本發(fā)明涉及一種背光源電源電路、驅(qū)動電路及顯示裝置，屬于背光源技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

全球LCD及背光源產(chǎn)業(yè)以亞洲為生產(chǎn)重心，2000年LCD生產(chǎn)值地區(qū)分布比例是：日本(61％)、韓國(24％)、中國臺灣(9％)三地幾乎包辦全球產(chǎn)能。其次是大陸(3％)、歐洲(2％)北美(1％)。不同的LCD產(chǎn)品主要生產(chǎn)地區(qū)不相同，但明顯看出日本主導(dǎo)整個市場走向，尤其是在高價產(chǎn)品市場上；號稱液晶顯示器王國的日本，不僅發(fā)展歷史完整悠久，能夠提供各項材料及設(shè)備，加上每家廠商擁有下游應(yīng)用產(chǎn)品品牌、開發(fā)、生產(chǎn)能力，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)完整是最大優(yōu)勢；韓國廠商規(guī)模夠大且集中力量在大尺寸面板，短時間創(chuàng)造TFT－LCD世界前兩大廠地位；后起之秀中國臺灣，以世界最重要下游應(yīng)用產(chǎn)品生產(chǎn)王國，龐大內(nèi)需市場，加上資金全力支援，快速搶占市場；1999年，中國臺灣LCD銷售額約為4.36億美元；2000年產(chǎn)值則達到25.57美元；預(yù)估到2005年，中國臺灣TFT－LCD產(chǎn)值可達116.29億美元，占全球TFT－LCD市場份額的三分之一。背光源市場主要根據(jù)LCD產(chǎn)品市場的變化而變化，根據(jù)中國臺灣資策會統(tǒng)計：全球LCD市場在整體數(shù)量上每年將以15％以上的速度成長，消費大眾對產(chǎn)品高畫質(zhì)、高解析度及視角的要求，必將使得CCFL背光源發(fā)展迅猛；另根據(jù)日本富士總研對全球背光源模組市場的統(tǒng)計資料顯示：1999年全球背光源模組的銷售額已達590億日元，雖然背光模組的價格會隨LCD價格的不斷下調(diào)會有所降低，預(yù)計仍會以12％以上的比例快速成長，到2003年銷售金額會達到1130億日元。

背光源廣泛應(yīng)用于觸摸屏、電視、LCD/LCM、手機、平板電腦、GPS、太陽能電池等行業(yè)，處行業(yè)領(lǐng)先水平，公司多機組合的自動貼膜生產(chǎn)線實現(xiàn)完全自動化生產(chǎn)，可為客戶節(jié)約80％以上的生產(chǎn)工人，為企業(yè)實現(xiàn)大幅 度降低用工成本，為企業(yè)提供一整套適用的生產(chǎn)工藝流程及生產(chǎn)解決方案。但是，目前的背光源電源電路大多設(shè)計復(fù)雜，開發(fā)難度大，成本高。為此，需要發(fā)明一種新的技術(shù)方案，能夠綜合性克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明正是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種背光源電源電路、驅(qū)動電路及顯示裝置，旨在解決現(xiàn)有背光源電源電路大多設(shè)計復(fù)雜，開發(fā)難度大，成本高等問題，滿足了實際使用要求。

為解決上述問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案如下：

一種背光源電源電路，包括與背光源電源電路連接的背光源驅(qū)動電路中交直流轉(zhuǎn)換單元及驅(qū)動單元，所述交直流轉(zhuǎn)換單元對市交流電進行交直流轉(zhuǎn)換，所述驅(qū)動單元驅(qū)動背光源工作，所述背光源電源電路包括：通路控制模塊、微處理器模塊、第一對比模塊以及退磁檢測模塊；

所述通路控制模塊的輸入端連接所述交直流轉(zhuǎn)換單元的輸出端，所述通路控制模塊的輸出端連接所述驅(qū)動單元的輸入端，所述通路控制模塊在導(dǎo)通時將交直流轉(zhuǎn)換單元輸出的直流電通過所述驅(qū)動單元的輸出端供給背光源；

所述第一對比模塊的輸入端連接所述驅(qū)動單元的輸入端，所述第一對比模塊的輸出端連接所述微處理器模塊的第一輸入端，所述第一對比模塊將所述驅(qū)動單元的輸入電壓與第一參考電壓進行比較，并在所述輸入電壓超過所述第一參考電壓時輸出斷開控制信號，使所述微處理器模塊控制所述通路控制模塊斷開；

所述退磁檢測模塊的第一輸入端連接所述驅(qū)動單元的電壓輸出端，所述退磁檢測模塊的第二輸入端連接所述微處理器模塊的輸出端，所述退磁檢測模塊的輸出端連接所述微處理器模塊的第二輸入端，所述退磁檢測模塊在所述微處理器模塊控制所述通路控制模塊斷開時輸出斷開控制信號、使所述微處理器模塊控制所述通路控制模塊保持斷開狀態(tài)，并在所述驅(qū)動單元的輸出電壓小于第二參考電壓時輸出導(dǎo)通控制信號、使所述微處理器 模塊控制所述通路控制模塊導(dǎo)通；

所述微處理器模塊根據(jù)所述第一對比模塊和所述退磁檢測模塊輸出的控制信號調(diào)節(jié)所述通路控制模塊的導(dǎo)通頻率。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述退磁檢測模塊包括第二對比模塊、時延控制模塊以及第一與非門；所述第二對比模塊的輸入端為所述退磁檢測模塊的第二輸入端，所述時延控制模塊的輸入端為所述退磁檢測模塊的第一輸入端，所述第二對比模塊的輸出端和所述時延控制模塊的輸出端連接所述第一與非門的輸入端，所述第一與非門的輸出端為所述退磁檢測模塊的輸出端。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述時延控制模塊包括時延單元和或非門，所述時延單元的輸入端和所述或非門的輸入端共同構(gòu)成所述時延控制模塊的輸入端，且所述或非門的輸出端為所述延時保持電路的輸出端。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述微處理器模塊包括第二與非門、第三與非門及非門；所述第二與非門的第一輸入端為所述微處理器模塊的第二輸入端，所述第二與非門的第二輸入端連接所述第三與非門的輸出端，所述第三與非門的第一輸入端連接所述微處理器模塊的第一輸入端，所述第三與非門的第二輸入端連接所述第二與非門的輸出端，所述第三與非門的輸出端連接所述非門的輸入端，且所述非門的輸出端為所述微處理器模塊的輸出端。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述通路控制模塊為場效應(yīng)管，所述場效應(yīng)管的柵極、漏極以及源極分別為所述通路控制模塊的控制端、輸入端以及輸出端。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述一種背光源驅(qū)動電路，包括交直流轉(zhuǎn)換單元和驅(qū)動單元，所述開關(guān)電源驅(qū)動電路還包括上述所述的背光源電源電路。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述交直流轉(zhuǎn)換單元包括整流橋和第二電容，所述整流橋的第一輸入端和第二輸入端接入市交流電，所述整流橋的輸出端與所述第二電容的第一端的共接點為所述交直流轉(zhuǎn)換單元的輸出 端，所述整流橋的接地端與所述第二電容的第二端均接地。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述驅(qū)動單元包括采樣電阻、電感、二極管、第一電容及分壓采樣電路；

所述采樣電阻的第一端為所述驅(qū)動單元的輸入端，所述采樣電阻的第二端連接所述電感的第一端、所述二極管的陰極及所述分壓采樣電路的輸入端，所述分壓采樣電路的第一輸出端為所述驅(qū)動單元的電壓輸出端，所述分壓采樣電路的第二輸出端連接所述電感的第二端和所述第一電容的第一端，所述分壓采樣電路的第二輸出端為所述驅(qū)動單元的輸出端，所述二極管的陽極和所述第一電容的第二端共接于地。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述分壓采樣電路包括第二電阻和第三電阻，所述第二電阻的第一端為所述分壓采樣電路的輸入端，所述第二電阻的第二端連接所述第三電阻的第一端，所述第三電阻的第二端為所述分壓采樣電路的第二輸出端，所述第二電阻的第二端為所述分壓采樣電路的第一輸出端。

作為上述技術(shù)方案的改進，所述一種顯示裝置包括背光源，所述顯示裝置還包括以上所述的背光源驅(qū)動電路。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的實施效果如下：

本發(fā)明所述的一種背光源電源電路、驅(qū)動電路及顯示裝置，通過通路控制模塊在導(dǎo)通時將交直流轉(zhuǎn)換單元輸出的直流電通過驅(qū)動單元的輸出端供給背光源，并通過所述第一對比模塊將驅(qū)動單元的輸入電壓與第一參考電壓進行比較，并在輸入電壓超過第一參考電壓時輸出斷開控制信號，使微處理器模塊控制通路控制模塊斷開，通過退磁檢測模塊在微處理器模塊控制通路控制模塊斷開時，輸出斷開控制信號使微處理器模塊控制通路控制模塊保持斷開狀態(tài)，并在驅(qū)動單元的輸出電壓小于第二參考電壓時輸出的導(dǎo)通控制信號，使微處理器模塊控制通路控制模塊導(dǎo)通，由微處理器模塊根據(jù)第一對比模塊和退磁檢測模塊輸出的控制信號調(diào)節(jié)通路控制模塊的導(dǎo)通頻率。本發(fā)明解決現(xiàn)有背光源電源電路大多設(shè)計復(fù)雜，開發(fā)難度大，成本高等問題，滿足了實際使用要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種背光源電源電路的模塊結(jié)構(gòu)圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種背光源電源電路的電路結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種背光源驅(qū)動電路的電路結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合具體的實施例來說明本發(fā)明的內(nèi)容。

如圖1至圖3所示，為本發(fā)明所述一種背光源電源電路20，包括與背光源電源電路20連接的背光源驅(qū)動電路中交直流轉(zhuǎn)換單元10及驅(qū)動單元30，交直流轉(zhuǎn)換單元10對市交流電進行交直流轉(zhuǎn)換，驅(qū)動單元30驅(qū)動背光源40工作，背光源電源電路20包括：通路控制模塊14、微處理器模塊13、第一對比模塊11以及退磁檢測模塊12；

通路控制模塊14輸入端連接交直流轉(zhuǎn)換單元10的輸出端，通路控制模塊14的輸出端連接驅(qū)動單元30的輸入端，通路控制模塊14在導(dǎo)通時將交直流轉(zhuǎn)換單元10輸出的直流電通過驅(qū)動單元30的輸出端供給背光源40；

第一對比模塊11的輸入端連接驅(qū)動單元30的輸入端，第一對比模塊11的輸出端連接微處理器模塊13的第一輸入端，第一對比模塊11將驅(qū)動單元30的輸入電壓與第一參考電壓進行比較，并在輸入電壓超過第一參考電壓時輸出斷開控制信號，使微處理器模塊13控制通路控制模塊14斷開；

退磁檢測模塊12的第一輸入端連接驅(qū)動單元30的電壓輸出端，退磁檢測模塊12的第二輸入端連接微處理器模塊13的輸出端，退磁檢測模塊12的輸出端連接微處理器模塊13的第二輸入端，退磁檢測模塊12在微處理器模塊13控制通路控制模塊14斷開時輸出斷開控制信號、使微處理器模塊13控制通路控制模塊14保持斷開狀態(tài)，并在驅(qū)動單元30的輸出電壓小于第二參考電壓時輸出導(dǎo)通控制信號、使微處理器模塊13控制通路控制模塊14導(dǎo)通；

微處理器模塊13根據(jù)第一對比模塊11和退磁檢測模塊12輸出的控制信號調(diào)節(jié)通路控制模塊14的導(dǎo)通頻率。

具體地，參閱圖2所示，退磁檢測模塊12包括第二對比模塊17、時延控制模塊16以及第一與非門U4；第二對比模塊17的輸入端為退磁檢測模塊12的第二輸入端，時延控制模塊16的輸入端為退磁檢測模塊12的第一輸入端，第二對比模塊17的輸出端和時延控制模塊16的輸出端連接第一與非門U4的輸入端，第一與非門U4的輸出端為退磁檢測模塊12的輸出端。

具體地，參閱圖2所示，時延控制模塊16包括時延單元U1和或非門U2，時延單元U1的輸入端和或非門U2的輸入端共同構(gòu)成時延控制模塊16的輸入端，且或非門U2的輸出端為延時保持電路16的輸出端。

具體地，參閱圖2所示，微處理器模塊13包括第二與非門U5、第三與非門U6及非門U7；第二與非門U5的第一輸入端為所微處理器模塊13的第二輸入端，第二與非門U5的第二輸入端連接第三與非門U6的輸出端，第三與非門U6的第一輸入端連接微處理器模塊13的第一輸入端，第三與非門U6的第二輸入端連接第二與非門U5的輸出端，第三與非門U6的輸出端連接非門U7的輸入端，且非門U7的輸出端為微處理器模塊13的輸出端。

具體地，通路控制模塊14為場效應(yīng)管，場效應(yīng)管的柵極、漏極以及源極分別為通路控制模塊14的控制端、輸入端以及輸出端。

進一步改進地，一種背光源驅(qū)動電路，包括交直流轉(zhuǎn)換單元10和驅(qū)動單元30，開關(guān)電源驅(qū)動電路還包括上述所述的背光源電源電路20。

具體地，參閱圖3所示，交直流轉(zhuǎn)換單元10包括整流橋2和第二電容C2，整流橋2的第一輸入端和第二輸入端接入市交流電，整流橋2的輸出端與第二電容C2的第一端的共接點為交直流轉(zhuǎn)換單元10的輸出端，整流橋2的接地端與第二電容C2的第二端均接地。

具體地，參閱圖3所示，驅(qū)動單元30包括采樣電阻R1、電感L1、二極管D1、第一電容C1及分壓采樣電路15；采樣電阻R1的第一端為驅(qū)動單元30的輸入端，采樣電阻R1的第二端連接電感L1的第一端、二極管D1的陰極及分壓采樣電路15的輸入端，分壓采樣電路15的第一輸出端為 驅(qū)動單元30的電壓輸出端，分壓采樣電路15的第二輸出端連接電感L1的第二端和第一電容C1的第一端，分壓采樣電路15的第二輸出端為驅(qū)動單元30的輸出端，二極管D1的陽極和第一電容C1的第二端共接于地。

具體地，參閱圖3所示，分壓采樣電路15包括第二電阻R2和第三電阻R3，第二電阻R2的第一端為分壓采樣電路15的輸入端，第二電阻R2的第二端連接第三電阻R3的第一端，第三電阻R3的第二端為分壓采樣電路15的第二輸出端，第二電阻R2的第二端為分壓采樣電路15的第一輸出端。

進一步改進地，一種顯示裝置還包括背光源40，顯示裝置還包括以上所述的背光源驅(qū)動電路。

具體地，本發(fā)明所述的一種背光源電源電路、驅(qū)動電路及顯示裝置，通過通路控制模塊14在導(dǎo)通時將交直流轉(zhuǎn)換單元10輸出的直流電通過驅(qū)動單元30的輸出端供給背光源40，并通過所述第一對比模塊11將驅(qū)動單元30的輸入電壓與第一參考電壓進行比較，并在輸入電壓超過第一參考電壓時輸出斷開控制信號，使微處理器模塊控制通路控制模塊14斷開，通過退磁檢測模塊12在微處理器模塊13控制通路控制模塊14斷開時，輸出斷開控制信號使微處理器模塊13控制通路控制模塊14保持斷開狀態(tài)，并在驅(qū)動單元30的輸出電壓小于第二參考電壓時輸出的導(dǎo)通控制信號，使微處理器模塊13控制通路控制模塊14導(dǎo)通，由微處理器模塊13根據(jù)第一對比模塊11和退磁檢測模塊12輸出的控制信號調(diào)節(jié)通路控制模塊14的導(dǎo)通頻率。本發(fā)明解決現(xiàn)有背光源電源電路大多設(shè)計復(fù)雜，開發(fā)難度大，成本高等問題，滿足了實際使用要求。

具體工作原理：參閱圖2、圖3，當(dāng)反相器U7輸出為高電平時，場效應(yīng)管Q1導(dǎo)通，則流過采樣電阻R1的電流逐漸增大即流過電感L1的電流也逐漸增大，采樣電阻R1兩端電壓也逐漸增大，當(dāng)采樣電阻R1上的電壓達到第一參考電壓時，第一電壓比較器U8輸出控制低電平，微處理器模塊13中的與非門U6輸出高電平，導(dǎo)致非門U7輸出低電平，從而關(guān)斷場效應(yīng)管Q1，此時采樣電阻R1兩端電壓變?yōu)?V，第一電壓比較器U8輸出控制 高電平；由于微處理器模塊13中的與非門U6輸出高電平，使退磁檢測模塊12中的時延單元U1和或非門U2產(chǎn)生一個禁閉信號，使與非門U4的輸出在非門U7輸出信號的下降沿一定延時時間之內(nèi)保持為高輸出，通過設(shè)置分壓電阻R2和R3合適的比例，當(dāng)場效應(yīng)管Q1關(guān)閉時，使FB端口電壓高于第二參考電壓，使退磁檢測模塊12中的第二電壓比較器U3輸出低電平，進一步使與非門U4輸出高電平，則微處理器模塊13中的與非門U5和與非門U6組成的RS鎖存器輸出保持之前的狀態(tài)即與非門U6輸出高電平，非門U7輸出保持低電平，此時流過電感L1中的電流逐漸減小，當(dāng)減小為零后，F(xiàn)B端口電壓會降低到第二參考電壓以下，使退磁檢測模塊12中的第二電壓比較器U3輸出高電平，由于此時或非門U2輸出也是高電平，則與非門U4輸出低電平，則使微處理器模塊13中的與非門U5和與非門U6組成的RS鎖存器改變狀態(tài)使與非門U6輸出低電平，非門U7輸出高電平，從而使場效應(yīng)管Q1導(dǎo)通，如此反復(fù)循環(huán)實現(xiàn)控制原理，從而也達到電源電路穩(wěn)定工作的目的。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的實施例對本發(fā)明所作的詳細說明，不能認定本發(fā)明具體實施僅限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明保護的范圍。