1.一種限幅控制電路，其特征在于，所述電路包括：
從動諧振環(huán)和半控電容；
所述從動諧振環(huán)包括諧振線圈和諧振電容，所述諧振線圈與所述諧振電容串聯(lián)；
所述半控電容包括：電容和開關管；
所述電容的一端與所述開關管的源極連接；所述電容的另一端與所述諧振電容未連接諧振線圈的一端連接；所述開關管的漏極與所述諧振線圈、所述諧振電容的連接點連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的電路，其特征在于，所述開關管為IGBT管。
3.根據(jù)權利要求1所述的電路，其特征在于，所述開關管為MOSFET管。
4.一種限幅控制裝置，其特征在于，所述裝置包括如權利要求1～3任意一項所述的限幅控制電路，還包括：驅(qū)動電壓供給電路；
所述驅(qū)動電壓供給電路，用于為所述半控電容提供電壓；
所述驅(qū)動電壓供給電路包括：
整流器、濾波電容、隔離開關電源、電壓采樣電路、比較器和驅(qū)動放大器；
所述從動諧振環(huán)中諧振線圈非所述連接點的一端、所述整流器、所述濾波電容、所述電壓采樣電路、所述比較器、所述驅(qū)動放大器和所述半控電容依次連接，所述隔離開關電源并聯(lián)在濾波電容的兩端。
5.一種限幅控制方法，其特征在于，應用于限幅控制電路，所述限幅控制電路包括：
從動諧振環(huán)和半控電容；
所述從動諧振環(huán)包括諧振線圈和諧振電容，所述諧振線圈與所述諧振電容串聯(lián)；
所述半控電容包括：電容和開關管；
所述電容的一端與所述開關管的源極連接；所述電容的另一端與所述諧振電容未連接諧振線圈的一端連接；所述開關管的漏極與所述諧振線圈、所述諧振電容的連接點連接；
所述方法包括：
當需要提供穩(wěn)定的電壓時，控制所述開關管導通，所述半控電容導通。
6.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述開關管為IGBT管。
7.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述開關管為MOSFET管。
8.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述開關管導通，具體包括：
采用輸入高低電平的方式控制所述開關管導通。
9.根據(jù)權利要求5所述的方法，其特征在于，所述控制所述開關管導通，具體包括：
采用脈沖寬度調(diào)制的方式控制所述開關管導通。