的輸出信號保持最大。

該高升壓比的二級升壓電路還包括第四電容和第一電感，該第四電容和該第一電感并聯(lián)后，連接在該第二變壓器的初級線圈兩端之間，以使該第一變壓器的輸出信號保持最大。

該高升壓比的二級升壓電路還包括第一電阻，該第一電阻連接在該第二變壓器的次級線圈兩端之間，與該第二變壓器的次級線圈構(gòu)成輸出端。

本發(fā)明中的高升壓比的二級升壓電路，簡單，高效，安全性高，并且能夠控制生產(chǎn)成本。本發(fā)明電路簡單,較之已使用電路,安全高效,可實現(xiàn)性較強,控制性強,節(jié)約醫(yī)療器械設(shè)備空間。本發(fā)明能夠應(yīng)用到便攜式醫(yī)療器械設(shè)備的控制電路中,可以方便醫(yī)護人員隨時就醫(yī),較之人性化。本發(fā)明能夠節(jié)約較多的元器件,不僅僅能夠節(jié)約制造成本,在醫(yī)療廢料方面也起到了一定的積極作用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明的高升壓比的二級升壓電路的一具體實施例的結(jié)構(gòu)圖；

圖2是本發(fā)明的一具體實施例的升壓輸出波形圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，并配合附圖所示，作詳細說明如下。

如圖1所示，圖1為本發(fā)明的高升壓比的二級升壓電路的結(jié)構(gòu)圖。該高升壓比的二級升壓電路由第一MOS管D1、第二MOS管D2、第三MOS管D3、第四MOS管D4、T1變壓器、T2變壓器、T3變壓器、T4變壓器、電感、電容、移相控制芯片、MOS管驅(qū)動器組成。

第一MOS管D1與第三MOS管D3的漏極連接高電壓，第一MOS管D1的源極與第二MOS管D2的漏極連接，第三MOS管D3的源極與第四MOS管D4的漏極連接，第一MOS管D1的柵極與第三MOS管D3的柵極分別與T1變壓器的次級線圈一端和T4的次級線圈端連接。第二MOS管D2的源極與第四MOS管D4的源極與高電壓負極連接，第二MOS管D2的柵極與第四MOS管D4的柵極分別與移相控制芯片的B輸出端和D輸出端連接。

T1變壓器的初級線圈的一端連接于第三MOS管D3和第四MOS管D4之間，另一端與T3變壓器的次級線圈的另一端連接。T1變壓器的次級線圈通過Cs電感與T2變壓器的初級線圈連接，T2變壓器的次級線圈與電阻Rc構(gòu)成輸出端。T3變壓器的初級線圈一端與移相控制芯片的A輸出連接，另一端接地。T4變壓器的初級線圈的一段與移相控制芯片的C輸出端連接，另一端接地。

當開啟電源時，移相控制芯片通過MOS管驅(qū)動器將輸出信號進行緩沖，通過電容C1、C2將雜亂信號進行過濾，過濾后的信號會控制第一MOS管D1、第二MOS管D2、第三MOS管D3、第四MOS管D4的開啟，輸入端變?yōu)榻涣麟?，通過T1變壓器和T2變壓器的升壓，在輸出端可得到需要的高壓交流電壓。

t1開始，第一MOS管D1與第四MOS管D4導(dǎo)通，第三MOS管D3與第二MOS管D2關(guān)閉，直流電源輸出恒定電壓，輸出波形入圖2中的(1)。

t1-t2時段開始，第一MOS管D1與第四MOS管D4關(guān)閉，第三MOS管D3與第二MOS管D2開啟，此時電壓輸出波形如圖2的(2)。按照這種方式改變電壓輸出方式。

當不同時段的電壓輸入到T1變壓器的初級線圈時，移相變壓器會將控制電壓信號通過B、C輸出端傳輸?shù)酱耍禽斎腚妷盒盘柕姆较蛉鐖D2(3)。通過T1的初級變壓會產(chǎn)生帶有雜波信號的交流高壓，由于T1會產(chǎn)生漏感，因此T1的漏感可以作為諧振電感與Cs串聯(lián)結(jié)合，可以過濾雜亂信號，使產(chǎn)生整齊的交流信號，并且可以保持最大信號。此時輸出波形如圖2(4)。CpLp并聯(lián)，可以將T1的輸出信號保持最大，并通過T2變壓器實現(xiàn)二次升壓，獲取最終的高壓交流電壓，如圖2(5)，此時在輸出端可以獲取理想的高壓信號。